JPH0532817B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0532817B2 JPH0532817B2 JP60201360A JP20136085A JPH0532817B2 JP H0532817 B2 JPH0532817 B2 JP H0532817B2 JP 60201360 A JP60201360 A JP 60201360A JP 20136085 A JP20136085 A JP 20136085A JP H0532817 B2 JPH0532817 B2 JP H0532817B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- sputtered
- substrate
- sources
- magneto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
- C23C14/044—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば書き換え可能な光磁気デイス
クに適用する光磁気記録媒体の作製に用いられる
超各子積層構造の薄膜の作製装置に係わる。
クに適用する光磁気記録媒体の作製に用いられる
超各子積層構造の薄膜の作製装置に係わる。
本発明は複数のスパツタ源を同一円周上に配置
してこれに対して被スパツタリング基体を回転さ
せつつそのスパツタリングを行つて、各スパツタ
源からのスパツタ材による極薄の各薄膜層の超格
子積層構造による薄膜を得ることができるように
するものである。
してこれに対して被スパツタリング基体を回転さ
せつつそのスパツタリングを行つて、各スパツタ
源からのスパツタ材による極薄の各薄膜層の超格
子積層構造による薄膜を得ることができるように
するものである。
レーザー光、例えば半導体レーザー光により書
き込み、読み出しを行うことができ書き換え可能
な光磁気デイスクとして、希土類金属と遷移金属
とのアモルフアス（非晶質）合金によるものが提
案されている。このような光磁気デイスク、すな
わち光磁気記録媒体を得る方法としては、スパツ
タリング法がある。この場合のスパツタリング
は、１つのスパツタ源からなされる。すなわち、
そのスパツタ源、すなわちターゲツトは、遷移金
属ターゲツト上に希土類金属のペレツト（細片）
を載せた構成とし、これら金属を同時に基体上に
スパツタリングするという方法がとられる。この
ようにして得た光磁気記録媒体の磁化曲線（磁化
の強さＭ−磁場の強さＨ曲線）は、第３図に示す
ようにそのヒステリシス特性の角型が悪い。した
がつて、この場合、何らかの理由で、記録済みの
媒体に外部磁界が与えられた場合などにおいて媒
体上の記録が劣化しS/Nを低めてしまうなどの問
題点がある。また、このような方法による場合、
記録媒体の全域に亘つて一様のスパツタリング、
したがつて一様の磁気特性を有するものが得難い
という問題点がある。
き込み、読み出しを行うことができ書き換え可能
な光磁気デイスクとして、希土類金属と遷移金属
とのアモルフアス（非晶質）合金によるものが提
案されている。このような光磁気デイスク、すな
わち光磁気記録媒体を得る方法としては、スパツ
タリング法がある。この場合のスパツタリング
は、１つのスパツタ源からなされる。すなわち、
そのスパツタ源、すなわちターゲツトは、遷移金
属ターゲツト上に希土類金属のペレツト（細片）
を載せた構成とし、これら金属を同時に基体上に
スパツタリングするという方法がとられる。この
ようにして得た光磁気記録媒体の磁化曲線（磁化
の強さＭ−磁場の強さＨ曲線）は、第３図に示す
ようにそのヒステリシス特性の角型が悪い。した
がつて、この場合、何らかの理由で、記録済みの
媒体に外部磁界が与えられた場合などにおいて媒
体上の記録が劣化しS/Nを低めてしまうなどの問
題点がある。また、このような方法による場合、
記録媒体の全域に亘つて一様のスパツタリング、
したがつて一様の磁気特性を有するものが得難い
という問題点がある。
本発明は上述した諸欠点を解消し、各部一様に
すぐれた特性を有する光磁気記録媒体を得ること
のできる超格子積層構造の薄膜の作製装置を提供
するものである。
すぐれた特性を有する光磁気記録媒体を得ること
のできる超格子積層構造の薄膜の作製装置を提供
するものである。
本発明は、複数のスパツタ源を同一円周上の互
いに離間した位置に配置し、これらスパツタ源の
配置された円周の中心軸０−0′を中心として被ス
パツタリング基体を回転させ、スパツタ源と上記
被スパツタリング基体との間には夫々被スパツタ
リング基体に対して各スパツタ源よりの飛翔スパ
ツタ材の透過開口を有し夫々のスパツタ領域を規
制するマスクを設けマスクの各開口はその開口幅
が中心軸０−0′側から外周方向に向つて広がる形
状に選定する。
いに離間した位置に配置し、これらスパツタ源の
配置された円周の中心軸０−0′を中心として被ス
パツタリング基体を回転させ、スパツタ源と上記
被スパツタリング基体との間には夫々被スパツタ
リング基体に対して各スパツタ源よりの飛翔スパ
ツタ材の透過開口を有し夫々のスパツタ領域を規
制するマスクを設けマスクの各開口はその開口幅
が中心軸０−0′側から外周方向に向つて広がる形
状に選定する。
本発明装置によれば、複数のスパツタ源を互い
に離間させて配置し、被スパツタリング基体の回
転によつてそのスパツタを行うようにしたことに
よつて、被スパツタ基体上に各スパツタ源からの
スパツタ材が交互に積層される。そして、この場
合そのスパツタ条件の選定、例えば被スパツタリ
ング基体の回転速度、マスク開口幅、印加電圧等
の選定と共に、マスクの開口幅を外周に向つて広
がる形状に、云い換えれば、中心に向つて幅狭に
したことによつて異なるスパツタ源からの各材料
を、被スパツタリング基体の中心部から外周部に
亘つて一様の厚さ、組成とし、中心部において各
材料が混然一体となることを回避して確実に超格
子積層状態に、すなわちそれぞれ原子層オーダを
もつて極薄の各材料例えば各構成元素層を周期的
に積層して成る超格子構造のアモルフアス薄膜を
作製できる。
に離間させて配置し、被スパツタリング基体の回
転によつてそのスパツタを行うようにしたことに
よつて、被スパツタ基体上に各スパツタ源からの
スパツタ材が交互に積層される。そして、この場
合そのスパツタ条件の選定、例えば被スパツタリ
ング基体の回転速度、マスク開口幅、印加電圧等
の選定と共に、マスクの開口幅を外周に向つて広
がる形状に、云い換えれば、中心に向つて幅狭に
したことによつて異なるスパツタ源からの各材料
を、被スパツタリング基体の中心部から外周部に
亘つて一様の厚さ、組成とし、中心部において各
材料が混然一体となることを回避して確実に超格
子積層状態に、すなわちそれぞれ原子層オーダを
もつて極薄の各材料例えば各構成元素層を周期的
に積層して成る超格子構造のアモルフアス薄膜を
作製できる。
第１図は本発明装置の一例の略線的構成を示す
もので、マグネトロン型のスパツタリング装置の
構成をとるものである。この場合、ベルジヤ（図
示せず）内に、中心軸０−0′を中心として回転す
る基台６を設け、これの例えば下面に目的とする
薄膜を被着形成する被スパツタリング体、例えば
光磁気記録媒体を構成するガラス板、樹脂板等よ
り成る基体１が配置される。そして、この基体１
に対向して軸心０−0′を中心に等間隔、すなわち
180゜の角間隔を保持して２個のスパツタ源７及び
８を配置する。これらスパツタ源７及び８と基台
６、すなわち基体１との間には、スパツタ源７及
び８より夫々スパツタされる金属のスパツタ位置
を規制するマスク９を配置する。スパツタ源７は
希土類金属Tbの板状体より成るターゲツト１０
を有し、スパツタ源８は、遷移金属Feの板状体
より成るターゲツト１１を有して成る。１２及び
１３は、夫々マグネツトを示す。
もので、マグネトロン型のスパツタリング装置の
構成をとるものである。この場合、ベルジヤ（図
示せず）内に、中心軸０−0′を中心として回転す
る基台６を設け、これの例えば下面に目的とする
薄膜を被着形成する被スパツタリング体、例えば
光磁気記録媒体を構成するガラス板、樹脂板等よ
り成る基体１が配置される。そして、この基体１
に対向して軸心０−0′を中心に等間隔、すなわち
180゜の角間隔を保持して２個のスパツタ源７及び
８を配置する。これらスパツタ源７及び８と基台
６、すなわち基体１との間には、スパツタ源７及
び８より夫々スパツタされる金属のスパツタ位置
を規制するマスク９を配置する。スパツタ源７は
希土類金属Tbの板状体より成るターゲツト１０
を有し、スパツタ源８は、遷移金属Feの板状体
より成るターゲツト１１を有して成る。１２及び
１３は、夫々マグネツトを示す。
マスク９は、例えば第２図に示すように、ター
ゲツト１０及び１１に対向する部分にこれらター
ゲツト１０及び１１の中心を通る直線ｘ方向に外
側に向つて広がるいちよう形の開口１４及び１５
が穿設されて成り、基台６が停止した状態では基
体１の互いに異なる部分例えば主として一半部に
一方のターゲツト１０からの希土類金属がスパツ
タリングされ、主として他半部に他方のターゲツ
ト１１からの遷移金属がスパツタリングされるよ
うにする。
ゲツト１０及び１１に対向する部分にこれらター
ゲツト１０及び１１の中心を通る直線ｘ方向に外
側に向つて広がるいちよう形の開口１４及び１５
が穿設されて成り、基台６が停止した状態では基
体１の互いに異なる部分例えば主として一半部に
一方のターゲツト１０からの希土類金属がスパツ
タリングされ、主として他半部に他方のターゲツ
ト１１からの遷移金属がスパツタリングされるよ
うにする。
そして基台６を回転させながらターゲツト１０
及び１１を負極側として直流スパツタリングを行
う。１６はシヤツタで、このシヤツタ１６はスパ
ツタリングの開始時の放電が不安定な状態では図
示のようにスパツタ源と被スパツタリング基体と
の間に配置されるが、放電が安定した状態で排除
される。
及び１１を負極側として直流スパツタリングを行
う。１６はシヤツタで、このシヤツタ１６はスパ
ツタリングの開始時の放電が不安定な状態では図
示のようにスパツタ源と被スパツタリング基体と
の間に配置されるが、放電が安定した状態で排除
される。
今この装置によつてこの基台６の回転を１回転
３秒間の回転速度をもつて回転させて６分間、す
なわち、120回の回転によつてスパツタリングを
行つた。この場合、基体１上には、全体として
1000Åの薄膜５が堆積被着された。そして、この
ようにして形成された薄膜５は、第４図に示すよ
うにTb層２とFe層３とが交互に繰り返し積層さ
れた構成となる。
３秒間の回転速度をもつて回転させて６分間、す
なわち、120回の回転によつてスパツタリングを
行つた。この場合、基体１上には、全体として
1000Åの薄膜５が堆積被着された。そして、この
ようにして形成された薄膜５は、第４図に示すよ
うにTb層２とFe層３とが交互に繰り返し積層さ
れた構成となる。
尚、基体１に対するスパツタリングによる各層
２，３の成長速度は、例えば２〜20Å／秒就中５
〜10Å／秒となるように基体１とスパツタ源との
相対的回転速度、各スパツタ源、すなわち各ター
ゲツトへの印加電圧、電流条件等を選定すること
によつて選定する。すなわち基体への成長速度が
２Å／秒未満となると、遷移金属と希土類金属と
が夫々層状に形成され難くなり、また20Å／秒を
超えると磁気的特性が低下してくることが認めら
れる。
２，３の成長速度は、例えば２〜20Å／秒就中５
〜10Å／秒となるように基体１とスパツタ源との
相対的回転速度、各スパツタ源、すなわち各ター
ゲツトへの印加電圧、電流条件等を選定すること
によつて選定する。すなわち基体への成長速度が
２Å／秒未満となると、遷移金属と希土類金属と
が夫々層状に形成され難くなり、また20Å／秒を
超えると磁気的特性が低下してくることが認めら
れる。
上述の本発明装置によつて得た光磁気記録媒体
の磁化曲線を第５図に示す。この場合、第３図の
ものに比し角型比の向上がみられる。
の磁化曲線を第５図に示す。この場合、第３図の
ものに比し角型比の向上がみられる。
尚、上述した例においては、各希土類金属と遷
移金属とを夫々単一金属によつて構成した場合で
あるが、これらの一方若しくは双方を２元以上の
組成とすることもできる。例えば希土類金属とし
てTbGd合金、遷移金属としてFeCo合金を用い
得る。このように希土類金属、或いは（及び）遷
移金属として２元以上の金属より構成する場合
は、ターゲツト１０或いは（及び）１１として
夫々これらの合金によつて構成するか、或いはタ
ーゲツト１０或いは及び１１を部分的に、特にマ
スク９の開口１４或いは（及び）１５に臨む部分
において部分的に夫々の金属部分の面積の比率
が、最終的に得るようとする各合金の組成比の割
合となるように選定するとか、ターゲツト１０或
いは（及び）１１として１種の金属の板体上に他
の金属ペレツトを載せてそのスパツタを行うなど
の方法を採り得る。
移金属とを夫々単一金属によつて構成した場合で
あるが、これらの一方若しくは双方を２元以上の
組成とすることもできる。例えば希土類金属とし
てTbGd合金、遷移金属としてFeCo合金を用い
得る。このように希土類金属、或いは（及び）遷
移金属として２元以上の金属より構成する場合
は、ターゲツト１０或いは（及び）１１として
夫々これらの合金によつて構成するか、或いはタ
ーゲツト１０或いは及び１１を部分的に、特にマ
スク９の開口１４或いは（及び）１５に臨む部分
において部分的に夫々の金属部分の面積の比率
が、最終的に得るようとする各合金の組成比の割
合となるように選定するとか、ターゲツト１０或
いは（及び）１１として１種の金属の板体上に他
の金属ペレツトを載せてそのスパツタを行うなど
の方法を採り得る。
また、スパツタ源は、希土類金属と遷移金属と
に関し、夫々異るスパツタ源を用いるものである
が、これらは夫々複数個設けることもできる。
に関し、夫々異るスパツタ源を用いるものである
が、これらは夫々複数個設けることもできる。
本発明装置によれば、全体として所要の組成と
なるも、その各構成材料を、例えば各元素毎に或
いは合金毎に夫々極薄の薄膜層として順次繰り返
し、周期的に積層させた前述した超格子構造の、
すなわち、原子層オーダの薄膜の積層構造を作製
でき、上述したように例えば光磁気記録媒体の作
製に適用すれば、特性の良い媒体を作製できるの
で実用上の利益は極めて大きい。
なるも、その各構成材料を、例えば各元素毎に或
いは合金毎に夫々極薄の薄膜層として順次繰り返
し、周期的に積層させた前述した超格子構造の、
すなわち、原子層オーダの薄膜の積層構造を作製
でき、上述したように例えば光磁気記録媒体の作
製に適用すれば、特性の良い媒体を作製できるの
で実用上の利益は極めて大きい。
第１図は本発明装置の一例の略線的構成図、第
２図はその要部の平面図、第３図は従来装置によ
つて得た光磁気記録媒体の磁化曲線図、第４図は
本発明装置によつて得た光磁気記録媒体の略線的
拡大断面図、第５図はその磁化曲線図である。 １は基体、６は基台、７及び８はスパツタ源で
ある。
２図はその要部の平面図、第３図は従来装置によ
つて得た光磁気記録媒体の磁化曲線図、第４図は
本発明装置によつて得た光磁気記録媒体の略線的
拡大断面図、第５図はその磁化曲線図である。 １は基体、６は基台、７及び８はスパツタ源で
ある。
Claims (1)
- １ ２種類以上のスパツタ源が同一円周上の互い
に離間した位置に配置され、これらスパツタ源の
配置された上記円周の中心軸を中心として被スパ
ツタリング基体が回転するようになされ、上記ス
パツタ源と上記被スパツタリング基体との間には
夫々上記被スパツタリング基体に対して上記各ス
パツタ源よりの飛翔スパツタ材の透過開口を有し
夫々のスパツタ領域を規制するマスクが設けら
れ、上記マスクの上記各開口はその開口幅が上記
中心軸側から外周方向に向つて広がる形状に選定
されたことを特徴とする超格子積層構造薄膜の作
製装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20136085A JPS6177155A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | 超格子積層構造薄膜の作製装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20136085A JPS6177155A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | 超格子積層構造薄膜の作製装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58092067A Division JPH0670858B2 (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 光磁気記録媒体とその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177155A JPS6177155A (ja) | 1986-04-19 |
| JPH0532817B2 true JPH0532817B2 (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=16439757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20136085A Granted JPS6177155A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | 超格子積層構造薄膜の作製装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6177155A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0792936B2 (ja) * | 1985-06-21 | 1995-10-09 | 京セラ株式会社 | 光磁気記録素子の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5732370A (en) * | 1980-07-31 | 1982-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Sputtering and vapor-depositing method and formation of magnetic gap by said method |
-
1985
- 1985-09-11 JP JP20136085A patent/JPS6177155A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6177155A (ja) | 1986-04-19 |
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