JPH03268351A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH03268351A JP2066683A JP6668390A JPH03268351A JP H03268351 A JPH03268351 A JP H03268351A JP 2066683 A JP2066683 A JP 2066683A JP 6668390 A JP6668390 A JP 6668390A JP H03268351 A JPH03268351 A JP H03268351A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、複数の半導体チップを同一のパッケージに実
装した半導体装置（マルチチップパッケージ）に関する
。
（従来の技術） 従来のマルチチップパッケージを第８図、第９図に示す
。即ち第８図の場合、チップ１１は、Ｆ　ｅ−４２ｖｔ
％Ｎｉアロイ等のベッド１２上にアルミナフィルム１３
．Ａｉ）フィルム１４を介して実装され、チップ間等の
配線は、アルミナ１３上のＡｐ配線１４により、ボンデ
ィングワイヤ１５を用いてなされていた。１６はベッド
１２と同材質のリード、１７はモールド用プラスチック
である。
また第９図では、バンブ２１によりチップ（例えばＬＳ
Ｉメモリ用）２２を配線基板（ベッド）２３１．２３２
に実装していた。この場合、チ・ンブ２２のＳｔ基板は
パッケージを構成する部材とは、直接接していないこと
になる。第９図中２４はＡｉ＋フィン、２５は高熱伝導
接着剤、２６はリード、２７はムライトフランジ、２８
はアルミナキャップ、２９は封止用接着剤、３０は封止
用接着剤である。
（発明が解決しようとする課８） 第８図に示した従来例にあっては、チップ１１をＡＩ！
フィルム１４及びアルミナフィルム１３を介してベッド
１２上に実装しているが、プラスチック１７でモールド
され、ベッド１２は、アルミナ１３があるため、直接外
へ引き出されていないので、放熱特性が悪い。
第９図に示した従来例にあっては、べ・ンド２３１．２
３２からＡｇフィン２４までの熱伝達特性は向上してい
るものの、ＬＳＩチップ２２とベッド２３１がバンブに
より接続されているため、チップ２２からの放熱特性は
改善されていない。
この様に従来例では、同一パッケージに複数のチップを
搭載した場合に、増加する発熱量に対する対策が不充分
であり、チップ温度の上昇をまねき、回路動作に不良を
引き起こす。
本発明は、同一パッケージに複数のチップを搭載した場
合、問題となる放熱特性を改善することが目的である。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段と作用） 本発明は、複数の半導体チップを同一のパッケージに実
装した半導体装置において、前記チップがベッドまたは
パッケージ基板に直接接着されていることを特徴とする
半導体装置である。
即ち本発明では、チップ裏面をベッド又は基板に直接接
着することにより、放熱特性を向上させたものである。
（実施例） 第１図に本発明の第１実施例を示す。この実施例では、
半導体チップ４１の裏面を直接ベッド４２に接着してい
る。チップ間等の配線は、絶縁性の高い例えばポリイミ
ド４３上に形成したＣｕ配線４４を介してボンディング
ワイヤー４５により行なっている。ベッド４２の材質と
しては、４２７０イ（鉄、ニッケル系合金）、Ｃｕ等で
よい。チップ４１とベッド４２との接着は、ポリイミド
等の絶縁性接着剤とか導電性接着剤等で行なってもよい
。第１図の構成は、その後例えば有機性樹脂で封止され
る。
第１図のようにすれば、チップ４１とベッド４２との間
に、第８図のアルミナフィルム１３等が介在されないた
め、両者間の放熱性が良くなる。
第２図は実装方法をセラミックパッケージ５１に適用し
た場合の第２の実施例の断面図である。
チップ４１とセラミックパッケージ５１との間には、ベ
ッド４２があっても、なくてもよい。第２図中５２は放
熱フィン、５３は配線、５４はビン（配線端子）、５５
はリッドである。なお、上記実装方法をセラミックパッ
ケージによらず、プラスチックパッケージに封止する場
合は、樹脂剥離を防止するため、ベッドにアンカーホー
ルを設けるとよい。
第３実施例を第３図に示す。この実施例では、チップ間
等の接続をＴ　Ａ　Ｂ　（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅ
ｄＢｏｎｄｉｎｇ）により行なっている。即ちベッド４
２にポリイミド４３を塗布し、Ｃｕの配線パターン４４
及び電極６１を形成した後（第３図（ａ））、チップ４
１をベッド４２に直接接着しく第３図（ｂ））、テープ
ボンディングによりテープ６２上の配線パターン６３を
用いて、チップ４１上の電極６４、ポリイミド上の配線
パターン電極４５間とか、チップと外部導出リード間等
の配線を行なう（第３図（Ｃ））。
第４図に示す第４の実施例では、第１．第３の実施例と
は異なり、ポリイミド４３上にはＣｕ配線を形成せず、
絶縁性テープ７１の下面に配線パターン７２を形成して
いる。本実施例ではチップ４１をベッド４２に直接接着
後、ポリイミド４３を平坦に４００〜５００ρはど塗布
しく第４図（ａ））、チップ上パッド部のバンブ部６４
のみポリイミド４３を除去しく第４図（ｂ））　、Ｃｕ
配線７２が形成されたボンディング用テープ７１の圧着
により、チップ間接続を行なう（第４図（Ｃ））。
第５の実施例を第５図に示す。本実施例では、チップ４
１付近はプラスチック８１で封止される。
即ちチップ４１をアルミナ基板８２に直接接着し、これ
とリードのインナーリード部８３が接してモールドされ
ている。プラスチック８１の封止の場合、樹脂剥離を防
止するため、基板８２にアンカーホールを設けるとよい
。
第６の実施例を第６図に示す。この実施例では、基板９
１には、熱伝導性の良い例えばＡＪＮを用い、基板９１
の両面にチップ４１が実装されており、インナーリード
８３で基板９１をはさみ込んでいる。
上述した各実施例では、ベッド４２またはこれと同等の
役目をするアルミナ基板９１、パッケージ基板５１等に
チップ４１を直接接着したため、チップ−ベッド又は基
板間の熱抵抗の減少と放熱面積の拡大により、半導体チ
ップからパッケージ表面までの熱抵抗を大幅に減らすこ
とができた。
また、第５，６図に示す構造を採った場合、チップから
ベッドまたは基板を経てリードへ熱が伝わる経過が形成
されるため、熱抵抗の低減にさらに効果がある。
第７図に、従来の熱抵抗と本発明を適用したパッケージ
の熱抵抗を示す。パッケージには放熱フィンはつけてお
らず、無風状態で測定を行った。
図から明らかな様に、本発明により、熱抵抗は従来より
３０〜５０％改善されている。
またＴＡＢによりチップ間配線を行った場合、特に第４
の実施例では、チップ間隔を従来の半分程度に減らすこ
とができ、実装密度の向上の点がらも効果がある。
なお、本発明は上記実施例に限られず、種々の応用が可
能である。例えば、本発明はベッド、パッケージ等の材
質を実施例で述べたものに限定するものではない。また
例えばＴＡＢ配線を用いた場合、全部をＴＡＢとしなく
ても、一部のみでもよい。
〔発明の効果］ 以上説明した如く本発明によれば、放熱効果に優れたマ
ルチチップパッケージ型半導体装置が提供できるもので
ある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１実施例の要部断面図、第２図は本
発明の第２実施例の断面図、第３図。 第４図は本発明の第３．第４実施例の製造工程図、第５
図は本発明の第５実施例の断面図、第６図は本発明の第
６実施例の要部の斜視図、第７図は上記実施例の効果を
示す特性図、第８図、第９図は従来装置の断面図である
。 ４１・・・チップ、４２・・・ベッド、４３・・・ポリ
イミド、４４・・・配線パターン、４５・・・ボンディ
ングワイヤ、５１・・・セラミックパッケージ、５２・
・・放熱ファン、６１．６４・・・電極、６２・・・Ｔ
ＡＢ用テープ、７１・・・テープ、７２・・・配線パタ
ーン、８１・・・封止用プラスチック、８２・・・アル
ミナ基板、８３・・・インナーリード、９１・・・基板
。

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）複数の半導体チップを同一のパッケージに実装し
    た半導体装置において、前記チップがベッドまたはパッ
    ケージ基板に直接接着されていることを特徴とする半導
    体装置。
  2. （２）前記複数の半導体チップ間に電気絶縁性の高い樹
    脂が充填されていることを特徴とする請求項１に記載の
    半導体装置。
  3. （３）前記チップが接着された基板がリード端子のイン
    ナーリード部と接していることを特徴とする請求項１ま
    たは２に記載の半導体装置。
  4. （４）前記充填樹脂上に形成された配線パターンを介し
    て、配線がなされていることを特徴とする請求項２に記
    載の半導体装置。
  5. （５）前記配線パターンとチップ間の配線の一部または
    全部がボンディングワイヤーでなされていることを特徴
    とする請求項４に記載の半導体装置。
  6. （６）前記配線パターンとチップ間の配線の一部または
    全部がＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉ
    ｎｇ）でなされていることを特徴とする請求項４に記載
    の半導体装置。
  7. （７）前記チップ間、及びチッとプ外部リードとの接続
    がＴＡＢによりなされていることを特徴とする請求項４
    に記載の半導体装置。
  8. （８）前記半導体チップがベッドまたは基板両面に実装
    されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれ
    か１項に記載の半導体装置。
  9. （９）前記半導体チップが実装されているベッドまたは
    パッケージ基板が絶縁性で、これがインナーリードの一
    部によりはさみ込まれていることを特徴とする請求項８
    に記載の半導体装置。
  10. （１０）前記半導体チップが有機性樹脂により封止され
    ていることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１
    項に記載の半導体装置。
  11. （１１）前記半導体チップがセラミックパッケージ中に
    封止されていることを特徴とする請求項１ないし９のい
    ずれか１項に記載の半導体装置。
  12. （１２）前記パッケージ表面に放熱用フィンが取り付け
    られていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体
    装置。
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