JPH03271119A - Ｙｂｃｏ系酸化物高温超電導薄膜の製造方法 - Google Patents
Ｙｂｃｏ系酸化物高温超電導薄膜の製造方法Info
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- JPH03271119A JPH03271119A JP2067187A JP6718790A JPH03271119A JP H03271119 A JPH03271119 A JP H03271119A JP 2067187 A JP2067187 A JP 2067187A JP 6718790 A JP6718790 A JP 6718790A JP H03271119 A JPH03271119 A JP H03271119A
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- thin film
- film
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ＹＢＣＯ系酸化物高温超電導薄膜を製造する
方法に関する。本発明による薄膜は、エレクトロニクス
分野、電力分野、輸送分野なとその通用分野はきわめて
広いものである。
方法に関する。本発明による薄膜は、エレクトロニクス
分野、電力分野、輸送分野なとその通用分野はきわめて
広いものである。
［従来の技術］
酸化物高温超電導薄膜の作製法は数多く試みられており
、特に気相から作製するものては単結晶を熱処理なしで
得、特性として非常に優れたものが得られるようになっ
てきた（例えば、特開昭６２−２３６７９２ 、同６２
−２３６７９３ ）。しかしながら、酸化物高温超電導
物質は構成元素の化学量論組成の微妙な違いが特性に大
きく左右されるため、特性の良い試料を得ようとすると
その試料の大きさはきわめて限られたものとなってしま
い、現在工業化への問題点となっている。また、液相か
ら作製するものでも局所的な組成比のずれか大きく単一
相のものができないため、臨界電流密度において満足な
ものが得られていない。
、特に気相から作製するものては単結晶を熱処理なしで
得、特性として非常に優れたものが得られるようになっ
てきた（例えば、特開昭６２−２３６７９２ 、同６２
−２３６７９３ ）。しかしながら、酸化物高温超電導
物質は構成元素の化学量論組成の微妙な違いが特性に大
きく左右されるため、特性の良い試料を得ようとすると
その試料の大きさはきわめて限られたものとなってしま
い、現在工業化への問題点となっている。また、液相か
ら作製するものでも局所的な組成比のずれか大きく単一
相のものができないため、臨界電流密度において満足な
ものが得られていない。
最近、広い面積にわたって均一な高温超電導薄膜を得、
また装置の初期投資の少ない簡易法として、構成元素を
別々に積層し後で熱処理する方法か考え出されてきた（
例えば、Ｃ，Ｘ、Ｑｕｉ ａｎｄ Ｉ。
また装置の初期投資の少ない簡易法として、構成元素を
別々に積層し後で熱処理する方法か考え出されてきた（
例えば、Ｃ，Ｘ、Ｑｕｉ ａｎｄ Ｉ。
５ｈｉｈ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ５
２（１９８８）、 ５８７ 、Ｍａｓａａｋｉ Ｆｕｔ
ａｍｏｔｏ ａｎｄ Ｙｕｋｉｏ Ｈｏｎｄａ、 Ｊｐ
ｎ、 Ｊ、 Ａｐｐｌ。
２（１９８８）、 ５８７ 、Ｍａｓａａｋｉ Ｆｕｔ
ａｍｏｔｏ ａｎｄ Ｙｕｋｉｏ Ｈｏｎｄａ、 Ｊｐ
ｎ、 Ｊ、 Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ、 ２７（１９８８）、 １７３ ）。この方
法はさらに、超電導の構成元素が更に増えた場合でも応
用が簡単であるというメリットをあわせもち、工業化に
は有望な方法である。
法はさらに、超電導の構成元素が更に増えた場合でも応
用が簡単であるというメリットをあわせもち、工業化に
は有望な方法である。
しかしながら、エレクトロニクスデバイスへの応用で重
要となる表面平滑性について考えたとき、本方法では超
電導薄膜とするには後の熱処理が必要であり、表面平滑
性がこの段階で失われ易いという問題点があった。
要となる表面平滑性について考えたとき、本方法では超
電導薄膜とするには後の熱処理が必要であり、表面平滑
性がこの段階で失われ易いという問題点があった。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は、基板を加熱しながらＢａ、ＹＪ：ｕを積層す
ることにより、上記問題点を解決し、高い表面平滑性と
高い特性の超電導薄膜を大面積で製造する方法を提供す
ることを目的とする。
ることにより、上記問題点を解決し、高い表面平滑性と
高い特性の超電導薄膜を大面積で製造する方法を提供す
ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、ＹＢＣＯ系酸化物高温超電導薄膜を反応蒸着
で製造する方法において、酸素あるいは酸素と希カス（
Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）の混合雰囲気下、基板
の温度を５５０〜６５０℃に加熱し、該基板上に、基板
に隣合う第一層としてＹ、Ｂａ、Ｃｕから選ばれる１種
を成膜し、第一層に隣合う第二層としてＹ。
で製造する方法において、酸素あるいは酸素と希カス（
Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）の混合雰囲気下、基板
の温度を５５０〜６５０℃に加熱し、該基板上に、基板
に隣合う第一層としてＹ、Ｂａ、Ｃｕから選ばれる１種
を成膜し、第一層に隣合う第二層としてＹ。
Ｂａ、Ｃｕから選ばれる第一層とは違う１種を成膜し、
第二層に隣合う第三層としてＹ、Ｂａ、Ｃｕから選ばれ
る第一層及び第二層とは違う１種を成膜し、該３層の合
計膜厚が１００Å〜１０００λとなるように連続的に積
層し、更に該３積層膜を連続的に繰り返し積層し全膜厚
を１００ＯÅ〜２μｍとすることにより、後の熱処理な
しでＹＢＣＯ系酸化物高温超電導薄膜を得ることを特徴
としたＹ、Ｂａ、Ｃｕ ８１層膜によるＹＢＣＯ系酸化
物高温超電導薄膜の製造方法を提供するものである。
第二層に隣合う第三層としてＹ、Ｂａ、Ｃｕから選ばれ
る第一層及び第二層とは違う１種を成膜し、該３層の合
計膜厚が１００Å〜１０００λとなるように連続的に積
層し、更に該３積層膜を連続的に繰り返し積層し全膜厚
を１００ＯÅ〜２μｍとすることにより、後の熱処理な
しでＹＢＣＯ系酸化物高温超電導薄膜を得ることを特徴
としたＹ、Ｂａ、Ｃｕ ８１層膜によるＹＢＣＯ系酸化
物高温超電導薄膜の製造方法を提供するものである。
本発明で開示している、高い表面平滑性、高い超電導特
性を大面積で製造する方法は、基板を加熱しながらＹ、
Ｂａ、Ｃｕを積層することによって初めて可能になった
。以下にその理由と本発明の詳細な説明を述べる。
性を大面積で製造する方法は、基板を加熱しながらＹ、
Ｂａ、Ｃｕを積層することによって初めて可能になった
。以下にその理由と本発明の詳細な説明を述べる。
スパッタリングて超電導ＷＩＭを作製する場合、ターゲ
ット組成と蒸着膜の組成は一致せず、そのずれは基板の
位置により異なるため、通常基板の位置を工夫したりタ
ーゲット組成を初めからずらすという手法がとられる。
ット組成と蒸着膜の組成は一致せず、そのずれは基板の
位置により異なるため、通常基板の位置を工夫したりタ
ーゲット組成を初めからずらすという手法がとられる。
このことは大面積の超電導ｒ４膜の作製には手法的に向
いていないことを意味する。また、多元同時蒸着で超電
導薄膜を作製する場合では、蒸着物質の基板までのフラ
ックスがお互いに影響を及ぼしあい、化学量論組成のあ
った領域は１ ｃｍ２程度できわめて小さい。これに対
し積層膜の場合、各層の厚みは全てコサイン則に従って
堆積するため、大きな領域にわたって膜厚の分布は多少
不均一となるが化学量論組成はずれずに作製することが
できる。このことは同時に、作製する上で特性のそろっ
た膜が歩留まりよく作製できるというメリットも生ずる
。
いていないことを意味する。また、多元同時蒸着で超電
導薄膜を作製する場合では、蒸着物質の基板までのフラ
ックスがお互いに影響を及ぼしあい、化学量論組成のあ
った領域は１ ｃｍ２程度できわめて小さい。これに対
し積層膜の場合、各層の厚みは全てコサイン則に従って
堆積するため、大きな領域にわたって膜厚の分布は多少
不均一となるが化学量論組成はずれずに作製することが
できる。このことは同時に、作製する上で特性のそろっ
た膜が歩留まりよく作製できるというメリットも生ずる
。
本発明の場合、基板を加熱しながら積層するか、こうす
ることにより基板上で堆積した物質が次々と拡散を起こ
し、３層か堆積した段階で超電導構造を晶出しながら膜
厚を増していく。この時、３層の合計膜厚か１００〜１
００ｏスと非常に薄いため表面から酸素か効率よく取り
込まれる。また、各層が薄いことにより拡散長も短くて
すみ、基板温度も低温に抑えられ表面平滑性も実現され
る。
ることにより基板上で堆積した物質が次々と拡散を起こ
し、３層か堆積した段階で超電導構造を晶出しながら膜
厚を増していく。この時、３層の合計膜厚か１００〜１
００ｏスと非常に薄いため表面から酸素か効率よく取り
込まれる。また、各層が薄いことにより拡散長も短くて
すみ、基板温度も低温に抑えられ表面平滑性も実現され
る。
基板温度は５００〜６５０℃が望ましい。なぜならば、
５００℃未満では超電導構造か晶出しないからであり
、 ６５０℃超では表面平滑性が保たれないからである
。また、 ６５０℃起ては基板表面で再蒸発が起きるた
めと考えられるが組成比のずれか起きるため、特性上か
らも６５０℃が最高基板温度を規定している。
５００℃未満では超電導構造か晶出しないからであり
、 ６５０℃超では表面平滑性が保たれないからである
。また、 ６５０℃起ては基板表面で再蒸発が起きるた
めと考えられるが組成比のずれか起きるため、特性上か
らも６５０℃が最高基板温度を規定している。
積層の順番は本発明の場合問わない。すなわち、Ｙ、Ｂ
ａ、Ｃｕの順番がどのようであっても生成される超電導
薄膜の特性には変化がない。重要なのは各元素の膜厚て
あり、これにより全体の組成比か決定される。我々は、
各元素の膜厚を、基板上堆積する物質が全て金属であり
その密度かバルクの値であるという仮定のもとて積層膜
全体でＹ。
ａ、Ｃｕの順番がどのようであっても生成される超電導
薄膜の特性には変化がない。重要なのは各元素の膜厚て
あり、これにより全体の組成比か決定される。我々は、
各元素の膜厚を、基板上堆積する物質が全て金属であり
その密度かバルクの値であるという仮定のもとて積層膜
全体でＹ。
Ｂａ、Ｃｕの原子比が１：２：３となるように計算によ
り算出して積層したところ、高い特性の超電導薄膜の作
製に成功し、この仮定の正しさを証明した。
り算出して積層したところ、高い特性の超電導薄膜の作
製に成功し、この仮定の正しさを証明した。
Ｙ、Ｂａ、にｕの３層合計の膜厚は １００〜１０００
λでなければならない。なぜならば、 １００λ未満だ
と１層の膜厚が薄くなりすぎて膜状構造とはなり得す島
状構造となって積層するが為に局所的に組成ずれが起き
てしまうからである。また、１０００人超だε１各層の
拡散距離が長くなりすぎてしまい超電導構造の晶出が充
分でなくなるからである。
λでなければならない。なぜならば、 １００λ未満だ
と１層の膜厚が薄くなりすぎて膜状構造とはなり得す島
状構造となって積層するが為に局所的に組成ずれが起き
てしまうからである。また、１０００人超だε１各層の
拡散距離が長くなりすぎてしまい超電導構造の晶出が充
分でなくなるからである。
全膜厚は、１００ＯÅ〜２μｍの範囲でなければならな
い。１０００人より薄いと超電導薄膜は全体に均一な膜
とならず島状の超電導物質が散在したものとなってしま
うからであり、また２μｍより厚いと基板と超電導薄膜
との間の熱膨張率の違いから膜の剥離か起きるためであ
る。
い。１０００人より薄いと超電導薄膜は全体に均一な膜
とならず島状の超電導物質が散在したものとなってしま
うからであり、また２μｍより厚いと基板と超電導薄膜
との間の熱膨張率の違いから膜の剥離か起きるためであ
る。
この３層の繰り返し周期は５〜１００周期が望ましいか
、この周期は単位３層の厚みと全膜厚とから自動的に決
定されるものてあり、特に限定するものではない。
、この周期は単位３層の厚みと全膜厚とから自動的に決
定されるものてあり、特に限定するものではない。
本発明で用いられる基板としては、ＭｇＯ，５ｒＴｉ０
３゜ＺｒＯ２、５ｉｎ２．イツトリア安定化ジルコニア
、Ａｌ２Ｏ３゜ＢａＴｉＯ３，ＮｄＧａＯ３の単結晶か
高配向性超電導薄膜の作製にａ通であるが、電磁シール
ドあるいは電磁波ミラーに応用する場合など高い臨界電
流密度を要求されない分野では無配向超電導薄膜が金属
など各種基板上に作製できる。
３゜ＺｒＯ２、５ｉｎ２．イツトリア安定化ジルコニア
、Ａｌ２Ｏ３゜ＢａＴｉＯ３，ＮｄＧａＯ３の単結晶か
高配向性超電導薄膜の作製にａ通であるが、電磁シール
ドあるいは電磁波ミラーに応用する場合など高い臨界電
流密度を要求されない分野では無配向超電導薄膜が金属
など各種基板上に作製できる。
本発明で超電導薄膜を作製する場合、通常酸素ガスとア
ルゴンガスを真空チャンバー内に導入して行われる。ア
ルゴンガスを導入する理由は、蒸発手段として用いてい
る電子ビームによりアルゴンガスをイオン化し、ペニン
グ効果により酸素をイオン化することにより活性酸素を
生じやすくするためで、酸素の取り込みを容易ならしめ
るためである。但し、アルゴンがなく酸素単独の場合に
は酸素は容易に膜中に取り込まれないが、酸素分圧を高
くすることにより超電導薄膜の作製が可能である。この
ように、酸素をイオン化させて活性酸素を利用する場合
、用いられる手段としてはアルゴンのような希ガスを混
合することによってペニング効果を期待するのが最も容
易である。我々は、アルゴン以外の希ガスについても検
討を加えたところ、同様の効果が認められ本発明の実施
に充分用いられることを確認した。活性酸素を利用する
他の手段としては、酸素と希ガスの混合ガスを利用する
以外に、オゾンや亜酸化窒素（Ｎ２０ ）等の活性酸素
を発生するガスを用いることも考えられる。
ルゴンガスを真空チャンバー内に導入して行われる。ア
ルゴンガスを導入する理由は、蒸発手段として用いてい
る電子ビームによりアルゴンガスをイオン化し、ペニン
グ効果により酸素をイオン化することにより活性酸素を
生じやすくするためで、酸素の取り込みを容易ならしめ
るためである。但し、アルゴンがなく酸素単独の場合に
は酸素は容易に膜中に取り込まれないが、酸素分圧を高
くすることにより超電導薄膜の作製が可能である。この
ように、酸素をイオン化させて活性酸素を利用する場合
、用いられる手段としてはアルゴンのような希ガスを混
合することによってペニング効果を期待するのが最も容
易である。我々は、アルゴン以外の希ガスについても検
討を加えたところ、同様の効果が認められ本発明の実施
に充分用いられることを確認した。活性酸素を利用する
他の手段としては、酸素と希ガスの混合ガスを利用する
以外に、オゾンや亜酸化窒素（Ｎ２０ ）等の活性酸素
を発生するガスを用いることも考えられる。
なお、酸素と混合するガスとしては上述したようにペニ
ング効果が期待されるガスに限られ、例えば窒素のよう
な不活性ガスは本発明では用いられない。
ング効果が期待されるガスに限られ、例えば窒素のよう
な不活性ガスは本発明では用いられない。
以下に本発明で述べている基板加熱しながら積層し超電
導薄膜を製造する方法に関し、実施例をもとに装置の説
明と製造手順についてその詳細を述へる。
導薄膜を製造する方法に関し、実施例をもとに装置の説
明と製造手順についてその詳細を述へる。
［実施例コ
用いた装置の概略図を第１図に示す。装置は連続的に堆
積できるように、３つの蒸発源が入れられるタイプのシ
ングルビーム／トリプルハース・電子ビームを用いた。
積できるように、３つの蒸発源が入れられるタイプのシ
ングルビーム／トリプルハース・電子ビームを用いた。
膜厚モニターとして水晶発振式膜厚計を用い、このモニ
ターと電子ビーム銃とシャッターをパソコンにつなげて
、各蒸発源の堆積する速度を一定とするような電子ビー
ム出力の制御、各層の目標膜厚に連動したシャッター開
閉、及びビーム照射位置の切り替えを全て自動で行える
ようにしである。
ターと電子ビーム銃とシャッターをパソコンにつなげて
、各蒸発源の堆積する速度を一定とするような電子ビー
ム出力の制御、各層の目標膜厚に連動したシャッター開
閉、及びビーム照射位置の切り替えを全て自動で行える
ようにしである。
実験では各蒸発源の堆積する速度をＩ Ａ ／ ｓに固
定した。この時の電子ビーム出力は、バリウムで２０〜
２５［ＯＡ、イッ）・リウムで２００〜２５０ｍＡ 、
銅で５００〜７００ｍＡであった。雰囲気は、油拡散ポ
ンプて１ ｘ １（１”Ｔｏｒｒまでひいた後、酸素ガ
スを２０ＣＣＭ、アルゴンカスをＩＯＣＣＭ導入した。
定した。この時の電子ビーム出力は、バリウムで２０〜
２５［ＯＡ、イッ）・リウムで２００〜２５０ｍＡ 、
銅で５００〜７００ｍＡであった。雰囲気は、油拡散ポ
ンプて１ ｘ １（１”Ｔｏｒｒまでひいた後、酸素ガ
スを２０ＣＣＭ、アルゴンカスをＩＯＣＣＭ導入した。
その時の真空度は２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒであった。
基板にＭｇＯ（１００）単結晶を用い、その上にＢａ３
２６ Ａ、Ｙ ８５λ、Ｃｕ ８９ Ａ堆積し、これを
２０周期積層した。１周期の各層の膜厚は、Ｙ、Ｂａ、
Ｃｕの原子数の比が１＋２：３となるように予め計算に
より決定した。
２６ Ａ、Ｙ ８５λ、Ｃｕ ８９ Ａ堆積し、これを
２０周期積層した。１周期の各層の膜厚は、Ｙ、Ｂａ、
Ｃｕの原子数の比が１＋２：３となるように予め計算に
より決定した。
基板加熱には、第２図に示すようなビートブロックを作
製し、基板表面の温度を熱電対て測定して校正を行った
ものを用いた。このヒートブロックは基板表面付近の酸
素分圧を高めるための工夫がなされている。実験では、
基板温度を６００℃とした。
製し、基板表面の温度を熱電対て測定して校正を行った
ものを用いた。このヒートブロックは基板表面付近の酸
素分圧を高めるための工夫がなされている。実験では、
基板温度を６００℃とした。
得られた薄膜の超電導特性を測定したところ、Ｔｃ＝８
１Ｋ （電気抵抗０ ） 、 Ｊｃ＝ ２ｘ １０５
Ａ／ｃｍ２であった。表面平滑度を触針式の表面粗さ計
で調べたところ、Ｒａ＝４５λであった。 ＥＤＸ分析
による組成では、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ ＝ １：１．９６：
３．０６であり、組成ずれはほとんど認められなかった
。Ｘ線回折プロファイルからはきれいなＣ軸配向膜がで
きていることがわかった。
１Ｋ （電気抵抗０ ） 、 Ｊｃ＝ ２ｘ １０５
Ａ／ｃｍ２であった。表面平滑度を触針式の表面粗さ計
で調べたところ、Ｒａ＝４５λであった。 ＥＤＸ分析
による組成では、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ ＝ １：１．９６：
３．０６であり、組成ずれはほとんど認められなかった
。Ｘ線回折プロファイルからはきれいなＣ軸配向膜がで
きていることがわかった。
基板温度、導入ガス量、１周期膜厚を変えたときに得ら
れる膜の超電導特性を第１表にまとめる。
れる膜の超電導特性を第１表にまとめる。
第１表
［比較例コ
基板を加熱せずに、他の条件を実施例で述べた条件に固
定して超電導薄膜の作製を試みた。できた薄膜をＸ線回
折で調べたところ、Ｙ、Ｂａ、Ｃｕの酸化物に基づくピ
ークの他に同定不可能なピークが観測されたのみで、超
電導構造は認められなかった。この薄膜を、酸素１気圧
雰囲気下で熱処理を行った。昇温速度を１００℃／時間
とし、最高温度を種々変えて行ったところ、Ｔｃが最も
高い熱処理温度は９００℃、熱処理時間は２時間である
ことかわかった。これほどの熱処理条件では容易に想像
されたことではあったが、表面の平滑性はほとんど失わ
れており、Ｒａで３０４λてあった。
定して超電導薄膜の作製を試みた。できた薄膜をＸ線回
折で調べたところ、Ｙ、Ｂａ、Ｃｕの酸化物に基づくピ
ークの他に同定不可能なピークが観測されたのみで、超
電導構造は認められなかった。この薄膜を、酸素１気圧
雰囲気下で熱処理を行った。昇温速度を１００℃／時間
とし、最高温度を種々変えて行ったところ、Ｔｃが最も
高い熱処理温度は９００℃、熱処理時間は２時間である
ことかわかった。これほどの熱処理条件では容易に想像
されたことではあったが、表面の平滑性はほとんど失わ
れており、Ｒａで３０４λてあった。
［発明の効果］
本発明により、高い表面平滑性を持ち特性の優れた超電
導薄膜が広い面積で再現性よく得ることか可能となった
。これにより、エレクトロニクス分野で考えられている
デバイスへの応用が可能となった。
導薄膜が広い面積で再現性よく得ることか可能となった
。これにより、エレクトロニクス分野で考えられている
デバイスへの応用が可能となった。
第１図は、本発明を実施するのに用いた真空蒸着装置の
概略図である。 第２図は、本発明を実施するのに用いたヒートブロック
の模式図である。
概略図である。 第２図は、本発明を実施するのに用いたヒートブロック
の模式図である。
Claims (1)
- １．Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ（以下、ＴＢＣＯという）系酸
化物高温超電導薄膜を反応蒸着で製造する方法において
、酸素あるいは酸素と希ガスの混合雰囲気下、基板の温
度を５５０〜６５０℃に加熱し、該基板上に基板に隣合
う第一層としてＹ，Ｂａ，Ｃｕから選ばれる１種を成膜
し、第一層に隣合う第二層としてＹ，Ｂａ，Ｃｕから選
ばれる第一層とは違う１種を成膜し、第二層に隣合う第
三層としてＹ，Ｂａ，Ｃｕから選ばれる第一層及び第二
層とは違う１種を成膜し該３層の合計膜厚が１００Å〜
１０００Åとなるように連続的に積層し、更に該３積層
膜を連続的に繰り返し積層し全膜厚を１０００Å〜２μ
ｍとすることにより、後の熱処理なしでＹＢＣＯ系酸化
物高温超電導薄膜を得ることを特徴としたＹ，Ｂａ，Ｃ
ｕ積層膜によるＹＢＣＯ系酸化物高温超電導薄膜の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2067187A JPH03271119A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | Ｙｂｃｏ系酸化物高温超電導薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2067187A JPH03271119A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | Ｙｂｃｏ系酸化物高温超電導薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03271119A true JPH03271119A (ja) | 1991-12-03 |
Family
ID=13337646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2067187A Pending JPH03271119A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | Ｙｂｃｏ系酸化物高温超電導薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03271119A (ja) |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP2067187A patent/JPH03271119A/ja active Pending
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