JPH03271925A - メモリーディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 メモリーディスク装置に関し、 標準のＢｉＯ２を使用でき、汎用性を向上したメモリー
ディスク装置を提供することを目的とし、パソコンから
のディスクアクセス指示信号に従ってモータおよび磁気
ヘッドに関する各種制御信号を発生する第１の信号発生
手段と、該各種制御信号に従って半導体メモリに関する
アドレス信号およびリード／ライト信号を発生する第２
の信号発生手段と、該第２の信号発生手段からの信号に
従ってデータが読み出される半導体メモリと、を備えた
ことを特徴とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、メモリーディスク装置、特にパソコン側のソ
フトウェアを変更することなく、容易にディスクドライ
ブ装置と交換できるメモリーディスク装置に関する。

多くの場合、Ｄ　ＯＳ　（ｄｉｓｋ　ｏｐｅｒａｔｉｎ
ｇ　５ｙｓｔｅ＋＋）の管理下で動作するパーソナルコ
ンピュータ（以下、パソコン）のプログラム媒体には、
フレキシブルディスク（フロッピーディスク）やハード
ディスクが使用される。このため、パソコンには、媒体
の種類に応じ、フロッピーディスクドライブ装置やハー
ドディスクドライブ装置が備えられる。

以下、本明細書中では、フロッピーディスクドライブ装
置、およびハードディスクドライブ装置を単にドライブ
装置という。

ドライブ装置は、ディスクの回転やヘッドのシークとい
った機械的動作を伴い、振動や埃に脆弱である欠点があ
る。特に、各種産業機械、例えばロボットやハンドリン
グ装置など悪環境下で使用する機械に実装するＦＡ（フ
ァクトリ−オートメーション）パソコンの場合には、耐
久性や信顧性の面で障害になることがある。

そこで、近年、ドライブ装置に代えて、機械的動作を伴
わないメモリーディスク装置を使用することが行われて
いる０代表的なメモリディスク装置としては、■バンク
メモリ一方式、■１０メモリ一方式などがよく知られて
いる。

〔従来の技術〕

バンクメモ！−工゛ バンク切換えメモリとも呼ばれるもので、主メモリ上の
ページウィンドウを介し、拡張メモリをバンク単位に管
理する。第１０図はその一例の構成図である。

バンクメモリー回路１０は、拡張バス１１を介してパソ
コンのＣＰ　Ｕ　（ｃｅｎｔｒａｌ　ｐｒｏｃｅｓｓｏ
ｒ　ｕｎｔｔ）に接続するバスインターフェース１２、
アドレスバッファ１３、制御バッファ１４、およびデー
タバッファ１５を備えるとともに、パソコンからのバン
ク切換え信号に従ってメモリ回路１６．１７・・・・・
・ｎをバンク単位に切り換えるメモリ選択回路１８を備
える。

パソコン側の主メモリ上に別途設定するウィンドウの各
ページと、拡張メモリ１６．１７・・・・・・ｎの各バ
ンクとを対応させる。

ＩＯモ１−　エ メモリー回路を仮想のＩＯデバイスとして扱う方式、第
１１図はその一例の構成図で、ＩＯメモリー回路２０は
、拡張バス２１を介してパソコンのＣＰＵに接続するバ
スインターフェース２２、アドレスバッファ２３、制御
バッファ２４、およびデータバッファ２５を備えるとと
もに、パソコンからのり一ド／ライト指示に従ってメモ
リーアドレスを設定するメモリーアドレス設定回路２６
、設定メモリアドレスに従ってメモリー回路２７をアク
セスするメモリーデータアクセス回路２８を備える。拡
張メモリ２７を外部デバイスとして扱うことができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、かかる従来の方式にあっては、機械的動
作を伴わない半導体メモリを使用し、信顛性や耐久性を
向上できる点で優れているものの、ＤＯ３標準のＩＯｉ
＃Ｊｌソフト（Ｂ　Ｉ　ＯＳ　：　ｂａｓｉｓｉｎｐｕ
ｔ　ｏｕｔｐｕｔ　ｓｙｓｔｅｍ　）を使用することが
できず、バンクメモリー管理や１０メモリー管理のため
の専用ドライバソフトを別途に必要とし、汎用性に劣る
といった問題点があった。

本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、
標準のＢＩＯ３を使用でき、汎用性を向上したメモリー
ディスク装置を提供することを目的としている。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、上記目的を達成するためその原理構成図を第
１図に示すように、パソコンからのディスクアクセス指
示信号に従ってモータおよび磁気ヘッドに関する各種制
御信号を発生する第１の信号発生手段ａと、該各種制御
信号に従って半導体メモリに関するアドレス信号および
リード／ライト信号を発生する第２の信号発生手段すと
、該第２の信号発生手段からの信号に従ってデータが読
み出される半導体メモリＣと、を備えたことを特徴とす
る。

〔作用〕

本発明では、パソコンからディスクアクセス指示信号が
発せられると、第１の信号発生手段ａからモータおよび
磁気ヘッドに関する各種制御Ｉ信号が出力され、この信
号が第２の信号発生手段すにより半導体メモリＣに関す
るアドレス信号およびリード／ライト信号に変換される
。

したがって、パソコン側から見て、半導体メモリＣがあ
たかも機械的なディスク装置として認識され、ＤＯＳ標
準のＢｒＯ３を使用した半導体メモリのアクセスが行え
るようになる。

〔実施例〕

以下、本発明を図面に基づいて説明する。

第２〜９図は本発明に係るメモリーディスク装置の一実
施例を示す図である。

まず、本実施例においてその構成の一部を流用するフロ
ッピィディスクドライブ装置（以下、ドライブ装置）に
ついて説明する。

第２図において、ドライブ装置３０は、制御部３１およ
び機構部３２を備えている。

制御部３１は、パソコンのフロッピーディスクインター
フェイス３３に接続するインターフェイスバッファ３４
、パソコンからのディスクアクセス指示信号に従ってモ
ータおよび磁気ヘッドに関する各種制Ｗ信号を発生する
第１の信号発生手段としてのフロッピーディスク制御回
路３５、パソコンからのライトデータをフロッピーディ
スク（以下、ＦＤ）への書き込み信号に変換するライト
データ制御回路３６、およびＦＤからの読み出し信号を
り−ドデータに変換するリードデータ制御回路３７を備
える。

また、機構部３２は、フロッピーディスク制御回路３５
からの信号に従ってモータ部３８の起動／停止をコント
ロールするモータ制御回路３９、モータ部３８の動作状
況に応じてディスク媒体（すなわちＦＤ）４０表面に接
触し、あるいはディスク媒体４０表面から離反し、接触
時にディスク媒体４０表面に磁気情報を書き込んだり、
読み出したりする磁気ヘッド４１、およびディスク媒体
４０に書き込む磁気情報を生成し、あるいは読み出した
磁気情報から読み出し信号を再生する磁気へラドリード
・ライト回路４２を備えるものである。

ここで、第３図に従ってディスク媒体４０に対する書き
込み系および読み出し系の各部波形を説明する。なお、
ここではＦ　Ｍ　（ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　５ｏｄｕｌａ
ｔｉｏｎ＞記録方式を例とする。

Ｗｒｉｔｅ　　ｄａｔａは、二つのクロックパルスＣ間
にデータパルスＤがなければＤ＝Ｏを、あればＤ＝１を
表現するパソコンからの書き込みデータである。クロッ
クパルスＣおよびデータパルスＤの間でフリップフロフ
プを交互に反転させ、磁気ヘッド４１に与える書き込み
電流の方向と時間を変化させながら、ディスク媒体４０
表面に対して磁気記録を実行する。

一方、読み出しは、磁気ヘッド４１からの読み出し電圧
を微分整形してピーク電圧を検出し、基準電圧（ＯＶ）
と比較してパルス整形した信号を、パソコンに転送する
読み出しデータＲｅａｄ　　ｄ−ａｔａとする。

フロッピーディスク装置の書き込み／読み出し動作は、
ディスク媒体４０を所定速度で回転させ、パソコンから
の指示に従って磁気ヘッド４１を位置決めし、磁気ヘッ
ド４１を接触させたり、解放させたりして行う、磁気へ
ンド４１の位置決めは、ディスク媒体４０のトラック（
ディスク媒体４０表面で同心円をなす記録領域）指定に
よってなされる。

第４図は、本実施例のメモリーディスクドライブ装置の
ブロック図である。第３図の構成から流用した部分には
、同一の符号を付与しである。

本実施例では、第３図の機構部３２の代わりに、半導体
メモリ部５０を備える。

半導体メモリ部５０は、フロッピーディスク制御回路３
５からの信号に従ってリード／ライト信号等の制御信号
やアドレス信号など、半導体メモリのアクセスに関する
諸信号を発生するメモリーアドレス発生回路（第２の信
号発生手段）５１．ＲＡＭ（ｒａｎｄｏｍ　ａｃｃｅｓ
ｓ　ｍｅｍｏｒｙ）等の半導体メモリーからなるメモリ
ー回路５２、ライトデータ制御回路３６からのシリアル
列の書き込みデータをパラレル列に変換するシリアルｔ
ｏパラレル変換回路（第２の信号発生手段）５３、メモ
リー回路５２からのパラレル列の読み出しデータをシリ
アル列に変換するパラレルｔｏシリアル変換回路（第２
の信号発生手段）５４を備える。

かかる構成によれば、パソコンからのディスクアクセス
指示信号に従ってフロッピーディスク制御回路３５から
モータおよび磁気ヘッドに関する各種制ｍ信号が出力さ
れると、これらの信号がメモリーアドレス発生回路５１
によって半導体メモリに関するアドレス信号およびリー
ド／ライト信号に変換される。そして、変換された信号
によってメモリー回路５２がアクセスされる。

したがって、パソコン側から見て、半導体メモリ部５０
と、フロッピーディスクドライブ装置の機構部３２とを
同一に認識でき、ＤＯ３標準のＢｉＯ２を使用すること
ができる。その結果、汎用性を向上したメモリーディス
ク装置を実現することができる。

第５図は、上記半導体メモリ部５０の具体的な回路例を
示す図である。この例は６４０　ＫＦＤ　（ＦＭ記録方
式）に適用した例である。なお、第４図と同一機能部分
には同一の符号を付しである。

第５図において、ＤＩＲＣはトラックの選択方向を指示
する信号、換言すれば磁気へラド４１の移動方向（Ｌ＝
ディスク外周に向けて、Ｈ＝ディスク内周に向けて）を
指示する信号、５ＴＥＰは磁気へラド４１の移動ステッ
プを指示する信号、ＨＯＬＤはアクセス有効を示すヘッ
ドロード指定信号、ＶＦＯＥはドライブ装置がリード状
態にあることを示す信号、Ｒ−ＤＡＴＡはパソコンに転
送する読み出しデータ（Ｒｅａｄ　　ｄａｔａ）、ＷＧ
はドライブ装置がライト状態にあることを示す信号、Ｗ
Ｄはパソコンから入力する書き込みデータ（Ｗｒｉｔｅ
　　ｄａ、ｔａ）、ＴＲ０Ｏは磁気ヘッド４１がゼロト
ラックに位置していることを示す信号、ＩＮＤＥＸは磁
気へラド４Ｌがディスクの基準位置にあることを示す信
号、ＣＬＲはセクタ用カウンタのクリア信号である。

メモリーアドレス発生回路５１は、ＤＩＲＣがＨレベル
のときに、５ＴＥＰごとのダウンクロック信号ＤＯＷＮ
　　ＣＬＯＣＫを発生し、あるいは、ＤＩＲＣがＬレベ
ルのときに、同じ＜５ＴＥＰごとのアップクロック信号
ＵＰ　　ＣＬＯＣＫを発生するインバータゲート５５お
よびナントゲート５６．５７からなるアンプダウンクロ
ック発生回１５８と、ＵＰ／ＤＯＷＮ　　ＣＬＯＣＫを
カウントし、８ビツトのトランクデータ（メモリー回路
５２の上位アドレスとなる）ＡＩ４〜Ａ□を発生するト
ラック用カウンタ５９と、マスタークロック回路６ｏが
らのマスタークロックＭＣＫ　ＣＦＭＦＭ方式５００Ｋ
Ｈ２（ディスク転送速度２５０ＫＨｚの２倍）　、ＭＦ
ＭＦＭ方式ＩＭＨｚ（ディスク転送速度５００ＫＨｚの
２倍）〕をカカランして１４ビツト幅（ＦＭ方式の場合
、ＭＦＭＦＭ方式１５ビツト幅）のセクターデータ（メ
モリー回路５２の下位アドレスとなる）Ａ０〜Ａ　、３
、およびピントデータＢ０〜Ｂｔを発生するセクター用
カウンタ６Ｉとを備える。

ここで、本実施例のアドレス幅を、以下のように決定す
る。すなわち、ＦＭ方式ではＦＤの１トラツク当たりの
容量が５．２０８バイトである。本方式では、メモリー
情報としてクロックビットとデータビットの２つの情報
を保持するので、ディスク情報においての１ピント情報
は、メモリー情報の２倍の容量に相当する。よってＦＭ
方式では、５．２０８　Ｘ　２　＝１０，４１６バイト
が必要となり、従って１４ビツトのアドレス幅となる。

但し、ＭＦＭＦＭ方式１５ビツト幅となる。

シリアルｔｏパラレル変換回路５３は、タイミング信号
Ｗ−ＬＡＴＣＨを発生するライトデータラッチ回路６２
、Ｗ−ＬＡＴＣＨとの同期をとらせるため、パソコンか
らのＷＤを予め整形するライトデータ整形回路６３、Ｍ
ＣＫ、ＨＯＬＤおよびＷＣに基づいてメモリーライト信
号ＷＲを発生するメモリーライトパルス発生回路６４、
およびＷ−ＬＡＴＣＨに従ってライトデータ整形回路６
３からのシリアル整形データを、８ピントパラレルデー
タに変換するシフトレジスタ６５を備え、シリアル列で
入力するＷＤを８ビツト幅のパラレル信号Ｄ０〜Ｄ、に
変換する。

パラレルｔｏシリアル変換回路５４は、チップセレクト
信号Ｃ５を作るインバータゲート６６、ＨＯＬＤおよび
ＭＣＫからリードライトクロックを作るアンドゲート６
７と、タイミング信号Ｒ−ＬＡＴＣＨを発生するリード
データラッチ回路６８と、シリアルデータをＲ−ＬＡＴ
ＣＨでラッチし、酊＝ＤＡＴＡとしてパソコンに転送す
るデータ作成回路６９、メモリー回路５２から読み出し
た８ビツトデータを、セクター用カウンタ６１からのＢ
、〜Ｂ２に従ってシリアルデータに変換するビット選択
回路７０、およびＭＣＫ、ＨＯＬＤおよびＶＦ万τに基
づいてメモリーリード信号ＲＤを発生するメモリーリー
ドパルス発生回路７１を備え、メモリー回路５２から読
みだした８ピントパラレル信号をシリアル列の信号に変
換する。

なお、ＴＲｏＯ発生回路７２は、Ａ　Ｉ４〜Ａ、１がオ
ールゼロのときにゼロトラックを示す信号「正テでを発
生する回路、Ｉ　ＮＤＥＸ発生回路７３は、Ａ。

〜Ａ　１３がオールゼロのときにゼロセクタを示す信号
ＩＮＤＥＸを発生する回路、セクター用カウンターリセ
ット回路７４は、Ａ０〜Ａ１３の値が１０．４１６（Ｆ
Ｍ方式の場合、ＭＦＭＦＭ方式２０，８３２＞を越える
とセクター用カウンタ６１をリセットする信号ＣＬＲを
発生するＤｉ？ｆ）である。

メモリー回路５２は、ＦＤの２倍の容量と同等かまたは
それ以上の記憶容量を有し、例えばＦＤの一つのトラッ
ク容量が５．２０８バイトであれば、最大トラック数に
５，２０８バイトを掛けた数の２倍と同等またはこの数
よりも大きな記憶容量を有する。

次に、第６図および第７〜９図のタイミングチャートを
参照しながら第５図の回路動作を説明する。

トー　り　カラン　５９について（６）ＤＩＲＣがＨレ
ベルの間、５ＴＥＰごとにトランクアドレスＡ　３　ａ
〜Ａ！１の値がカウントアンプされ、または、ＤＩＲＣ
がＬレベルの間、５ＴＥＰごとにトランクデータＡ　１
４〜Ａ　ｚ　（の値がカウントダウンされる。なお、Ａ
１４〜Ａ！Ｉの波形中に記した数（０、Ｌ２．３・・・
・・・２５５）はカウント値であり、ＦＤのトランク番
号に相当する。ちなみに、０トラツク（ＦＤの最外周ト
ラック）は、システム情報を記録するシステムトラック
であり、磁気ヘッド４１がこのシステムトラックに位置
している時にＴＲ０Ｏが出る。

セフ　−　カラン　６１について（に のカウンターは、ＭＣＫを常時カウントし、ビットアド
レスデータＢ０〜Ｂ２およびセクター＆バイトアドレス
データＡ、〜Ａ１．を生成する。

Ｂ、〜Ｂｔは、ＭＣＫを２１〜２１分周して作られ、Ａ
０〜Ａ　、３は、ＭＣＫを２４〜２１７分周して作られ
る。一つのセクターとそのセクター内のバイトがＡ０〜
Ａ　１３で指定され、バイト内のピントがＢ、〜Ｂｔに
よって指定される。

ここで、トランク用カウンタ５９で作られるＡ１４〜Ａ
２、セクター用カウンタ６１で作られるＢ０〜Ｂ２およ
びＡ　ｏ　””　Ａ　Ｉｓの関係は、第７図のビットフ
ォーマットで示される。

合計で２５ビツトのビットパターンは、上位８ビツト（
Ａ１４〜Ａ２．：以下ＡＵと略すこともある）がＦＤの
トランク番号に対応し、中位１４ビツト（ＡＯ〜Ａ　１
３　：以下ＡＬと略すこともある）がＦＤのセクタ番号
およびそのセクタ内のバイト番号に対応し、下位３ビツ
ト（Ｂ、〜Ｂよ　二基下Ｂと略すこともある）がバイト
内のビット番号に対応している。例えば、本実施例を適
用するＦＤのトラック総数がｌ、トラック当たりのセク
タ数がｎ、１セクタのバイト数がｍであれば、メモリー
回路５２のデータ容量は、少なくとも８ｍｘｎｘｊ！ｘ
２ビット以上（もちろんデータとは別にＩＤフィールド
などの情報データを必要とする。）なければならない。

なお、ｌ、ｎ、ｍの値は、ディスクのフォーマント形式
によって種々異なる。通用するフォーマット形式ごとに
、第７図のビット配分（ＡＵ、ＡＬ、Ｈの各ピント数）
を適宜に変更する。また、本例では、データ幅が８ビツ
トのメモリー回路を想定しているが、このデータ幅を特
に規定するものではない。データ幅に応じてビット配分
のＡＬ、Ｂのビット数を変更する。例えば、１６ビツト
幅の時は、ＡＬを１３ピント、Ｂを４ビツトにする。ま
た、４ビツト幅の時は、ＡＬを１５ピント、Ｂを２ビツ
トにする。

一゛−の　　゛み　　について（８ ＨＯＬＤおよびＷＧがＯＮ　（Ｈレベル）となって書き
込みモードに入りパソコンからのＷＤが入力されると、
このＷＤがライトデータ整形回路６３で整形された後、
Ｗ−ＬＡＴＣＨのタイミングでシフトレジスタ６５に順
次取り込まれ、８ビツトパラレルデータ（例として１１
０１０１１１　ｈ）に変換される。そして、このパラレ
ルデータがＢ、ＡＵおよびＡＬで指示されるメモリー回
路５２の任意アドレスに書き込まれる。なお、第８図に
おいて、Ｄ、　Ｄｓ　Ｄ３　Ｄ、はクロンクビットＣの
有無（１＝有１０＝無）を表し、残りのり、Ｄ４　Ｄｇ
ＤｏはデータビットＤの有無を表している。

−−の　み　し　　について（９ ＨＯＬＤおよびＶＦＯＥがＯＮ　（Ｈレベル）となって
読み出゛しモードに入ると、まず、トラック用カウンタ
５９のカウント［（ＡＩ４〜Ａ□）により、メモリー回
路５２の上位アドレスが指定される。この上位アドレス
によって指定されたメモリー回路５２のアドレス領域は
、ＦＤのトラックに相当する。

次いで、セクター用カウンタ６１のカウント値（Ａ　ｏ
　＝　Ａ　ｒ　ｓ　）により、上記指定アドレス領域内
の細分領域がバイト（８ビット幅）単位に指定される。

細分領域はＦＤのセクタに相当する。

そして、セクター用カウンタ６１のカウント値（Ｂｏ〜
Ｂ、）に従って、各ビットのデータがビット選択回路７
０に順次取り込まれた後、Ｒ−ＬＡＴＣＨのタイミング
に従って、Ｄｏ　、Ｄ＋　、Ｄｚ、・・・・・・Ｄ、の
順にＲ−ＤＡＴＡとしてパソコンに転送される。

以上のように、本実施例では、機構部（第２図の符号３
２参照）に代えて、半導体メモリ部５０を設け、この半
導体メモリ部５０内に、メモリー回路５２、および上記
制御部３１とメモリー回路５２との間のインターフェイ
スをとる各種の回路、すなわちメモリーアドレス発生回
路５１、シリアルｔｏパラレル変換回路５３、およびパ
ラレルｔｏシリアル変換回路５４などを設けたので、パ
ソコン側からみて、メモリー回路５２をあたかもＦＤの
ごとく認識させることができ、当該ＦＤに適用するＢｒ
Ｏ３（Ｄ。

Ｓの標準ＢＩＯ３）を使用できる効果が得られる。

したがって、汎用性を向上したメモリーディスク装置を
提供できる。

また、実施例によれば、上記の効果に加えて、以下の諸
効果が得られる。

１）ドライブ装置と本実施例のメモリーディスク装置と
の交換が、コネクタの差し替えだけで簡単にでき、デバ
イス相違を意識することがない。

２）メモリー回路５２をバッテリーバックアンプする等
して不揮発化すれば、半導体メモリ部５０の持ち運びが
可能になり、ＦＤと同等に取り扱うことができる。

３）メモリー回路５２にＲＯＭ　（ｒｅａｄ　ｏｎｌｙ
　５ｅｎｓｏｒｙ）ヲ使用すれば、ＦＤベースのパソコ
ンをＲＯＭヘースのパソコンに変身させることができる
。

例えばＲＯＭにＢＯＯＴプログラムを組み込むと、電源
起動と同時にＲＯＭ内のＢＯＯＴプロゲラむを実行して
、無音で立ち上げることができる。

４）ディスク回転やヘラドシーク等の機構部分がないの
で、リード／ライトの高速化が可能となり、かつ耐久性
も向上できる。

なお、実施例では、ＦＭ記録方式のＦＤへの適用例を示
したが、これに限らず、ＭＦＭ、ＭＦ２Ｍ、ＯＣＲ等の
記録方式であってもよく、また、ハードディスクドライ
ブ装置への適用であってもよい。

〔発明の効果〕

本発明によれば、標準のＢ　ＩＱｓを使用でき、汎用性
を向上したメモリーディスク装置を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の原理構成図、 第２〜９図は本発明に係るメモリーディスク装置の一実
施例を示す図であり、 第２図はそのメモリーディスク装置に一部を流用するフ
ロッピーディスクドライブ装置のブロック図、 第３図は第２図のフロッピーディスクドライブ装置の書
き込み／読み出し各部の信号の関係を示す波形図、 第４図は第２図のフロッピーディスクドライブ装置の一
部を流用したメモリーディスク装置のブロック図、 第５図はそのメモリーディスク装置の具体的な構成図、 第６図はそのトラック用カウンタ、およびセクター用カ
ウンタの動作波形図、 第７図はそのトランクデータ、セクタ＆バイトデータ、
およびピントデータを示すビットフォーマット図、 第８図はそのデータライトの動作波形図、第９図はその
データリードの動作波形図である。 第１０．１１図は従来例を示す図であり、第１０図はバ
ンクメモリ一方式を採用する従来のメモリーディスク装
置のブロック図、 第１１図は■０メモリ一方式を採用する従来のメモリー
ディスク装置のブロック図である。 ａ・・・・・・第１の信号発生手段、 ｂ・・・・・・第２の信号発生手段、 Ｃ・・・・・・半導体メモリ、 ３１・・・・・・制御部（第１の信号発生手段）、５１
・・・・・・メモリーアドレス発生回路（第２の信号発
生手段）、 ５２・・・・・・メモリー回路（半導体メモリ）、５３
・・−・・・シリアルｔｏパラレル変換回路（第２の信
号発生手段）、 ５４・・・・・・パラレルｔｏシリアル変換回路（第２
の信号発生手段）。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ａ）パソコンからのディスクアクセス指示信号に従って
   モータおよび磁気ヘッドに関する各種制御信号を発生す
   る第１の信号発生手段と、 ｂ）該各種制御信号に従って半導体メモリに関するアド
   レス信号およびリード／ライト信号を発生する第２の信
   号発生手段と、 ｃ）該第２の信号発生手段からの信号に従ってデータが
   読み出される半導体メモリと、 を備えたことを特徴とするメモリーディスク装置。