JPH03276755A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03276755A JPH03276755A JP7810490A JP7810490A JPH03276755A JP H03276755 A JPH03276755 A JP H03276755A JP 7810490 A JP7810490 A JP 7810490A JP 7810490 A JP7810490 A JP 7810490A JP H03276755 A JPH03276755 A JP H03276755A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に抵抗の形成
に関する。
に関する。
従来、この種の抵抗は半導体基板に不純物イオンを注入
して形成する拡散抵抗又は半導体基板上にポリシリを堆
積し不純物イオンを注入して形成するポリシリ抵抗又は
半導体基板上に絶縁膜を堆積しさらにシリコンクロム、
窒化タンタルなどの金属を堆積し金属抵抗として使用す
るとなっていた。
して形成する拡散抵抗又は半導体基板上にポリシリを堆
積し不純物イオンを注入して形成するポリシリ抵抗又は
半導体基板上に絶縁膜を堆積しさらにシリコンクロム、
窒化タンタルなどの金属を堆積し金属抵抗として使用す
るとなっていた。
上述した従来の半導体装置の拡散およびポリシリ抵抗の
場合は、半導体基板又は半導体基板上にポリシリを堆積
し抵抗形成部のみに不純物イオンを注入するため単独の
形成工程を必要とし且つイオン注入量のバラツキにより
抵抗精度が悪いという欠点がある。
場合は、半導体基板又は半導体基板上にポリシリを堆積
し抵抗形成部のみに不純物イオンを注入するため単独の
形成工程を必要とし且つイオン注入量のバラツキにより
抵抗精度が悪いという欠点がある。
同様に金属抵抗の場合も半導体基板上に絶縁物を堆積し
抵抗形成部のみにシリコンクロム、窒化タンタルなどの
金属を堆積し形成するために単独の形成工程を必要とす
る欠点がある。
抵抗形成部のみにシリコンクロム、窒化タンタルなどの
金属を堆積し形成するために単独の形成工程を必要とす
る欠点がある。
本発明の半導体装置は、コンタクト部に形成するバリア
メタルを抵抗として使用している。
メタルを抵抗として使用している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は、本発明の一実施例を示す
工程順の縦断面図である。
工程順の縦断面図である。
第１図（ａ）に示すように、半導体基板１に絶縁膜２を
堆積しコンタクト部３上の前記絶縁膜２を除去し、さら
にＴｉＮなどのバリアメタル４を堆積する。この際Ｔｉ
Ｎはアルゴンおよび窒素ガス圧を制御し、シート抵抗を
１２０〜１４０Ω／口とし堆積する。
堆積しコンタクト部３上の前記絶縁膜２を除去し、さら
にＴｉＮなどのバリアメタル４を堆積する。この際Ｔｉ
Ｎはアルゴンおよび窒素ガス圧を制御し、シート抵抗を
１２０〜１４０Ω／口とし堆積する。
次に第１図（ｂ）に示すようにバリアメタル４をホトエ
ツチングにより所定の抵抗形状に加工しＡ４又はＡ Ｉ
！ −Ｃｕなどの配線金属５を堆積しホトエツチングに
より加工し形成する。ここで、ＴｉＮのシート抵抗が精
度よく形成できるため高精度の抵抗を得ることができる
。
ツチングにより所定の抵抗形状に加工しＡ４又はＡ Ｉ
！ −Ｃｕなどの配線金属５を堆積しホトエツチングに
より加工し形成する。ここで、ＴｉＮのシート抵抗が精
度よく形成できるため高精度の抵抗を得ることができる
。
第２図は、本発明の実施例２の縦断面図である。
半導体基板１は、実施例１の方法で形成された絶縁膜２
．第１層配線６と抵抗７を備えている。
．第１層配線６と抵抗７を備えている。
次にＳｉＮなどの層間絶縁膜８を堆積しホトエツチング
によりスルーホール９を設け、ＴｉＮなどのバリアメタ
ル１０を層間絶縁膜８とスルーホール９上に堆積する。
によりスルーホール９を設け、ＴｉＮなどのバリアメタ
ル１０を層間絶縁膜８とスルーホール９上に堆積する。
さらにホトエツチングにより抵抗１１とスルーホール９
部以外のバリアメタル１０を除去する。最後にＡｕなど
の第１層金属と異る第２層配線１２に堆積しホトエツチ
ングにより加工し所定のパターンを形成する。これによ
り抵抗７と抵抗１１は、スルーホール９にヨリ接続され
た並列抵抗となる。この実施例では並列抵抗を形成でき
るため上層の抵抗値を変更するだけで任意の抵抗値を得
られる利点がある。
部以外のバリアメタル１０を除去する。最後にＡｕなど
の第１層金属と異る第２層配線１２に堆積しホトエツチ
ングにより加工し所定のパターンを形成する。これによ
り抵抗７と抵抗１１は、スルーホール９にヨリ接続され
た並列抵抗となる。この実施例では並列抵抗を形成でき
るため上層の抵抗値を変更するだけで任意の抵抗値を得
られる利点がある。
以上説明したように本発明は、バリアメタルを抵抗とし
て使用することにより配線形成工程で抵抗を形成できる
効果がある。
て使用することにより配線形成工程で抵抗を形成できる
効果がある。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は、本発明の一実施例を示す
工程順の抵抗素子の縦断面図、第２図は実施例２の縦断
面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・絶縁膜、３
・・・・・・コンタクト部、４・・・・・・バリアメタ
ル、訃・・・・・配線金属、６・・・・・・第１層配線
、７・・・・・・抵抗、８・・・・・・層間絶縁膜、９
・・・・・・スルーホール、１０・・・・・・バリアメ
タル、■ ・・・・・抵抗、 ■ ２・・・・・・第２層配線。
工程順の抵抗素子の縦断面図、第２図は実施例２の縦断
面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・絶縁膜、３
・・・・・・コンタクト部、４・・・・・・バリアメタ
ル、訃・・・・・配線金属、６・・・・・・第１層配線
、７・・・・・・抵抗、８・・・・・・層間絶縁膜、９
・・・・・・スルーホール、１０・・・・・・バリアメ
タル、■ ・・・・・抵抗、 ■ ２・・・・・・第２層配線。
Claims (1)
- コンタクト部にバリアメタルを形成する半導体装置に
於いて前記バリアメタルを抵抗として使用することを含
むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7810490A JPH03276755A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7810490A JPH03276755A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03276755A true JPH03276755A (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=13652579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7810490A Pending JPH03276755A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03276755A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6466124B1 (en) | 1999-04-08 | 2002-10-15 | Nec Corporation | Thin film resistor and method for forming the same |
| US6696733B2 (en) | 1997-10-27 | 2004-02-24 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor devices including electrode structure |
| DE102012207311B4 (de) * | 2011-07-25 | 2018-11-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Siliziumcarbid-halbleitervorrichtung und herstellungsverfahren einer siliziumcarbid-halbleitervorrichtung |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP7810490A patent/JPH03276755A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6696733B2 (en) | 1997-10-27 | 2004-02-24 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor devices including electrode structure |
| US6466124B1 (en) | 1999-04-08 | 2002-10-15 | Nec Corporation | Thin film resistor and method for forming the same |
| DE102012207311B4 (de) * | 2011-07-25 | 2018-11-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Siliziumcarbid-halbleitervorrichtung und herstellungsverfahren einer siliziumcarbid-halbleitervorrichtung |
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