JPH03283560A - 電子部品搭載用基板の電極構造 - Google Patents

電子部品搭載用基板の電極構造

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JPH03283560A
JPH03283560A JP2083870A JP8387090A JPH03283560A JP H03283560 A JPH03283560 A JP H03283560A JP 2083870 A JP2083870 A JP 2083870A JP 8387090 A JP8387090 A JP 8387090A JP H03283560 A JPH03283560 A JP H03283560A
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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ハイブリッドICにおける電子部品搭載用基
板の電極構造の改良に関するものである。
(従来の技術) 第2図は、従来のハイブリッドICにおける電子部品搭
載用基板の電極構造を示す斜視図であって、図中、10
は電子部品としてのパワートランジスタ、20は電子部
品搭載用基板である。
ハイブリッドICに搭載されるパワートランジスタ10
は、チップ等を内蔵し、かつ、樹脂が充填された本体1
1が平板形状をなし、その一の側面11aの下方からは
フィンとしての機能を併せ持つ板状のコレクタ端子12
が導出され、側面11Hの対向側面11bからはリード
状のエミッタ端子13並びにベース端子14が導出され
ている。
このような形状を有するパワートランジスタ10を搭載
するため、基板20上には、各端子12.13.14を
変形させることなく半田付けができる位置関係をもって
、端子対応の3電極21.22.23が形成される。
これら電極21.22.23のうち、エミッタ端子13
並びにベース端子14取付用の電極22゜23は各端子
13.14に応じた大きさに形成される。一方、コレク
タ端子12取付用の電極21は、本体11の下面11C
のフレームに合わせ、かつ、半田のマウント領域を大き
くし、放熱効果を高めるため、コレクタ端子12のみな
らず、下面11cと対向するように、電極22.23よ
り大きく形成される。
以上の構造において、パワートランジスタ10を基板2
0に搭載するには、半田リフロー法が用いられる。
その手順を説明すると、まず、電極21におけるコレク
タ端子12との対向領域並びに電極22゜23の各々に
ペースト状半田を印刷する。
次に、パワートランジスタ10の各端子12゜13.1
4をそれぞれ対応電極21.22.23上に載置、即ち
、パワートランジスタ10を基板20上にマウントする
次いで、半田をリフローさせて各端子12゜13.14
と電極21,22.23とを半田付けする。これにより
、パワートランジスタ10の基板20への搭載が完了す
る。
また、基板20へのパワートランジスタ10等の搭載後
は、各電子部品を覆うように樹脂塗装が行われる。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記構造を有する電極21゜22.23
に対し、パワートランジスタ10を半11J付けすると
、第3図に示すように、コレクタ端子12のみならず、
本体11の下面11Cが電極21と密着した状態で半■
」付けされてしまい、半III S Lの熱が本体11
の広い範囲に亘って直接伝導されるようになる。
これにより、本体11内に充填されている樹脂RNが熱
により活性化され、トランジスタチップ15に応力を加
えるようになり、遂には、トランジスタチップ15に水
平クラックCRが発生してしまうという欠点があった。
また、樹脂塗装を行った後、熱ストレスにより樹脂が収
縮する際に発生する応力が、基板20から半+11st
を介してトランジスタ10に直接加わるようになり、や
はり、トランジスタチップ15におけるクラックCR発
生の要因となる。
従って、従来の電極構造によって製造されたハイブリッ
ドICは歩留まりが悪く、生産性、信頼性が低いという
問題点があった。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、そ
の目的は、半田付の際の半田の熱が電子部品本体に直接
伝わることを防止し、内、外部から電子部品に加わる応
力を緩和でき、ハイブリッドICの生産性、信頼性の向
上を図れる電子部品搭載用基板の電極構造を提供するこ
とにある。
(課題を解決するための手段) 上記目的を達成するため、本発明では、半IIに対し接
着性を有する電子部品本体の側方から突出し、少なくと
も一つが他より半Il付は面を大きく形成してある複数
の端子の取付用電極が複数形成され、かつ、これら電極
のうち一の電極が、前記半田付は面の大きい端子に対向
するとともに、取付は電子部品に近接するように形成さ
れる電子部品搭載用基板の電極構造において、前記一の
電極を、基板上における電子部品本体との対向領域を除
く領域に形成した。
(作 用) 本発明によれば、例えば、各電極にペースト状半111
を印刷し、電子部品の谷端子を対応電極上に載置して、
半111リフロー法により手口]付けを行った場合、各
端子は各電極に固定される。この際、一の電極部におい
ては、溶融した半田が基板上における電子部品本体との
対向領域には回り込まず、:I++j子のみが電極と半
III付けされる。
従って、電子部品本体と基板とが密着せず、半IIIの
熱が電子部品本体に直接伝わることが回避され、また、
電子部品本体内のチップ等に対する外部からの応力印加
が緩和される。
(実施例) 第1図は、本発明に係るハイブリッドICにおける電子
部品搭載用基板の電極構造の一実施例を示す斜視図、第
4図は本発明に係る電子部品搭載状態を示す断面図であ
って、従来例を示す第2図及び第3図と同一構成部分は
同一符号をもって表す。
即ち、10は電子部品としてのパワートランジスタ、1
1は平板形状をなすパワートランジスタ10の本体、1
2は側面11aから突出した板状のコレクタ端子、13
は側面11bから突出したリード状のエミッタ端子、1
4はエミッタ端子13と並列して側面11bから突出し
たリード状のベース端子、15は本体11内に搭載され
たトランジスタチップ、20はアルミナ等からなる電子
部品搭載用基板、21aはコレクタ端子12取付用電極
、22はエミッタ端子13取付用電極、23はベース端
子14取付用電極で、これら電極21a、22.23は
例えば基板20上に印刷したAg−Pdにより構成され
ている。
コレクタ端子12取付用電極21aは、第2図に示す従
来構造と異なり、コレクタ端子12との対向領域のみに
形成され、パワートランジスタ10の本体11の下面1
1Cとの対向領域には形成されていない。即ち、本体下
面11cとの対向領域は、基板20の表面となっている
また、第1図中、符号24で示す領域は、厚膜回路の作
製工程における最終工程で形成されるオバーコートガラ
ス層で、各電極部を除く導体パターン部を被覆している
次に、上記電極構造を持つ基板20に対するパワートラ
ンジスタ10の搭載手順について説明する。
まず、電極21a並びに電極22.23の各々にペース
ト状半田を印刷する。
次に、パワートランジスタ10の各端子12゜13.1
4をそれぞれ対応電極21a、22゜231−に載置、
即ち、パワートランジスタ10を基板20上にマウント
する。
次いで、半田をリフローさせて各端子12゜13.14
と電極21a、22.23とを手口]付けする。
この工程における半田溶融の際、溶融した半田は、パワ
ートランジスタ10の本体11の下面11cと対向する
基板20上には回り込まないため、第4図に示すように
、本体11の近接領域においてはコレクタ端子12のみ
が密着固定され、本体11の下面11cには半田が付着
することがない。従って、半田付けの際の半10SLの
熱が本体11に直接伝わることはない。
さらに、上記したように基板20に対するパワートラン
ジスタ10等の電子部品搭載完了後には、これら電子部
品を覆い保護するように樹脂塗装が行われる。
この樹脂塗装において、塗布された樹脂が冷却し、収縮
する際に基板20等による応力が発生するが、上述した
ようにパワートランジスタ10の本体11の下面11c
は、第4図に示すように、基板20に対して密着されな
いため、応力が本体11内のトランジスタチップ15に
直接加オ)らない。
以」−説明したように、本実施例によれば、コレクタ端
子12取付用電極21aを、本体11の下面11cとの
対向領域を除く近接領域に形成したので、半田付けの際
に本体下面11cと基板20との間に半田が回り込まず
、本体下面11Cに半ITIが付着することがなく、ま
た、本体11が基板20に対して密着接続されることが
ない。
これにより、本体11内に充填されている樹脂RNが熱
的に6性化されることを防止できるとともに、樹脂塗装
後に、樹脂の収縮に起因して発生ずる基板20等から本
体11に加わる応力を緩和できる。
これに伴い、トランジスタチップ15におけるクラック
発生を防止でき、ひいてはハイブリッドICの生産性の
向−1ユ、信頼性の向りを図れる利点がある。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明によれば、一の電極を、基
板上における電子部品本体との対向領域を除く領域に形
成したので、基板に電子部品を半111付けした後、電
子部品本体と基板とが密着し接続されることがなく、半
■1が電子部品本体に付着することがない。
従って、半[[1付けの際の半田の熱が電子部品本体に
直接伝わることを防止でき、また、樹脂塗装を行った後
に発生する熱ストレスによる樹脂の収縮による応力が、
電子部品本体内に搭載されたチップ等に対して直接用わ
ることを緩和できる。
このため、チップにおける水平クラックの発生を防止で
き、ひいてはハイブリッドIC等の生産性の向上、信頼
性の向上を図れる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るハイブリッドIcにおける電子部
品搭載用基板の電極構造の一実施例を示す斜視図、第2
図は従来のハイブリッドICにおける電子部品搭載用基
板の電極構造を示す斜視図、第3図は従来の電子部品搭
載状態を示す断面図、第4図は本発明に係る電子部品搭
載状態を示す断面図である。 図中、10・・・パワートランジスタ(電子部品)、1
1・・・本体、12・・・コレクタ端子、13・・・エ
ミッタ端子、14・・・ベース端子、15・・・トラン
ジスタチップ、20・・・電子部品搭載用基板、21a
・・・コレクタ端子取付用電極、22・・・エミッタ端
子取付用電極、23・・・ベース端子取付用電極。 樹脂 従来の電子部品搭載状態を示す断面図 第 図 本発明に係る電子部品搭載状態を示す断面図第 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  半田に対し接着性を有する電子部品本体の側方から突
    出し、少なくとも一つが他より半田付け面を大きく形成
    してある複数の端子の取付用電極が複数形成され、かつ
    、これら電極のうち一の電極が、前記半田付け面の大き
    い端子に対向するとともに、取付け電子部品に近接する
    ように形成される電子部品搭載用基板の電極構造におい
    て、前記一の電極を、基板上における電子部品本体との
    対向領域を除く領域に形成したことを特徴とする電子部
    品搭載用基板の電極構造。
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