JPH0682779B2 - 混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路Info
- Publication number
- JPH0682779B2 JPH0682779B2 JP2850287A JP2850287A JPH0682779B2 JP H0682779 B2 JPH0682779 B2 JP H0682779B2 JP 2850287 A JP2850287 A JP 2850287A JP 2850287 A JP2850287 A JP 2850287A JP H0682779 B2 JPH0682779 B2 JP H0682779B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter
- electrode portion
- ground electrode
- surface ground
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、混成集積回路装置に関し、特に高周波帯で用
いられる混成集積回路に関する。
いられる混成集積回路に関する。
従来、混成集積回路において、表面上にエミッタ抵抗帰
還型トランジスタ多段増幅回路のエミッタ電極部とエミ
ッタ帰還抵抗体と接地電極パターンとが形成され、かつ
エミッタピーキング用コンデンサが前記エミッタ帰還抵
抗体と並列に配置される構造には、第１の構造として、
エミッタ帰還抵抗体と並列に積層セラミックコンデンサ
等々が配置できる様にしたもの、第２の構造として、エ
ミッタ電極部に対面する裏面にメタライズパターンを配
置するもの、等々があった。
還型トランジスタ多段増幅回路のエミッタ電極部とエミ
ッタ帰還抵抗体と接地電極パターンとが形成され、かつ
エミッタピーキング用コンデンサが前記エミッタ帰還抵
抗体と並列に配置される構造には、第１の構造として、
エミッタ帰還抵抗体と並列に積層セラミックコンデンサ
等々が配置できる様にしたもの、第２の構造として、エ
ミッタ電極部に対面する裏面にメタライズパターンを配
置するもの、等々があった。
しかしながら、前記第１の構造は、エミッタ帰還抵抗体
とエミッタピーキング用積層セラミックコンデンサとが
並列に配置される構造である為、物理的にある一定の距
離を必要とし、従ってパターンのリードインダクタンス
分により、周波数帯域の高域において帰還インピーダン
スの上昇による帰還量の増大によって高域の利得低下を
招き、周波数特性を劣化させる等々の欠点があった。第
２の構造は、エミッタ電極部に対面する部分にしか容量
を形成することができず、従って数PF程度の小容量であ
る為、充分なエミッタピーキング容量を確保できず特殊
な用途にしか採用できないという欠点があった。
とエミッタピーキング用積層セラミックコンデンサとが
並列に配置される構造である為、物理的にある一定の距
離を必要とし、従ってパターンのリードインダクタンス
分により、周波数帯域の高域において帰還インピーダン
スの上昇による帰還量の増大によって高域の利得低下を
招き、周波数特性を劣化させる等々の欠点があった。第
２の構造は、エミッタ電極部に対面する部分にしか容量
を形成することができず、従って数PF程度の小容量であ
る為、充分なエミッタピーキング容量を確保できず特殊
な用途にしか採用できないという欠点があった。
本発明の目的は、上述の諸欠点を取り除くことにある。
すなわち、絶縁性基板の表面パターン上のエミッタ帰還
抵抗体と並列に設けられたエミッタピーキング用コンデ
ンサパターンのリードインダクタンス分を小さくして利
得の低下を防ぎ周波数特性を改善し、また高域でグラン
ドも充分に取れるように改善して、安価で、高周波特性
の良い混成集積回路を提供することである。
すなわち、絶縁性基板の表面パターン上のエミッタ帰還
抵抗体と並列に設けられたエミッタピーキング用コンデ
ンサパターンのリードインダクタンス分を小さくして利
得の低下を防ぎ周波数特性を改善し、また高域でグラン
ドも充分に取れるように改善して、安価で、高周波特性
の良い混成集積回路を提供することである。
本発明による混成集積回路は、絶縁性基板の表面上の所
定部に設けられたエミッタ抵抗帰還型トランジスタ増幅
回路のエミッタ電極部と、前記エミッタ電極部から離れ
た所定部に設けられた表面接地電極部と、一端が前記エ
ミッタ電極部と接続され他端が前記表面接地電極部と接
続されたエミッタ膜抵抗体と、前記エミッタ電極部と前
記エミッタ膜抵抗体と前記表面接地電極部上にまたがっ
て形成された誘電体膜と、この誘電体膜の上に前記表面
接地電極部および前記エミッタ電極部に対面するように
設けられて前記表面接地電極部または前記エミッタ電極
部のいずれか一方に接続された電極とから構成されたエ
ミッタ回路パターンとを備えたことを特徴とする。
定部に設けられたエミッタ抵抗帰還型トランジスタ増幅
回路のエミッタ電極部と、前記エミッタ電極部から離れ
た所定部に設けられた表面接地電極部と、一端が前記エ
ミッタ電極部と接続され他端が前記表面接地電極部と接
続されたエミッタ膜抵抗体と、前記エミッタ電極部と前
記エミッタ膜抵抗体と前記表面接地電極部上にまたがっ
て形成された誘電体膜と、この誘電体膜の上に前記表面
接地電極部および前記エミッタ電極部に対面するように
設けられて前記表面接地電極部または前記エミッタ電極
部のいずれか一方に接続された電極とから構成されたエ
ミッタ回路パターンとを備えたことを特徴とする。
以下に本発明の詳細を実施例を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例であり、エミッタ抵抗帰還型
増幅回路基板の表面パターンである。第２図は、第１図
の等価回路である。
増幅回路基板の表面パターンである。第２図は、第１図
の等価回路である。
第１図の表面パターンにおいて、エミッタ抵抗帰還型ト
ランジスタ増幅器のエミッタ電極10と表面パターンの接
地電極パターン30との間にエミッタ膜抵抗体20が形成さ
れ、かつ前記エミッタ電極10とエミッタ膜抵抗体20と接
地電極パターン30の上に誘電体膜50が形成され、その誘
電体膜50の上側でかつ接地電極パターン30の一部と接続
面を有する厚膜コンデンサの上部電極40を形成すること
により、エミッタ抵抗に並列にエミッタピーキング用コ
ンデンサを同時に形成したことになる。エミッタ抵抗体
20と誘電体膜50及び上部電極40の上下関係は逆でも機能
的には同様であることは云うまでもない。
ランジスタ増幅器のエミッタ電極10と表面パターンの接
地電極パターン30との間にエミッタ膜抵抗体20が形成さ
れ、かつ前記エミッタ電極10とエミッタ膜抵抗体20と接
地電極パターン30の上に誘電体膜50が形成され、その誘
電体膜50の上側でかつ接地電極パターン30の一部と接続
面を有する厚膜コンデンサの上部電極40を形成すること
により、エミッタ抵抗に並列にエミッタピーキング用コ
ンデンサを同時に形成したことになる。エミッタ抵抗体
20と誘電体膜50及び上部電極40の上下関係は逆でも機能
的には同様であることは云うまでもない。
以上説明したように本発明は、エミッタ帰還抵抗体と多
層構造にして厚膜ピーキングコンデンサを設けることに
より、コンデンサパターンのリードインダクタンス分を
小さくして利得の低下を防ぎ、周波数特性を改善し、安
定度も増しピーキング用コンデンサを厚膜構成としてい
る為、外部に積層セラミックコンデンサ等々の部品を取
り付ける必要もなく資材費や工数を削減でき安価で高周
波特性の良い利点がある。
層構造にして厚膜ピーキングコンデンサを設けることに
より、コンデンサパターンのリードインダクタンス分を
小さくして利得の低下を防ぎ、周波数特性を改善し、安
定度も増しピーキング用コンデンサを厚膜構成としてい
る為、外部に積層セラミックコンデンサ等々の部品を取
り付ける必要もなく資材費や工数を削減でき安価で高周
波特性の良い利点がある。
第１図は本発明の一実施例を示す表面の平面図、第２図
は本発明の一実施例の等価回路図である。 10……エミッタ抵抗帰還型トランジスタ増幅器のエミッ
タ電極、11……エミッタ抵抗帰還型トランジスタ増幅器
のコレクタ電極、12……エミッタ抵抗帰還型トランジス
タ増幅器のベース電極、20……エミッタ抵抗帰還型トラ
ンジスタ増幅器のエミッタ抵抗、30……表面パターンの
接地電極パターン、40……厚膜コンデンサ上部電極、50
……誘電体膜。
は本発明の一実施例の等価回路図である。 10……エミッタ抵抗帰還型トランジスタ増幅器のエミッ
タ電極、11……エミッタ抵抗帰還型トランジスタ増幅器
のコレクタ電極、12……エミッタ抵抗帰還型トランジス
タ増幅器のベース電極、20……エミッタ抵抗帰還型トラ
ンジスタ増幅器のエミッタ抵抗、30……表面パターンの
接地電極パターン、40……厚膜コンデンサ上部電極、50
……誘電体膜。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性基板の表面上の所定部に設けられた
エミッタ抵抗帰還型トランジスタ増幅回路のエミッタ電
極部と、前記エミッタ電極部から離れた所定部に設けら
れた表面接地電極部と、一端が前記エミッタ電極部と接
続され他端が前記表面接地電極部と接続されたエミッタ
膜抵抗体と、前記エミッタ電極部と前記エミッタ膜抵抗
体と前記表面接地電極部上にまたがって形成された誘電
体膜と、この誘電体膜の上に前記表面接地電極部および
前記エミッタ電極部に対面するように設けられて前記表
面接地電極部または前記エミッタ電極部のいずれか一方
に接続された電極とから構成されたエミッタ回路パター
ンとを備えたことを特徴とする混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2850287A JPH0682779B2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2850287A JPH0682779B2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 混成集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63196069A JPS63196069A (ja) | 1988-08-15 |
| JPH0682779B2 true JPH0682779B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=12250450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2850287A Expired - Lifetime JPH0682779B2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682779B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2362507A (en) * | 2000-05-20 | 2001-11-21 | Central Research Lab Ltd | A method of providing a bias voltage at radio frequencies |
-
1987
- 1987-02-09 JP JP2850287A patent/JPH0682779B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63196069A (ja) | 1988-08-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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