JPH03286568A - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
- Publication number
- JPH03286568A JPH03286568A JP8798690A JP8798690A JPH03286568A JP H03286568 A JPH03286568 A JP H03286568A JP 8798690 A JP8798690 A JP 8798690A JP 8798690 A JP8798690 A JP 8798690A JP H03286568 A JPH03286568 A JP H03286568A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- signal propagation
- integrated circuit
- potential
- circuit device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は集積回路装置の電極構造とその電位に関する。
［従来の技術］
従来、半導体集積回路装置における電極配線にはとりた
てて遮蔽電極が形成される事はながった又、プリント板
への配線等による集積回路装置に於てもとりたてて遮蔽
電極が形成される事もなく、ごく一部にシールド線によ
る配線が用いられ該シールド線の遮蔽電極も接地電位に
保持されるのが通例であった。
てて遮蔽電極が形成される事はながった又、プリント板
への配線等による集積回路装置に於てもとりたてて遮蔽
電極が形成される事もなく、ごく一部にシールド線によ
る配線が用いられ該シールド線の遮蔽電極も接地電位に
保持されるのが通例であった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来技術によると電極配線間容量が大きく
なり、該容量への充、放電により信号の伝搬速度が遅延
し、高速度動作が出来ないと云う課題があった。
なり、該容量への充、放電により信号の伝搬速度が遅延
し、高速度動作が出来ないと云う課題があった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、高速動作が
可能な集積回路装置の電極構造とその電位を提供する事
を目的とする。
可能な集積回路装置の電極構造とその電位を提供する事
を目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために、本発明は、集積回路装置に
関し、信号伝搬電極の周辺の少なくとも一部に遮蔽電極
を形成し、該遮蔽電極の電位を信号伝搬電極等の動作電
位と同等か約半分の直流電位に保つか、あるいは緩衝回
路と連結して信号伝搬電極とほぼ同電位に保つ手段を取
る。
関し、信号伝搬電極の周辺の少なくとも一部に遮蔽電極
を形成し、該遮蔽電極の電位を信号伝搬電極等の動作電
位と同等か約半分の直流電位に保つか、あるいは緩衝回
路と連結して信号伝搬電極とほぼ同電位に保つ手段を取
る。
［実施例］
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は、本発明の一実施例を示す半導体集積回路装置
の電極配線構造を示す要部の断面図である。すたわち、
半導体基板１の表面には絶縁膜２を介して信号伝搬電極
５とその両端に遮蔽電極４が形成されて戊る。いま、基
板１を接地し、遮蔽電極４及び４′に動作電圧を５ｖの
例をとると、その半分の２．５■の直流電位を付与する
と、信号伝播電極３と隣接して設けられる他の信号伝播
電極３′及び３“との間の電気容量は約１／２となりそ
の分信号伝播速度は速くなる。但し、基板１が接地され
ているので基板との容量は減少しない事になるが、基板
を半導体に限らず金属板として、該金属板に２．５Ｖを
印加しておくと、基板との間の電気容量も１／２となり
、その分信号伝播速度を高速化できる。更に、遮蔽電極
４及び４′に信号伝播電極３に伝わる信号と同期した信
号電位を緩衝回路を用いて付与すると、信号伝播電極、
うと遮蔽電極４，４′間の電気容量は、同期信号の付与
の仕方にもよるが、約１／２からほぼ零程度に迄減少す
る事もできる。
の電極配線構造を示す要部の断面図である。すたわち、
半導体基板１の表面には絶縁膜２を介して信号伝搬電極
５とその両端に遮蔽電極４が形成されて戊る。いま、基
板１を接地し、遮蔽電極４及び４′に動作電圧を５ｖの
例をとると、その半分の２．５■の直流電位を付与する
と、信号伝播電極３と隣接して設けられる他の信号伝播
電極３′及び３“との間の電気容量は約１／２となりそ
の分信号伝播速度は速くなる。但し、基板１が接地され
ているので基板との容量は減少しない事になるが、基板
を半導体に限らず金属板として、該金属板に２．５Ｖを
印加しておくと、基板との間の電気容量も１／２となり
、その分信号伝播速度を高速化できる。更に、遮蔽電極
４及び４′に信号伝播電極３に伝わる信号と同期した信
号電位を緩衝回路を用いて付与すると、信号伝播電極、
うと遮蔽電極４，４′間の電気容量は、同期信号の付与
の仕方にもよるが、約１／２からほぼ零程度に迄減少す
る事もできる。
第２図は、本発明の他の実施例を示すプリント板等の電
極配線の要部の断面図である。すなわち絶縁体等から成
る基板１１及び、あるいは絶縁膜１２の表面に、信号伝
播電極１５をとり囲む様に遮蔽電極１４を形成したシー
ルド線と同等のものであり、信号伝播電極１６と遮蔽電
極１４との間は極力低誘電率の絶縁材で埋めるのが望ま
しく出来ればところどころに支柱を付けたエアー・アイ
ソレーションされたものが望ましい。いま、この信号伝
播電極１５に伝播する信号を０〜５■のパルス信号だと
し、遮蔽電極１４に５■または２．５■の直流電圧を印
加するが、前記信号伝播電極１３に伝播するパルス信号
と同期した同電位のパルス信号を緩衝回路を用いて付与
すると、遮蔽電極１４を接地した場合に比して電極間の
電気容量は約１／２からほぼ零近くに迄低減することが
でき、その分、信号伝播電極１３を流れる信号の伝播遅
延速度を短かくする事ができる。
極配線の要部の断面図である。すなわち絶縁体等から成
る基板１１及び、あるいは絶縁膜１２の表面に、信号伝
播電極１５をとり囲む様に遮蔽電極１４を形成したシー
ルド線と同等のものであり、信号伝播電極１６と遮蔽電
極１４との間は極力低誘電率の絶縁材で埋めるのが望ま
しく出来ればところどころに支柱を付けたエアー・アイ
ソレーションされたものが望ましい。いま、この信号伝
播電極１５に伝播する信号を０〜５■のパルス信号だと
し、遮蔽電極１４に５■または２．５■の直流電圧を印
加するが、前記信号伝播電極１３に伝播するパルス信号
と同期した同電位のパルス信号を緩衝回路を用いて付与
すると、遮蔽電極１４を接地した場合に比して電極間の
電気容量は約１／２からほぼ零近くに迄低減することが
でき、その分、信号伝播電極１３を流れる信号の伝播遅
延速度を短かくする事ができる。
尚、前記例でも示したが 集積回路装置にシールド線
による配線を行なう場合にも本発明が適用できることは
云うまでもない。
による配線を行なう場合にも本発明が適用できることは
云うまでもない。
［発明の効果コ
本発明により、高速動作が可能な集積回路装置を提供す
ることができる効果がある。
ることができる効果がある。
第１図
第１図及び第２図は本発明の実施例を示す集積回路装置
の電極配線部の要部の断面図である。 １．１１・・・・・・基 板 ２．１２・・・・・・絶縁膜 ５．３’、５“１１５，１１，１５”・・・・・・・・
・信号伝播電極 ４．４’、１４・・・・・・遮蔽電極 第２図
の電極配線部の要部の断面図である。 １．１１・・・・・・基 板 ２．１２・・・・・・絶縁膜 ５．３’、５“１１５，１１，１５”・・・・・・・・
・信号伝播電極 ４．４’、１４・・・・・・遮蔽電極 第２図
Claims (1)
- 信号伝搬電極の周辺の少なくとも一部に遮蔽電極が形
成されて成り、該遮蔽電極の電位を信号伝搬電極等の動
作電位と同等か約半分の直流電位となるか、あるいは、
緩衝回路と連結して信号伝搬電極とほぼ同電位に保つ事
を特徴とする集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8798690A JPH03286568A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8798690A JPH03286568A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03286568A true JPH03286568A (ja) | 1991-12-17 |
Family
ID=13930139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8798690A Pending JPH03286568A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03286568A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5910684A (en) * | 1995-11-03 | 1999-06-08 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuitry |
| US6091150A (en) * | 1996-09-03 | 2000-07-18 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuitry comprising electrically insulative material over interconnect line tops, sidewalls and bottoms |
| US6456117B2 (en) | 2000-07-24 | 2002-09-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Shield circuit and integrated circuit in which the shield circuit is used |
| JP2014187183A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-04-02 JP JP8798690A patent/JPH03286568A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5910684A (en) * | 1995-11-03 | 1999-06-08 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuitry |
| US6066553A (en) * | 1995-11-03 | 2000-05-23 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method of forming electrically conductive interconnect lines and integrated circuitry |
| US6432813B1 (en) | 1995-11-03 | 2002-08-13 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method of forming insulative material over conductive lines |
| US6091150A (en) * | 1996-09-03 | 2000-07-18 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuitry comprising electrically insulative material over interconnect line tops, sidewalls and bottoms |
| US6456117B2 (en) | 2000-07-24 | 2002-09-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Shield circuit and integrated circuit in which the shield circuit is used |
| JP2014187183A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0572744B2 (ja) | ||
| JPH0546930B2 (ja) | ||
| JPH03286568A (ja) | 集積回路装置 | |
| JPH0547943A (ja) | 半導体集積装置 | |
| JPH02287430A (ja) | 電磁シールド板 | |
| KR20080086042A (ko) | 커플링 노이즈가 감소된 반도체 칩 패키지 | |
| JPH05226500A (ja) | 実装回路基板 | |
| US6842092B2 (en) | Apparatus and method for reducing propagation delay in a conductor | |
| JP2793455B2 (ja) | 高周波用ｉｃ | |
| JPH0473951A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3405477B2 (ja) | 半導体装置 | |
| RU2183367C2 (ru) | Гибридная интегральная схема свч диапазона | |
| JPH02307298A (ja) | チップ部品 | |
| JPS61125060A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6086852A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62259500A (ja) | 回路基板 | |
| JPH03224232A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS63177435A (ja) | 半導体素子の電極構造 | |
| JPS58103196U (ja) | シ−ルド付き電子回路ユニツト | |
| JP2707999B2 (ja) | 高周波遮断用中継端子及びそれを用いた高周波回路 | |
| JPS61156834A (ja) | 半導岩集積回路の信号伝送路 | |
| JPS60241297A (ja) | 多層薄膜配線基板 | |
| JPH04751A (ja) | リードフレーム | |
| JPH08316656A (ja) | 電子部品用パッケージ | |
| Buran et al. | Electromagnetic noise studies in a silicon strip detector, used as part of a luminosity monitor at LEP |