JPH03288475A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、電子機器などに用いる半導体装置の製造方
法に関する。

〔発明の概要〕

この発明は、半導体装置の製造方法において、半導体を
エピ成長させて、直方体を形威し、酸化し、多結晶シリ
コンをパターニングし、拡散層を形成することにより、
半導体装置（ＭＯＳ）ランジスタ）の能力を向上させる
ようにしたものである。

〔従来の技術〕

従来、第４図に示すように、半導体基板１の上に熱酸化
膜５を形威し、その上に多結晶シリコン６をパターニン
グし、自己整合的に拡散層７を形成するようにした半導
体装置の製造方法が知られていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、従来の半導体装置の構造では、チャネル幅方向
が大きくとれないため、電流駆動能力が小さいという欠
点があった。

そこで、この発明は従来のこのような欠点を解決するた
め、チャネル幅を大きくとれるようにして、電流駆動能
力を大きくとれる半導体装置の製造方法を得ることを目
的としている。

〔課題を解決するための手段〕

上記問題点を解決するために、この発明は、半導体基板
１に絶縁膜２を成膜し穴３をあけ、その穴３に半導体４
をエピ成長させ、この半導体４に酸化膜５を形成し、多
結晶シリコン６をパターンニングし、拡散層７を設けた
構成とし、半導体装置の電流駆動能力を大きくするよう
にした。

〔作用〕

上記のように構成された半導体装置の製造方法にすると
、チャネル幅を大きくとれるため、電流駆動能力を大き
くすることができるのである。

〔実施例〕

以下に、この発明の実施例を、図面にもとづいて説明す
る。第１図において、半導体基板１の上に絶縁膜２を形
成し、絶縁膜２にエツチングにより穴３を形成する（第
１図（ａ））。エピ成長により穴３に半導体４を形成す
る（第１図（ｂ））。

絶縁膜２を除去する（第１図（Ｃ））。半導体４を酸化
し、酸化膜５を形成する（第１図（ｄ））。

この半導体４をおおうように、多結晶シリコン６を形成
する（第１図（ｅ））。そして、第３図において、ホウ
素またはリン、またはヒ素を用いて拡散層７を形成する
。

このような構造にした場合は、チャネル幅を大きくとれ
る他、容量を小さくすることができるため、電流駆動能
力を大きくとることができる。

〔発明の概要〕

この発明は、以上説明したように、チャネル幅を大きく
し、容量を小さくしたことで、電流駆動能力を大きくす
る効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｅ）は、この発明にかかる半導体装置
の製造方法の工程順横断面図、第２図は、この発明にか
かる半導体装置の製造方法の斜視図、第３図は、この発
明にかかる半導体装置の製造方法の縦断面図、第４図は
、従来の半導体装置の製造方法の横断面図である。 １・・・半導体基板 ２・・・絶縁膜 ・穴 ・半導体 ・酸化膜 ・多結晶シリコン ・拡散層 （ｃＬ） 以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体基板の上に絶縁膜を堆積し、前記絶縁膜に穴を
   あける工程と、前記穴に半導体をエピ成長させる工程と
   、前記絶縁膜を除去する工程と、前記半導体を酸化する
   工程と、前記半導体の上に多結晶シリコンをパターニン
   グする工程と、前記半導体にホウ素またはリン、または
   ヒ素を拡散することで自己整合的に拡散層を形成する工
   程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。