JPH0329345A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特
にその間に絶縁層を介して形成された複数の導電層から
なる配線構造を有する半導体装置およびその製造方法に
関するものである。

［従来の技術］ 第３図は、従来の半導体装置における配線構造の一例を
示す部分断面図である。図において、シリコン等の半導
体基板１の上には第１の絶縁膜２が形成されている。こ
の第１の絶縁膜２の上には、互いに所定の間隔を隔てて
第１の配線層３が形成されている。第１の配線層３を覆
うように、第１の絶縁膜２の上には第２の絶縁膜４が形
成されている。この第２の絶縁膜４を介して、その上に
形成された第２の配線層５と、第１の配線層３とが互い
に絶縁されている。

第３図に示される従来の配線構造においては、第１の配
線層３の上に形成される第２の絶縁膜４には、その上に
形威される第２の配線層５のバタニングを良好にし、か
つ配線の信頼性を向上させるために、十分な平坦性が要
求される。以下、第３図に示される配線構造の製造方法
について、特に第２の絶縁膜４の形成に着目して説明す
る。

第４Ａ図〜第４Ｄ図は、上記の配線構造の形成を工程順
に示す部分断面図である。なお、第１の配線層３および
第２の配線層５には、アルミニウム、高融点金属等の金
属配線層、高融点金属シリサイド配線層、多結晶シリコ
ン配線層等が用いられるが、ここでは、第１の配線層３
および第２の配線層５がアルミニウム配線層である場合
について説明する。

第４Ａ図を参照して、半導体基板１の上に形成された第
１の絶縁膜２の上には、第１の配線層３が形成される。

次に、第４Ｂ図を参照して、第１の配線層３の上には、
たとえば、シラン（ＳｉＨ４）と、酸素（０２）あるい
は亜酸化窒素（Ｎ２０）を用いて、３００〜４５０℃の
膜堆積温度において熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法によ
り、シリコン酸化膜１１が惟積される。

第４Ｃ図を参照して、シリコン酸化膜１１の上には、シ
ラノール（Ｓ　ｉ　　（ＯＨ）　４　）等を主成分とす
る無機塗布絶縁膜１２が塗布される。その後、４００℃
以上の温度でベーキング処理が施されることにより、そ
の表面が平坦化される。

第４Ｄ図を参照して、第４Ｂ図で示された方法と同様の
方法によりシリコン酸化膜１３が無機塗布絶縁膜１２の
上に堆積される。

最後に、シリコン酸化膜１１．１３と無機塗布絶縁膜１
２とからなる第２の絶縁膜４の上には、第２の配線層５
として、たとえば、アルミニウム配線層が形成される。

このようにして、第３図に示される配線構造が完成する
。

［発明が解決しようとする課題］ 従来の配線構造における第２の絶縁膜４を、上述の方法
によって形成する場合、以下のような問題点があった。

配線の微細化に伴ない、配線間隔が狭くなる。

この配線間隔がサブミクロン・オーダになると、配線層
間に堆積される無機塗布絶縁膜１２の厚みｔｏが大きく
なる。そのため、後工程においてベーキング処理が施さ
れると、第５図に示されるように塗布絶縁膜１２にクラ
ック１４が発生する。

これは、聖布絶縁膜１２がベーキング処理の工程におい
て急激な体積収縮を伴なうことに起因する。

たと．えば、シラノール（Ｓ　ｉ　　（ＯＨ）　４　１
　等を主成分とする塗布絶縁膜１２の場合、その厚みｔ
。

が０．　　５μｍ以上になるとクラック１４が発生しや
すくなる。

このように、塗布絶縁膜１２にクラック１４が生ずると
、その上にシリコン酸化膜１３が堆積されても、塗布絶
縁膜１２の形状がシリコン酸化膜１３に反映され、第２
の配線層５のバターニングが阻害される。第６図に示す
ように、クラック１４が発生した部分においてステップ
・カバレッジが悪くなるために、第２の配線層５が断線
することになる。このように第２の絶縁層に発生したク
ラックが配線の信頼性に重大な影響を及ぼす。

そこで、このような塗布絶縁８１２の欠点を解消する方
法として、化学的気相薄膜成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　
　Ｖａｐｏｒ　　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；以下、ＣＶＤ
法と略する。）によって形威した絶縁膜のみで平坦化を
図るという試みがある。

その１つとして、有機シラン、たとえば、ＴＥＯＳ　　
（（ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ
，　テトラエトキシシラン；Ｓｉ（ＯＣ２Ｈｓ）ａ）と
酸素を用い、３００〜４５０℃の膜堆積温度でプラズマ
ＣＶＤ法により堆積されるシリコン酸化膜が平坦化のた
めに用いられる。また、もう１つの例として、同様にＴ
ＥＯＳ等の有機シランとオゾン（Ｏ，）を用い、３００
〜４５０℃の膜堆積温度で熱ＣＶＤ法により堆積される
シリコン酸化膜が平坦化のために用いられる。

上記のシリコン酸化膜は、いずれも有機シランを用いる
ことにより化学気相反応時の基板表面における反応の割
合が増加するので、従来のシラン（ＳｉＨ，）を用いた
場合に比べて、ステップ・カバレッジに優れたシリコン
酸化膜となる。

しかしながら、前者のＴＥＯＳ十０２系プラズマＣＶＤ
●シリコン酸化膜（ＴＥＯＳ＋０２系酸化膜と称する。

）２１は、ｍ７Ｂ図に示されるように、従来のシラン（
　Ｓ　ｉＨ４　）を用いたシリコン酸化膜２０（第７Ａ
図）に比べると、ステップ・カバレッジは良好であるが
、サブミクＯン・オーダの配線間を埋め込んで平坦化す
ることはできない。これは、プラズマＣＶＤ法による膜
であるため、プラズマ中における化学気相反応の割合が
比較的多いからである。したがって、配線間隔の狭い部
分では、第７Ｂ図に示すように空洞２２が生じてしまう
。

また、後者のＴＥＯＳ＋Ｏ，系熱ＣＶＤ・シリコン酸化
膜（以下、ＴＥＯＳ＋０，系酸化膜と称する。）２３は
、第８図に示されるように、その膜厚が大きくなると、
クラック２４が発生しやすい。これは、基板表面におけ
る化学気相反応（表面縮合化反応）が主であるため、非
常に良好なステップ・カバレッジを呈するが、膜厚が大
きくなると膜自体の収縮応力が働くことに起因する。

そこで、この発明は、上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、第１の配線層の上に形成される第
２の絶縁膜として、クラック耐性に優れ、かつ平坦性も
良好な絶縁層が形成される半導体装置およびその製造方
法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段コ この発明に従った半導体装置は、半導体基板と、第１の
絶縁層と、第１の導電層と、第２の絶縁層と、第２の導
電層とを備える。第１の絶縁層は、半導体基板の主表面
上に形成されている。第１の導電層は、第１の絶縁層の
上に選択的に間隔を隔てて形成されている。第２の絶縁
層は、半導体基板と第１の導電層の上に形成されている
。第２の絶縁層は、第１のシリコン酸化物層と第２のシ
リコン酸化物層とが交互に積層されて形成されている。

第１のシリコン酸゛化物層は、有機シランと酸素とを主
成分とする気相からプラズマ励起により化学気相薄膜成
長させられたものである。第２のシリコン酸化物層は、
有機シランとオゾンとを主成分とする気相から熱励起に
より化学気相薄膜成長させられたものである。第２の絶
縁層の上には第２の導電層が形成されている。第１のシ
リコン酸化物層および第２のシリコン酸化物層の各膜厚
は、５００Ａ以上２００ＯＡ以下である。

この発明に従った半導体装置の製造方法によれば、まず
、第１の絶縁層が半導体基板の主表面上に形成される。

第１の絶縁層の上には、第１の導電層が選択的に間隔を
隔てて形威される。半導体基板と第１の導電層の上には
、第２の絶縁層が形成される。第２の絶縁層は、第１の
シリコン酸化物層と第２のシリコン酸化物層とが交互に
積層されることによって形成される。第１のシリコン酸
化物層と第２のシリコン酸化物層とは、各膜厚が５００
Ａ以上２００ＯＡ以下になるように、交互に積層される
。第２の絶縁層の上には、第２の導電層が形成される。

［作用］ この発明においては、有機シランと酸素を用いたプラズ
マＣＶＤ・シリコン酸化膜である第１のシリコン酸化物
層の膜厚が２０００Ａ以下であるので、サブミクロン・
オーダの配線間隔の部分に第１のシリコン酸化物層を堆
積したとしても、第７Ｂ図に示されるような空洞２２を
生じさせるほどの顕著なオーバ・ハング形状が生じない
。また、有機シランとオゾンとを用いた熱ＣＶＤ・シリ
コン酸化膜である第２のシリコン酸化物層の膜厚が２０
００Ａ以下であるので、クラツク耐性について余裕が大
きい。また、サブミクロン●レベルの配線間隔の段差部
に第２のシリコン酸化物層が堆積されると、基板表面で
の化学気相反応（表面縮合化反応）により、その段差部
分の平坦化を図ることができる。

また、第１のシリコン酸化物層と第２のシリコン酸化物
層の各膜厚を５００Ａ以上とするのは、生産性の観点か
ら作業能率の向上を図るためである。

したがって、クラツク耐性に優れた第１のシリコン酸化
物層と、平坦性に優れた第２のシリコン酸化物層とが交
互に堆積された積層構造によって第２の絶縁層が形成さ
れるので、その上に形成される第２の導電層が安定して
バターニングされ、かつ第２の導電層からなる配線の信
頼性も向上する。

［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第１図は、この発明に従った配線構造を示す部分断面図
である。図において、半導体基板１の上には第１の絶縁
膜２が形成されている。第１の絶縁膜２の上には互いに
間隔を隔てて第１の配線層３が形成されている。第１の
配線層３を覆うように、第１の絶縁膜２の上には第２の
絶縁膜１００が堆積されている。第２の絶縁膜１００は
、ＴＥＯＳ＋０２系酸化膜１０１，１０３，１０５，１
０７と、ＴＥＯＳ＋０１系酸化膜１０２，１０４，１０
６とからなる。第２の配線層１０８は、第２？絶縁膜１
００の上に形成されている。

次に、第１図に示される配線構造において特に第２の絶
縁膜の形成方法について説明する。第２Ａ図〜第２Ｆ図
は、第１図に示された配線構造の形成方法を工程順に示
す部分断面図である。なお、第１の配線層３および第２
の配線層１０８がアルミニウム配線層の場合について説
明する。

まず、第２Ａ図を参照して、シリコン等の半導体基板１
の上に形成された第１の絶縁膜２の上に互いに間隔を隔
てた第１の配線層３が形成される。

第２Ｂ図を参照して、第１の配線層３を覆うようにＴＥ
ＯＳ＋０２系酸化膜１０１が形成される。

この第１層目のシリコン酸化膜の形成は、ＴＥＯＳと酸
素を用い、３００〜４５０℃の膜堆積温度においてプラ
ズマＣＶＤ法によって行なわれる。

このシリコン酸化膜は、クラック耐性に優れているが、
ステップ・カバレッジは十分ではない。

第９Ａ図には、ＴＥＯＳ＋０■系酸化膜１０１の膜厚ｔ
，が２００ＯＡ以下の場合が示されている。

第９Ｂ図に示すように、ＴＥＯＳ十０２系酸化膜１０９
の膜厚ｔ，が２００ＯＡを越えるほど大きくなると、第
１の配線層３間の段差部においてオーバハング１１０が
生じてしまう。そのため、サブミクロン・オーダの配線
間隔を有する第１の配線層３の上にＴＥＯＳ＋０２系酸
化膜を形成する場合、その膜厚ｔ，は２００ＯＡ以下と
する必要がある。

第２Ｃ図を参照して、ＴＥＯＳ十０２系酸化膜１０１の
上に、第２層目のシリコン酸化膜としてＴＥＯＳ＋Ｏ，
系酸化膜１０２が堆積される。このシリコン酸化膜の形
成は、ＴＥＯＳとオゾンとを用い、３００〜４５０℃の
膜堆積温度において熱ＣＶＤ法により行なわれる。

このシリコン酸化膜は、ステップ・カバレ・ソジについ
ては非常に優れているが、クラツク耐性に劣る。第１０
Ａ図には、ＴＥＯＳ＋Ｏ，系酸化膜１０２の膜厚ｔ２が
２０００Ａ以下の場合が示されている。第１０Ｂ図に示
すように、ＴＥＯＳ十〇，系酸化膜１１１の膜厚ｔ２が
２０００Ａを越えるほどに大きくなると、この膜自体の
収縮応力のためにクラック１１２が第１の配線層３の間
の段差部に発生してしまう。そのため、サブミクロン・
オーダの配線間隔を有する第１の配線層３間の段差部に
ＴＥＯＳ十〇，系酸化膜１０２を形成する場合、その膜
厚ｔ２を平坦部において２０００六以下とする必要があ
る。

さらに、第２Ｄ図に示すように、第２Ｂ図に示された工
程と同様に、第３層目のシリコン酸化膜としてＴＥＯＳ
＋０２系酸化膜１０３が、ＴＥＯＳ＋０，系酸化膜１０
２の上に堆積される。この場合も、上記と同様の理由に
より、そのシリコン酸化膜の膜厚を２０００Ａ以下とす
る。

第２Ｅ図を参照して、第２Ｃ図に示される工程と同様に
、第４層目のシリコン酸化膜としてＴＥＯＳ＋Ｏ，系酸
化膜１０４が、ＴＥＯＳ＋０２系酸化膜１０３の上に堆
積される。この場合も、上記と同様の理由により、その
シリコン酸化膜の膜厚を平坦部において２００ＯＡ以下
とする。

第２Ｆ図に示すように、以下、同様にシリコン酸化膜を
繰返して堆積することにより、第５層目ＯＴＥＯＳ＋，
０２系酸化膜１０５、第６層目のＴＥＯＳ＋Ｏ，系酸化
膜１０６および第７層目のＴＥＯＳ＋０２系酸化膜１０
７が順に形成される。

このようにして、ＴＥＯＳ＋’０２系酸化膜１０１，１
０３，１０５，１０７とＴＥＯＳ＋Ｏ，系酸化膜１０２
，１０４，１０６とが交互に積層された第２の絶縁膜１
００が形成される。

最後に、第２の絶縁膜１００の上に第２の配線層１０８
が形成される。これにより、第１図に示される配線構造
が完成する。

上述の工程において第２の絶縁膜の形成は、たとえば、
第１１図に示される化学気相反応装置を用いて容易に行
なわれ得る。第１１図を参照して、反応室チャンバ２０
１の内部には、ガス分散ヘッド２０２と基板ホルダ２０
４とが対向するように配置されている。基板ホルダ２０
４の上には、絶縁膜が堆積されるべき半導体基板２０３
が載置されている。基板ホルダ２０４には、半導体基板
２０３を所望の温度に加熱するためのヒータ２０５が設
けられている。ガス分散ヘッド２０２には、？ＥＯＳガ
ス供給ラインバルブ２０６と、０■ガス曲給ラインバル
ブ２０７と、Ｏ，ガス供給ラインバルブ２０８とを介し
て、それぞれのガス供給ラインが接続されている。ガス
分散ヘッド２０２には、反応室チャンバ２０１の内部に
プラズマを発生させるために高周波電源２０９が接続さ
れている。この高周波電源２０９には、高周波電力のＯ
　Ｎ／Ｏ　Ｆ　Ｆスイッチ２１０が設けられている。

ガス分散ヘッド２０２に対向する基板ホルダ２０４は接
地電位に保たれている。反応室チャンバ２０１は、その
内部を所定の真空状態に保つために、矢印で示されるよ
うに真空排気系２１１に接続される。

このような化学気相反応装置を用いて、半導体基板２０
３が基板ホルダ２０４の上に置かれた後、所望の温度、
たとえば、３００〜４５０℃まで加熱される。その後、
真空排気系２１１を用いて反応室チャンバ２０１の内部
が所望の真空度、たとえば、１０−’Ｔｏｒｒ程度に達
するまで排気される。

ＴＥＯＳ＋０２系酸化膜を堆積する場合には、ＴＥＯＳ
ガス供給ラインバルブ２０６と、０２ガス供給ラインバ
ルブ２０７とが開かれる。ＴＥＯＳガスと０２ガスとが
、所定の流量でガス分散ヘッド２０２を介して反応室チ
ャンバ２０１の内部に１０〜１００Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の
圧力下で供給される。この状態下において、高周波電力
ＯＮ／ＯＦＦスイッチ２１０をＯＮにすることにより、
反応室チャンバ２０１の内部にプラズマが発生させられ
る。このプラズマ励起により半導体基板２０３の上にシ
リコン酸化膜が化学気相薄膜成長させられる。

また、ＴＥＯＳ十〇，系酸化膜を堆積する場合には、高
周波電力ＯＮ／ＯＦＦスイッチ２１０がＯＦＦＳＯ２ガ
ス供給ラインバルブ２０７が閉状態にされた後に、Ｏ，
ガス供給ラインバルブ２０８が開かれる。ガス分散ヘッ
ド２０２を介して反応室チャンバ２０１の内部に、１０
〜１００Ｔｏｒｒ程度の圧力下において、所定の流量の
ガス、たとえば、１００００　〜５００００ｐｐｍのＯ
，を含む０２ガスが供給される。これにより、半導体基
板２０３の表面上において熱励起による化学気相反応が
起こり、シリコン酸化膜が堆積される。

ＴＥＯＳ＋０２系酸化膜とＴＥＯＳ＋０，系酸化膜とを
同一の反応室内で連続的に交互に繰返して惟積するため
には、上述の操作を交互に繰返せばよい。したがって、
第１１図に示される化学気相反応装置を用いれば、この
発明に従った２種類のシリコン酸化膜を容易に交互に堆
積することが可能となる。

なお、上記実施例においては、第２の絶縁膜１００の最
下層および最上層が、共にＴＥＯＳ＋０２系酸化膜の場
合を示している。しかしながら、本発明の目的とすると
ころは、２００ＯＡ以下の膜厚を有する２種類のシリコ
ン酸化膜を交互に堆積することであり、その最下層およ
び最上層のいずれか、あるいは両者がＴＥＯＳ＋０，系
酸化膜であっても、同様の効果を奏する。

また、上記実施例においては、ＴＥＯＳ＋０２系酸化膜
とＴＥＯＳ＋Ｏ，系酸化膜とを交互に堆積することによ
り、第２の絶縁膜のすべてを形成する場合について述べ
ている。しかしながら、第２の絶縁膜の平坦性をさらに
良くする目的で、上記２種類のシリコン酸化膜からなる
絶縁膜と、塗布絶縁膜とを組合わせたり、あるいは上記
２種類のシリコン酸化膜からなる絶縁膜を堆積した後に
反応性イオン・エッチングやスバッタ・エッチング等を
用いてエッチバックを行なっても同様の効果を奏する。

さらに、上記実施例においては、有機シランの一例とし
て、ＴＥＯＳを用いた場合を示している。

しかしながら、他の有機シラン、たとえば、Ｓｉ（ＯＣ
Ｒ，），　　［テトラメトキシシラン］、Ｓｉ（ＯｉＣ
３Ｈ７）＊　　［テトライソプロポキシシラン］、　（
　ｔ　Ｃ４　Ｈｓ　０２　）　　Ｓ　Ｌ　　（ＯＯＣ　
ＣＨ３　）２　［ＤＡＤＢＳ，　　ジターシャリブトキ
シアセト牛シシラン］などの有機シランを用いても同様
の効果を奏する。

上記実施例においては、有機シランと酸素あるいはオゾ
ンのみを用いて、膜形成を行なう場合について述べてい
る。これらのガスを主成分とし、膜のクラック耐性をさ
らに向上させる目的で、リン（Ｐ）やボロン（Ｂ）等の
不純物をシリコン酸化膜中にドーピングする手段として
、Ｐ（ＯＣ２Ｈｓ　）ａ　　［ＴＭＰ，　　トリメチル
フォスフォラス］、Ｂ　（ＯＣ２　Ｈｓ），Ｄリメチル
ボロン］等を添加した場合でも同様の効果を奏する。

上記実施例においては、第１の配線層、第２の配線層が
アルミニウム配線層の場合について述べたが、それらの
配線層が高融点金属（Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉなど）からなる金
屈配線層、高融点金属シリサイド（ＷＳ　ｔ２、ＭｏＳ
　ｉ２　、Ｔｉ　Ｓ　ｉ２など）配線層、多結晶シリコ
ン配線層であっても同様の効果を奏する。

［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、ステップ・カバレッ
ジは十分ではなく、クラック耐性に優れる第１のシリコ
ン酸化物層と、ステップ・カバレッジは非常に良好であ
り、クラック耐性に劣る第２のシリコン酸化物層とを、
２　０　０　ＯＡ以下の比較的薄い膜厚で交互に繰返し
て堆積するようにしたので、クラック耐性と平坦性とを
兼備えた第２の絶縁層が形成され得る。したがって、こ
の第２の絶縁層の上に形成される第２の配線層のバター
ニングが安定になり、かつ配線の信頼性も向上する。そ
の結果、高い歩留りと高い信頼性を有する半導体装置が
提供され得る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明に従った半導体装置の配線構造の一
実施例を示す部分断面図である。 第２Ａ図、第２Ｂ図、第２Ｃ図、第２Ｄ図、第２Ｅ図、
第２Ｆ図は、第１図に示された配線構逍において絶縁膜
の形成方法を工程順に示す部分所面図である。 第３図は、従来の半導体装置における配線構造を示す部
分断面図である。 第４Ａ図、第４Ｂ図、第４Ｃ図、第４Ｄ図は、第３図に
示された従来の配線構造において絶縁膜の形成方法を工
程順に示す部分断面図である。 第５図、第６図は、従来の配線構造において塗布絶縁膜
の問題点を示す部分断面図である。 第７Ａ図、第７Ｂ図は、従来の配線構造において、シラ
ンと亜酸化窒素を用いて形成されるシリコン酸化膜と、
ＴＥＯＳと酸素を用いて形成されるシリコン酸化膜の問
題点を示す部分断面図である。 第８図は、従来の配線構造において、ＴＥＯＳとオゾン
とを用いて形成されるシリコン酸化膜の問題点を示す部
分断面図である。 第９Ａ図、第９Ｂ図は、ＴＥＯＳと酸素とを用いて形威
されるシリコン酸化膜の膜厚の大小による相違を比較し
て示す部分断面図である。 第１０Ａ図、第１０Ｂ図は、ＴＥＯＳとオゾンとを用い
て形成されるシリコン酸化膜の膜厚の大小による相違を
比較して示す部分断面図である。 第１１図は、この発明に従った配線構造における絶縁膜
の堆積方法を実施することが可能な化学気相反応装置の
一例を示す概略構成図である。 図において、１は半導体基板、２は第１の絶縁膜、３は
第１の配線層、１００は第２の絶縁膜、１０１，ＩＱ３
，１０５，１０７はＴＥＯＳ＋０２系酸化膜、１０２，
１０４，１０６はＴＥＯＳ十〇，系酸化膜、１０８は第
２の配線層である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）その間に絶縁層を介して形成された複数の導電層
   からなる配線構造を有する半導体装置であって、 主表面を有する半導体基板と、 前記半導体基板の主表面上に形成された第１の絶縁層と
   、 前記第１の絶縁層の上に選択的に間隔を隔てて形成され
   た第１の導電層と、 前記半導体基板および前記第１の導電層の上に、有機シ
   ランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起によ
   り化学気相薄膜成長させられた第１のシリコン酸化物層
   と、有機シランとオゾンとを主成分とする気相から熱励
   起により化学気相薄膜成長させられた第２のシリコン酸
   化物層とが交互に積層された第２の絶縁層と、 前記第２の絶縁層の上に形成された第２の導電層とを備
   え、 前記第１のシリコン酸化物層および前記第２のシリコン
   酸化物層の各膜厚は、５００Å以上２０００Å以下であ
   る、半導体装置。
2. （２）その間に絶縁層を介して形成された複数の導電層
   からなる配線構造を有する半導体装置の製造方法であっ
   て、 半導体基板の主表面上に第１の絶縁層を形成する工程と
   、 前記第１の絶縁層の上に選択的に間隔を隔てて第１の導
   電層を形成する工程と、 前記半導体基板および前記第１の導電層の上に、有機シ
   ランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起によ
   り化学気相薄膜成長させられた第１のシリコン酸化物層
   と、有機シランとオゾンとを主成分とする気相から熱励
   起により化学気相薄膜成長させられた第２のシリコン酸
   化物層とを交互に積層して、第２の絶縁層を形成する工
   程と、前記第２の絶縁層の上に第２の導電層を形成する
   工程とを備え、 前記第１のシリコン酸化物層および前記第２のシリコン
   酸化物層は、各膜厚が５００Å以上２０００Å以下にな
   るように、交互に積層される、半導体装置の製造方法。