JPH03293738A - 樹脂封止型半導体装置の成形方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の成形方法Info
- Publication number
- JPH03293738A JPH03293738A JP2097005A JP9700590A JPH03293738A JP H03293738 A JPH03293738 A JP H03293738A JP 2097005 A JP2097005 A JP 2097005A JP 9700590 A JP9700590 A JP 9700590A JP H03293738 A JPH03293738 A JP H03293738A
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- JP
- Japan
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- mold
- resin
- molding
- core pin
- hole
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＴＯ−３外形などで代表される樹脂封止型半
導体装置を対象とした樹脂外装の形成方法に関する。
導体装置を対象とした樹脂外装の形成方法に関する。
まず、第３図、第４図により本発明の実施対象となる樹
脂封止型半導体装置の構造を示す０図において、１はヒ
ートシンクを兼ねたベレットマウント部１ａ、外部リー
ド部１ｂを備えたリードフレーム、２はリードフレーム
１にマウントされた半導体ペレット、３は半導体ペレッ
ト２とリードフレーム１の外部リード部１ｂとの間を接
続したボンディングワイヤ、４は前記の素子組立体を封
止した樹脂外装であり、樹脂外装４にはリードフレーム
１のベレットマウント部１ａに穿孔した穴１ｃに連ねて
当該半導体装置を外部基板にねし止め固定する際に用い
るねし止用の貫通穴５が形成されている。
脂封止型半導体装置の構造を示す０図において、１はヒ
ートシンクを兼ねたベレットマウント部１ａ、外部リー
ド部１ｂを備えたリードフレーム、２はリードフレーム
１にマウントされた半導体ペレット、３は半導体ペレッ
ト２とリードフレーム１の外部リード部１ｂとの間を接
続したボンディングワイヤ、４は前記の素子組立体を封
止した樹脂外装であり、樹脂外装４にはリードフレーム
１のベレットマウント部１ａに穿孔した穴１ｃに連ねて
当該半導体装置を外部基板にねし止め固定する際に用い
るねし止用の貫通穴５が形成されている。
かかる樹脂封止型半導体装置の樹脂外装４を成形するに
は、まずリードフレームｌに半導体ペレット２をマウン
トし、ワイヤ３をボンディングした素子組立体をトラン
スファ成形金型のキャビティ内にセットし、さらに前記
貫通穴５を鋳抜きするコアピンを金型にインサートし、
この状態で溶融軟化した成形材料を金型のキャピテイに
注入して樹脂外装４を成形するようにしている。なお、
ここで用いるコアピンは先記の貫通穴５の穴径に対応し
た円柱軸であり、成形工程中は金型にインサートしたま
ま固定し、成形品を金型から離型する際にコアピンを金
型から抜き取る。
は、まずリードフレームｌに半導体ペレット２をマウン
トし、ワイヤ３をボンディングした素子組立体をトラン
スファ成形金型のキャビティ内にセットし、さらに前記
貫通穴５を鋳抜きするコアピンを金型にインサートし、
この状態で溶融軟化した成形材料を金型のキャピテイに
注入して樹脂外装４を成形するようにしている。なお、
ここで用いるコアピンは先記の貫通穴５の穴径に対応し
た円柱軸であり、成形工程中は金型にインサートしたま
ま固定し、成形品を金型から離型する際にコアピンを金
型から抜き取る。
ところで、前記した従来の樹脂外装の成形方法では次記
のような成形不良の発生する場合が多い。
のような成形不良の発生する場合が多い。
すなわち、第４図に示したように樹脂封止形半導体装置
の樹脂外装４は、高い放熱性を確保するためにリードフ
レーム１を境に、半導体ペレット２をマウントした上面
側の樹脂層厚さに比べて裏面側の樹脂層厚さは数分の−
である。このｔ：めに、素子組立体を金型のキャビティ
にセットし、溶融軟化状態の成形材料を金型の一端より
ゲートを通じてキャビティ内に加圧注入した際には、流
路断面の大きなリードフレーム上面側では成形材料が流
れ込み易いのに対し、リードフレームの裏面側は流路断
面が小さいために成形材料が十分に流れ込まない、この
結果、特にリードフレームの裏面側で不足成形が生じ、
樹脂外形４にウェルドマーク、ピンホールなどの成形欠
陥の発生することが多い。
の樹脂外装４は、高い放熱性を確保するためにリードフ
レーム１を境に、半導体ペレット２をマウントした上面
側の樹脂層厚さに比べて裏面側の樹脂層厚さは数分の−
である。このｔ：めに、素子組立体を金型のキャビティ
にセットし、溶融軟化状態の成形材料を金型の一端より
ゲートを通じてキャビティ内に加圧注入した際には、流
路断面の大きなリードフレーム上面側では成形材料が流
れ込み易いのに対し、リードフレームの裏面側は流路断
面が小さいために成形材料が十分に流れ込まない、この
結果、特にリードフレームの裏面側で不足成形が生じ、
樹脂外形４にウェルドマーク、ピンホールなどの成形欠
陥の発生することが多い。
本発明は上記の点にかんがみなされたものであり、第３
図、第４図に示したねし止用貫通穴付きの樹脂封止型半
導体装置を対象に、金型にインサートするコアピンの形
状を改良し、かつ該コアピンを成形工程中に移動繰作す
ることにより、欠陥のない樹脂外装が得られるようにし
た成形方法を提供することを目的とする。
図、第４図に示したねし止用貫通穴付きの樹脂封止型半
導体装置を対象に、金型にインサートするコアピンの形
状を改良し、かつ該コアピンを成形工程中に移動繰作す
ることにより、欠陥のない樹脂外装が得られるようにし
た成形方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の成形方法は、コア
ピンとしてねし止用貫通穴の穴径に対応する先端側の径
小軸部、および該軸部に連なる根元側の径大軸部とを有
する段付きコアピンを用い、かつ成形工程の前半では前
記段付きコアピンの径大軸部を素子組立体の上面側にイ
ンサートして金型内に成形材料を注入開始し、成形工程
の後半にコアピンの径大軸部を金型のキャビティ外に引
き抜いて樹脂外装を成形するようにしたものである。
ピンとしてねし止用貫通穴の穴径に対応する先端側の径
小軸部、および該軸部に連なる根元側の径大軸部とを有
する段付きコアピンを用い、かつ成形工程の前半では前
記段付きコアピンの径大軸部を素子組立体の上面側にイ
ンサートして金型内に成形材料を注入開始し、成形工程
の後半にコアピンの径大軸部を金型のキャビティ外に引
き抜いて樹脂外装を成形するようにしたものである。
上記の成形方法により、まず成形工程の前半では、金型
内に注入した成形材料の流れに対してリードフレームの
上面側（キャビティの通路断面が大）ではコアピンの径
大軸部が成形材料の流れ込みを邪魔するように流動抵抗
体として働り、シたがって、この状態では金型のゲート
を通じて注入された成形材料がリードフレームの裏面側
（キャビティの通路断面が小）にも十分に流れ込んでこ
の部分を充填する。
内に注入した成形材料の流れに対してリードフレームの
上面側（キャビティの通路断面が大）ではコアピンの径
大軸部が成形材料の流れ込みを邪魔するように流動抵抗
体として働り、シたがって、この状態では金型のゲート
を通じて注入された成形材料がリードフレームの裏面側
（キャビティの通路断面が小）にも十分に流れ込んでこ
の部分を充填する。
一方、成形工程の後半でコアピンの径大軸部を金型のキ
ャビティ外に引き抜くことにより、いままで流動抵抗体
として作用していた径大軸部に入れ替わって０貫通穴の
穴径に対応する径小な軸部が位置する。これにより、金
型に引続き注入された成形材料が流動性よくリードフレ
ーム上面側に流れ込んでこの部分を充填するとともに、
成形材料が硬化した状態で樹脂外装にねじ正月の貫通穴
が鋳抜き形成される。
ャビティ外に引き抜くことにより、いままで流動抵抗体
として作用していた径大軸部に入れ替わって０貫通穴の
穴径に対応する径小な軸部が位置する。これにより、金
型に引続き注入された成形材料が流動性よくリードフレ
ーム上面側に流れ込んでこの部分を充填するとともに、
成形材料が硬化した状態で樹脂外装にねじ正月の貫通穴
が鋳抜き形成される。
〔実施例］
以下本発明の実施例を第１図（ａ）、ら）、および第２
図により説明する。なお、第４図に対応する同一部材に
は同じ符号が付しである。
図により説明する。なお、第４図に対応する同一部材に
は同じ符号が付しである。
図において、６は上型と下型との組合わせからなるトラ
ンスファ成彫金型、６ａは金型のゲート、７は第３図に
示したねし止用貫通穴５を鋳抜きするように金型６にイ
ンサートされるコアピンである。ここで、コアピン７は
、第２図のように前記貫通穴５の穴径に対応した先端側
の径小な軸部７ａと、該軸部７ａに連なる根元側の径大
な軸部７ｂを有する段付き状のコアピンとして作られた
ものである。
ンスファ成彫金型、６ａは金型のゲート、７は第３図に
示したねし止用貫通穴５を鋳抜きするように金型６にイ
ンサートされるコアピンである。ここで、コアピン７は
、第２図のように前記貫通穴５の穴径に対応した先端側
の径小な軸部７ａと、該軸部７ａに連なる根元側の径大
な軸部７ｂを有する段付き状のコアピンとして作られた
ものである。
次に上記の金型６．コアピン７を用いた半導体装置の樹
脂外装４の成形方法を説明する。まず、第１図（ａ）の
ように、リードフレーム１と半導体ペレット２との素子
組立体を金型６の上型と下型との間に挟んでインサート
し、さらにコアピン７をリードフレーム１の上面側から
金型内に一杯に押し込んでインサートする。この状態で
は、金型６のキャビティ内でコアピン７の径大軸部７ｂ
がリードフレームｌの上面側に挿入位置している。
脂外装４の成形方法を説明する。まず、第１図（ａ）の
ように、リードフレーム１と半導体ペレット２との素子
組立体を金型６の上型と下型との間に挟んでインサート
し、さらにコアピン７をリードフレーム１の上面側から
金型内に一杯に押し込んでインサートする。この状態で
は、金型６のキャビティ内でコアピン７の径大軸部７ｂ
がリードフレームｌの上面側に挿入位置している。
ここで、金型６のゲート６ａを通じて溶融軟化した成形
材料を金型内に注入すると、成形材料はリードフレーム
１を境にその上下二手に分流してキャビティに流れ込む
、この際に、リードフレームｌの上面側ではコアピン７
の径大軸部７ｂが成形材料の流れに対して大きな流動抵
抗体として作用し、成形材料の流れ込みを邪魔する。し
たがって成形材料はキャビティ通路断面の狭いリードフ
レーム１の下面側にも十分に流れ込み、この部分を充填
する。
材料を金型内に注入すると、成形材料はリードフレーム
１を境にその上下二手に分流してキャビティに流れ込む
、この際に、リードフレームｌの上面側ではコアピン７
の径大軸部７ｂが成形材料の流れに対して大きな流動抵
抗体として作用し、成形材料の流れ込みを邪魔する。し
たがって成形材料はキャビティ通路断面の狭いリードフ
レーム１の下面側にも十分に流れ込み、この部分を充填
する。
次に成形工程の後半では、第１図（ｂ）のようにコアビ
ン７を上方に引き上げて径大軸部７ｂを金型６のキャビ
ティ外に引き出し、この状態で引続き成形材料を金型６
に注入する。これによりリードフレーム１の上面側では
いままでの径大軸部７ｂに入れ替わって先端側の径小な
軸部７ａがキャビティ内に位置するようになり、この状
態でリードフレーム上面側のキャビティに成形材料が流
れ込んでこの部分を充填する。そして、成形材料の硬化
後に、成形品の離型操作に合わせてコアビン７を金型６
から引き抜くことにより、樹脂外装４にねし止用貫通穴
５（第３図参照）が鋳抜き形成されることになる。
ン７を上方に引き上げて径大軸部７ｂを金型６のキャビ
ティ外に引き出し、この状態で引続き成形材料を金型６
に注入する。これによりリードフレーム１の上面側では
いままでの径大軸部７ｂに入れ替わって先端側の径小な
軸部７ａがキャビティ内に位置するようになり、この状
態でリードフレーム上面側のキャビティに成形材料が流
れ込んでこの部分を充填する。そして、成形材料の硬化
後に、成形品の離型操作に合わせてコアビン７を金型６
から引き抜くことにより、樹脂外装４にねし止用貫通穴
５（第３図参照）が鋳抜き形成されることになる。
かかる成形方法により、樹脂層厚さの薄いリードフレー
ム１の裏面側でも成形欠陥のない均質な樹脂外装を成形
できることが確認されている。
ム１の裏面側でも成形欠陥のない均質な樹脂外装を成形
できることが確認されている。
以上述べたように、本発明の成形方法によれば、樹脂封
止型半導体装置に対して成形欠陥のない樹脂外装を容易
に成形でき、製品の品質向上が図れる。
止型半導体装置に対して成形欠陥のない樹脂外装を容易
に成形でき、製品の品質向上が図れる。
第１図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ成形工程の前半、後半
状態を表した樹脂外装の成形工程の説明図、第２図は第
１図におけるコアピンの外形斜視図、第３図は本発明の
実施対象となる樹脂封止型半導体装置の外形斜視図、第
４図は第３図の断面図である。 図において、 １：ＩＪ−トフレーム、１ａ：ペレットマウント部、ｌ
ｂ：外部リード部、２：半導体ペレット、３：ボンディ
ングワイヤ、４：樹脂外装、５：ねじ止用貫通穴、６：
金型、６ａ：ゲート、７：コアビン、７ａ：径小軸部、
７ｂ：径大軸部。 第２図
状態を表した樹脂外装の成形工程の説明図、第２図は第
１図におけるコアピンの外形斜視図、第３図は本発明の
実施対象となる樹脂封止型半導体装置の外形斜視図、第
４図は第３図の断面図である。 図において、 １：ＩＪ−トフレーム、１ａ：ペレットマウント部、ｌ
ｂ：外部リード部、２：半導体ペレット、３：ボンディ
ングワイヤ、４：樹脂外装、５：ねじ止用貫通穴、６：
金型、６ａ：ゲート、７：コアビン、７ａ：径小軸部、
７ｂ：径大軸部。 第２図
Claims (1)
- １）樹脂外装にねじ止用の貫通穴を形成した樹脂封止型
半導体装置の成形方法であり、リードフレームに半導体
ペレットをマウント、接続した素子組立体、および前記
貫通穴を鋳抜きするコアピンを金型のキャビティにイン
サートし、この状態で金型内に溶融軟化の成形材料を注
入して樹脂外装を成形するものにおいて、前記コアピン
としてねじ止用貫通穴の穴径に対応する先端側の径小軸
部、および該軸部に連なる根元側の径大軸部とを有する
段付きコアピンを用い、かつ成形工程の前半では前記段
付きコアピンの径大軸部を素子組立体の上面側にインサ
ートして金型内に成形材料を注入し、成形工程の後半に
コアピンの径大軸部を金型のキャビティ外に引き抜いて
成形を行うことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の成
形方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2097005A JPH03293738A (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 樹脂封止型半導体装置の成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2097005A JPH03293738A (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 樹脂封止型半導体装置の成形方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03293738A true JPH03293738A (ja) | 1991-12-25 |
Family
ID=14180130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2097005A Pending JPH03293738A (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 樹脂封止型半導体装置の成形方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03293738A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5663104A (en) * | 1994-06-03 | 1997-09-02 | Rohm Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device for power supply use |
-
1990
- 1990-04-12 JP JP2097005A patent/JPH03293738A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5663104A (en) * | 1994-06-03 | 1997-09-02 | Rohm Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device for power supply use |
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