JPH03295010A - 薄膜磁気ヘッド形成基板および薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明、ＶＴＲ等の高密度磁気記録再生装置に用いて好
適な多数の薄膜磁気ヘッドを得るための薄膜磁気ヘッド
形成基板と、該薄膜磁気ヘッド形成基板から薄膜磁気ヘ
ッドを得る薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。

〔従来の技術〕

ＶＴＲ用の従来の磁気ヘッドとしては、バルク型磁気コ
アを用い、これを付き合わせることによって作動ギャッ
プを形成する構造が採用されてたが、近年、ＶＴＲの小
型化、高性能化等の要求に基づき、従来のバルク型磁気
ヘッドの代わりに、薄膜磁気ヘッドが開発されるように
なった。

従来の薄膜磁気ヘッドは、第１２図に示されているよう
に、非磁性基板１９上に、下部磁気コア２０、薄膜コイ
ル２３が埋設された絶縁層２２、ギャップ用非磁性膜２
１、上部磁気コア２４、保護膜２５をこの順序で積層し
た構造になっている。そして、このような薄膜磁気ヘッ
ドを製造するには、通常、ヘッド素子を薄膜磁気ヘッド
形成基板上に多数個形成し、この薄膜磁気ヘッド形成基
板に機械加工を加えて所定の形状に切断、切削等を行な
い、個々のへラドチップを得ているものである。かかる
加工の一例としては１例えば、特開昭６１−２５５５１
４号公報に示されている。

従来の薄膜磁気ヘッドの他の例としては、第１３図に示
されているように、テープとの安定な当接のために、テ
ープ摺動面の４ＩＷがヘッドチップの厚さｔより小さく
なるように切削加工したもの（例えば特開昭６３−４７
１９号公報）や第１４図に示すように、金属磁性膜を磁
気コアとして用い、フォトリゾ技術により上記磁気コア
の極小化を計るとともに、薄膜コイルの巻回半径を小さ
くしたもの（たとえば特開昭６３−３０４４１３号公報
）等がある。

また、ダブルアジマス磁気ヘッドとして薄膜磁気ヘッド
を用いたものは、バルク型の磁気ヘッドに比べて、クロ
ストークが少なく、高性能であるという利点があり、し
かも、ウェファにおいて多数のヘッド素子が同時に形成
できるため、量産性の面においても優れている。

ところで、従来、ウェファから個々のへラドチップを得
るには１次の加工工程が必要であった。

まず、第１５図に示すように、ウェファを機械加工によ
って切断し、複数の薄膜磁気ヘッド素子が横に並設され
てなるショート基板ブロック２９を切り出し、次に、テ
ープ摺動面となる部分に、円筒研削あるいはテープ研磨
によって半径Ｒの弧状面加工を施こす。そして、次に１
個々のヘッドチップのテープ摺動面に、第１３図に示し
たような所定の＠Ｗのヘッド摺動部３０を突状に形成す
るために、ヘッドチップの辺に対して角度βをもつ台形
状溝３１を加工形成し、さらにその後、ワイヤソー、ダ
イシングソー等の機械加工により、磁気ギャップが所定
のアジマス角度子〇、−〇を有するように。

ショート基板ブロック２９を第１５図のＣ−Ｃ線によっ
て切断する。これにより、第１３図に示したようなヘッ
ドチップが得られる。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、上述の加工工程はバルク型磁気ヘッドの加工
工程と類似しており、このため、従来の加工手段を用い
て薄膜磁気ヘッドが得られるという利点はあるが、その
反面、各加工工程で、数μｍ−数ｌＯμｍの加工精度が
要求される。しかし、この加工精度には加工機械、治工
具、加工作業等の精度不良等が影響し、このことが歩留
まり低下の原因になっていた。また、複数の工程でもっ
て磁気ヘッドの加工が行なわれており、各工程での加工
にはそれぞれ時間を要するため、ウェファに形成した多
数個の薄膜磁気ヘッド素子をチップ化するために多くの
時間を要し、処理能力の限界のために、量産性の点でも
問題があった。

さらに、１つのへラドベースにアジマス角が異なるヘッ
ドチップを貼り付けたダブルアジマス磁気ヘッドの組立
に際しては、アジマス角度（十〇、−〇）の異なるヘッ
ドチップを別々の加工工程によって得ていたため、アジ
マス角度の異なるヘッドチップのベアリングに際しては
、一方のアジマス角度のヘッドチップ歩留まりが悪い場
合、それに応じてダブルアジマス磁気ヘッドの歩留りも
低くなってしまうという問題点があった。

また、上記組立工程においては、磁気ヘッドに設けられ
たコイルの端子電極と外部電極との電気的接続作業も行
なわれているが、２つの磁気ヘッドの間隔が数１００μ
ｍと狭く、しかも、端子電極が対向しているために、半
田付は工程またはワイヤボンド工程がそのままでは実行
できないという問題があった。

本発明の目的は、かかる問題を解消し、高精度で歩留ま
りが良く、かつ量産性に優れた薄膜磁気ヘッド形成基板
およびそれからの薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する
ことにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、本発明による薄膜磁気ヘッ
ド形成基板は、一対の薄膜ヘッド素子のフロントギャッ
プ部が、該薄膜磁気ヘッド素子のヘッドチップを切り比
すときの斜交する切断線のほぼ交点位置にくるように各
薄膜ヘッド素子を配列形成する。

また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法は、上記
薄膜磁気ヘッド形成基板を、ヘッドベースの貼り付は面
になるヘッドチップの切断面が、ヘッドギャップに対し
て所定のアジマス角度を有するように傾けて加工治具に
装填し、上記基板の各ヘッド素子が所定の形状を有する
ように、上記基板を上記加工機械により前記薄膜磁気ヘ
ッド形成基板の直交方向及び斜交方向に切断して個々の
ヘッドチップを得、該ヘッドチップをヘッドベース等に
貼り付けてそのテープ摺動面を半径Ｒの弧状面加工する
。

〔作用〕

上記のように複数個の薄膜磁気ヘッド素子を形成してな
る薄膜磁気ヘッド形成基板を、アジマス角度だけ傾けて
加工治具に装填した後、ヘッドチップの切断加工を行な
うことにより、十〇、−〇の異なるアジマス角度を持っ
たヘッドチップが１つの加工工程において同時に得られ
、加工工程の大幅な簡易化が可能になる。

また、ダブルアジマス磁気ヘッドの製造において、十〇
、−〇の異なるアジマス角度を持った一対のへラドチッ
プを同時に切断加工しているので、各ヘッドチップにお
ける形状のバラツキが少なく、ベアリングが容易に達成
できる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面によって説明する。

第１図は本発明による薄膜磁気ヘッド形成基板の一実施
例の一部を示す平面図であって、１は薄膜磁気ヘッド形
成基板、２は薄膜磁気ヘッド素子、３はフロントギャッ
プ部、４は端子電極、５ａ〜５　ｃ　、　６　ａ　〜６
　ｆ　、　７　ａ　〜７　ｅ　、　８　ａ　〜８　ｅは
切断線である。

同図において、薄膜磁気ヘッド形成基板１上には、切断
線５ａ、５ｂ、５ｃ・・・・・・とこれらに垂直な切断
線６ａ、６ｂ、６ｃ・・・とで区切られる１つおきの領
域毎に２つの薄膜磁気ヘッド素子２が対となって配列さ
れており、同一領域にある２つの薄膜磁気ヘッド素子２
はフロントギャップ部３が向い合っている。また、この
薄膜磁気ヘッド形成基板１上には、さらに切断線５ａ、
５ｂ、５ｃ。

・・・・こ切断線６ａ、６ｂ、６ｃ、・・・・・・とに
対して傾斜した切断線７ａ、７ｂ、７ｃ、・・・・・・
と、これらに垂直な切断線８ａ、８ｂ、８ｃ、・・・・
・・とが想定され、これら切断線７ａ、７ｂ、７ｃ、・
・・・・・と、切断線８ａ、８ｂ、８ｃ、・・・・・・
との交点が対をなす２つの薄膜磁気ヘッド素子２の対向
するフロントギャップ部３間の中心点となるようにして
いる。

以上の各切断線によって、薄膜磁気ヘッド素子２が１つ
ずつ区切られることになる。このために、一対の薄膜磁
気ヘッド素子２が配置される領域は、切断線５ａと５ｂ
の間と次の切断線５ｂと５０の間とで、図面上横方向に
づれている。

薄膜磁気ヘッド素子２は第１４図に示す構成をなしてお
り、これは次に述べるような製造工程によって製造され
る。

即ち、第１４図において、まず、非磁性基板１９（この
材料としては、ガラスやセラミックス等磁気テープとの
間の摺動性が良好なものが選ばれ。

この実施例では、Ｍｎ○−ＮｉＯ系セラミックスを採用
した）上にイオンミリング及びダイシングソー加工によ
って下部磁気コア２０を埋め込むための溝２６を所定個
所に多数形成し、その後、下部磁気コア２０として金属
の軟磁性体膜（この実施例では、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系非
晶質磁性合金膜を採用した）を溝２６が埋まるまでスパ
ッタリング等の手段を用いて全面に成膜形成（例えば、
膜厚２０−４０μｍ程度）し、その成膜に機械研磨によ
る平坦化処理を施した後、イオンミリングにより所定の
形状に成形して下部磁気コア２０を形成する。

それから、下部磁気コア２０を埋め込む絶縁層２７（こ
の材料としては、Ｓ　ｉＯｘ、　Ａ　１□０３９Ｍ、○
５ｘＯｚ等が選ばれる）をスパッタリング等によって成
膜形成し、この成膜を機械研磨によって平坦処理して下
部磁気コア２０の表面を露呈させる。

その後、加工用基準マーカ（例えば、チップ切断用マー
カ等）を形成するため、Ｃｒ等の非磁性金属膜を例えば
厚さ０．３μｍ程度に形成し、フォトリゾ技術によって
所定位置にパターンニングを行なう。

続いて、スパッタリング等の薄膜形成技術とフォトリゾ
技術によって、第１２図に示すように、例えばＣｕから
なる薄膜コイル２３を形成するとともに、絶縁層２８を
も形成して薄膜コイル２３と磁気コア２０、次に形成さ
れる磁気コア２４間の電気的絶縁を行なう。さらに、こ
の絶縁層２８の所定部位をエツチングによって除去した
後、所定のギャップを形成するため、絶縁層２８の上記
除去部分に非磁性材２１（この材料としては、ＳｉＯｘ
、Ａｌｚ○３あるいはＣｒ等が選ばれる）を例えば膜厚
０．３μｍ程度に形成し、その後、非磁性材２１の部分
と絶縁層２８の上部に下部磁気コア２０と同一の材料を
スパッタリング等で成膜し、この成膜をイオンミリング
によって所定形状に成形して上部磁気コア２４とすると
ともに、非磁性材２１の不要部分を除去し、さらにその
後、絶縁層２８を選択的にエツチングして、第１図に示
すように、薄膜コイル２３（第１２図）と同時に形成さ
れた端子電極部４を露呈させる。

そして、その後、磁気テープとの間で摺動性が良好な材
料の保護膜２５（この材料としては、例えば、ＭｇＯ−
５ｉＯｚ系セラミツク等が選ばれる）を少なくとも薄膜
磁気ヘッド素子２のフロントギャップ部３に形成するこ
とによって、第１図に示すように、多数の薄膜磁気ヘッ
ド素子２を形成した薄膜磁気ヘッド形成基板１が得られ
る。

なお、第１図には、第１４図での絶縁層２８や保護膜２
５は図示していない。

次に、第１図に示した薄膜磁気ヘッド形成基板１から個
々の薄膜磁気ヘッド素子のチップ（ヘッドチップ）を得
るためのヘッドチップ切断工程について説明する。

第２図は多数の薄膜磁気ヘッド素子２が形成された薄膜
磁気ヘッド形成基板１を加工治具９に貼り付けた状態を
示すもので、この薄膜磁気ヘッド形成基板１は、第１図
に示したその縦方向の切断線６ａ〜６ｆに沿って切断し
たときの切断面がフロントギャップ部３のヘントチツブ
に形成する所定のアジマス角度と等しい角度θ（例えば
、６°）だけ傾いた状態で、例えばワックス等によって
加工治具９に貼り付られる。かかる状態で。

ダイシングソー等により、薄膜磁気ヘッド形成基板１を
縦方向の切断線６ａ〜６ｆに沿って第３図に示すように
切断する。

なお、この切断にはダイアモンド刃を用いるが、その刃
の厚みが薄いと切断面にうねり等が生じて所定の加工精
度を得ることは困難になるし、その刃の厚みが厚すぎる
と切りしろ１０が大きくなり過ぎて、１つの薄膜磁気ヘ
ッド形成基板１から得られる薄膜磁気ヘッドの個数が少
なくなるので、ダイアモンド刃の厚みは０．１−０．３
ｍ　ｍの範囲に選定される。

次に、加工治具９を後述する角度だけ回転させて固定し
、薄膜磁気ヘッド形成基板１を各切断線７ａ〜７ｅ、８
ａ〜８ｅ＊’Ｄａ〜５ｃに沿って同様に切断することに
より、多数のヘッドチップを得ている。

第４図は上記のように切断された薄膜磁気ヘッド形成基
板１の一部を示すものであって、１１ａ、１１ｂが切断
によって得られたベツドチップである。

第５図は切断線５ｂ、６ａ、６ｂ、７ａ、８ｃに沿う切
断によって得られた１つのヘントチツブを示すものであ
って、切断線７ａ、８ｃのなす角度αは６０°〜１２０
°の範囲に選ばれる。なお、この角度αが大きい方が薄
膜コイル１２の配設面積が大きくなり、その電気抵抗が
小さくなってヘッドのインピーダンスノイズが低減する
という効果があるが、角度αが１２０°　を超えると、
ヘッドのテープ摺動面の磨耗によって摺動幅Ｗが急激に
大きくなり、安定したテープ摺動性が得られないという
問題点が生しる。このために、この実施例では、角度α
を９０°に選定している。また、ヘッドチップ１１の厚
さｔは切断線６ａ、６ｂの加工ピッチによって決定され
るが、薄膜コイル１２の配設面積や薄膜磁気ヘッド素子
２の量産性を考慮して。

この加工ピッチは１．０ｍｍ以内に選定するのが好まし
く、この実施例では、０．７ｍｍにした。

次に、このようにして得られたダブルアジマス磁気ヘッ
ドの対をなす２つのヘッドチップｌｌＡ１１Ｂは、これ
らの端子電極４に線径０．０４ｍｍのウレタン被覆線が
半田付は接続された後、ヘッドベースに例えばシアノア
クリレート系瞬間接着剤等によって仮接着され、その後
、テープ研磨加工等によって、テープ摺動面になる部分
に半径Ｒの弧状面加工が施こされるとともに、ギャップ
デプスが所定の値になるように加工される。

第６図はこのようなテープ研磨加工後におけるダブルア
ジマス薄膜磁気ヘッドのテープ摺動面の側面図を示すも
のであって、薄膜磁気ヘッド２Ａ（アジマス角度＋６°
）をＬ側に、薄膜磁気ヘッド２Ｂ（アジマス角度−６°
）をＲ側にして夫々へシトベース１４上に貼り付けたも
のである。

磁気記録再生システムによっては、第６図に示すような
ダブルアジマス磁気ヘッドとは逆アジマスとダブルアジ
マス磁気ヘッドが必要になるものもあるが、それを得る
場合には、ヘッドチップ１１Ａ、ＩＩＢを１８０°回転
させ、それぞれのヘッドチップ９Ａ、９Ｂの切断面１３
Ａ、１３Ｂをヘッドベース１４側にしてヘッドチップ１
１ＢをＬ側、ヘッドチップＩＩＡをＲ側に貼り付ければ
よい。そして、ヘッドベース１４にヘッドチップＩＩＡ
、１１Ｂを貼り付けた後、ウレタン被覆線を外部電極４
に接続し、エポキシ系またはアクリル系接着剤を用いて
ヘントチツブＩＩＡ、ＩＩＢをヘッドベース１４へ本接
着すれば、所要のダブルアジマス磁気ヘッドが得られる
。

以上のように、ヘッドチップＩＩＡ、ＩＩＢが薄膜磁気
ヘッド形成基板１にフロントギャップ部３が対向した形
で形成されているので、チップ化切断加工における加工
距離も数ｍｍと短くなり、しかも、同時加工ができるの
で、加工による形状のバラツキが小さくなってダブルア
ジマス磁気ヘッド組立時のベアリングも容易になる。ま
た、＋。

のアジマス角度を持ったヘッドチップを１つの加工工程
によって得ることができるので、量産性にも優れている
。

第７図は本発明による薄膜磁気ヘッド形成基板の他の実
施例の一部を示す平面図であって、第１図に対応する部
分には同一符号をつけている。

同図において、切断線５ａ、５ｂ、５ｃ・・・・・・と
切断線６ａ、６ｂ、６ｃ、・・・・・とで区分される領
域には夫々１つずつ薄膜磁気ヘッド素子２が形成されて
おり、かつ図面上横方向の配列では、薄膜磁気ヘッド素
子２の向きが隣りどおして逆となっている。また、図面
上縦方向の配列では、薄膜磁気ヘッド２の向きは揃って
いる。また、切断線５ａ、５ｂ、５ｃｍ、切断線６ａ、
６ｂ、６ｃ。

・・・・で区分される各領域内では、斜交する切断線７
　ａ　、　７　ｂ　、　７　ｃ　−と切断線８ａ、８ｂ
、８ｃ。

・・・・どの交点がフロントギャップ部３の近傍の前方
に位置するように、薄膜磁気ヘッド素子２が配置されて
いる。

この実施例においても、薄膜磁気ヘッド素子２を形成し
た薄膜磁気ヘッド形成基板１を第３図に示したように加
工治具９に貼り付け、その縦方向の切断線６ａ〜６ｄに
沿って切断した切断面がヘッドギャップに対し所定のア
ジマス角度と等しくなるように、切断して個別のへット
チップを得ているもので、この場合でも、隣接するヘッ
ドチップのアジマス角度が互いに異なるため、これらを
ベアリングすることによって所望のダブルアジマス磁気
ヘッドを得ることができる。

第８図は本発明による薄膜磁気ヘッド形成基板のさらに
他の実施例の一部を示す平面図であって、第１図に対応
する部分には同一符号をつけている。

同図しこおいて、薄膜磁気ヘッド形成基板１には、薄膜
磁気ヘッド素子２を２つ毎にフロントギャップ部３を向
かい合わせて対とするとともに、これらのフロントギャ
ップ部３間の中心が斜交する切断線８　ａ　、　８　ｂ
　、　８　ｃ　、　−−と切断線７ａ、７ｂ。

７ｃ　−との交点に位置するようにし、このように対向
した対とこれに横方向に隣接する一対の薄膜磁気ヘッド
素子との間では、縦方向に距離Ｐ、たけずれが設けられ
、また、縦方向に並んだ薄膜磁気ヘッド素子２の２つの
対間では、距離Ｐ２だけ離間されている。そして各薄膜
磁気ヘッド素子２の端子電極４は、斜交する切断線７ａ
〜７ｃ、８ａ〜８ｃ上に位置づけられ、上記のように薄
膜磁気ヘッド形成基板１を切断加工した場合、その切断
面に端子電極４が露出するようにしている。

薄膜磁気ヘッド形成基板１での薄膜磁気ヘッド素子２の
形成は、上に述べた加工工程と同じ工程で行なわれるが
、端子電極６の形成は以下に述べるような加工工程によ
って行なわれる。

即ち、第１４図において、上記のように絶縁層２８を選
択的にエツチングすることにより、薄膜コイル１２と同
時形成された端子電極４を露出させ、無電解メツキ等に
より端子電極４の部分に例えばＣＵ等の金属層を厚さ２
０μｍ−６０μｍの範囲で形成し、さらに第１４図のよ
うに全面に保護膜２５を形成して第８図に示すような薄
膜磁気ヘッド形成基板１を得る。この薄膜磁気ヘッド形
成基板１を第２図に示すようにアジマス角度だけ傾けて
加工治具９に取りつけ、各切断線７　ａ〜７　ｅ、　８
　ａ〜８　ｆ　。

６ａ〜６ｅに沿って切断することにより、個々のへソド
チソプを得ることができる。

なお、第９図はたとえば切断線６ａ、６ｂ、７ｂ、７ｃ
、８ｃ、８ｄに沿って切断して得られたヘッドチップ１
１を示すものであって、切断線８ｃ。

７ｂのなす角度αは例えば９０″である。端子電極４は
切断線８ｄに沿った切断による切断面に露出している。

また、ベツドチップ１１の長さＱは、上記角度α、切断
線７ｂ、７ｃ間及び８ｃ、８ｄ間の加工ピッチＰによっ
て異なり、ρ＝２Ｐｓ　ｉ　ｎα／２で表されるが、長
さＱが小さいとヘッドチップ１１のハンドリングが困難
になるので、量産性の点から見て０．５〜３．０ｍｍの
範囲に選定され、この実施例では、ｆｆ＝２．０ｍｍと
した。従って、加工ピッチＰは１．４１４ｍｍになる。

また、切断線７ｂ、７ｃ間の加工ピッチと切断線８ｃ、
８ｄ間の加工ピッチとを等しくしてもよいが、これらを
異ならせてもよい。

さらに、ヘッドチップ１１の厚さｔは切断線６ａ。

６ｂ間の加工ピッチで決定されるが、薄膜コイル１２の
配設面積や薄膜磁気ヘッド素子の量産性を考慮して１．
０ｍｍ以内の値に選定され、この実施例では、０．７ｍ
ｍとした。

さらにまた、第８図においては、横方向に隣接する薄膜
磁気ヘッド素子２のフロントギャップ部３間のピッチＰ
１は、Ｐ１＝Ｑ／２で表わされ、この実施例では、Ｐ工
を１．０ｍｍとした。また、縦方向に配列された薄膜磁
気ヘッド素子２の間のピッチＰ２は、Ｐｚ＝　（２ｎ　
　１）　　・Ｑ　　（但し、ｎ＝１．２，３・・・）で
表わされるが、量産性を考慮してＰ、＝２Ｑに選定され
、この実施例では、Ｐ２を４、’Ｏｍｍとした。

次に、第８図の薄膜磁気ヘッド形成基板１から得られた
ヘッドチップに対する端子接続について説明する。

まず、第６図に示したように、ヘッドチップをヘッドベ
ース１４等にジアノアクリレート系の瞬間接着剤によっ
て仮接着し、しかる後、第１０図に示すように、切断線
８ｄ（第９図）に沿う切断面１６上での端子電極４の側
面４Ａと外部電極１８とを例えばＡｕ等の金属細線１７
によってワイアボンド接続する（但し、第１０図には、
ヘッドベース１４が図示されていない）。また、この接
続方法の代わりに、例えば微小部半田付は装置を用いて
ウレタン被覆線等の接続を行うこともできる。そして、
端子接続部の保護及びヘッドチップの補強のために、紫
外線硬化接着剤またはエポキシ系、アクリル系の接着剤
を用いて、ヘッドチップをヘッドベース１４に本接着し
ている。

このように、端子電極４の面がヘッドチップの切断面１
６にまで延びているため、端子接続を行う際に容易に機
械化することができ、量産性に優れたヘッドチップを構
成できる。さらに、第６図のように構成したダブルアジ
マス磁気ヘッドの構成においては、端子電極４がヘッド
チップの対向面に配置されていないため、２つのヘッド
チップ間のヘッドギャップ１５の間隔Ｑｇ（第６図）を
広範囲に設定することができ、接続方式も各種のものが
選定できる等の利点を有している。

第１１図は本発明による薄膜磁気ヘッド形成基板のさら
に他の実施例から切断されたヘッドチップを示すもので
、第８図での切断線７ａ、７ｂ、７Ｃ９・・・・・・の
うちの１つおきが除かれている。この第１１図では、切
断線７ｂ、８ｃ、８ｄ、６ａ。

６ｂに相当して切断されたときのへラドチップを示し、
上記基板１を斜交する切断線８ｄが端子電極４を切断し
ていて、端子電極４の側面がヘッドチップの切断線８ｄ
での切断面に露出する。この実施例も、第９図に示され
たヘッドチップと同様の端子接続が可能になる。

以上のように、上記実施例によれば、薄膜磁気ヘッドの
製造工程を大幅に短縮することが可能になり、薄膜磁気
ヘッドの量産性が向上する。また、ダブルアジマス磁気
ヘッドにおいても、アジマス角が異なるヘッドチップが
同時加工によって得られるため、加工精度のバラツキが
少なくなり、ダブルアジマス磁気ヘッドの歩留まりが向
上することになる。

〔発明の効果〕

以上説明したように１本発明によれば、薄膜磁気ヘッド
形成基板に構成の異なる薄膜磁気ヘッド素子を形成でき
て、これらへラドチップに切断加工する際の工程を短縮
することができ、しかも、ダブルアジマス磁気ヘッドに
おいては、アジマス角度の異なるヘッドチップを同時加
工によって得られるので、形状のバラツキを少なくし、
量産性を向上させることができる。また、ヘッドチップ
の端子電極と外部電極との接続をヘッドチップの側面で
行なうことができるので、ワイアボンド等の機械化が容
易になり、量産性に優れかつ歩留まりが良好となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による薄膜磁気ヘッド形成基板一実施例
を示す平面図、第２図はチップ切断加工を行う加工治具
に第１図に示した薄膜磁気ヘッド形成基板を貼り付けた
状態を示す図、第３図は第２図に示した加工治具上の薄
膜磁気ヘッド形成基板を切断線した状態を示す側面図−
１第４図は薄膜磁気ヘッド形成基板の切断による一対の
へラドチップを示す平面図、第５図は第４図に示したヘ
ッドチップの１つを示す平面図、第６図は第５図に示し
たヘッドチップからなるダブルアジマス磁気ヘッドのテ
ープ摺動面からみた側面図、第７図及び第８図は夫々本
発明による薄膜磁気ヘッド形成基板の他の実施例を示す
平面図、第９図は第８図に示した薄膜磁気ヘッド形成基
板から得られたヘノドラ−ノブを示す平面図、第１０図
は第９図に示したヘッドチップに端子接続を行なった状
態を示す斜視図、第１１図は本発明による薄膜磁気ヘッ
ド形成基板のさらに他の実施例から得られたベツドチッ
プを示す平面図、第１２図、第１３図は夫々従来の薄膜
磁気ヘッドの一例を示す断面図、第１４図は従来の薄膜
磁気ヘッドの他の例をテープ摺動面からみた図、第１５
図は従来のへラドチップ加工で得られるショート基板ブ
ロックを示す斜視図である。 １　薄膜磁気ヘッド形成基板、２・・・薄膜磁気ヘッド
素子、３・・・フロントギャップ部、４・・・端子電極
、５〜８切断線、９・・・加工治具、１０・・・切りし
ろ。 １１ａ、ｌｌｂ・・ヘッドチップ、１２・・・薄膜コイ
ル、１４・・ヘッドベース、１５・・・ヘンドギャップ
、１６・・・切断面、１７　　金属細線、１８・・外部
電極、１９・・非磁性基板、２０・・・下部磁気コア、
２１　　磁気ギャップ、２４・上部磁気コア、２５・・
保護膜、２６・溝。 晃 ５ ソ 萬 目 第４ 図 第７ 図 畝 ｂ Ｃ 第９ 図 篤 Ｏ 図 第１ 反 ＼ 萬１２ 図 第１３ 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、非磁性基板上に下部磁気コア、薄膜コイルが埋設さ
   れた絶縁層、磁気ギャップ、上部磁気コア、保護膜がこ
   の順序で積層されてなる薄膜磁気ヘッド素子が複数個形
   成配列されてなる薄膜磁気ヘッド形成基板において、 該薄膜磁気ヘッド素子のフロントギャップ部が斜交する
   ２つの切断線の交点近傍の位置になるように、該各薄膜
   磁気ヘッド素子が配列されたことを特徴とする薄膜磁気
   ヘッド形成基板。 ２、請求項１において、 前記薄膜磁気ヘッド素子のコイルの端子電極が前記斜交
   する切断線上に形成されていることを特徴とする薄膜磁
   気ヘッド形成基板。 ３、請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド形成基板を
   、前記切断線に沿う切断による切断面とヘッドギャップ
   とが所定のアジマス角度をもつように傾斜させて加工治
   具上に貼り付け、前記薄膜磁気ヘッド形成基板１を斜交
   する切断線及び直交する切断線に沿って切断して、各薄
   膜磁気ヘッドのヘッドチップを得ることを特徴とする薄
   膜磁気ヘッドの製造方法。