JPH03295011A

JPH03295011A - 磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH03295011A
Application number: JP9642690A
Authority: JP
Inventors: Hisashi Katahashi; 片橋　久; Yoshitsugu Miura; 義從三浦; Yuiko Matsubara; 松原　結子; Masaya Yasukochi; 正也安河内
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1990-04-13
Filing date: 1990-04-13
Publication date: 1991-12-26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、磁気コアの少なくとも一部が磁性薄膜と電気
絶縁薄膜との積層構造をとる磁気ヘッドに関する。

［従来の技術］コア基体と、該コア基体上に形成された高飽和磁束密度
、高透磁率の磁性薄膜とからなるコア半休同志を接合し
た構造をとる磁気ヘッドは公知であり、近時、例えばＶ
ＴＲなどにおＧ１て多用され始めている。

核種、コア基体と磁性薄膜とでコア半休を形成する磁気
ヘッドの中には、特開昭６１−２５０８１０号公報の中
でその１変形例として開示されているように、うず電流
損失の低減を図るため、コア基体上に磁性薄膜、電気絶
縁薄膜、磁性薄膜を順次積層して成膜した多層薄膜構造
（多層磁性層構造）をとるものが知られており、磁性薄
膜間に設けられた層間絶縁ｇ（電気絶縁薄膜）としては
ＳｉＯ□等の酸化物が用いられていた。

［発明が解決しようとする課題］ところで本願発明者等の実験によれば、上記した従来技
術の如く磁性薄膜間にＳｉｎ、等の酸化物よりなる電気
絶縁薄膜を介在させた構造を採った場合、磁性薄膜と電
気絶縁薄膜との界面において充分な付着力が得られず、
層間剥離が起き易いということが判明した。そして、こ
の眉間剥離が起きると空隙が生じ、媒体摺動に伴って空
隙部分に磁性粉が溜るため、−度記録した信号が消され
がちになり、ヘッド特性が劣化するという問題があった
。

従って、本発明の解決すべき技術的課題は上記した従来
技術のもつ問題点を解消することにあり、その目的とす
るところは、磁気コアの少なくとも一部が磁性薄膜と電
気絶縁薄膜との積層構造をとる磁気ヘッドにおいて、層
間剥離をなくし以って磁性粉が溜ることによるヘッドの
帯磁を防止できる磁気ヘッドを提供することにある。

［課題を解決するための手段］本発明は上記した目的を達成するため、磁気コアの少な
くとも一部が薄膜によって形成され、且つ該薄膜が磁性
薄膜と電気絶縁薄膜との積層構造（多層磁性層構造）を
とる磁気ヘッドにおいて、前記磁性薄膜と電気絶縁薄膜
との界面の少なくとも一部に、例えば、Ｃｒ薄膜よりな
る非磁性接合用薄膜を設けた、構成とされる。

［作用］磁性薄膜と電気絶縁薄膜との間に介在するＣｒ薄膜（非
磁性接合用薄膜）は、例えばＳ　ｉ　Ｏ，薄膜よりなる
電気絶縁薄膜とは、Ｓ　ｉ　Ｏ，中の酸素と結びついて
Ｃｒ　Ｏｚを生成し易く、この化学結合によって強固な
付着力が得られ、また、例えばＣｏＮｂＺｒ非晶質磁性
合金膜よりなる磁性薄膜とは、金属結合をするためここ
でも強固な付着力が得られる。よって、非磁性接合用薄
膜は磁性薄膜と電気絶縁薄膜の両者に対して強い付着力
を持つため、従来の如く眉間剥離が生じることが無く、
剥離空隙に磁性粉が溜ることに起因するヘッドの帯磁を
防止することができる。

［実施例］以下、本発明の一実施例を第１図〜第４図によって説明
する。

第１図は本実施例に係る磁気ヘッドの摺動面側の要部拡
大平面図、第２図は磁気ヘッドの斜視図である。

第２図において、符号１で総括的に示す磁気ヘッドは、
対をなすコア半休２Ａ、２Ｂを低融点のガラス８で接合
したものでヘッドチップが構成されている。上記各コア
半体２Ａ、２Ｂは、フェライトよりなるコア基体３と、
該コア基体３の突き合わせ・対向面側に形成された多層
薄膜部４からなっており、多層薄膜部４は、第１図に示
すように、磁性薄膜５．非磁性接合用薄膜６．電気絶縁
薄膜７．非磁性接合用薄膜６．磁性薄膜５が順次積層さ
れた５層構造となっている。また、前記対をなすコア基
体３の対向面には三角形状の突部３ａがそれぞれ形成さ
れ、該突部３ａの頂部においで前記多層薄膜部４はトラ
ック幅相当分の幅をもつように平坦化されている０本実
施例においては、上記磁性薄膜５は膜厚が１５μｍのＣ
ｏＮｂＺｒ非晶質薄膜よりなり、前記非磁性接合用薄膜
６は膜厚が０．０３μｍのＣｒ１ｌ膜よりなり、電気絶
縁薄膜７は膜厚が０．０５μｍのＳ　ｉ　Ｏ，薄膜より
なっており、これらは後述するようにスパッタリング等
の薄膜形成技術で順次成膜されている。

なお、９は膜厚が０．２μｍのＳｉｎ、薄膜よりなるギ
ャップ規制薄膜、１０は巻線窓、１１はコイルである。

上記したように本実施例においては、前記磁性薄膜５と
電気絶縁薄膜７との間に゛層間接合材料としてＣｒより
なる非磁性接合用薄膜６が介在した構成となっている。

このＣｒは、Ｓｉｎ、薄膜よりなる電気絶縁薄膜６とは
、Ｓｉｎ、中の酸素と結びついてＣｒ　Ｏｘを生成し易
く、この化学結合によって強固な付着力が得られ、また
、Ｃｏ　Ｎ　ｂＺｒ非晶質磁性合金膜よりなる磁性層Ｉ
Ｊ５とは、金属結合をするためここでも強固な付着力が
得られる。よって、非磁性接合用薄膜６は磁性薄膜５゜
電気絶縁薄膜７の両者に対して強い付着力を持つため、
従来の如く層間剥離が生じることがない。

第３図は、第１，２図に示した磁気ヘッドの製造方法を
示す工程説明図である。

先ず同図（、）に示すように、前記コア基体３の母材と
なるフェライト基板３’　、３’上に、ダイシングソー
などにより前記した突部３ａを形づくるためにＷ字形の
溝２０を形成し、この際、方のフェライト基板３′には
前記した巻線窓１０を形成するための溝２１を併せて切
削加工する。

次に、上記したように溝加工を施したフェライト基板３
′上に、前記磁性薄膜５となるＣ　ｏ　Ｎ　ｂＺｒ薄膜
を成膜しく同図（ｂ））　、統いて、前記非磁性接合用
薄膜６となるＣｒ薄膜、前記電気絶縁薄膜７となるＳ　
ｉ　Ｏ，薄膜を順次成膜した後、再び、Ｃｒ１ｔｌ膜（
非磁性接合用薄膜６）　、ＣｏＮｂＺｒ薄膜（磁性薄膜
５）を成膜・形成する（同図（Ｑ））、なお、以上の成
膜には全てＣｏｎｖ。

ＲＦスパッタ法を用いる。

続いて同図（ｄ）に示すように、低融点の鉛系のガラス
８を表面の凹部が完全に埋まるように充填・被着した後
、下層側の磁性層５が所定量露呈するまで表面をラッピ
ング等の手段で研磨・除去し、前記突部３ａの頂部の前
記多層薄膜部４がトラック幅をもつように平坦化する。

然る後、同図（ｅ）に示すように、一方のフェライト基
板３′のラップ面上に前記ギャップ規制薄膜９となるＳ
ｉＯ２薄膜を、マグネトロンスパッタ法で成膜・形成す
る。

この後、斯様な薄膜形成部をもつ対となるフェライト基
板３’　、３’同志を位置合わせして、ガラス８によっ
てボンディングして一体化しく同図（ｆ））、最後に、
この組立ブロックをダイシングソーによってヘッドチッ
プとして切り出し、媒体摺動面に研磨を施した後、コイ
ル１１を巻回すれば磁気ヘッドが作製されることになる
。

第４図は前記した実施例による磁気ヘッドと。

従来の（磁性薄膜と電気絶縁薄膜との間に非磁性接合用
薄膜がない磁気ヘッド）との再生出力を比較し、グラフ
化して示す説明図である。同図から明らかなように１本
発明の実施例による磁気ヘッドは眉間剥離がなく、剥離
空間への磁性粉の浸入・蓄積がないので（ヘッドの帯磁
がないので）、従来に較べて再生出力で３〜４ｄＢの改
善が認められた。

以下１本発明の他の実施例を第５図〜第７図によって説
明する。

第５図（ａ）〜（ｃ）は本発明の他の実施例に係る磁気
ヘッドの斜視図である。

第５図（ａ）において、符号１で総括的に示す磁気ヘッ
ドは、対をなすコア半休２Ａ、２Ｂを低融点のガラス８
で接合したものでヘッドチップが構成されている。上記
各コア半休２Ａ、２Ｂは、フェライトよりなるコア基体
３と、該コア基体３の突き合わせ・対向面側に形成され
た多層薄膜部４からなっており、多層薄膜部４は、第１
図に示す前記した構成となっている。なお、９は膜厚０
゜２μｍのＳｉＯ２薄膜よりなるギャップ規制薄膜、１
０は巻線窓、１１はコイルである。

上記したように本実施例においては、前記磁性薄膜５と
電気絶縁薄膜７との間に層間接合材料としてＣｒよりな
る非磁性接合用薄膜６が介在した構成となっている。

第６図は、第５図（ａ）に示した磁気ヘッドの製造方法
を示す工程説明図である。

先ず同図（ａ）に示すように、前記コア基体３の母材と
なるフェライト基板３’　、３’上に、ダイシングソー
などにより前記した突部３ａを形づくるためにＷ字形の
溝２０を形成し、この際、−方のフェライト基板３′に
は前記した巻線窓１０を形成するための溝２１を併せて
切削加工する。

次に、上記したように溝加工を施したフェライト基板３
′上に、前記磁性薄膜５となるＣ　ｏ　Ｎ　ｂＺｒ薄膜
を成膜しく同図（ｂ））、続いて、前記非磁性接合用薄
膜６となるＣｒ薄膜、前記電気絶縁薄１１１７となるＳ
　ｉ　Ｏ，薄膜を順次成膜した後。

再び、Ｃｒ薄膜（非磁性接合用％ＩＷＡ６）　、ＣｏＮ
ｂＺｒ１ｌ膜（磁性薄膜５）を成膜・形成する（同図（
ｃ））、なお、以上の成膜には全てＣｏ　ｎ　ｖ　。

ＲＦスパッタ法を用いる。

然る後、同図（ｅ）に示すように、一方のフェライト基
板３′のラップ面上に前記ギャップ規制薄膜９となるＳ
ｉＯ□薄膜を、マグネトロンスパッタ法で成膜・形成す
る。

本実施例による磁気ヘッドは、前述した実施例と同様、
再生出力で３〜４ｄＢの改善が認められた。

次に、第５図（ｂ）、（ｃ）において特別１で総括的に
示す磁気ヘッドは対をなすコア半体２Ａ。

２Ｂを低融点のガラス８で接合したものでヘッドチップ
が構成されている。上記各コア半体２Ａ。

２Ｂは、フェライトよりなるコア基体３と、該コア基体
３の突き合わせ・対向面側に形成された多層薄膜部４か
らなっており、多層薄膜部４は、第１図に示す前記した
構成になっている。なお、９は膜厚０．２μｍのＳ　ｉ
　Ｏ，薄膜よりなるギヤツブ規制薄膜、１０は巻線窓、
１１はコイルである。

上記したように本実施例においては、前記磁性薄膜５と
電気絶縁薄膜７との間に層間接合材料としてＣ，ｒより
なる非磁性接合用薄膜６が介在した構成となっている。

第７図は、第５図（ｂ）、（Ｑ）に示した磁気ヘッドの
製造方法を示す工程説明図である。

先ず同図（ａ）に示すように、前記コア基体３の母材と
なるフェライト基板３’　、３’上に、ダイシングソー
などにより前記した突部３８を形づくるためにＷ字形の
溝２０を切削加工する。

次に、上記したように溝加工を施したフェライト基板３
′上に、前記磁性薄膜５となるＣ　ｏ　Ｎ　ｂＺｒ薄膜
を成膜しく同図（ｂ））、続いて、前記非磁性接合用薄
膜６となるＣｒＮ膜、前記電気絶縁薄膜７となるＳｉｎ
、薄膜を順次成膜した後。

再び、Ｃｒ薄膜（非磁性接合用薄膜６）、ＣｏＮｂＺｒ
薄膜（磁性薄膜５）を成膜・形成する（同図（Ｑ））、
なお、以上の成膜には全てＣｏ　ｎ　ｖ　。

ＲＦスパッタ法を用いる。

然る後、同図（ｅ）に示すように、一方のフェライト基
板３′のラップ面上に前記ギャップ規制薄膜９となる５
ｉ０２＃膜を、マグネトロンスパッタ法で成膜・形成す
る。

上記した一対のフェライト基板３′のうち、少なくとも
一方のフェライト基板３′には巻ＩＩＡ窓１０Ｂもしく
は１０Ｃを形成するための溝２１（図示せず）を切削加
工する。

なお、上述した実施例では、前記コア基体３にフェライ
ト（磁性体）を用いているが、コア基体には非磁性高硬
度材を用いてもよい、また、前記磁性薄膜５は、金属磁
性材もしくは酸化物磁性材であればよく、前記非磁性接
合用薄膜６も酸化物絶縁材であればよい。また、前記非
磁性接合用薄膜６もＣｒ以外に、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ
、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等を用いても１強力な付着力を得ること
ができる。

［発明の効果］以上のように本発明によれば、磁気コアの少なくとも一
部が磁性薄膜と電気絶縁薄膜との積層構造をとる磁気ヘ
ッドにおいて、眉間剥離をなくして剥離空間に磁性粉が
溜ることによるヘッドの帯磁を防止でき、以って特性信
頼性に優れた磁気ヘッドを提供でき、その価値は大きい
。

【図面の簡単な説明】

図面は何れも本発明の一実施例に係り、第１図は磁気ヘ
ッドの摺動面倒の要部拡大平面図、第２図は磁気ヘッド
の斜視図、第３図は磁気ヘッドの製造工程を示す説明図
、第４図は本発明の磁気ヘッドと従来の磁気ヘッドの再
生出力特性を対比して示す説明図、第５図は本発明の他
の実施例による磁気ヘッドの斜視図、第６図及び第７図
は磁気ヘッドの製造工程を示す説明図である。１・・・磁気ヘッド、　　２Ａ、２Ｂ・・・コア半体、
３・・・コア基体、　３ａ・・・突部、４・・・多層薄
膜部。５・・・磁性薄膜、　６・・・非磁性接合用薄膜、７・
・・電気絶縁薄膜、　８・・・ガラス、９・・・ギャッ
プ規制薄膜、　１０・・・巻線窓、１１・・・コイル。

Claims

【特許請求の範囲】１、磁気コアの少なくとも一部が薄膜によって形成され
、且つ該薄膜が磁性薄膜と電気絶縁薄膜との積層構造を
とる磁気ヘッドにおいて、前記磁性薄膜と電気絶縁薄膜
との界面の少なくとも一部に非磁性接合用薄膜を設けた
ことを特徴とする磁気ヘッド。２、請求項１記載において、前記非磁性接合用薄膜とし
てＣｒ薄膜を用いたことを特徴とする磁気ヘッド。