JPH0330504A - 電界効果トランジスタ - Google Patents

電界効果トランジスタ

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Publication number
JPH0330504A
JPH0330504A JP16615089A JP16615089A JPH0330504A JP H0330504 A JPH0330504 A JP H0330504A JP 16615089 A JP16615089 A JP 16615089A JP 16615089 A JP16615089 A JP 16615089A JP H0330504 A JPH0330504 A JP H0330504A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inductance
capacity
source
electrode
capacitor
Prior art date
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Pending
Application number
JP16615089A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Shiozaki
修 塩崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH0330504A publication Critical patent/JPH0330504A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電界効果トランジスタのチップの構造に利用さ
れ、特に、ソース接地で使用される高周波高出力用の電
界効果トランジスタに関する。
〔概要〕
本発明は、電界効果トランジスタにおいて、ソース電極
とドレイン電極またはゲート電極間に、細いメタライズ
パターンからなるインダクタンスと、このインダクタン
スに接続されたある一定の面積を持つメタライズパター
ンからなるコンデンサとを設けることにより、 実効的にトランジスタの出力容量およびまたは入力容量
を減少させ、高周波性能を向上させたものである。
〔従来の技術〕
従来、この種の電界効果トランジスタのチップでは、ド
レイン電極、ゲート電極およびソース電極は、各々平面
的に分離された配置に設けられている構造になっていた
〔発明が解決しようとする問題点〕
前述した従来の電界効果トランジスタのチップにおいて
は、ゲート−ソース間合1c9.およびドレイン−ソー
ス間合1cdsが、それぞれ入力側および出力側に接続
されるため、高周波で動作する場合、入力および出力側
インピーダンスが小さくなり、また、周波数の変動に対
して位相差が大きくなるため、外部整合回路との整合性
が不十分となり、高周波性能の低下をひきおこす欠点が
ある。
本発明の目的は、前記の欠点を除去することにより、高
周波性能の向上を図ったチップ構造を有する電界効果ト
ランジスタを提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極
を備えた電界効果トランジスタに右いて、細いメタライ
ズパターンにより形成されたインダクタンスと、ある一
定の面積を持ち前記細いメタライズパターンに接続され
たメタライズパターンにより形成されたコンデンサとを
、前記ソース電極とドレイン電極間に設けたことを特徴
とする。
また、本発明は、ソース電極、ドレイン電極およびゲー
ト電極を備えた電界効果トランジスタにおいて、細いメ
タライズパターンにより形成されたインダクタンスと、
ある一定の面積を持ち前記細いメタライズパターンに接
続されたメタライズパターンにより形成されたコンデン
サとを、前記ソース電極と前記ゲート電極間に設けたこ
とを特徴とする。
〔作用〕
ドレイン電極とソース電極とが互いにインダクタンスと
直流阻止用のコンデンサによって接続され、ドレイン−
ソース間容量Cd%と前記インダクタンスとが高周波動
作時に、その周波数にて並列共振することにより実効的
にドレイン−ソース間容量Cd、 (出力容量)が低減
される。また、同じく、ゲート電極とソース電極とが互
いにインダクタンスと直流阻止用のコンデンサによって
接続され、ゲート−ソース間容量Cgsと前記インダク
タンスとが高周波動作時にその周波数にて並列共振する
ことにより、実効的にゲート−ソース間容量C9−(入
力容量)が低減される。
従って、高周波性能の向上を図ることが可能となる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図(a)は本発明の第一実施例の要部を示す平面図
、右よび第1図b〕はその等価回路図である。
本第−実施例は、ドレイン電極1、ソース電極2および
ゲート電極3を備えた電界効果トランジスタにおいて、 本発明の特徴とするところの、細いメタライズパターン
により形成されたインダクタンス4と、ある一定の面積
を持ち前記細いメタライズパターンに接続されたメタラ
イズパターンにより形成されるコンデンサ5とが、ドレ
イン電極lとソース電極2との間に設けられている。
次に、本第−実施例の動作について説明する。
第1図ら)に示すように、ドレイン−ソース間容量(出
力容量)をCdsとし、インダクタンス4の値をし、コ
ンデンサ5の容lを00とする、そして、角周波数をω
として、 ωL>> ωC0 のようにC8を選ぶ、 が成立するようにインダクタンス4を作り込めば、動作
周波数ωのとき並列共振を起こし、実質的にドレイン−
ソース間容量(出力容量)C4,は大幅に低減され、高
周波性能が向上される。
第2図(a)は本発明の第二実施例の要部を示す平面図
および第2図ら)はその等価回路図である。
本第二実施例は、インダクタンス4aとコンデンサ5a
とをソース電極2とゲート電極3との間に設けたもので
ある。第一実施例の場合と同様にして、ゲート−ソース
間容量C9%(人力容量)とインダクタンス4aとが動
作周波数において並列共振することによって、電界効果
トランジスタの人力容量を実効的に減少させ、高周波特
性の向上を図ることができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、電界効果トランジスタ
のチップにおいて、ソース電極とドレイン電極またはソ
ース電極間にインダクタンスと直流阻止のコンデンサと
を付加することによって、電界効果トランジスタ出力容
量または人力容量を実効的に減少させ、高周波性能を向
上させる効果がある。
1・・・ドレイン電極、2・・・ソース電極、3・・・
ゲート電極、4.4a・・・インダクタンス、5.5a
・・・コンデンサ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を備え
    た電界効果トランジスタにおいて、 細いメタライズパターンにより形成されたインダクタン
    スと、ある一定の面積を持ち前記細いメタライズパター
    ンに接続されたメタライズパターンにより形成されたコ
    ンデンサとを、前記ソース電極とドレイン電極間に設け
    た ことを特徴とする電界効果トランジスタ。 2、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を備え
    た電界効果トランジスタにおいて、 細いメタライズパターンにより形成されたインダクタン
    スと、ある一定の面積を持ち前記細いメタライズパター
    ンに接続されたメタライズパターンにより形成されたコ
    ンデンサとを、前記ソース電極と前記ゲート電極間に設
    けた  ことを特徴とする電界効果トランジスタ。
JP16615089A 1989-06-27 1989-06-27 電界効果トランジスタ Pending JPH0330504A (ja)

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JP16615089A JPH0330504A (ja) 1989-06-27 1989-06-27 電界効果トランジスタ

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JP16615089A JPH0330504A (ja) 1989-06-27 1989-06-27 電界効果トランジスタ

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013213153A1 (de) 2012-07-19 2014-02-20 Panasonic Corp. Bildübermittlungsvorrichtung, Bildübermittlungsverfahren, Bildübermittlungsprogramm, Bilderkennungs- und authentifizierungssystem und Bildempfangsvorrichtung
JP2017169168A (ja) * 2016-03-18 2017-09-21 三菱電機株式会社 電力増幅器
WO2022224354A1 (ja) * 2021-04-20 2022-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013213153A1 (de) 2012-07-19 2014-02-20 Panasonic Corp. Bildübermittlungsvorrichtung, Bildübermittlungsverfahren, Bildübermittlungsprogramm, Bilderkennungs- und authentifizierungssystem und Bildempfangsvorrichtung
JP2017169168A (ja) * 2016-03-18 2017-09-21 三菱電機株式会社 電力増幅器
CN107204746A (zh) * 2016-03-18 2017-09-26 三菱电机株式会社 功率放大器
DE102017200255B4 (de) 2016-03-18 2022-05-05 Mitsubishi Electric Corporation Leistungsverstärker
WO2022224354A1 (ja) * 2021-04-20 2022-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置

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