JPS61143764A - 電子移送オ−バ−コ−テイングを含有する感光性像形成部材 - Google Patents
電子移送オ−バ−コ−テイングを含有する感光性像形成部材Info
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- JPS61143764A JPS61143764A JP60253625A JP25362585A JPS61143764A JP S61143764 A JPS61143764 A JP S61143764A JP 60253625 A JP60253625 A JP 60253625A JP 25362585 A JP25362585 A JP 25362585A JP S61143764 A JPS61143764 A JP S61143764A
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
光凱■宣影
本発明は一般に像形成部材に関し、さらに詳細には、本
発明は、適当な不活性樹脂バインダー物質中に溶解させ
たとき、感光性像形成部材用の保護オーバーコーテイン
グとして機能するある種の電子移送化合物の使用に関す
る。使用するオーバーコーテイングは、必要ならば、あ
る種の電子ドナー化合物でドーピングしてその長時間構
造安定性および性能を向上させ得る。特に、1つの実施
態様において、本発明は光導電性化合物およびその上に
オーバーコーテイングした重合体バインダー中溶解した
9−フルオレニリデンメタン8% ’A体からなる多層
型感光性像形成部材または装置に関する。また、本発明
・の別の実施態様においては、正孔移送層、光励起層、
およびその上にオーバーコーテイングした電子移送オー
バーコーテイングとしての9−フルオレニリデンメタン
誘導体を含む重合体層とからなる像形成部材が提供され
る。
発明は、適当な不活性樹脂バインダー物質中に溶解させ
たとき、感光性像形成部材用の保護オーバーコーテイン
グとして機能するある種の電子移送化合物の使用に関す
る。使用するオーバーコーテイングは、必要ならば、あ
る種の電子ドナー化合物でドーピングしてその長時間構
造安定性および性能を向上させ得る。特に、1つの実施
態様において、本発明は光導電性化合物およびその上に
オーバーコーテイングした重合体バインダー中溶解した
9−フルオレニリデンメタン8% ’A体からなる多層
型感光性像形成部材または装置に関する。また、本発明
・の別の実施態様においては、正孔移送層、光励起層、
およびその上にオーバーコーテイングした電子移送オー
バーコーテイングとしての9−フルオレニリデンメタン
誘導体を含む重合体層とからなる像形成部材が提供され
る。
これらの像形成部材は正電荷を適用したとき潜像の発生
を行うのに特に有用である。
を行うのに特に有用である。
本発明の像形成部材に用いられる電子移送オーバーコー
テイング化合物はオゾンおよびコロナ荷電装置によって
生ずる他の反応性化学物質に対する所望の抵抗性を包含
する種々の機能を有する。
テイング化合物はオゾンおよびコロナ荷電装置によって
生ずる他の反応性化学物質に対する所望の抵抗性を包含
する種々の機能を有する。
さらに、これらのコーティングは保護される像形成部材
の固有の諸性質に影響を与えない独立の層として調製さ
れる。さらにまた、本発明の9−フルオレニリデンメタ
ンオーバーコーティングは像形成部材からのトナー像の
すぐれたはく離即ち転写を可能にするはく離物質として
機能し、また、ある種の液状インク静電複写現像方法に
おいて、該コーティングは現像に用いるインク/溶剤組
成物に対し木質的に非反応性である。
の固有の諸性質に影響を与えない独立の層として調製さ
れる。さらにまた、本発明の9−フルオレニリデンメタ
ンオーバーコーティングは像形成部材からのトナー像の
すぐれたはく離即ち転写を可能にするはく離物質として
機能し、また、ある種の液状インク静電複写現像方法に
おいて、該コーティングは現像に用いるインク/溶剤組
成物に対し木質的に非反応性である。
ある種の光導電性物質、特に無機光導電性物質に対し保
護コーティングを施すことが主として、得られる装置の
使用寿命を延ばす目的で行なわれることは公知である。
護コーティングを施すことが主として、得られる装置の
使用寿命を延ばす目的で行なわれることは公知である。
一般に、これらのコーティングは、所望の保護を与えん
がためには、ある種の機械的性質を有し、また実質的に
均一な厚さで施さなければならない。しかも、コーティ
ング材料は感光体の光電気的性質に悪影響を与えないよ
う選定すべきであり、例えば、コーティングは暗中に電
荷認知し得る程注入すべきでない。保護コーティングは
またオーバーコーテイング表面上で側面から伝導性でな
い。さらに、ある用途では、コーティングは透明でなけ
ればならず光導電性物質の暗抵抗性に少なくとも等しい
暗抵抗性を有する。例えば、セレンのような光導電性物
質は、l Q 10. I Q 12オーム−印の暗中
抵抗性を有し、従って、セレン用の保護体として用いる
とき、保護コーティングの暗抵抗性はその範囲にあるべ
きである。さらに、コーティングは湿気に対して不惑性
であるべきであり、さもないと保護された感光体の光電
気的性質は湿気によって変化してしまうであろう。
がためには、ある種の機械的性質を有し、また実質的に
均一な厚さで施さなければならない。しかも、コーティ
ング材料は感光体の光電気的性質に悪影響を与えないよ
う選定すべきであり、例えば、コーティングは暗中に電
荷認知し得る程注入すべきでない。保護コーティングは
またオーバーコーテイング表面上で側面から伝導性でな
い。さらに、ある用途では、コーティングは透明でなけ
ればならず光導電性物質の暗抵抗性に少なくとも等しい
暗抵抗性を有する。例えば、セレンのような光導電性物
質は、l Q 10. I Q 12オーム−印の暗中
抵抗性を有し、従って、セレン用の保護体として用いる
とき、保護コーティングの暗抵抗性はその範囲にあるべ
きである。さらに、コーティングは湿気に対して不惑性
であるべきであり、さもないと保護された感光体の光電
気的性質は湿気によって変化してしまうであろう。
ガラス質セレン、即ち、最も広浅に使用される光導電性
物質においては、該物質は2つの重大な欠陥を有する。
物質においては、該物質は2つの重大な欠陥を有する。
即ち、そのスペクトル応答は幾分青色または紫外線近く
に対してであり、またガラス質セレンの均一フィルムの
調製は臨界的なパラメーターを含む非常に複雑な方法を
必要とする。
に対してであり、またガラス質セレンの均一フィルムの
調製は臨界的なパラメーターを含む非常に複雑な方法を
必要とする。
従って、商業的経済的な面からして、静電複写セレン装
置は多数の像形成サイクルで用いることが重要である。
置は多数の像形成サイクルで用いることが重要である。
本発明のオーバーコーテイングはこの目的の達成を可能
にする。
にする。
現像工程および清浄化工程(ある清浄化工程では、急速
回転ブラシが、転写工程後に表面に付着しているすべて
の残留現像剤粒子を取り除く目的で、光導電性表面と接
触する)に伴う機械的摩耗による劣化がセレンでは観察
される。機械的摩耗に加え、セレン感光体は強烈な加熱
を受け、この加熱は、一定期間に亘って、その光導電性
に悪影響を及ぼす。従って、また溶媒蒸気に露出時のセ
レンの再結晶を防止することを含む他の理由により、種
々の保護コーティング即ちオーバーコーテイングがセレ
ン装置には施されている。米国特許第3,397,98
2号には、無機ガラス材料を包含する光導電性層からな
る静電複写装置が開示されており、この光導電性層は酸
化ゲルマニウム、バナジウムの酸化物および二酸化ケイ
素のような各種酸化物からなるオーバーコーテイングを
含んでいる。
回転ブラシが、転写工程後に表面に付着しているすべて
の残留現像剤粒子を取り除く目的で、光導電性表面と接
触する)に伴う機械的摩耗による劣化がセレンでは観察
される。機械的摩耗に加え、セレン感光体は強烈な加熱
を受け、この加熱は、一定期間に亘って、その光導電性
に悪影響を及ぼす。従って、また溶媒蒸気に露出時のセ
レンの再結晶を防止することを含む他の理由により、種
々の保護コーティング即ちオーバーコーテイングがセレ
ン装置には施されている。米国特許第3,397,98
2号には、無機ガラス材料を包含する光導電性層からな
る静電複写装置が開示されており、この光導電性層は酸
化ゲルマニウム、バナジウムの酸化物および二酸化ケイ
素のような各種酸化物からなるオーバーコーテイングを
含んでいる。
さらに、米国特許第2,886,434号には、セレン
と同じ電気特性を有する物質の薄い透明フィルムによる
セレン光導電性物質の保護方法が開示されている。セレ
ンの保護層として記載されている物質の例は硫化亜鉛、
シリカ、各種ケイ酸塩、アルカリ土類フッ化物等がある
。
と同じ電気特性を有する物質の薄い透明フィルムによる
セレン光導電性物質の保護方法が開示されている。セレ
ンの保護層として記載されている物質の例は硫化亜鉛、
シリカ、各種ケイ酸塩、アルカリ土類フッ化物等がある
。
さらにまた、米国特許第2,879.360号には、支
持基体、光導電性物質の層および保護材としての光導電
性層上に重ねられた二酸化ケイ素の薄膜からなる光導電
体が開示されている。
持基体、光導電性物質の層および保護材としての光導電
性層上に重ねられた二酸化ケイ素の薄膜からなる光導電
体が開示されている。
最近、静電複写像形成装置において、多層型有機および
無機感光性装置を包含するオーバーコート型存機像形成
部材の使用が開発されている。そのような1つの感光性
装置においては、正孔注入層でオーバーコーテイングし
た導電性基体(また、正孔注入層は正孔移送層でさらに
キャリヤー励起層でオーバーコーテイングされている)
、およびトップコーティングとしての絶縁性有機樹脂を
用いている。これらの装置は各種の像形成装置において
極めて有用であることが見い出されており、高品質画像
が主として保護材として作用するオーバーコーテイング
により得られるという利点を有している。このタイプの
オーバーコーテイング型感光体の詳細は、導電性オーバ
ーコーテイング型感光性像形成部材および像形成方法に
関する米国特許第4.251,612号に十分に開示さ
れている。
無機感光性装置を包含するオーバーコート型存機像形成
部材の使用が開発されている。そのような1つの感光性
装置においては、正孔注入層でオーバーコーテイングし
た導電性基体(また、正孔注入層は正孔移送層でさらに
キャリヤー励起層でオーバーコーテイングされている)
、およびトップコーティングとしての絶縁性有機樹脂を
用いている。これらの装置は各種の像形成装置において
極めて有用であることが見い出されており、高品質画像
が主として保護材として作用するオーバーコーテイング
により得られるという利点を有している。このタイプの
オーバーコーテイング型感光体の詳細は、導電性オーバ
ーコーテイング型感光性像形成部材および像形成方法に
関する米国特許第4.251,612号に十分に開示さ
れている。
他の同様なオーバーコーテイング型感光性装置は導伝性
基体層、励起層および移送層からなるものである。この
ような装置では、励起層は移送層上にオーバーコーテイ
ングするか、あるいは移送層を励起層上にオーバーコー
テイングし得る。このような装置の例は米国特許第4,
265,990号に記載されており、該米国特許の記載
は参考としてすべて本明細書に引用する。
基体層、励起層および移送層からなるものである。この
ような装置では、励起層は移送層上にオーバーコーテイ
ングするか、あるいは移送層を励起層上にオーバーコー
テイングし得る。このような装置の例は米国特許第4,
265,990号に記載されており、該米国特許の記載
は参考としてすべて本明細書に引用する。
さらに、゛ホトレスポンシブ ディバイス コーティン
グ ポリビニルシリケート コーチインゲス(Phot
orespons4ve Devices Conta
ining Po1y−vinylsilicate
Coatings) ”なる名称の米国特許第4,4
23,131号には、ポリケイ酸とポリビニルアルコー
ルとの反応により得られ約10,000〜約100.0
00の数平均分子量を有する架橋型ポリビニルシリケー
トの保護オーハーコーティングト7プ層を有する改良さ
れた感光性像形成部材が開示されている。
グ ポリビニルシリケート コーチインゲス(Phot
orespons4ve Devices Conta
ining Po1y−vinylsilicate
Coatings) ”なる名称の米国特許第4,4
23,131号には、ポリケイ酸とポリビニルアルコー
ルとの反応により得られ約10,000〜約100.0
00の数平均分子量を有する架橋型ポリビニルシリケー
トの保護オーハーコーティングト7プ層を有する改良さ
れた感光性像形成部材が開示されている。
上記したオーバーコーテイング型有機感光性装置のいく
つかは長期の使用後には効果的に保護されてなく、ある
場合には、その像形成特性は、2.3回の像形成サイク
ル後には好ましくない影響を受ける。さらに詳しくは、
これらの装置においては、トップオーバーコーテイング
物質の性質または他の層の性質は、像を可視像にするた
めに感光性装置と接触する現像用組成物および操作中の
機械的摩耗による環境中に存在するオゾンおよび他の汚
染物によって悪影響を受ける。従って、低品質の像ある
いは像とは云えない像が使用する感光性装置の各層の劣
下の程度によって生ずる。さらに、ある場合には、使用
するトナー物質が感光性表面から十分には(離せず、感
光性表面に望ましくないトナー粒子を残し、その後トナ
ー粒子を表面中に埋め込み、後の像形成工程中に像形成
表面から転写し、そのために低品質および/または高背
影の望ましくない像を得ることとなる。また、ある場合
には、乾燥したトナー粒子が像形成部材に付着し、背影
面として写し出される。このことは公知のシリコーン樹
脂またはエラストマー重合体をその溶融トナーはく離特
性のオーバーコーテイング物質として用いたときに特に
問題である。
つかは長期の使用後には効果的に保護されてなく、ある
場合には、その像形成特性は、2.3回の像形成サイク
ル後には好ましくない影響を受ける。さらに詳しくは、
これらの装置においては、トップオーバーコーテイング
物質の性質または他の層の性質は、像を可視像にするた
めに感光性装置と接触する現像用組成物および操作中の
機械的摩耗による環境中に存在するオゾンおよび他の汚
染物によって悪影響を受ける。従って、低品質の像ある
いは像とは云えない像が使用する感光性装置の各層の劣
下の程度によって生ずる。さらに、ある場合には、使用
するトナー物質が感光性表面から十分には(離せず、感
光性表面に望ましくないトナー粒子を残し、その後トナ
ー粒子を表面中に埋め込み、後の像形成工程中に像形成
表面から転写し、そのために低品質および/または高背
影の望ましくない像を得ることとなる。また、ある場合
には、乾燥したトナー粒子が像形成部材に付着し、背影
面として写し出される。このことは公知のシリコーン樹
脂またはエラストマー重合体をその溶融トナーはく離特
性のオーバーコーテイング物質として用いたときに特に
問題である。
なぜならば、これら重合体中に含まれる低分子量成分が
シリコーン重合体層の表面に浸み出し現像中に接触によ
りもたらされた乾燥トナー粒子の接着剤として作用し得
るからである。即ち、現像した像と一緒にトナー粒子が
受は入れシートに効果的に転写するので最終の画像に望
ましくない高背影が得られる。
シリコーン重合体層の表面に浸み出し現像中に接触によ
りもたらされた乾燥トナー粒子の接着剤として作用し得
るからである。即ち、現像した像と一緒にトナー粒子が
受は入れシートに効果的に転写するので最終の画像に望
ましくない高背影が得られる。
米国特許第4,012,251号には、複合光導電性絶
縁フィルムを有し、該フィルムの1つが光導電性材料か
らなり、第2の層が透明でありそれに注入される電子の
容易な移送を可能にする電子的に活性の絶縁高分子物質
からなる多層型光導電性部材が開示されている(第3欄
、20行よりのアブストラクトの記載参照)。使用でき
る電子的に活性な絶縁重合体層は該米国特許の第4欄、
40行よりの記載の大略されており、例えば、Xはジシ
アノメチレンであり得、R′は酸素またはイオウである
。同様な教示を含む特許には、米国特許第4.013,
623号、第4.116,691号、第4,153,8
02号、第4,161,490号および第4,225,
692号がある。
縁フィルムを有し、該フィルムの1つが光導電性材料か
らなり、第2の層が透明でありそれに注入される電子の
容易な移送を可能にする電子的に活性の絶縁高分子物質
からなる多層型光導電性部材が開示されている(第3欄
、20行よりのアブストラクトの記載参照)。使用でき
る電子的に活性な絶縁重合体層は該米国特許の第4欄、
40行よりの記載の大略されており、例えば、Xはジシ
アノメチレンであり得、R′は酸素またはイオウである
。同様な教示を含む特許には、米国特許第4.013,
623号、第4.116,691号、第4,153,8
02号、第4,161,490号および第4,225,
692号がある。
また、米国特許第4.135,928号には、その第1
欄、50行よりに例示されているような式を有する7−
ニトロ−2−アゾ−9−フルオレニリデンマロノニトリ
ルの電荷移送層を有する像形成部材が開示されている。
欄、50行よりに例示されているような式を有する7−
ニトロ−2−アゾ−9−フルオレニリデンマロノニトリ
ルの電荷移送層を有する像形成部材が開示されている。
また、背影として興味があり、9−ジアノメチレンフル
オレンに関する他の特許には米国特許第3.226,3
88号、第3,637,798号、第3.7s2.66
8号、第3,791,824号、第3,842,038
号、第3,883,488号、第3,932.025号
、第4.069.046号、第4.268,596号お
よび第4,427,753舟がある。
オレンに関する他の特許には米国特許第3.226,3
88号、第3,637,798号、第3.7s2.66
8号、第3,791,824号、第3,842,038
号、第3,883,488号、第3,932.025号
、第4.069.046号、第4.268,596号お
よび第4,427,753舟がある。
さらに、本発明でオーバーコーテイングとして使用する
化合物は、米国特許出願第521.198号、即ち現在
の米国特許第4,474,865号に記載されているよ
うにして調製される。本発明の像形成部材はこの米国特
許の像形成部材とは、例えば、本発明の9−フルオレニ
リデン誘導体がオーバーコーテイングとして存在する点
で異なっている。
化合物は、米国特許出願第521.198号、即ち現在
の米国特許第4,474,865号に記載されているよ
うにして調製される。本発明の像形成部材はこの米国特
許の像形成部材とは、例えば、本発明の9−フルオレニ
リデン誘導体がオーバーコーテイングとして存在する点
で異なっている。
背影的興味がある他の従来技術は上記米国特許の従来技
術の説明において詳述されている。
術の説明において詳述されている。
上述した像形成部材はいずれもその意図する目的には適
しているけれども、多層型像形成部材に使用するための
改良された保護オーバーコーテイングが要求されている
。さらに詳しくは、同時に電子移送媒体としても機能し
、得られる感光性像形成部材を複電複写像形成方法、特
に、該部材を正に帯電させ得るカラー像形成方法におい
て使用可能にする保護オーバーコーテイングが要求され
ている。さらに、保護オーバーコーテイングが9=フル
オレニリデンメタン誘導体と不活性樹脂バインダーとの
複合体からなる改良された多層型装置が要求されている
。これらのコーティングはすぐれたトナーはく離特性を
有しコロナ荷電装置により生じた化学物質に非浸透性で
ある。また、同時に電子移送媒体として機能し、コロナ
荷電装置によって適用された電荷に対して導伝性でない
絶縁性保護オーバーコーテイングが要求されている。
しているけれども、多層型像形成部材に使用するための
改良された保護オーバーコーテイングが要求されている
。さらに詳しくは、同時に電子移送媒体としても機能し
、得られる感光性像形成部材を複電複写像形成方法、特
に、該部材を正に帯電させ得るカラー像形成方法におい
て使用可能にする保護オーバーコーテイングが要求され
ている。さらに、保護オーバーコーテイングが9=フル
オレニリデンメタン誘導体と不活性樹脂バインダーとの
複合体からなる改良された多層型装置が要求されている
。これらのコーティングはすぐれたトナーはく離特性を
有しコロナ荷電装置により生じた化学物質に非浸透性で
ある。また、同時に電子移送媒体として機能し、コロナ
荷電装置によって適用された電荷に対して導伝性でない
絶縁性保護オーバーコーテイングが要求されている。
さらにまた、機械的に強じんで耐久性があり同時に湿気
に対して不感応性である電子移送オーバーコーテイング
が要求されている。また、熱への直接露出からその像形
成性能に悪影響を及ぼずことな(像形成部材を保護し得
る多層型感光性部材用の耐熱性オーバーコーテイングが
要求されている。
に対して不感応性である電子移送オーバーコーテイング
が要求されている。また、熱への直接露出からその像形
成性能に悪影響を及ぼずことな(像形成部材を保護し得
る多層型感光性部材用の耐熱性オーバーコーテイングが
要求されている。
また、感光体像形成部材から有毒物質物にひ素およびテ
ルルのような無機物質の逸散を防止する保護オーバーコ
ーテイングが要求されている。さらにまた、セレンのよ
うな光導電体を溶媒蒸気に露出したときの結晶化から防
止する保護オーバーコーテイングが要求されている。本
発明はこれら要求の多くを満足させる。
ルルのような無機物質の逸散を防止する保護オーバーコ
ーテイングが要求されている。さらにまた、セレンのよ
うな光導電体を溶媒蒸気に露出したときの結晶化から防
止する保護オーバーコーテイングが要求されている。本
発明はこれら要求の多くを満足させる。
発明の要約
本発明の目的は上述の諸欠点を克服する改良された感光
性像形成部材を提供することである。
性像形成部材を提供することである。
本発明の別の目的は、耐薬品性、耐熱性および耐摩耗性
を有し電子を移送する怒光性像形成部材用のオーバーコ
ーテイングとして、不活性樹脂バインダー中の9−フル
オレニリデンメタン化合物を提供することである。
を有し電子を移送する怒光性像形成部材用のオーバーコ
ーテイングとして、不活性樹脂バインダー中の9−フル
オレニリデンメタン化合物を提供することである。
本発明のさらに別の目的は、光励起化合物、および保護
オーバーコーテイングとしてその上にコーティングした
9−フルオレニリデンメタン電子移送化合物の層とを含
む多層型感光性像形成部材を提供することである。
オーバーコーテイングとしてその上にコーティングした
9−フルオレニリデンメタン電子移送化合物の層とを含
む多層型感光性像形成部材を提供することである。
本発明のさらに別の目的は、正孔移送物質、光励起層お
よび該光励起層上にコーティングした保護層としての樹
脂バインダー中の9−フルオレニリデンメタン電子移送
化合物の分散体とを有する多層型像形成部材を提供する
ことである。
よび該光励起層上にコーティングした保護層としての樹
脂バインダー中の9−フルオレニリデンメタン電子移送
化合物の分散体とを有する多層型像形成部材を提供する
ことである。
本発明のさらに別の目的は、オーバーコーテイングとし
て樹脂バインダー中の9−フルオレニリデンメタン誘導
体の分散体を含み、該オーバーコーテイングが絶縁性で
ありかくシくコロナ荷電装置によって適用された電荷に
対し辱伝性即ち漏電性でない多層型感光性像形成部材を
提供することである。
て樹脂バインダー中の9−フルオレニリデンメタン誘導
体の分散体を含み、該オーバーコーテイングが絶縁性で
ありかくシくコロナ荷電装置によって適用された電荷に
対し辱伝性即ち漏電性でない多層型感光性像形成部材を
提供することである。
本発明のさらに別の目的は9−フルオレニリデンメタン
電子移送物質と絶縁性樹脂バインダーとからなる保護コ
ーティング組成物を含み、静電複写像形成装置で静電潜
像特にカラー像を発生させるのに有用である多層型感光
性像形成部材を提供するとである。
電子移送物質と絶縁性樹脂バインダーとからなる保護コ
ーティング組成物を含み、静電複写像形成装置で静電潜
像特にカラー像を発生させるのに有用である多層型感光
性像形成部材を提供するとである。
本発明のさらに別の目的は適当な電子ドナー化合物でド
ーピングすることによる上述のオーバーコーテイングの
改良された安定性と向上した性能に関する。
ーピングすることによる上述のオーバーコーテイングの
改良された安定性と向上した性能に関する。
本発明のさらに、別の目的は感光性装置用の湿気非感応
性電子移送保護オーバーコーテイングを提供することで
ある。
性電子移送保護オーバーコーテイングを提供することで
ある。
本発明の上記および他の目的は、保護オーバーコーテイ
ングとして、適当な不活性樹脂バインダー中の9−フル
オレニリデンメタン電子移送化合物の分散体を含む多層
型感光性像形成部材を提供することによって達成される
。これらのオーバーコーテイングはさらに電子ドナー分
子によってドーピングしその構造安定性および電気的性
能を改良できる。さらに詳細には、1つの実施態様にお
いて、本発明は支持基体、光導電性層、正札移送層、お
よびある種の9−フルオレニリデンメタン電子移迭化合
物を含む保護重合体層からなる感光性像形成部材に関す
る。別の実施態様において、本発明は支持基体、7リ一
ルアミン正孔移送層、光励起層、およびオーバーコーテ
イングとしての適当な樹脂絶縁性バインダー組成物中に
分散させたある種の9−フルオレニリデンメタン電子移
送化合物とからなる多層型感光性像形成部材に関する。
ングとして、適当な不活性樹脂バインダー中の9−フル
オレニリデンメタン電子移送化合物の分散体を含む多層
型感光性像形成部材を提供することによって達成される
。これらのオーバーコーテイングはさらに電子ドナー分
子によってドーピングしその構造安定性および電気的性
能を改良できる。さらに詳細には、1つの実施態様にお
いて、本発明は支持基体、光導電性層、正札移送層、お
よびある種の9−フルオレニリデンメタン電子移迭化合
物を含む保護重合体層からなる感光性像形成部材に関す
る。別の実施態様において、本発明は支持基体、7リ一
ルアミン正孔移送層、光励起層、およびオーバーコーテ
イングとしての適当な樹脂絶縁性バインダー組成物中に
分散させたある種の9−フルオレニリデンメタン電子移
送化合物とからなる多層型感光性像形成部材に関する。
本発明の像形成部材に用いる9−フルオレニリデンメタ
ンオーバーコーティング誘導体は、好ましくは次の式を
有する: X X 〔式中、Xはシアノ基(CN)またはアルコキシカルボ
ニル基(COOR)であり、AおよびBは、それぞれ、
アシル、アルコキシカルボニル、ニトロ、アルキルアミ
ノカルボニルまたはこれらの誘導基を包含する電子払拭
基(electron hithdrawiBgrou
ps)から選ばれ、mはθ〜2の数であり、nはOまた
は1であり、Wは、好ましくはアシル(COR) 、ア
ルコキシカルボニル(COOR)、およびアルキルアミ
ノカルボニル(CONR’R2)かになる群から選ばれ
た電子払拭基であり、Rはフルキル基、アリール基、置
換アルキル基または置換アリール基であり、R1とR2
は水累、アルキル基または了り−ル基である。〕 これら誘導体は前記の米国特許出願第521,198号
されていおり、その記載は参考として本明細書にすべて
引用する。
ンオーバーコーティング誘導体は、好ましくは次の式を
有する: X X 〔式中、Xはシアノ基(CN)またはアルコキシカルボ
ニル基(COOR)であり、AおよびBは、それぞれ、
アシル、アルコキシカルボニル、ニトロ、アルキルアミ
ノカルボニルまたはこれらの誘導基を包含する電子払拭
基(electron hithdrawiBgrou
ps)から選ばれ、mはθ〜2の数であり、nはOまた
は1であり、Wは、好ましくはアシル(COR) 、ア
ルコキシカルボニル(COOR)、およびアルキルアミ
ノカルボニル(CONR’R2)かになる群から選ばれ
た電子払拭基であり、Rはフルキル基、アリール基、置
換アルキル基または置換アリール基であり、R1とR2
は水累、アルキル基または了り−ル基である。〕 これら誘導体は前記の米国特許出願第521,198号
されていおり、その記載は参考として本明細書にすべて
引用する。
アシルi (COR)の具体的例には、アセチル、プロ
ピオニル、イソバレリル、アニソイル、ステアロイル等
があり、好ましいのはイソバレリルである。アルコキシ
カルボニル基(COOR)の例には、メトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、
n−ブトキシカルボニル、フェネトキシカルボニル、カ
ルビトキシ力ルボニル等があり、アルキルアミノカルボ
ニル基(CONR+Rz)の代表的な例にはプロピルア
ミノカルボニル、n−ブチルアミノカルボニル、ジエチ
ルアミノカルボニル、2−メトキシエチルアミノカルボ
ニル、ステアリルアミノカルボニル等がある。
ピオニル、イソバレリル、アニソイル、ステアロイル等
があり、好ましいのはイソバレリルである。アルコキシ
カルボニル基(COOR)の例には、メトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、
n−ブトキシカルボニル、フェネトキシカルボニル、カ
ルビトキシ力ルボニル等があり、アルキルアミノカルボ
ニル基(CONR+Rz)の代表的な例にはプロピルア
ミノカルボニル、n−ブチルアミノカルボニル、ジエチ
ルアミノカルボニル、2−メトキシエチルアミノカルボ
ニル、ステアリルアミノカルボニル等がある。
アルキル基の例は1〜20個の炭素原子、好ましくは1
〜8個の炭素原子を含むもの、例えば、メチル、エチル
、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチルお
よびオクチルである。好ましいアルキル置換置はメチル
、エチル、プロピルおよびブチルである。アリール基は
6〜24個の炭素原子を含むもの、例えば、フェニル、
トリル、ビフェニル、ナフチルがあり、好ましいのはフ
ェニルおよびトリルである。
〜8個の炭素原子を含むもの、例えば、メチル、エチル
、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチルお
よびオクチルである。好ましいアルキル置換置はメチル
、エチル、プロピルおよびブチルである。アリール基は
6〜24個の炭素原子を含むもの、例えば、フェニル、
トリル、ビフェニル、ナフチルがあり、好ましいのはフ
ェニルおよびトリルである。
電子移送9−フルオレニリデンメタンオーハーコーティ
ングSM LS体の具体的例には次の各式で示されるも
のが包含される: (4−n−ブトキシカルボニル−9−フルオニリデン)
マロノニトリル (4−フェネトキシカルボニル−9−フルオレニリデン
)マロノニトリル (4−カルビトキシ力ルボニルー9−フルオレニリデン
)マロノニトリル ジエチル(4−n−ブトキシカルボニル−2゜7−ジニ
トロ−9−フルオレニリデン)マロネート [4−(2−メトキシエチルアミノカルボニル)−9−
フルオニリデン]マロノニトリル(4−n−ブトキシカ
ルボニル−2,7−ジニトロ−9−フルオレノン)マロ
ノニトリル9−フルオレニリデンメタン化合物は、“レ
イヤード ホトレスポンシブ ディバイス(Layer
edPhotoresponsive Device)
″なる名称の米国特許出願第521,198号に記載さ
れているようにして調製する(該米国特許出願の記載は
すべて参考として本明細書に引用する)。さらに詳しく
は、例えば、これらの物質は該米国出願に詳述された反
応式lと2により調製できる。即ち、フルオレノン−カ
ルボン酸誘導体(11のエステル(3)への酸触媒によ
るエステル化を、この物質と10〜30倍モル過剰のア
ルコール例えばエタノールまたはブタノールトラ、ベン
ゼン、トルエン、キシレン等の適当な溶媒中で、触媒量
の硫酸またはp−)ルエンスルホン酸の存在下に還流さ
せることによって達成できる。溶媒は水と共沸物を形成
し得るべきで、反応により生成した水をディーンースタ
ーク(Dean−5tark)装置により共沸して除去
可能とする。一般に、エステル化は約12〜36時間で
終了する。
ングSM LS体の具体的例には次の各式で示されるも
のが包含される: (4−n−ブトキシカルボニル−9−フルオニリデン)
マロノニトリル (4−フェネトキシカルボニル−9−フルオレニリデン
)マロノニトリル (4−カルビトキシ力ルボニルー9−フルオレニリデン
)マロノニトリル ジエチル(4−n−ブトキシカルボニル−2゜7−ジニ
トロ−9−フルオレニリデン)マロネート [4−(2−メトキシエチルアミノカルボニル)−9−
フルオニリデン]マロノニトリル(4−n−ブトキシカ
ルボニル−2,7−ジニトロ−9−フルオレノン)マロ
ノニトリル9−フルオレニリデンメタン化合物は、“レ
イヤード ホトレスポンシブ ディバイス(Layer
edPhotoresponsive Device)
″なる名称の米国特許出願第521,198号に記載さ
れているようにして調製する(該米国特許出願の記載は
すべて参考として本明細書に引用する)。さらに詳しく
は、例えば、これらの物質は該米国出願に詳述された反
応式lと2により調製できる。即ち、フルオレノン−カ
ルボン酸誘導体(11のエステル(3)への酸触媒によ
るエステル化を、この物質と10〜30倍モル過剰のア
ルコール例えばエタノールまたはブタノールトラ、ベン
ゼン、トルエン、キシレン等の適当な溶媒中で、触媒量
の硫酸またはp−)ルエンスルホン酸の存在下に還流さ
せることによって達成できる。溶媒は水と共沸物を形成
し得るべきで、反応により生成した水をディーンースタ
ーク(Dean−5tark)装置により共沸して除去
可能とする。一般に、エステル化は約12〜36時間で
終了する。
また、カルボン酸は、最初、塩化チオニル(カルボン酸
0.1モル当り50〜150mj2)中で還流させるこ
とにより相応する酸クロリド(2)に転化し、次いで室
温で塩化メチレンまたはテトラヒドロフランのような適
当な乾燥溶媒中に存在する化学量論的に過剰のトリエチ
ルアミンで処理してもよい。
0.1モル当り50〜150mj2)中で還流させるこ
とにより相応する酸クロリド(2)に転化し、次いで室
温で塩化メチレンまたはテトラヒドロフランのような適
当な乾燥溶媒中に存在する化学量論的に過剰のトリエチ
ルアミンで処理してもよい。
得られたカルボン酸エステル(3)は適当な溶媒から単
純再結晶により=殻に精製し得る。次いで、フルオレノ
ン−カルボキシレート(3)のジシアノメチレン化を1
.5〜3倍過剰の蒸留マロノニトリルと無水アルコール
中で触媒量のピペリジンの存在下に12〜36時間還流
させることにより行う。エステル化反応およびジシアノ
メチレン化の度合は薄層クロマトグラフィにより都合よ
く追跡できるし、また生成物はI RXNMRおよび質
量スペクトロメトリーを含む分光分析手段により同定し
得る。
純再結晶により=殻に精製し得る。次いで、フルオレノ
ン−カルボキシレート(3)のジシアノメチレン化を1
.5〜3倍過剰の蒸留マロノニトリルと無水アルコール
中で触媒量のピペリジンの存在下に12〜36時間還流
させることにより行う。エステル化反応およびジシアノ
メチレン化の度合は薄層クロマトグラフィにより都合よ
く追跡できるし、また生成物はI RXNMRおよび質
量スペクトロメトリーを含む分光分析手段により同定し
得る。
上記米国出願中の等式2に例示された反応はフルオレノ
ン−カルボン酸(1)の相応するジシアノメチレン化合
物(5)への初期ジシアノメチレン化を包含する。ジシ
アノメチレン化反応は反応式1において記載されたのと
同じ方法で行うが、約24〜約50時間のより長時間の
反応を必要とする。(5)の相応する酸クロリド(6)
への転換は還流条件下で2〜約10時間過剰量の塩化チ
オニルで処理することによって行う。この酸クロリドは
塩化メチレンとへキサンからの再結晶により精製する。
ン−カルボン酸(1)の相応するジシアノメチレン化合
物(5)への初期ジシアノメチレン化を包含する。ジシ
アノメチレン化反応は反応式1において記載されたのと
同じ方法で行うが、約24〜約50時間のより長時間の
反応を必要とする。(5)の相応する酸クロリド(6)
への転換は還流条件下で2〜約10時間過剰量の塩化チ
オニルで処理することによって行う。この酸クロリドは
塩化メチレンとへキサンからの再結晶により精製する。
相応するエステル(4)を形成するためのその後のアル
コールとの反応は、一般に、常温で乾燥塩化メチレンま
たはテトラヒドロフラン中で化学量論的に過剰のトリエ
チルアミンの存在下で行う。反応に用いるアルコールの
量は化学量論量ないし幾分過剰であり得る。反応は一般
に1〜5時間行い、生成物は反応式1に関して述べたよ
うにして同定する。
コールとの反応は、一般に、常温で乾燥塩化メチレンま
たはテトラヒドロフラン中で化学量論的に過剰のトリエ
チルアミンの存在下で行う。反応に用いるアルコールの
量は化学量論量ないし幾分過剰であり得る。反応は一般
に1〜5時間行い、生成物は反応式1に関して述べたよ
うにして同定する。
9−フルオレニリデンメタン電子移送オーバーコーテイ
ングは像形成部材に本発明の目的を達成させ得る厚さで
施す。一般には、この層の厚さは約0.1ミクロン−約
10ミクロン、好ましくは約0.5ミクロンへ約5ミク
ロンである。
ングは像形成部材に本発明の目的を達成させ得る厚さで
施す。一般には、この層の厚さは約0.1ミクロン−約
10ミクロン、好ましくは約0.5ミクロンへ約5ミク
ロンである。
好l旦u実蓋煎様
本発明を、以下、好ましい実施態様に関連して説明する
。
。
第1図には、支持基体l、必要に応じて樹脂バインダー
5中に分散させた光励起物質からなる光導電性層3 (
この層は約20ミクロン〜約100ミクロンの厚さ、好
ましくは60ミクロンの厚さを有し、それによって電荷
の光励起および移送を可能にする)、および必要に応じ
て樹脂バインダー9中に分散させた9−フルオレニリデ
ンメタン誘導体からなる保護層7とからなる本発明の感
光性部材が例示されている。
5中に分散させた光励起物質からなる光導電性層3 (
この層は約20ミクロン〜約100ミクロンの厚さ、好
ましくは60ミクロンの厚さを有し、それによって電荷
の光励起および移送を可能にする)、および必要に応じ
て樹脂バインダー9中に分散させた9−フルオレニリデ
ンメタン誘導体からなる保護層7とからなる本発明の感
光性部材が例示されている。
第2図には、支持基体15、不活性樹脂バインダー19
中に分散させたアリールジアミンからなる正札移送層、
該移送層に接触し必要に応じて樹脂バインダー23中に
分散させた光励起層21、および樹脂バインダー27中
に分散させた9−フルオレニリデンメタン電子移送化合
物からなるトップオーバーコーテイング25とからなる
正帯電型感光性像形成部材が例示されている。
中に分散させたアリールジアミンからなる正札移送層、
該移送層に接触し必要に応じて樹脂バインダー23中に
分散させた光励起層21、および樹脂バインダー27中
に分散させた9−フルオレニリデンメタン電子移送化合
物からなるトップオーバーコーテイング25とからなる
正帯電型感光性像形成部材が例示されている。
第3図には、アルミニウム処理マイラー基体31、ポリ
カーボネート樹脂バインダー35中に分散させたアリー
ルアミン正孔移送化合物を含む正札移送層33、必要に
応じ樹脂バインダー39中に分散させたセレンおよびセ
レン合金を包含する無機光励起物質または例えばバナジ
ルフタロシアニンの有機光励起層からなる光励起層37
、および樹脂バインダー43中に分散させた電子移送物
質(4−アルコキシカルボニル−9−フルオレニリデン
)マロノニトリルおよび任意成分としての後述するよう
なアリールアミンを包含する電子ドナー分子とからなる
保護オーバーコーテイング41とからなる本発明の好ま
しい感光性像形成部材が例示されている。
カーボネート樹脂バインダー35中に分散させたアリー
ルアミン正孔移送化合物を含む正札移送層33、必要に
応じ樹脂バインダー39中に分散させたセレンおよびセ
レン合金を包含する無機光励起物質または例えばバナジ
ルフタロシアニンの有機光励起層からなる光励起層37
、および樹脂バインダー43中に分散させた電子移送物
質(4−アルコキシカルボニル−9−フルオレニリデン
)マロノニトリルおよび任意成分としての後述するよう
なアリールアミンを包含する電子ドナー分子とからなる
保護オーバーコーテイング41とからなる本発明の好ま
しい感光性像形成部材が例示されている。
本発明の感光性像形成部材は各種像形成装置、特に、装
置を最初正に帯電させ、次いでこれを像形成的に露光し
、得られた潜像をトナー樹脂粒子とキャリヤー粒子とか
らなる現像剤組成物で現像し、この現像した像を紙の如
き適当な基質に転写し、さらにこの基質に像を永久的に
定着させる静電像形成装置において有用である。装置を
正に帯電できるときには、その装置は負帯電トナー組成
物を用いてかくして帯電促進添加物質の添加を必
−要とすることなくカラー像の形成に都合良く利用で
きる。本発明の光導電性部材での像の現像に使用できる
トナーおよび現像剤組成物は周知であり、例えば、トナ
ー樹脂;シアン、マゼンタおよびイエロー顔料を包含す
る顔料粒子、およびキャリヤー粒子とからなる組成物が
あり〔ポシティブリーチャージド トナー コンポジシ
ョン コンテイニング ホスホニウム チャージ エン
ハンシングアデテイブ(Positively Cha
rged Toner Compo−sitions
Containing Phosphonium Ch
arge En−hancing Additive
s)なる名称の米国特許出願621 、977号参照の
こと〕、また米国特許第4.312,932号もカラー
現像方法を例示している。
置を最初正に帯電させ、次いでこれを像形成的に露光し
、得られた潜像をトナー樹脂粒子とキャリヤー粒子とか
らなる現像剤組成物で現像し、この現像した像を紙の如
き適当な基質に転写し、さらにこの基質に像を永久的に
定着させる静電像形成装置において有用である。装置を
正に帯電できるときには、その装置は負帯電トナー組成
物を用いてかくして帯電促進添加物質の添加を必
−要とすることなくカラー像の形成に都合良く利用で
きる。本発明の光導電性部材での像の現像に使用できる
トナーおよび現像剤組成物は周知であり、例えば、トナ
ー樹脂;シアン、マゼンタおよびイエロー顔料を包含す
る顔料粒子、およびキャリヤー粒子とからなる組成物が
あり〔ポシティブリーチャージド トナー コンポジシ
ョン コンテイニング ホスホニウム チャージ エン
ハンシングアデテイブ(Positively Cha
rged Toner Compo−sitions
Containing Phosphonium Ch
arge En−hancing Additive
s)なる名称の米国特許出願621 、977号参照の
こと〕、また米国特許第4.312,932号もカラー
現像方法を例示している。
これら特許文献の記載は参考としてすべて本明細書に引
用する。樹脂粒子の具体的な例には、スチレンメタクリ
レート、スチレンアクリレート、スチレンブタジン、ポ
リエステルおよび他の同様なポリマーがある。
用する。樹脂粒子の具体的な例には、スチレンメタクリ
レート、スチレンアクリレート、スチレンブタジン、ポ
リエステルおよび他の同様なポリマーがある。
本発明の感光性像形成部材、特に、第1〜3図に関して
、基体層は必要な機械的性質を有する任意の適当な材料
からなり得る。即ち、基体層は金属処理有機重合体材料
または例えばアルミニウム、クロム、ニッケル、黄銅等
の無機材料の如き導伝性物質の層からなり得る。基体は
軟質または硬質でもよく、多くの異なった形状、例えば
、プレート、円筒状ドラム、スクロールおよびエンドレ
ス可撓性ヘルド等であり得る。好ましいのは、基体はエ
ンドレス可撓性ベルトまたは硬質ドラムの形状である。
、基体層は必要な機械的性質を有する任意の適当な材料
からなり得る。即ち、基体層は金属処理有機重合体材料
または例えばアルミニウム、クロム、ニッケル、黄銅等
の無機材料の如き導伝性物質の層からなり得る。基体は
軟質または硬質でもよく、多くの異なった形状、例えば
、プレート、円筒状ドラム、スクロールおよびエンドレ
ス可撓性ヘルド等であり得る。好ましいのは、基体はエ
ンドレス可撓性ベルトまたは硬質ドラムの形状である。
光励起層は公知の光導電性電荷キャリヤー励起物質であ
り得、例えば、無定形セレン、無定形セレン合金、ハロ
ゲンドープ化無定形セレン、ハロゲンドープ化無定形セ
レン合金、三方晶セレン、三方晶セレンとのセレン化物
および炭酸塩(米国特許第4.232.102号および
第4,233.283号参照)、硫化カドミウム、セレ
ン化カドミウム、テルル化カドミウム、セレン化カドミ
ウムイオウ、テルル化カドミウムイオウ、セ・レノテル
ル化カドミウム、銅および塩素でドーピングした硫化カ
ドミウム等がある。本発明の範囲に属するセレン合金に
はセレンテルル合金、セレンひ素合金、セレンテルルひ
素合金があり、好ましいのは塩素の如きハロゲン物質を
約50〜約200ppmの量で含むそのような合金であ
る。
り得、例えば、無定形セレン、無定形セレン合金、ハロ
ゲンドープ化無定形セレン、ハロゲンドープ化無定形セ
レン合金、三方晶セレン、三方晶セレンとのセレン化物
および炭酸塩(米国特許第4.232.102号および
第4,233.283号参照)、硫化カドミウム、セレ
ン化カドミウム、テルル化カドミウム、セレン化カドミ
ウムイオウ、テルル化カドミウムイオウ、セ・レノテル
ル化カドミウム、銅および塩素でドーピングした硫化カ
ドミウム等がある。本発明の範囲に属するセレン合金に
はセレンテルル合金、セレンひ素合金、セレンテルルひ
素合金があり、好ましいのは塩素の如きハロゲン物質を
約50〜約200ppmの量で含むそのような合金であ
る。
他の光励起層には金属フタロシアニン、無金属フタロシ
アニン、バナジルフタロシアニン、米国特許第3,81
6,118号(その記載は参考として本明細書に引用す
る)に記載されたような他の公知のフタロシアニン類、
およびスフアリリム顔料等である。好ましい光励起層に
は三方晶セレン、スクアリリウム顔料およびバナジルフ
タロシアニンがある。
アニン、バナジルフタロシアニン、米国特許第3,81
6,118号(その記載は参考として本明細書に引用す
る)に記載されたような他の公知のフタロシアニン類、
およびスフアリリム顔料等である。好ましい光励起層に
は三方晶セレン、スクアリリウム顔料およびバナジルフ
タロシアニンがある。
第2図および第3図の光励起層は、一般に、約0.05
5ミフロン〜10ミクロンまたはそれ以上。
5ミフロン〜10ミクロンまたはそれ以上。
の厚さ、好ましくは0.4ミクロン−約3ミクロンの厚
さにあるが、この層の厚さは、主として、5〜100容
量%で変化し得る光励起物質の容量含有量に依存する。
さにあるが、この層の厚さは、主として、5〜100容
量%で変化し得る光励起物質の容量含有量に依存する。
第1図に関連しては、電荷を発生し移送する光導電性層
は約20ミクロン〜約100ミクロンの厚さ、好ましく
は約60ミクロンの厚さを有する。
は約20ミクロン〜約100ミクロンの厚さ、好ましく
は約60ミクロンの厚さを有する。
光励起層は、一般に、不活性樹脂バインダー組成物中に
約5重量%〜約95重量%の量、好ましくは、約25重
量%〜約75重量%の量で分散させた上記光励起顔料か
らなる。使用できる高分子バインダー樹脂物質の具体的
例には、例えば、米国特許第3,121,006号に記
載されているもの(該米国特許の記載は参考として本明
細書にすべて引用する)があり、ポリエステル、ポリビ
ニルブチラール、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルカ
ルバゾール、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂特に商業的
に入手できるポリ (ヒドロキシエーテル)樹脂等があ
る。
約5重量%〜約95重量%の量、好ましくは、約25重
量%〜約75重量%の量で分散させた上記光励起顔料か
らなる。使用できる高分子バインダー樹脂物質の具体的
例には、例えば、米国特許第3,121,006号に記
載されているもの(該米国特許の記載は参考として本明
細書にすべて引用する)があり、ポリエステル、ポリビ
ニルブチラール、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルカ
ルバゾール、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂特に商業的
に入手できるポリ (ヒドロキシエーテル)樹脂等があ
る。
電子移送オーバーコーテイングは約0.1ミクロン−約
10ミクロン、の厚さ、好ましくは、0.5ミクロン−
約5ミクロンの厚さを有する。
10ミクロン、の厚さ、好ましくは、0.5ミクロン−
約5ミクロンの厚さを有する。
また、電子移送物質は、一般に、高絶縁性で透明性物質
または不活性樹脂バインダー物質中に分散させる。その
ようなバインダー物質には米国特許第3,121,00
6号に記載されているものがあり、その記載はすべて参
考として本明細書に引用する。
または不活性樹脂バインダー物質中に分散させる。その
ようなバインダー物質には米国特許第3,121,00
6号に記載されているものがあり、その記載はすべて参
考として本明細書に引用する。
樹脂物質の具体的な例としてはポリカーボネート、アク
リレートポリマー、ビニルポリマー、セルローズポリマ
ー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリ
ウレタン、エポキシ、およびこれらのブロック、ランダ
ムまたは交互共重合体がある。好ましい電気的に不活性
なバインダー物質は分子量約20.000〜約100.
.000を有するポリカーボネート樹脂であり、好まし
いのは分子量約50.000〜約100.000の範囲
のものである。一般に、樹脂バインダーは電子移送層中
に約25重量%〜約75重量%好ましいのは、約50重
量%〜約65重量%の量で存在する。他の不活性樹脂バ
インダー物質は本発明の目的が達成される限りにおいて
電子移送性オーバーコーテイングに使用でき、例えば、
ユニオンカーバイト社より商業的に入手できるものの如
きポリヒドロキシエーテル等がある。各種の正孔移送層
化合物はこれらの物質が正孔を移送し得る限り使用でき
、この層は一般に約5〜約50ミクロン好ましくは約2
0〜約40ミクロンの範囲の厚さを有する。
リレートポリマー、ビニルポリマー、セルローズポリマ
ー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリ
ウレタン、エポキシ、およびこれらのブロック、ランダ
ムまたは交互共重合体がある。好ましい電気的に不活性
なバインダー物質は分子量約20.000〜約100.
.000を有するポリカーボネート樹脂であり、好まし
いのは分子量約50.000〜約100.000の範囲
のものである。一般に、樹脂バインダーは電子移送層中
に約25重量%〜約75重量%好ましいのは、約50重
量%〜約65重量%の量で存在する。他の不活性樹脂バ
インダー物質は本発明の目的が達成される限りにおいて
電子移送性オーバーコーテイングに使用でき、例えば、
ユニオンカーバイト社より商業的に入手できるものの如
きポリヒドロキシエーテル等がある。各種の正孔移送層
化合物はこれらの物質が正孔を移送し得る限り使用でき
、この層は一般に約5〜約50ミクロン好ましくは約2
0〜約40ミクロンの範囲の厚さを有する。
即ち、この移送層は高絶縁性透明有機樹脂物質中に分散
させた次式: を有する分子からなり、式中、Xはアルキルおよびハロ
ゲンからなる群より選ばれ、好ましいのは、(オ/L/
ソ)CH:I、(メタ) C1,、(パラ)C11,、
(オフL、ソ)C1,(メタ)(1、(パラ)c7!テ
ある。
させた次式: を有する分子からなり、式中、Xはアルキルおよびハロ
ゲンからなる群より選ばれ、好ましいのは、(オ/L/
ソ)CH:I、(メタ) C1,、(パラ)C11,、
(オフL、ソ)C1,(メタ)(1、(パラ)c7!テ
ある。
電荷移送層は目的とする用途のスペクトル領域即ち、可
視光線中で実質的に非吸収性であるが、電荷励起層から
光励起された正孔の注入を可能にする点で“活性”であ
る。樹脂は、約10〜75重量%の上述の式に相当する
置換N、N、N’、N’−テトラフェニル−1,1’−
(ビフェニル〕−4,4′−ジアミンを含むとき、電気
的に活性となる。上記式に相応する化合物には、例えば
、N。
視光線中で実質的に非吸収性であるが、電荷励起層から
光励起された正孔の注入を可能にする点で“活性”であ
る。樹脂は、約10〜75重量%の上述の式に相当する
置換N、N、N’、N’−テトラフェニル−1,1’−
(ビフェニル〕−4,4′−ジアミンを含むとき、電気
的に活性となる。上記式に相応する化合物には、例えば
、N。
N′−ジフェニル−N、N’−ビス−(アルキルフェニ
ル)−1,1’−(ビフェニル)−4,4’−ジアミン
(式中、アルキルは2−メチル、3−メチルおよび4−
メチルの如きメチル、エチル、プロピル、ブチル、およ
びヘキシル等からなる群より選ばれる)がある。ハロゲ
ン置換の場合には、その化合物はN、N’−ジフェニル
−N、N′−ビス(ハロフェニル)−1,1’−ビフェ
ニル−4,4′−ジアミンであり、そのハロゲン原子は
2−クロロ、3−クロロまたは4−クロロである。
ル)−1,1’−(ビフェニル)−4,4’−ジアミン
(式中、アルキルは2−メチル、3−メチルおよび4−
メチルの如きメチル、エチル、プロピル、ブチル、およ
びヘキシル等からなる群より選ばれる)がある。ハロゲ
ン置換の場合には、その化合物はN、N’−ジフェニル
−N、N′−ビス(ハロフェニル)−1,1’−ビフェ
ニル−4,4′−ジアミンであり、そのハロゲン原子は
2−クロロ、3−クロロまたは4−クロロである。
電気的に不活性な樹脂中に分散させて正孔を移送する層
を形成できる他の電気的に活性な小分子にはトリフェニ
ルアミン、ビス−(4−ジエチルアミノ−2−メチルフ
ェニル)フェニルメタン、およびビス−(4−ジエチル
アミノフェニル)フェニルメタンがある。
を形成できる他の電気的に活性な小分子にはトリフェニ
ルアミン、ビス−(4−ジエチルアミノ−2−メチルフ
ェニル)フェニルメタン、およびビス−(4−ジエチル
アミノフェニル)フェニルメタンがある。
第1図の感光性装置に関しては、光励起層は公知の光導
電性物質、例えば、無定形セレン合金、ハロゲンドープ
化無定形セレンおよびセレン合金、硫化カドミウム、セ
レン化カドミウム、テルル化カドミウム、セレン化カド
ミウムイオウ、テルル化カドミウムイオウ、銅および塩
素でドーピングした硫化カドミウム等からなり得る。本
発明の範囲に属するセレン合金にはセレンテルル合金、
セレンひ素合金、セレンテルルひ素合金、があり、好ま
しいのは塩素の如きハロゲン物質を50〜約200pp
n+の量で含有するそのような合金である。
電性物質、例えば、無定形セレン合金、ハロゲンドープ
化無定形セレンおよびセレン合金、硫化カドミウム、セ
レン化カドミウム、テルル化カドミウム、セレン化カド
ミウムイオウ、テルル化カドミウムイオウ、銅および塩
素でドーピングした硫化カドミウム等からなり得る。本
発明の範囲に属するセレン合金にはセレンテルル合金、
セレンひ素合金、セレンテルルひ素合金、があり、好ま
しいのは塩素の如きハロゲン物質を50〜約200pp
n+の量で含有するそのような合金である。
以下、本発明を特定の好ましい実施態様に関連して詳細
に説明するが、これらの実施例は単に例示を目的とする
ものであり、本発明を実施例に示した材料、条件、プロ
セスパラメーターに限定するものでないことを理解され
たい。すべてのパーセントおよび部は特に断わらない限
り重量による。
に説明するが、これらの実施例は単に例示を目的とする
ものであり、本発明を実施例に示した材料、条件、プロ
セスパラメーターに限定するものでないことを理解され
たい。すべてのパーセントおよび部は特に断わらない限
り重量による。
大嵐員上
(4−n−ブトキシカルボニル−9−フルオレニリデン
)マロノニトリル(I)の二周製:ディーンースターク
装置および水コンデンサーとを備えた5 000m・l
丸底フラスコに100g(0,446モル)のフルオレ
ノン−4−カルボン酸(アルドリソチケミカルズ社より
入手) 、650gのn−ブタノール、5 m lの濃
硫酸、および2.000mj!のトルエンとを導入した
。混合物を磁力撹拌し還流下に24時間加熱し、続いて
室温に冷却した。n−ブタノールとトルエン溶媒を重炭
酸ナトリウムLogの存在下に減圧下で蒸発させた。次
に、1,000m1の塩化メチレンを残留物に加え、得
られた溶液を重炭酸ナトリウム希水溶液で2回洗浄し、
さらに2回水洗した。無水硫酸マグネシウムで乾燥させ
たのち、溶液を濾過し減圧下に蒸発させて120gのn
−ブチルフルオレノン−4−カルボキシレートを得た。
)マロノニトリル(I)の二周製:ディーンースターク
装置および水コンデンサーとを備えた5 000m・l
丸底フラスコに100g(0,446モル)のフルオレ
ノン−4−カルボン酸(アルドリソチケミカルズ社より
入手) 、650gのn−ブタノール、5 m lの濃
硫酸、および2.000mj!のトルエンとを導入した
。混合物を磁力撹拌し還流下に24時間加熱し、続いて
室温に冷却した。n−ブタノールとトルエン溶媒を重炭
酸ナトリウムLogの存在下に減圧下で蒸発させた。次
に、1,000m1の塩化メチレンを残留物に加え、得
られた溶液を重炭酸ナトリウム希水溶液で2回洗浄し、
さらに2回水洗した。無水硫酸マグネシウムで乾燥させ
たのち、溶液を濾過し減圧下に蒸発させて120gのn
−ブチルフルオレノン−4−カルボキシレートを得た。
得られたエステル120gを2000m1の丸底フラス
コに入れた。これに1.000m/の無水メタノール、
59g(0,89モル)のマロノニトリルおよび25滴
のピペリジンを加えた。混合物を磁力撹拌し、還流下に
20時間加熱した。冷却した反応混合物からの固形生成
物を濾過し、100m1lのメタノールで2回洗浄し2
00mlの水で1回水洗し、50℃で10時間減圧乾燥
させた。
コに入れた。これに1.000m/の無水メタノール、
59g(0,89モル)のマロノニトリルおよび25滴
のピペリジンを加えた。混合物を磁力撹拌し、還流下に
20時間加熱した。冷却した反応混合物からの固形生成
物を濾過し、100m1lのメタノールで2回洗浄し2
00mlの水で1回水洗し、50℃で10時間減圧乾燥
させた。
次いで、得られた生成物をアセトンとメタノールから再
結晶させて、123gの純(4−n−ブトキシカルボニ
ル−9−フルオレニリデン)マロノニトリル(融点99
〜100℃)を得た。
結晶させて、123gの純(4−n−ブトキシカルボニ
ル−9−フルオレニリデン)マロノニトリル(融点99
〜100℃)を得た。
CZIHI6N20□の元素分析:
計 算 値 分 析 値
C,76,8I C,76,52 H,4,91H,5,04 N、 8.53 N、 8.28 この化合物をさらに分光分析手段で同定し、以下の結果
を得た。
C,76,8I C,76,52 H,4,91H,5,04 N、 8.53 N、 8.28 この化合物をさらに分光分析手段で同定し、以下の結果
を得た。
N M R(CDCl 3) 、デルタ: 1.0(t
、 311); 1.5(m、2H);1.8(m、
2B) 4.5(t、 211 ;7.3〜8.7t(
m、 7H) I R(KBrペレット) : 2240cm−’
(CN) ;1730c+m−’ (C=0) 大施班主 (4−フェノキシカルボニル−9−フルオレニリデン)
マロノニトリル(II)の調製二(al 先駆体(4
−カルボキシ−9−フルオレニリデン)マロノニトリル
の8周製: 93.1 g (0,415モル)のフルオレノン−4
−カルボン酸と750 m lの無水メタノールとの混
合物を2,000mfの還流コンデンサーを備えた丸底
フラスコ中で磁力攪拌し還流温度に加熱した。続いて、
フラスコに82.3 g (1,25モル)のマロノニ
トリルと20滴のピペリジンを加えた。次いで、この混
合物を還流下に48時間加熱した。固形生成物(4−カ
ルボキシ−9−フルオレニリデン)マロノニトリルを吸
引濾過により集め、500m!lの沸腋メタノール中で
15分間攪拌することによって精製し、濾過し、200
m!!のメタノールで連続洗浄した。
、 311); 1.5(m、2H);1.8(m、
2B) 4.5(t、 211 ;7.3〜8.7t(
m、 7H) I R(KBrペレット) : 2240cm−’
(CN) ;1730c+m−’ (C=0) 大施班主 (4−フェノキシカルボニル−9−フルオレニリデン)
マロノニトリル(II)の調製二(al 先駆体(4
−カルボキシ−9−フルオレニリデン)マロノニトリル
の8周製: 93.1 g (0,415モル)のフルオレノン−4
−カルボン酸と750 m lの無水メタノールとの混
合物を2,000mfの還流コンデンサーを備えた丸底
フラスコ中で磁力攪拌し還流温度に加熱した。続いて、
フラスコに82.3 g (1,25モル)のマロノニ
トリルと20滴のピペリジンを加えた。次いで、この混
合物を還流下に48時間加熱した。固形生成物(4−カ
ルボキシ−9−フルオレニリデン)マロノニトリルを吸
引濾過により集め、500m!lの沸腋メタノール中で
15分間攪拌することによって精製し、濾過し、200
m!!のメタノールで連続洗浄した。
生成物を65℃で12時間真空乾燥して、秤量して90
.1 gを得た。
.1 gを得た。
(b) (4−クロロホルミル−9−フルオレニリデ
ン)マロノニトリルの調製: 27.44 g (0,10モル)の上記で得た(4−
カルボキシ−9−フルオレニリデン)マロノニトリルと
150mlの塩化チオニルとの混合物を、還流コンデン
サーを備えた2 50m1丸底フラスコ中で磁力攪拌し
乾燥チッ素雰囲気中で6時間還流下に加熱した。固形の
酸は1時間の加熱後に溶解した。反応が進むにつれて、
反応物は褐色に変色し反応終了時には暗褐色になった。
ン)マロノニトリルの調製: 27.44 g (0,10モル)の上記で得た(4−
カルボキシ−9−フルオレニリデン)マロノニトリルと
150mlの塩化チオニルとの混合物を、還流コンデン
サーを備えた2 50m1丸底フラスコ中で磁力攪拌し
乾燥チッ素雰囲気中で6時間還流下に加熱した。固形の
酸は1時間の加熱後に溶解した。反応が進むにつれて、
反応物は褐色に変色し反応終了時には暗褐色になった。
次いで、反応混合物を減圧下に蒸発させて、固形残留物
を得、この粗生成物に300mβのジクロロエタンを加
えた。減圧下の蒸発を続行し、痕跡量の塩化チオニルを
除去した。
を得、この粗生成物に300mβのジクロロエタンを加
えた。減圧下の蒸発を続行し、痕跡量の塩化チオニルを
除去した。
粗生成物を塩化メチレン/ヘキサン(350m 1 /
400 m l )から再結晶させた。得られた純(
4−クロロホルミル−9−フルオレニリデン)マロノニ
トリルを40℃、12時間の真空乾燥後秤量して27.
99 gを得た。
400 m l )から再結晶させた。得られた純(
4−クロロホルミル−9−フルオレニリデン)マロノニ
トリルを40℃、12時間の真空乾燥後秤量して27.
99 gを得た。
(C1化合物(II)の調製:
8.5g(0,03モル)の(4−クロロホルミル−9
−フルオレニリデン)マロノニトリルを250 m l
の丸底フラスコ中で乾燥チン素雰囲気下に150mj2
の乾燥塩化メチレンに溶解した。溶液を室温で磁力攪拌
した。3.67 g(0,03モル)のフェネヂルアル
コールと4.5mJのトリエチルアミンとの30m!!
、塩化メチレン中溶液を10分間に亘って等圧滴下ロー
トにより滴下した。添加後、反応混合物を4時間で室温
に冷却した。混合物を500m1の分離ロートに入れ、
希重炭酸ナトリウム水溶液で3回洗浄し、さらに2回水
洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過した。濾液
を減圧下に蒸発させ粗化合物(■)を得、これを塩化メ
チレン/ヘキサンから再結晶させた。純生成物の収量は
8.3gであった。融点は115〜117℃であった。
−フルオレニリデン)マロノニトリルを250 m l
の丸底フラスコ中で乾燥チン素雰囲気下に150mj2
の乾燥塩化メチレンに溶解した。溶液を室温で磁力攪拌
した。3.67 g(0,03モル)のフェネヂルアル
コールと4.5mJのトリエチルアミンとの30m!!
、塩化メチレン中溶液を10分間に亘って等圧滴下ロー
トにより滴下した。添加後、反応混合物を4時間で室温
に冷却した。混合物を500m1の分離ロートに入れ、
希重炭酸ナトリウム水溶液で3回洗浄し、さらに2回水
洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過した。濾液
を減圧下に蒸発させ粗化合物(■)を得、これを塩化メ
チレン/ヘキサンから再結晶させた。純生成物の収量は
8.3gであった。融点は115〜117℃であった。
CzsH+JbO□の元素分析:
計算値:C179,77; H14,28; N、7.
44分析値:C179,82、H14,41; N、7
.42HMR(CDCll 3)、デルタ:3.15(
t、2H);4.65(t 、 2H); 7.2〜8.6(m、12H) I R(XBrペレット) : 2240 cm−’
(CN) il 735 cm−’(C=O) 実施例3 (4−カルヒドキシ−9−フルオレニリデン)マロノニ
トリル(In)の調製ニ ア 5ml塩化メチレン中の実施例2−(blで得た(
4−クロロホルミル−9−フルオレニリデン)4.0
g (0,0138モル)の溶液を200mNの丸底フ
ラスコ中で乾燥チン素雰囲気下に磁力攪拌した。2.1
mf (0,0152モル)の2−(2−エトキシエ
トキシ)エタノール(カルピトール)を加え、この後5
mJm化塩化メチレン中、 1 m l。
44分析値:C179,82、H14,41; N、7
.42HMR(CDCll 3)、デルタ:3.15(
t、2H);4.65(t 、 2H); 7.2〜8.6(m、12H) I R(XBrペレット) : 2240 cm−’
(CN) il 735 cm−’(C=O) 実施例3 (4−カルヒドキシ−9−フルオレニリデン)マロノニ
トリル(In)の調製ニ ア 5ml塩化メチレン中の実施例2−(blで得た(
4−クロロホルミル−9−フルオレニリデン)4.0
g (0,0138モル)の溶液を200mNの丸底フ
ラスコ中で乾燥チン素雰囲気下に磁力攪拌した。2.1
mf (0,0152モル)の2−(2−エトキシエ
トキシ)エタノール(カルピトール)を加え、この後5
mJm化塩化メチレン中、 1 m l。
トリエチルアミンの溶液を3分間で添加した。反応混合
物はトリエチルアンモニウムクロライドの生成のために
灰色になった。得られた混合物を室温で4時間反応せし
めた。次に、反応混合物を実施例2−(C)の手順によ
って処理した。純化合物(III)の収量は4.08g
であった。融点は75.5〜76℃であった。
物はトリエチルアンモニウムクロライドの生成のために
灰色になった。得られた混合物を室温で4時間反応せし
めた。次に、反応混合物を実施例2−(C)の手順によ
って処理した。純化合物(III)の収量は4.08g
であった。融点は75.5〜76℃であった。
CZ3H2゜N2O4の元素分析:
計算値:C171,12i H,5,19; N、7.
21分析値:C171,01、H2S、21 ; N、
7.21HMR(CDCl 3)、デルタ: 1,2(
t、3H);3.4〜4.0(m、8H); 4.6(t、2H); 7.2〜8.6(m、 7 H) IR(XBrペレット) : 2240 cm−’(
CN) ;1730 cm−’(C=0) 実施例4 (4−n−ブトキシカルボニル−2,7−シニj・ロー
9−フルオレニリデン)マロノニトリルの8周製: 11.2 g (0,05モル)のフルオレノン−4−
カルボン酸を500 m (lの丸底フラスコに入れた
。
21分析値:C171,01、H2S、21 ; N、
7.21HMR(CDCl 3)、デルタ: 1,2(
t、3H);3.4〜4.0(m、8H); 4.6(t、2H); 7.2〜8.6(m、 7 H) IR(XBrペレット) : 2240 cm−’(
CN) ;1730 cm−’(C=0) 実施例4 (4−n−ブトキシカルボニル−2,7−シニj・ロー
9−フルオレニリデン)マロノニトリルの8周製: 11.2 g (0,05モル)のフルオレノン−4−
カルボン酸を500 m (lの丸底フラスコに入れた
。
次いで、フラスコに室温で300m1の赤煙削酸を10
分間で加えた。この後、50m1の濃硫酸を5分間に亘
って添加した。得られた溶液を室温で10分間撹拌し、
次いで1.51の氷冷水中に絶えず渦巻きさせながらゆ
っくり注ぎ込んだ。固形生成物、2,7−シニトロフル
オレノンー4−カルボン酸を吸引濾過により集め、10
0mj+の5%希塩酸溶液で洗浄し、60℃で24時間
真空乾燥すせた。2,7−ジニトロフルオレノン−4=
カルボン酸の乾燥重量は13.3 gであった。
分間で加えた。この後、50m1の濃硫酸を5分間に亘
って添加した。得られた溶液を室温で10分間撹拌し、
次いで1.51の氷冷水中に絶えず渦巻きさせながらゆ
っくり注ぎ込んだ。固形生成物、2,7−シニトロフル
オレノンー4−カルボン酸を吸引濾過により集め、10
0mj+の5%希塩酸溶液で洗浄し、60℃で24時間
真空乾燥すせた。2,7−ジニトロフルオレノン−4=
カルボン酸の乾燥重量は13.3 gであった。
2.7−シニトロフルオレノンー4−カルボン酸(9,
42g、約0.03モル)の相応するn−ブチルエステ
ルへの転換は実施例1の手順に従って行った。得られた
エステルを塩化メチレンとへキサンとから再結晶させた
。収量は7gであった。
42g、約0.03モル)の相応するn−ブチルエステ
ルへの転換は実施例1の手順に従って行った。得られた
エステルを塩化メチレンとへキサンとから再結晶させた
。収量は7gであった。
200mj2の丸底フラスコに、4g(0,011モル
)のn−ブチル2,7−シニトロフルオレノンー4−カ
ルボキシレート、2.5ml!(0,016モル)の蒸
留ジエチルマロネートおよび25m1の塩化メチレンを
加えた。溶液を磁力攪拌し、乾燥チッ素雰囲気下に水浴
により冷却した。この溶液に、7ml (0,065モ
ル)の四塩化チタンを5分間で加え、次いで10.4m
l (0,13モル)のピリジンを加えた。次に、反応
混合物を室温で2時間攪拌し、125mAの水で処理し
た。有機層を分離ロート内で分離し、5%重炭酸ナトリ
ウム水溶液で洗浄し続いて水洗した。有機溶液を乾燥し
蒸発させて粗生成物を得、これをイソプロパツールから
再結晶させた。(4−n−ブトキシカルボニル−2,7
−ジニトロ−9−フルオレノンデン)マロネート4.6
g(融点116.5〜117℃)を得た。
)のn−ブチル2,7−シニトロフルオレノンー4−カ
ルボキシレート、2.5ml!(0,016モル)の蒸
留ジエチルマロネートおよび25m1の塩化メチレンを
加えた。溶液を磁力攪拌し、乾燥チッ素雰囲気下に水浴
により冷却した。この溶液に、7ml (0,065モ
ル)の四塩化チタンを5分間で加え、次いで10.4m
l (0,13モル)のピリジンを加えた。次に、反応
混合物を室温で2時間攪拌し、125mAの水で処理し
た。有機層を分離ロート内で分離し、5%重炭酸ナトリ
ウム水溶液で洗浄し続いて水洗した。有機溶液を乾燥し
蒸発させて粗生成物を得、これをイソプロパツールから
再結晶させた。(4−n−ブトキシカルボニル−2,7
−ジニトロ−9−フルオレノンデン)マロネート4.6
g(融点116.5〜117℃)を得た。
CzsHzaNzO,。の元素分析:
計算値:C158,59、H14,72、N、5.46
分析値:C15B、57 ; H14,90; N、
5.35HMR(CDC/l 3)、デルタ: 1.0
〜2.0(m、13H);4.3〜4.9(m、 6l
−1) ;8.2〜9.0(’m、5H) IR(KBrペレット) : l 735cm−’(
C=0) ;1540 cm−’ (C=NOx) 犬覇」シー 99.5%のセレンからなり、100PT’Hの塩素で
ドーピングしたセレン−ひ素合金でコーティングしたア
ルミニウムプレートからなる感光性像形成部材をマーロ
ン(Merlon)ポリカーボネート中の化合物(1)
の層を市販スプレーガンによりスプレーコーティングし
た。オーバーコーテイング用の溶液は、10gの化合物
(1)、27gのマーロンポリカーボネートおよび4g
のN、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(3−メチル
フェニル)−1,1’−(ビフェニル)−4,4’−ジ
アミンとを300m#の塩化メチレンと200mlの1
.1.2−)リクロロエタンに溶解して調製した。コー
ティングは、強制送風炉中で50°C160分間乾燥さ
せて、乾燥厚2.5ミクロンのオーバーコーテイングを
得た。作製した感光装置を室温に冷却し、次のようにし
て電気試験を行った。
分析値:C15B、57 ; H14,90; N、
5.35HMR(CDC/l 3)、デルタ: 1.0
〜2.0(m、13H);4.3〜4.9(m、 6l
−1) ;8.2〜9.0(’m、5H) IR(KBrペレット) : l 735cm−’(
C=0) ;1540 cm−’ (C=NOx) 犬覇」シー 99.5%のセレンからなり、100PT’Hの塩素で
ドーピングしたセレン−ひ素合金でコーティングしたア
ルミニウムプレートからなる感光性像形成部材をマーロ
ン(Merlon)ポリカーボネート中の化合物(1)
の層を市販スプレーガンによりスプレーコーティングし
た。オーバーコーテイング用の溶液は、10gの化合物
(1)、27gのマーロンポリカーボネートおよび4g
のN、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(3−メチル
フェニル)−1,1’−(ビフェニル)−4,4’−ジ
アミンとを300m#の塩化メチレンと200mlの1
.1.2−)リクロロエタンに溶解して調製した。コー
ティングは、強制送風炉中で50°C160分間乾燥さ
せて、乾燥厚2.5ミクロンのオーバーコーテイングを
得た。作製した感光装置を室温に冷却し、次のようにし
て電気試験を行った。
得られた装置をコロナにより正帯電させ、400〜70
0nmの波長の白色光に露光することによって放電させ
て電気試験に供した。そのとき、帯電後のアクセプタン
ス電位と露光後の残留電位とを記録した。この手順を異
なる露光エネルギーの照射で繰返し、装置の表面電位を
その初期の値の半分に放電させるのに必要な露光エネル
ギーをオーバーコーテイング装置で測定した。アクセプ
タンス電位は1.000ボルトであり、残留電位は10
0ポルトであり、半減露光感度は12エルグ/ c+n
2であった。これらの値はオーバーコーテイングなし
の同様な装置で得た値と同じであった。このオーバーコ
ーテイング型装置の電気的性質は1,000回の繰返し
帯電、放電サイクル後も本質的に同じま\であった。
0nmの波長の白色光に露光することによって放電させ
て電気試験に供した。そのとき、帯電後のアクセプタン
ス電位と露光後の残留電位とを記録した。この手順を異
なる露光エネルギーの照射で繰返し、装置の表面電位を
その初期の値の半分に放電させるのに必要な露光エネル
ギーをオーバーコーテイング装置で測定した。アクセプ
タンス電位は1.000ボルトであり、残留電位は10
0ポルトであり、半減露光感度は12エルグ/ c+n
2であった。これらの値はオーバーコーテイングなし
の同様な装置で得た値と同じであった。このオーバーコ
ーテイング型装置の電気的性質は1,000回の繰返し
帯電、放電サイクル後も本質的に同じま\であった。
実施例6
感光性部材を、アルミニウムドラムを塩素でドーピング
したひ素−セレン合金の光導電性層でコーティングする
ことによって調製した。光導電性層は60ミクロンの厚
さを有し、0.5%のひ素と1100ppの塩素とを含
むセレンからなっていた。
したひ素−セレン合金の光導電性層でコーティングする
ことによって調製した。光導電性層は60ミクロンの厚
さを有し、0.5%のひ素と1100ppの塩素とを含
むセレンからなっていた。
次に、この電子写真用ドラムを以下のようにしてオーバ
ーコーテイングした。
ーコーテイングした。
オーバーコーテイング用の溶液は実施例5の手順によっ
て調製した。得られた溶液を、湿度および温度調整室内
で市販のスプレーガンを用いて上記の電子写真用ドラム
上にスプレーコーティングした。スプレー中、相対湿度
は35%に維持し、温度は20℃に維持した。オーバー
コーテイングしたドラムを強制送風炉中で45℃で60
分間十分に乾燥させた。オーバーコートの乾燥厚は2ミ
クロンであった。実施例5に従って行った電気試験はこ
の感光性部材のアクセプタンス電位、残留電位および露
光感度がオーバーコートによって影響されてないことを
示していた。このオーバーコーテイング電子写真ドラム
をゼロックスコーポレーション2830装置中で20〜
80%の範囲の相対湿度および8℃〜30℃の範囲の温
度で印刷試験に供した。合計3000枚のコピーをこの
オーバーコーテイングドラムで製造した。外観観察で判
断したコピーの像品質はオーバーコーテイングなしの同
様な電子写真用ドラムにより2830装置で得た像と同
じであった。特に、これらのコピーは優れた解像力を示
した、即ち、像の不た゛を明さおよび像の欠落はなかっ
た。
て調製した。得られた溶液を、湿度および温度調整室内
で市販のスプレーガンを用いて上記の電子写真用ドラム
上にスプレーコーティングした。スプレー中、相対湿度
は35%に維持し、温度は20℃に維持した。オーバー
コーテイングしたドラムを強制送風炉中で45℃で60
分間十分に乾燥させた。オーバーコートの乾燥厚は2ミ
クロンであった。実施例5に従って行った電気試験はこ
の感光性部材のアクセプタンス電位、残留電位および露
光感度がオーバーコートによって影響されてないことを
示していた。このオーバーコーテイング電子写真ドラム
をゼロックスコーポレーション2830装置中で20〜
80%の範囲の相対湿度および8℃〜30℃の範囲の温
度で印刷試験に供した。合計3000枚のコピーをこの
オーバーコーテイングドラムで製造した。外観観察で判
断したコピーの像品質はオーバーコーテイングなしの同
様な電子写真用ドラムにより2830装置で得た像と同
じであった。特に、これらのコピーは優れた解像力を示
した、即ち、像の不た゛を明さおよび像の欠落はなかっ
た。
大嵐五工
塩素でドーピングしたひ素−セレン合金(実施例5参照
)でコーティングしたアルミニウムドラムからなる感光
性像形成部材をアクリルプライマー5HP−200(ジ
ェネラルエレクトリック社より2重量%固形分混合物と
して人手できる)でディップコーティングによりコーテ
ィングした。
)でコーティングしたアルミニウムドラムからなる感光
性像形成部材をアクリルプライマー5HP−200(ジ
ェネラルエレクトリック社より2重量%固形分混合物と
して人手できる)でディップコーティングによりコーテ
ィングした。
コーティングを十分に空乾して厚さ0.05〜0.2ミ
クロンのプライマ一層を形成した。得られた電子写真用
ドラムを強制送風炉中で45℃、60分間乾燥させた。
クロンのプライマ一層を形成した。得られた電子写真用
ドラムを強制送風炉中で45℃、60分間乾燥させた。
オーバーコートの乾燥厚は2ミクロンであった。この装
置の電気試験および印刷試験は実施例6の手順を繰返し
て行って、実質的に同様な結果を得た。
置の電気試験および印刷試験は実施例6の手順を繰返し
て行って、実質的に同様な結果を得た。
実施例8
感光性像形成部材を、厚さ40逅ル(約1mm)のアル
ミニウム基体を用意し、その上に厚さ60ミクロンのセ
レン−ひ素合金(99,5%セレン)を真空蒸着によっ
てコーティングすることにより調製した。合金中のひ素
濃度は0.5重量%であった。次に、その上に50重量
%のマクロロン(Makrolon)ポリカーボネート
中に分散させた40%の化合物(n)と10%のN−イ
ソプロピルカルバゾールからなる電子移送オーバーコー
テイングをコーティングした。オーバーコーテイングは
バードフィルムアプリケーターにより施し、その乾燥厚
は2ミクロンであった。このオーバーコーテイング装置
を実施例5に従って電気試験し、同様な結果を得た。し
かしながら、この装置はオーバーコーテイングなしの同
じ成分からなる対照装置に比較したとき残留電位のわず
かな増大(20ボルト)を示した。にもかかわらず、こ
り残留電位の増大は繰返し試験中に一定で残存し、従っ
て、形成したコピーの品質には影響なかった。
ミニウム基体を用意し、その上に厚さ60ミクロンのセ
レン−ひ素合金(99,5%セレン)を真空蒸着によっ
てコーティングすることにより調製した。合金中のひ素
濃度は0.5重量%であった。次に、その上に50重量
%のマクロロン(Makrolon)ポリカーボネート
中に分散させた40%の化合物(n)と10%のN−イ
ソプロピルカルバゾールからなる電子移送オーバーコー
テイングをコーティングした。オーバーコーテイングは
バードフィルムアプリケーターにより施し、その乾燥厚
は2ミクロンであった。このオーバーコーテイング装置
を実施例5に従って電気試験し、同様な結果を得た。し
かしながら、この装置はオーバーコーテイングなしの同
じ成分からなる対照装置に比較したとき残留電位のわず
かな増大(20ボルト)を示した。にもかかわらず、こ
り残留電位の増大は繰返し試験中に一定で残存し、従っ
て、形成したコピーの品質には影響なかった。
実施例9
2個の同じ有機感光性像形成装置を50ミクロン厚のア
ルミニウム処理マイラー基体上に20ミクロン厚の電荷
移送層をコーティングすることにより作製した。移送層
は50重量%のマクロロンポリカーボネート中に分散さ
せた50%のN、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(
3−メチルフェニル)−1,1’−(ビフェニル)−4
,4’−ジアミンからなるものであった。70重量%の
ポリエステルpE−100(グツドイヤー社より入手)
中に分散させた30%のバナジルフタロシアニンからな
る0、 5ミクロン層の光励起層を上記電荷移送層上に
コーティングした。かくして作製した像形成部材の1つ
を、45重重量のマーロンポリカーボネート(モーベイ
ケミカル社より入手)中に分散させた40%の化合物(
II[)と15%の上記のジアミンとからなる層で、市
販のスプレーガンを用い、20℃、30%相対湿度でス
プレーコーティングすることによってオーバーコーテイ
ングした。オーバーコーテイングの厚さは2.5ミクロ
ンであった。他の残りの像形成部材はオーバーコートな
しで残し、対照として使用した。次いで、この2つの装
置を約950ボルトの表面電位に正帯電させ830nm
単色光に露光することにより放電させて電気試験した。
ルミニウム処理マイラー基体上に20ミクロン厚の電荷
移送層をコーティングすることにより作製した。移送層
は50重量%のマクロロンポリカーボネート中に分散さ
せた50%のN、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(
3−メチルフェニル)−1,1’−(ビフェニル)−4
,4’−ジアミンからなるものであった。70重量%の
ポリエステルpE−100(グツドイヤー社より入手)
中に分散させた30%のバナジルフタロシアニンからな
る0、 5ミクロン層の光励起層を上記電荷移送層上に
コーティングした。かくして作製した像形成部材の1つ
を、45重重量のマーロンポリカーボネート(モーベイ
ケミカル社より入手)中に分散させた40%の化合物(
II[)と15%の上記のジアミンとからなる層で、市
販のスプレーガンを用い、20℃、30%相対湿度でス
プレーコーティングすることによってオーバーコーテイ
ングした。オーバーコーテイングの厚さは2.5ミクロ
ンであった。他の残りの像形成部材はオーバーコートな
しで残し、対照として使用した。次いで、この2つの装
置を約950ボルトの表面電位に正帯電させ830nm
単色光に露光することにより放電させて電気試験した。
結果は両装置とも同様なアクセプタンス電位および同様
な露光感度を有することを示した。しかしながら、オー
バーコートした装置は、以下に示すように、対照装置に
比べてその暗減衰特性においてドラマチックな改良を示
した: 対照装置 930 240 27大施炭土
立 セレン−テルル合金の600ミクロン厚でコーティング
した40ミル(約1ミリ)厚のニッケルヘルドからなる
感光性像形成部材を次の如くしてフェノキシ樹脂中に分
散させた化合物(III)の層でコーティングした。
な露光感度を有することを示した。しかしながら、オー
バーコートした装置は、以下に示すように、対照装置に
比べてその暗減衰特性においてドラマチックな改良を示
した: 対照装置 930 240 27大施炭土
立 セレン−テルル合金の600ミクロン厚でコーティング
した40ミル(約1ミリ)厚のニッケルヘルドからなる
感光性像形成部材を次の如くしてフェノキシ樹脂中に分
散させた化合物(III)の層でコーティングした。
オーバーコーテイング用の溶液は1.5gの化合物(I
ll) 、0.5 gの実施例9のジアミンと2gのフ
ェノキシ樹脂とを25m1の塩化メチレンに溶解して調
製した。この溶液を上記セレン−テルル光導電性層上に
ハードフィルムアプリケーターでもってコーティングし
た。コーティングを強制送風炉中で135℃、30分間
乾燥させ、1ミクロン厚さを得た。このオーバーコート
感光性像形成部材を実施例5の手順に従って電気試験し
た。結果はオーバコート装置の電子写真性能はオーバー
コーテイングなしの同じ装置と実質的に等価であった。
ll) 、0.5 gの実施例9のジアミンと2gのフ
ェノキシ樹脂とを25m1の塩化メチレンに溶解して調
製した。この溶液を上記セレン−テルル光導電性層上に
ハードフィルムアプリケーターでもってコーティングし
た。コーティングを強制送風炉中で135℃、30分間
乾燥させ、1ミクロン厚さを得た。このオーバーコート
感光性像形成部材を実施例5の手順に従って電気試験し
た。結果はオーバコート装置の電子写真性能はオーバー
コーテイングなしの同じ装置と実質的に等価であった。
特に、オーバーコート装置のアクセプタンス電位は10
50ボルトであり、露光後の残留電位は110ボルトで
あった。
50ボルトであり、露光後の残留電位は110ボルトで
あった。
大施燃上上
実施例9の部材と同じ感光性像形成部材をボール掛はア
ルミニウムプレート上に調製した。特に、ポリ (N−
ビニルカルバゾール)中に分散させた三方晶セレンと実
施例9のジアミンとからなる光励起層をジアミン移送層
上にコーティングした。
ルミニウムプレート上に調製した。特に、ポリ (N−
ビニルカルバゾール)中に分散させた三方晶セレンと実
施例9のジアミンとからなる光励起層をジアミン移送層
上にコーティングした。
移送層の厚さは15ミクロンであり光励起層の厚さは2
ミクロンであった。厚さ1.5ミクロンのマクロロンポ
リカーボネート60重量%中の40%化合物(IV)か
らなるオーバーコート層を上記光励起層上にハードフィ
ルムアプリケーターにより施した。この装置の電気試験
および印刷試験を実施例6の手順を繰返すことによって
行い、実質的に同様な結果を得た。しかしながら、この
オーバーコート装置は未オーバーコーテイング対照の1
05ボルトに比較して一貫して高い135ボルトの残留
電位を示した。
ミクロンであった。厚さ1.5ミクロンのマクロロンポ
リカーボネート60重量%中の40%化合物(IV)か
らなるオーバーコート層を上記光励起層上にハードフィ
ルムアプリケーターにより施した。この装置の電気試験
および印刷試験を実施例6の手順を繰返すことによって
行い、実質的に同様な結果を得た。しかしながら、この
オーバーコート装置は未オーバーコーテイング対照の1
05ボルトに比較して一貫して高い135ボルトの残留
電位を示した。
本発明を特定の好ましい実施態様に関連して説明して来
たけれども、本発明をそれに限定するものでなく、むし
ろ、当業者ならば、本発明の精神および特許請求の範囲
内で各種の変形および修正がなし得ることが理解するで
あろう。
たけれども、本発明をそれに限定するものでなく、むし
ろ、当業者ならば、本発明の精神および特許請求の範囲
内で各種の変形および修正がなし得ることが理解するで
あろう。
第1図、第2図および第3図は、いずれも、本発明の感
光性像形成部材の断面図を示す。 ■・・・支持基体、3・・・光励起層、5・・・樹脂バ
インダー、7・・・保護層、9・・・樹脂バインダー、
15・・・支持基体、17・・・正孔移送層、19・・
・樹脂バインダー、21・・・光励起層、23・・・閘
脂バインダー、25・・・オーバーコーテイング層、3
1・・・マイラー基体、33・・・正孔移送層、37・
・・光励起層、41・・・保護オーバーコーテイング層
。
光性像形成部材の断面図を示す。 ■・・・支持基体、3・・・光励起層、5・・・樹脂バ
インダー、7・・・保護層、9・・・樹脂バインダー、
15・・・支持基体、17・・・正孔移送層、19・・
・樹脂バインダー、21・・・光励起層、23・・・閘
脂バインダー、25・・・オーバーコーテイング層、3
1・・・マイラー基体、33・・・正孔移送層、37・
・・光励起層、41・・・保護オーバーコーテイング層
。
Claims (27)
- (1)支持基体、不活性樹脂バインダー中に分散させた
アリールアミン正孔移送化合物、樹脂バインダー中に分
散または分散させない光励起顔料からなる光励起層およ
び保護トップコーティングとしての樹脂バインダー申分
分散させた次式を有する電子移送層化合物とからなる像
形成部材: ▲数式、化学式、表等があります▼ (次式、Xはシアノまたはアルコキシカルボニル基であ
り、AおよびBは電子払拭基であり、mは0〜2の数で
あり、nは0または1であり、Wはアシル(COR)、
アルコキシカルボニル(COOR)、アルキルアミノカ
ルボニル (CONHR)およびこれらの誘導基からなる郡から選
ばれた電子払拭基である。 - (2)Rが1〜20個の炭素原子を有するアルキル基で
ある特許請求の範囲第(1)項記載の像形成部材。 - (3)Rが1〜6個の炭素原子を有するアルキル基であ
る特許請求の範囲第(1)項記載の像形成部材。 - (4)Rが6〜24個の炭素原子を有するアリール基で
ある特許請求の範囲第(1)項記載の像形成部材。 - (5)Rがアリール置換アルキル基である特許請求の範
囲第(1)項記載の像形成部材。 - (6)保護オーバーコーティングが(4−ブトキシカル
ボニル−9−フルオレリデン)マロノニトリルである特
許請求の範囲第(1)項記載の像形成部材。 - (7)保護トップコーティングが(4−フェネトキシカ
ルボニル−9−フルオレリデン)マロノニトリルである
特許請求の範囲第(1)項記載の像形成部材。 - (8)保護トップコーティングが(4−カルビトキシカ
ルボニル−9−フルオレリデン)マロノニトリルである
特許請求の範囲第(1)項記載の像形成部材。 - (9)保護トップコーティングが(4−ブトキシカルボ
ニル−2,7−ジニトロ−9−フルオレリデン)マロネ
ートである特許請求の範囲第(1)項記載の像形成部材
。 - (10)光励起顔料が無機光導電性化合物および有機先
導電性化合物からなる群より選ばれる特許請求の範囲第
(1)項記載の像形成部材。 - (11)光励起顔料が無定形セレン、セレン合金および
ハロゲンドープ化セレン合金からなる群より選ばれる特
許請求の範囲第(10)項記載の像形成部材。 - (12)光励起顔料が金属フタロシアニン、無金属フタ
ロシアニンおよびバナジルフタロシアニンから選ばれる
特許請求の範囲第(10)項記載の像形成部材。 - (13)正孔移送化合物が式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Xはアルキル基またはハロゲン原子である) を有する特許請求の範囲第(1)項記載の像形成部材。
- (14)アルキル基がメチルである特許請求の範囲第(
13)項記載の像形成部材。 - (15)Xが塩素である特許請求の範囲第(13)項記
載の像形成部材。 - (16)光導電性層が無機光導電性顔料または有機光導
電性顔料である特許請求の範囲第(13)項記載の像形
成部材。 - (17)無機光導電性顔料が無定形セレンまたは無定形
セレン金属からなる特許請求の範囲第(16)項記載の
像形成部材。 - (18)有機光導電性顔料が金属フタロシアニン、無金
属フタロシアニン、およびバナジルフタロシアニンから
なる群から選ばれた化合物である特許請求の範囲第(1
6)項記載の像形成部材。 - (19)静電潜像を特許請求の範囲第(1)項記載の像
形成部材上に形成し、この像を樹脂粒子および顔料粒子
よりなる現像剤組成物で現像し、得られた像を適当な基
体に転写し、該基体に必要に応じて像を永久に定着させ
ることからなる像形成方法。 - (20)シアン、マゼンタおよびイエローよりなる顔料
によりカラー像を得る特許請求の範囲第(19)項記載
の像形成方法。 - (21)支持基体、約20〜約80ミクロン厚の光導電
性層、および該光導電性層と接触した保護オーバーコー
ティングとしての樹脂バインダー中に分散させた次式を
有する電子移送化合物:▲数式、化学式、表等がありま
す▼ (式中、Xはシアノまたはアルキル基であり、Aおよび
Bは電子払拭基であり、mは0〜2の数であり、nは0
または1であり、Wはアシル、アルコキシカルボニル、
アルキルアミノカルボニルおよびこれらの誘導基からな
る群から選ばれる電子払拭基である) とからなる改良された感光性像形成部材。 - (22)保護オーバーコーティングが電子ドナー化合物
でドーピングされている特許請求の範囲第(21)項記
載の像形成部材。 - (23)Xがシアノ基であり、AおよびBが水素原子で
あり、WがCOORであり、Rがアルキルまたはアリー
ルである特許請求の範囲第(21)項記載の像形成部材
。 - (24)アルキル基が1〜20炭素原子を含む特許請求
の範囲第(23)項記載の像形成部材。 - (25)Rが6〜24個の炭素原子を有するアリール置
換置で置換されている特許請求の範囲第(23)項記載
の像形成部材。 - (26)Xがアルコキシカルボニル基(COOR)であ
り、Rが1〜6個の炭素原子を有するアルキル基である
特許請求の範囲第(21)項記載の像形成部材。 - (27)本質的に、導伝性基体、約20〜約100ミク
ロン厚の光導電性層、および保護トップコーティングと
しての次式を有する電子移送用9−フルオレニリデンメ
タン: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rはアルキル基またはアリール基である) からなる像形成部材。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US672749 | 1984-11-19 | ||
| US06/672,749 US4562132A (en) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | Photoresponsive imaging members containing electron transport overcoatings |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61143764A true JPS61143764A (ja) | 1986-07-01 |
Family
ID=24699848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60253625A Pending JPS61143764A (ja) | 1984-11-19 | 1985-11-12 | 電子移送オ−バ−コ−テイングを含有する感光性像形成部材 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4562132A (ja) |
| JP (1) | JPS61143764A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0616020A1 (en) | 1989-03-20 | 1994-09-21 | Idemitsu Kosan Company Limited | Aromatic dimethylidyne compounds and process for preparation thereof |
| JP2000330315A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-11-30 | Nec Niigata Ltd | 正帯電型電子写真感光体及びその製造方法 |
| EP2262032A2 (en) | 1999-04-05 | 2010-12-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and its manufacturing method |
| JP2016061943A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
Families Citing this family (30)
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|---|---|---|---|---|
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