JPH0331248A - シアノアリルフェノールのエーテル誘導体 - Google Patents
シアノアリルフェノールのエーテル誘導体Info
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- JPH0331248A JPH0331248A JP1166309A JP16630989A JPH0331248A JP H0331248 A JPH0331248 A JP H0331248A JP 1166309 A JP1166309 A JP 1166309A JP 16630989 A JP16630989 A JP 16630989A JP H0331248 A JPH0331248 A JP H0331248A
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Landscapes
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分!i’F]
本発明は、新規なシアノアリルフェノールのエーテル話
導体および該化合物を有効成分とする液晶組成物に関す
る。
導体および該化合物を有効成分とする液晶組成物に関す
る。
[従来の技術とその問題点]
液晶を利用した表示素子は時計、電卓等に広く使用され
ている。これらの液晶表示素子は液晶物質の光学異方性
および誘電異方性を利用したものである。液晶相にはネ
マチック液晶相、スメクチック液晶相、コレステリック
液晶相があり、そのうちネマチック液晶を利用したもの
が最も広く実用化されている。
ている。これらの液晶表示素子は液晶物質の光学異方性
および誘電異方性を利用したものである。液晶相にはネ
マチック液晶相、スメクチック液晶相、コレステリック
液晶相があり、そのうちネマチック液晶を利用したもの
が最も広く実用化されている。
それらには液晶表示に応用されている電気光学効果に対
応して、TN(ねじれネマチック)型、DS(動的散乱
)型、ゲスト・ホスト型、DAP型等の表示素子があり
、それぞれに使用される液晶物質は自然界のなるべく広
い温度範囲で液晶相を示すものが望ましい。
応して、TN(ねじれネマチック)型、DS(動的散乱
)型、ゲスト・ホスト型、DAP型等の表示素子があり
、それぞれに使用される液晶物質は自然界のなるべく広
い温度範囲で液晶相を示すものが望ましい。
現在のところ単一の液晶物質でそのような条件をみたす
物質はなく、数種の液晶物質またはさらに非液晶物質を
混合して実用に供している。これらの物質は水分、光、
熱、空気等に対しても安定であることを要求されている
。
物質はなく、数種の液晶物質またはさらに非液晶物質を
混合して実用に供している。これらの物質は水分、光、
熱、空気等に対しても安定であることを要求されている
。
又近年表示素子の大型化が望まれ、従来のTN型方式で
は表示品位が劣るため、新たに一連のSTN (スーパ
ーツィステッド・ネマチック)型表示方式がM、シャッ
ト、F、リーンフーツ(^pplPhys hett、
50,236 (1987))により開発され、大型化
しても表示品位が劣らないですむものである。
は表示品位が劣るため、新たに一連のSTN (スーパ
ーツィステッド・ネマチック)型表示方式がM、シャッ
ト、F、リーンフーツ(^pplPhys hett、
50,236 (1987))により開発され、大型化
しても表示品位が劣らないですむものである。
この方式に望まれる液晶の性質はKn/に1が大きく、
Ih/に1は小さく、Δε/ε上は小さい値が望まれて
いる(M、5chadt、F、Leenhouts 5
ociety forInformationDisp
lay International Symposi
umDigest of Technical Pap
ars Vol、 X ■ Ne+vOrleans
、Loujslana May 12−14.(198
7) 372−375)。
Ih/に1は小さく、Δε/ε上は小さい値が望まれて
いる(M、5chadt、F、Leenhouts 5
ociety forInformationDisp
lay International Symposi
umDigest of Technical Pap
ars Vol、 X ■ Ne+vOrleans
、Loujslana May 12−14.(198
7) 372−375)。
本発明の目的はに、/に、が大きく、又Δnが大きく相
溶性に優れており、上述のSTN型表示素子に使用でき
る化合物であって、液晶組成物とじて有用な新規化合物
を提供することである。他の目的は、該化合物を有効成
分とする液晶組成物を提イ共することである。
溶性に優れており、上述のSTN型表示素子に使用でき
る化合物であって、液晶組成物とじて有用な新規化合物
を提供することである。他の目的は、該化合物を有効成
分とする液晶組成物を提イ共することである。
本発明の化合物の製造法は、例えば次式の反応式によっ
て示される。
て示される。
[問題点を解決するための手段]
本発明(二発明)は−数式
(上式中Rは直鎮又は枝分れした炭素数1〜15のアル
キル基またはアルコキシ基であり、nは1又は2を示し
、mはO又は1を示す)で表されるシアノアリルフェノ
ールのエーテル話導体および該化合物を有効成分とする
液晶組成物である。
キル基またはアルコキシ基であり、nは1又は2を示し
、mはO又は1を示す)で表されるシアノアリルフェノ
ールのエーテル話導体および該化合物を有効成分とする
液晶組成物である。
本発明の液晶組成物の成分にできる本発明の化合物以外
の他の成分としては、例えばエステル系、シッフ塩基系
、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、複素環系
等の液晶化合物をあげることができる。
の他の成分としては、例えばエステル系、シッフ塩基系
、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、複素環系
等の液晶化合物をあげることができる。
[化合物の製造法]
(上式中n、mは前記に同じである)
すなわち、特開昭64−75,459号に記載の方法で
製造した2−アリル−4−シアノフェノール(m=O)
又は3−アリル−4−ヒドロキシ−4°−シアノビフェ
ニルを無水炭酸カリウムとN、N−ジメチルホルムアミ
ド(以下DMFと略す)溶媒中臭化−トランス−4−ア
ルキルシクロヘキシルメチル(n=1)又は臭化−トラ
ンス−4−(トランス−4−アルキルシクロヘキシル)
シクロヘキシルメチル(n=m2)と反応を行い、目的
とするシアノアリルフェノールのエーテル話導体を製造
した。
製造した2−アリル−4−シアノフェノール(m=O)
又は3−アリル−4−ヒドロキシ−4°−シアノビフェ
ニルを無水炭酸カリウムとN、N−ジメチルホルムアミ
ド(以下DMFと略す)溶媒中臭化−トランス−4−ア
ルキルシクロヘキシルメチル(n=1)又は臭化−トラ
ンス−4−(トランス−4−アルキルシクロヘキシル)
シクロヘキシルメチル(n=m2)と反応を行い、目的
とするシアノアリルフェノールのエーテル話導体を製造
した。
[発明の効果]
本発明の化合物は他の多くの液晶化合物、すなわちエス
テル系、シッフ塩基系、ビフェニル系、フェニルシクロ
ヘキサン系、複素環系等の液晶化合物との相溶性がよく
、本発明の化合物を液晶組成物に加え、△nが大きく、
又しきい値電圧を低くすることができる。又、に、/に
1の値を大きくできるため、STN型表示素子用の液晶
組成物に好適な化合物である。
テル系、シッフ塩基系、ビフェニル系、フェニルシクロ
ヘキサン系、複素環系等の液晶化合物との相溶性がよく
、本発明の化合物を液晶組成物に加え、△nが大きく、
又しきい値電圧を低くすることができる。又、に、/に
1の値を大きくできるため、STN型表示素子用の液晶
組成物に好適な化合物である。
[実施例]
以下に述べる実施例により本発明の化合物につきざらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
実施例1
2−アリル−4−シアノフェニル−トランス−4−ペン
チルシクロヘキシルメチルエーテル((り式でp= C
HH++−、n = 1 、 m = Of)場合)の
製造2−アリル−4−シアノフェノール1.9g (0
,01モル)をD M F 100mj2 &:溶解し
、これに無水炭酸カリウム20gを加えた。よくかきま
ぜながら臭化−トランス−4−ペンチルシクロヘキシル
メチル4.9g(0,02モル)を5分で加え、さらに
80℃、10時間反応を行なった0反応終了後1j2の
水に加えると油状物がでてきた。
チルシクロヘキシルメチルエーテル((り式でp= C
HH++−、n = 1 、 m = Of)場合)の
製造2−アリル−4−シアノフェノール1.9g (0
,01モル)をD M F 100mj2 &:溶解し
、これに無水炭酸カリウム20gを加えた。よくかきま
ぜながら臭化−トランス−4−ペンチルシクロヘキシル
メチル4.9g(0,02モル)を5分で加え、さらに
80℃、10時間反応を行なった0反応終了後1j2の
水に加えると油状物がでてきた。
この油状物をトルエンで抽出し、トルエン層を2N水酸
化ナトリウムで、ついで水で洗った。トルエン層を無水
硫酸ナトリウムで乾燥した後トルエンを減圧で留去、さ
らに真空ポンプで完全に留去した。残?た油状物をn−
ヘキサンに溶解し、活性アルミナを用いてカラムクロナ
トグラフィーを行った。
化ナトリウムで、ついで水で洗った。トルエン層を無水
硫酸ナトリウムで乾燥した後トルエンを減圧で留去、さ
らに真空ポンプで完全に留去した。残?た油状物をn−
ヘキサンに溶解し、活性アルミナを用いてカラムクロナ
トグラフィーを行った。
n〜ヘキサンを留去後残った固体をエタノールで再結晶
を行った。融点は44.0〜44.8℃で液晶相は示さ
なかった。収量2.5g (収率83%)。
を行った。融点は44.0〜44.8℃で液晶相は示さ
なかった。収量2.5g (収率83%)。
実施例2.3
実施例1における2−アリル−4−シアノフェノールの
代りに、3−アリル−4−ヒドロキシ−4゛−シアノビ
フェニルと臭化−トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ルメチルの代りに種々の臭化−トランス−4−アルキル
シクロヘキシルメチル又は臭化−トランス−4−(トラ
ンス−4−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキシルメ
チルとを反応して目的の化合物を製造した。これらの結
果を実施例1の結果と共に表1に示した。
代りに、3−アリル−4−ヒドロキシ−4゛−シアノビ
フェニルと臭化−トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ルメチルの代りに種々の臭化−トランス−4−アルキル
シクロヘキシルメチル又は臭化−トランス−4−(トラ
ンス−4−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキシルメ
チルとを反応して目的の化合物を製造した。これらの結
果を実施例1の結果と共に表1に示した。
表1
使用例!
トランス−4−プロピル−(4゛−シアノフェニル)シ
クロヘキサン 24重量%トランス−4−ペンチル
ー(4゛−シアノフェニル)シクロヘキサン 35
重量%トランス−4−ヘプチル−(4゛−シアノフェニ
ル)シクロヘキサン 25fi fi%トランス−
4−ペンチル−(4′−シアンビフェニル)シクロヘキ
サン 151i%なる液晶組成物(A)のN−1点は
72.0℃、△εは+11.0.20℃における粘度は
211cp、Δnは0.140.に、/に1は1.82
である。
クロヘキサン 24重量%トランス−4−ペンチル
ー(4゛−シアノフェニル)シクロヘキサン 35
重量%トランス−4−ヘプチル−(4゛−シアノフェニ
ル)シクロヘキサン 25fi fi%トランス−
4−ペンチル−(4′−シアンビフェニル)シクロヘキ
サン 151i%なる液晶組成物(A)のN−1点は
72.0℃、△εは+11.0.20℃における粘度は
211cp、Δnは0.140.に、/に1は1.82
である。
液晶セルとして、酸化ケイ素をコーティングし、ラビン
グ処理した酸化スズ透明電極を有する基板を対向させ組
立てた、電極間距離が10μmのものを用意し、上記の
液晶組成物(A)を封入して20℃でその特性を測定し
たところ、しきい電圧(以下、Vthと略記する)は1
.82Vであった。
グ処理した酸化スズ透明電極を有する基板を対向させ組
立てた、電極間距離が10μmのものを用意し、上記の
液晶組成物(A)を封入して20℃でその特性を測定し
たところ、しきい電圧(以下、Vthと略記する)は1
.82Vであった。
この液晶組成物(A)951iEk%に本発明の実施例
2で製造した4−シアノ−3−アリル−4°−ビフェニ
ルートランス−4−ペンチルシクロヘキシルメチルエー
テル5ffiffi%を溶解した組成物のN−1点は7
2.5℃、△6は+11.0、△nは0.+45、粘度
は29CPK3/に+は1.99”C”、Vthは1.
80V テあり、STN用として好適である。
2で製造した4−シアノ−3−アリル−4°−ビフェニ
ルートランス−4−ペンチルシクロヘキシルメチルエー
テル5ffiffi%を溶解した組成物のN−1点は7
2.5℃、△6は+11.0、△nは0.+45、粘度
は29CPK3/に+は1.99”C”、Vthは1.
80V テあり、STN用として好適である。
以上
特許
出
願人
チッソ株式会社
Claims (2)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (上式中Rは直鎖又は枝分れした炭素数1〜15のアル
キル基またはアルコキシ基であり、nは1又は2を示し
、mは0または1を示す)で表されるシアノアリルフェ
ノールのエーテル誘導体。 - (2)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (上式中Rは直鎖又は枝分れした炭素数1〜15のアル
キル基またはアルコキシ基であり、nは1又2を示し、
mは0又は1を示す)で表されるシアノアリルフェノー
ルのエーテル誘導体を有効成分とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1166309A JPH0331248A (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | シアノアリルフェノールのエーテル誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1166309A JPH0331248A (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | シアノアリルフェノールのエーテル誘導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0331248A true JPH0331248A (ja) | 1991-02-12 |
Family
ID=15828954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1166309A Pending JPH0331248A (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | シアノアリルフェノールのエーテル誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0331248A (ja) |
-
1989
- 1989-06-28 JP JP1166309A patent/JPH0331248A/ja active Pending
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