JPH0334624A - Mosトランジスタ回路 - Google Patents
Mosトランジスタ回路Info
- Publication number
- JPH0334624A JPH0334624A JP16946889A JP16946889A JPH0334624A JP H0334624 A JPH0334624 A JP H0334624A JP 16946889 A JP16946889 A JP 16946889A JP 16946889 A JP16946889 A JP 16946889A JP H0334624 A JPH0334624 A JP H0334624A
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- JP
- Japan
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- transistor
- gate
- mos transistor
- pole
- input terminal
- Prior art date
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- Pending
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- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はMOSトランジスタ回路に係り、特許て排他的
論理和回路に関する。
論理和回路に関する。
従来、この種の排他的論理和を実現する回路として、第
2図(a)に示す回路があった。
2図(a)に示す回路があった。
第2図(a)に釦いて、第1.第2の入力端子1゜2と
出力端子3との間に、2人カNORゲート4゜5とAN
Dゲート6とがあυ、これらにょυ排他的論理和が構成
されている。
出力端子3との間に、2人カNORゲート4゜5とAN
Dゲート6とがあυ、これらにょυ排他的論理和が構成
されている。
第2図(b)はMOSトランジスタによって、第2図(
a)の回路を実現した回路である。
a)の回路を実現した回路である。
第2図(a)のNORゲート4は、PMO8トランジス
タ11.12と、NMO8)ランジメタ23゜24とに
より構成され、第2図(a)のNORゲート5は、PM
O8トランジスタ16.17と、NMOSトランジスタ
26.27とにより構成され、第2図(a)のANDゲ
ート6は、PMO8トランジスタ13,14.15と、
NMOSトランジスタ21.22.25とにより構成さ
れている。
タ11.12と、NMO8)ランジメタ23゜24とに
より構成され、第2図(a)のNORゲート5は、PM
O8トランジスタ16.17と、NMOSトランジスタ
26.27とにより構成され、第2図(a)のANDゲ
ート6は、PMO8トランジスタ13,14.15と、
NMOSトランジスタ21.22.25とにより構成さ
れている。
次に回路動作について、第2図(a)を使って説明する
。最初に、第1.第2の入力端子1.2に論理レベル・
Low(低位)(以下りと記す)が入力された場合、N
ORゲート4の出力は論理レベル・High(高位)(
以下Hと記す)、ANDゲート6の出力はり、NOR,
ゲート5の出力はLとなシ、出力端子3はLとなる。
。最初に、第1.第2の入力端子1.2に論理レベル・
Low(低位)(以下りと記す)が入力された場合、N
ORゲート4の出力は論理レベル・High(高位)(
以下Hと記す)、ANDゲート6の出力はり、NOR,
ゲート5の出力はLとなシ、出力端子3はLとなる。
次に、入力端子IKH,入力端子2にLが入力された場
合と、入力端子1にL1入力端子2にHが入力された場
合は、共にNORゲート4の出力はり、ANDゲート6
の出力はL%N0)1.ゲート5の出力はHとなり、出
力端子3はHとなる。
合と、入力端子1にL1入力端子2にHが入力された場
合は、共にNORゲート4の出力はり、ANDゲート6
の出力はL%N0)1.ゲート5の出力はHとなり、出
力端子3はHとなる。
次に、入力端子1.2共に、Hが入力された場合、NO
Rゲート4の出力はL%ANDゲート6の出力はH,N
ORゲート5の出力はLとなり、出力端子3はLとなる
。
Rゲート4の出力はL%ANDゲート6の出力はH,N
ORゲート5の出力はLとなり、出力端子3はLとなる
。
以上説明した様に、第2図(a)の回路は、排他的論理
和回路を形成している。
和回路を形成している。
前述した従来の排他的論理和のMOSトランジスタ回路
は、第2図(b)のように構成されているため、7個の
PMO8トランジスタと7個のNMOSトランジスタが
必要であった。MOSトランジスタ数が多く、半導体集
積回路を構成する場合、面積が大きくなり、また配線に
困難を生じる欠点があった。
は、第2図(b)のように構成されているため、7個の
PMO8トランジスタと7個のNMOSトランジスタが
必要であった。MOSトランジスタ数が多く、半導体集
積回路を構成する場合、面積が大きくなり、また配線に
困難を生じる欠点があった。
本発明の目的は、前記欠点が解決され、構成されるMO
Sトランジスタが少なく、容易に配線ができるようにし
たMOSトランジスタ回路を提供することにある。
Sトランジスタが少なく、容易に配線ができるようにし
たMOSトランジスタ回路を提供することにある。
本発明のMOSトランジスタ回路の構成は、一極が電源
端子に接続され、かつゲートが第1の入力端子に接続さ
れた第1のMOSトランジスタと、他極が前記第1のM
OSトランジスタの他極に接続され、かつゲートが前記
第1の入力端子に接続された第2のMOSトランジスタ
と、他極が第2のMOSトランジスタの一極に接続され
、かつゲートが荊記第1の入力端子に接続された第3の
MOSトランジスタと、一極が第3のMOSトランジス
タの一極に接続され、かつゲートが前記第1の入力端子
に接続され、かつ他極が接地された第4のMOSトラン
ジスタと、一極が前記電源端子に接続され、かつゲート
が前記第1のMOSトランジスタの他極に接続され、か
つ他極が出力端子に接続された第5のMOSトランジス
タと、一極が接地され、かつゲートが第4のMOSトラ
ンジスタの一極に接続され、かつ他極が前記出力端子に
接続された第6のMOSトランジスタと、一極が前記第
2のMOSトランジスタの一極に接続され、かつゲート
が前記第1の入力端子に接続され、かつ他極は前記出力
端子に接続された第7MOSトランジスタと前記第2の
MOSトランジスタの一極に接続された第2の入力端子
とを備えていることを特徴とする。
端子に接続され、かつゲートが第1の入力端子に接続さ
れた第1のMOSトランジスタと、他極が前記第1のM
OSトランジスタの他極に接続され、かつゲートが前記
第1の入力端子に接続された第2のMOSトランジスタ
と、他極が第2のMOSトランジスタの一極に接続され
、かつゲートが荊記第1の入力端子に接続された第3の
MOSトランジスタと、一極が第3のMOSトランジス
タの一極に接続され、かつゲートが前記第1の入力端子
に接続され、かつ他極が接地された第4のMOSトラン
ジスタと、一極が前記電源端子に接続され、かつゲート
が前記第1のMOSトランジスタの他極に接続され、か
つ他極が出力端子に接続された第5のMOSトランジス
タと、一極が接地され、かつゲートが第4のMOSトラ
ンジスタの一極に接続され、かつ他極が前記出力端子に
接続された第6のMOSトランジスタと、一極が前記第
2のMOSトランジスタの一極に接続され、かつゲート
が前記第1の入力端子に接続され、かつ他極は前記出力
端子に接続された第7MOSトランジスタと前記第2の
MOSトランジスタの一極に接続された第2の入力端子
とを備えていることを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例のMOSトランジスタ回路を
示す回路図である。
示す回路図である。
第1図において、本実施例のMOSトランジスタ回路は
、第1のPMO8トランジスタコ1のソースが電源端子
VDDに接続され、ゲートが第1の入力端子lに接続さ
れている。さらに、第1のNMO8トランジスタ41ば
、ドレインがMOSトランジスタ31のドレインに接続
され、ゲートが第1の入力端子lに接続されている。第
2のPMO8トランジスタコ2はドレインが接地(GN
D)され、ゲートは入力端子lに接続されている。第2
ONMO8トランジスタ42は、ソースが、トランジス
タ32のソースに接続され、ゲートは入力端子1に接続
され、ドレインはトランジスタ41のドレインに接続さ
れている。第3のPMO8トランジスタ33は、ソース
がVDDに接続され、ゲートがトランジスタ31のドレ
インに接続されて、ドレインは出力端子3に接続されて
いる。第3のNMOSトランジスタ43ば、ソースがG
NDに接続され、ゲートはトランジスタ32のソースに
接続され、ドレインは出力端子3に接続されている。第
4のPMO8トランジスタ34は、ソースがトランジス
タ41のソースに接続され、ゲートが入力端子1に接続
され、ドレインが出力端子3に接続されている。第2の
入力端子2は、トランジスタ41のソースに接続されて
いる。
、第1のPMO8トランジスタコ1のソースが電源端子
VDDに接続され、ゲートが第1の入力端子lに接続さ
れている。さらに、第1のNMO8トランジスタ41ば
、ドレインがMOSトランジスタ31のドレインに接続
され、ゲートが第1の入力端子lに接続されている。第
2のPMO8トランジスタコ2はドレインが接地(GN
D)され、ゲートは入力端子lに接続されている。第2
ONMO8トランジスタ42は、ソースが、トランジス
タ32のソースに接続され、ゲートは入力端子1に接続
され、ドレインはトランジスタ41のドレインに接続さ
れている。第3のPMO8トランジスタ33は、ソース
がVDDに接続され、ゲートがトランジスタ31のドレ
インに接続されて、ドレインは出力端子3に接続されて
いる。第3のNMOSトランジスタ43ば、ソースがG
NDに接続され、ゲートはトランジスタ32のソースに
接続され、ドレインは出力端子3に接続されている。第
4のPMO8トランジスタ34は、ソースがトランジス
タ41のソースに接続され、ゲートが入力端子1に接続
され、ドレインが出力端子3に接続されている。第2の
入力端子2は、トランジスタ41のソースに接続されて
いる。
この様に構成された排他的論理和のCMOSトランジス
タ回路の動作について説明する。
タ回路の動作について説明する。
最初に入力端子lがHの場合、トランジスタ31゜32
.34はオフ、トランジスタ41.42はオンしている
。従って、入力端子2の論理レベルは、トランジスタ4
1を通り、トランジスタ33のゲートへ伝達され、また
トランジスタ42を通り、トランジスタ43のゲートへ
伝達される。この時、入力端子2にHが入力されると、
トランジスタ33はオフ、トランジスタ43はオンとな
り、出力端子3はLとなる。入力端子2にLが入力され
るとと、トランジスタ33がオン、トランジスタ43が
オフとなり、出力端子3はHとなる。
.34はオフ、トランジスタ41.42はオンしている
。従って、入力端子2の論理レベルは、トランジスタ4
1を通り、トランジスタ33のゲートへ伝達され、また
トランジスタ42を通り、トランジスタ43のゲートへ
伝達される。この時、入力端子2にHが入力されると、
トランジスタ33はオフ、トランジスタ43はオンとな
り、出力端子3はLとなる。入力端子2にLが入力され
るとと、トランジスタ33がオン、トランジスタ43が
オフとなり、出力端子3はHとなる。
次に入力端子1がLの場合、トランジスタ31゜32.
34はオン、トランジスタ41.42はオフするので、
トランジスタ33のゲートはHPこなり、トランジスタ
33はオフ、トランジスタ43のゲートはLになり、ト
ランジスタ43はオフする。従って、入力端子2の論理
レベルは、トランジスタ34を通り、出力端子3に伝達
する。この時、入力端子2にHが入力されると、出力端
子3はH1入力端子2にLが入力されると、出力端子3
はLになる。
34はオン、トランジスタ41.42はオフするので、
トランジスタ33のゲートはHPこなり、トランジスタ
33はオフ、トランジスタ43のゲートはLになり、ト
ランジスタ43はオフする。従って、入力端子2の論理
レベルは、トランジスタ34を通り、出力端子3に伝達
する。この時、入力端子2にHが入力されると、出力端
子3はH1入力端子2にLが入力されると、出力端子3
はLになる。
以上説明したように、第1図のトランジスタ回路は、排
他的論理和回路を構成している。
他的論理和回路を構成している。
以上説明したように、本発明は、少なくとも4個のPM
OSトランジスタと3個のNMOSトランジスタとによ
り、排他的論理和を得ることができ、従来の同種の回路
が7個のPMOSトランジスタと7個のNMOSトラン
ジスタが必要であったのに比較して、半導体集積回路の
面積を縮小することができ、集積度の向上を計ることが
できる効果がある。
OSトランジスタと3個のNMOSトランジスタとによ
り、排他的論理和を得ることができ、従来の同種の回路
が7個のPMOSトランジスタと7個のNMOSトラン
ジスタが必要であったのに比較して、半導体集積回路の
面積を縮小することができ、集積度の向上を計ることが
できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のMOSトランジスタ回路を
示す回路図、第2図(a)は従来の論理回路図、第2図
(b)は第2図(a)の従来の論理回路図をMOSトラ
ンジスタによって実現した回路図である。 1.2・・・・・・入力端子、3・・・・・・出力端子
、4.5・・・・・・NORゲート、6・・・・・・A
NDゲート、11゜乃至17,31.乃至34・・・・
・・PMOSトランジスタ、21乃至27,41.42
.43・・・・・・NMOSトランジスタ。
示す回路図、第2図(a)は従来の論理回路図、第2図
(b)は第2図(a)の従来の論理回路図をMOSトラ
ンジスタによって実現した回路図である。 1.2・・・・・・入力端子、3・・・・・・出力端子
、4.5・・・・・・NORゲート、6・・・・・・A
NDゲート、11゜乃至17,31.乃至34・・・・
・・PMOSトランジスタ、21乃至27,41.42
.43・・・・・・NMOSトランジスタ。
Claims (1)
- 一極が電源端子に接続され、かつゲートが第1の入力端
子に接続された第1のMOSトランジスタと、他極が前
記第1のMOSトランジスタの他極に接続され、かつゲ
ートが前記第1の入力端子に接続された第2のMOSト
ランジスタと、他極が第2のMOSトランジスタの一極
に接続され、かつゲートが前記第1の入力端子に接続さ
れた第3のMOSトランジスタと、一極が第3のMOS
トランジスタの一極に接続され、かつゲートが前記第1
の入力端子に接続され、かつ他極が接地された第4のM
OSトランジスタと、一極が前記電源端子に接続され、
かつゲートが前記第1のMOSトランジスタの他極に接
続され、かつ他極が出力端子に接続された第5のMOS
トランジスタと、一極が接地され、かつゲートが第4の
MOSトランジスタの一極に接続され、かつ他極が前記
出力端子に接続された第6のMOSトランジスタと、一
極が前記第2のMOSトランジスタの一極に接続され、
かつゲートが前記第1の入力端子に接続され、かつ他極
は前記出力端子に接続された第7MOSトランジスタと
、前記2のMOSトランジスタの一極に接続された第2
の入力端子とを備えていることを特徴とするMOSトラ
ンジスタ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16946889A JPH0334624A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | Mosトランジスタ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16946889A JPH0334624A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | Mosトランジスタ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334624A true JPH0334624A (ja) | 1991-02-14 |
Family
ID=15887119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16946889A Pending JPH0334624A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | Mosトランジスタ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0334624A (ja) |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP16946889A patent/JPH0334624A/ja active Pending
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