JPH033643B2 - - Google Patents

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JPH033643B2
JPH033643B2 JP57009640A JP964082A JPH033643B2 JP H033643 B2 JPH033643 B2 JP H033643B2 JP 57009640 A JP57009640 A JP 57009640A JP 964082 A JP964082 A JP 964082A JP H033643 B2 JPH033643 B2 JP H033643B2
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ethyl
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Ritsushu Roorando
Fuirigaa Aroisu
Bitomaa Eeritsuhi
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EFU HOFUMAN RA ROSHU AG
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EFU HOFUMAN RA ROSHU AG
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明に一般式 式中、R2は基−R5、−OR3、−CO−OR3または
−Ｏ−CO−R3の一つを表わし、R1及びR3は炭素
原子１〜12個を含む直鎖状のアルキル基を表わ
し、そしてｎは数１または２の一つを表わす、 の新規な（トランス−４−アルキルシクロヘキシ
ル）エタン類に関する。
また、本発明は式の化合物の製造方法、該化
合物を含む液晶混合物並びに電子−光学装置にお
けるその用途に関する。
本明細書において用いる「直鎖状のアルキル
基」なる語には基メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチ
ル、ノニル、デシル、ウンデシル及びドデシルが
包含される。
本発明における化合物は液晶混合物の成分とし
て特に価値があり、該化合物の大部分はそれ自体
液晶〔ネマテイツク（nematic）及び／またはス
メクテイツク（smectic）〕特性を有する。
本発明における化合物は全ての既知の液晶と混
和性であり、全ての普通の電子−光学装置に用い
ることができ、一般に混合物成分の選択は特定の
使用目的に依存する。しかしながら、本発明にお
ける化合物は好ましくは誘電率の正の異方性
（ε11＞ε⊥、但しε11は分子の縦軸に沿う誘電率
を表わし、ε⊥はこれに垂直な誘電率を表わす）
を有するネマテイツク及びコレステリツク
（cholestric）混合物を製造する際に用いられる。
かかる混合物は電場においてそれ自体、電場の
方向と平行にその最も大きい誘電率の方向（即ち
その縦軸）で配向する。この効果はなかでも、ジ
エー・エツチ・ハイルマイア（J.H.Heilmeier）
及びエル・エー・ザノニ（L.A.Zanoni）
（Applied Physics Letters13、91（1968）〕或いは
デイー・エル・ホワイト（D.L.White）及びジ
ー・エヌ・テイラー（G.N.Taylor）〔J.Appl.
Phys.45、4718（1974）〕により報告されている埋
没分子（embedded molecules）及び液晶分子間
の相互作用〔ゲスト−ホスト（guest−host）相
互作用〕に用いられる。誘電場配向の更に重要な
適用は、エム・シヤツト（M.Schadt）及びダブ
リユー・ヘリフリツヒ（W.Helfrich）〔Applied
Physics Letters18、127（1971）〕によつて発見さ
れた回転セル（rotation cell）並びにMolecular
Crystals and Liqiud Crystals17、355（1972）に
記載されたケル・セル（Kerr cell）である。
電子−光学回転セルは本質的に透明な電極を有
するコンデンサーであり、その誘電体はε11＞ε
⊥をもつネマテイク結晶から生じる。液晶の分子
の縦軸は電場のない状態ではコンデンサー・プレ
ート間にねじれた状態で配列され、このねじれ構
造（twisting strucure）は分子の与えられた壁
配向（wall oriention）によつて決定される。コ
ンデンサー・プレートに電位を与えた際、分子は
それ自体が電場の方向においてその縦軸に整い
（即ちプレートの面に垂直）、これによつて偏光は
もはや誘電体において回転しない（液晶はプレー
トの面に対して単軸的に垂直になる）。この効果
は可逆的であり、そしてコンデンサーの光学的透
過率を電気的に調節するために用いることができ
る。
更に、誘電率の正の異方性をもつネマテイク液
晶のマトリツクスにコレステリツク物質（または
混合物全体が液晶性を保持する限り、一般に可溶
性の光学的活性物質）を加えることにより、コレ
ステリツク混合物が誘導され、このものは電場に
適用した際に、コレステリツク−ネマテイツク相
転位（相−変化効果）を受けることが知られてい
る。コレステリツク添加物の濃度を適当に選択す
ることにより、かかる混合物はまた回転セル指示
器の電子−光学特性を改善するために用いること
ができる。
驚くべきことに今回、本発明における化合物は
低粘度を有する液晶化合物であることがわかつ
た。ｎが１を表わす式の化合物は特に低粘度及
び比較的に低融点を有している。更に融点は度々
大きく過冷却可能である。従つて、本化合物はな
かでも液晶混合物の粘度及び融点を低下させるた
めに適している。一方、ｎが２を表わす式の化
合物は大きな中間相範囲を示す。これらの化合物
はなかでも低粘性混合物の透明点を高めるために
適しており、これによつて粘度は増大しないか或
いはわずかのみ増大する。
本発明における化合物は更に良好な化学的安定
性を有すること、無色であること及び高度のUV
−安定性を有することに特色がある。
式の化合物の中で、R2が基−R3、−OR3また
は−CO−OR3を表わす化合物が好ましい。R2が
アルキル基−R3またはアルコキシ基−OR3を表
わす式の化合物が特に好ましい。更にｎが１を
表わす式の化合物が好ましい。基R3は好まし
くは炭素原子１〜10個を含む直鎖状のアルキル
基、特に炭素原子１〜７個を含む直鎖状のアルキ
ル基である。更に炭素原子２〜10個を有する基
R1が好ましく、炭素原子３〜７個を含むものが
特に好ましい。
好ましい式の化合物の例として次のものを挙
げるとができる： ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−プロピルフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−ペンチルフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−ヘキシルフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−
１−（ｐ−プロピルフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−
１−（ｐ−ペンチルフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−プロピルフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−ペンチルフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−ヘキシルフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−プロピルフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−ブチルフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−ペンチルフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−
１−（ｐ−エトキシフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−
１−（ｐ−ブチルオキシフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−
１−（ｐ−ヘキシルオキシフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−メトキシフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−エトキシフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−プロピルオキシフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−ブチルオキシフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−
１−（ｐ−メトキシフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−
１−（ｐ−エエトキシフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−
１−（ｐ−ブチルオキシフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−メトキシフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−エトキシフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−プロピルオキシフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−ブチルオキシフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−ヘブチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−メトキシフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−ヘブチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−エトキシフエニル）エタン、 ２−（トランス−４−ヘブチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−ブチルオキシフエニル）エタン、 ｐ−〔２−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕フエニルアセテート、 ｐ−〔２−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕フエニルブチレート、 ｐ−〔２−（トランス−４−ブチルシクロヘキシ
ル）−１−エチル〕フエニルアセテート、 ｐ−〔２−（トランス−４−ブチルシクロヘキシ
ル）−１−エチル〕フエニルブチレート、 ｐ−〔２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕フエニルアセテート、 ｐ−〔２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕フエニルブチレート、 ｐ−〔２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕フエニルアセテート、 ｐ−〔２−（トランス−４−エチルシクロヘキシ
ル）−１−エチル〕安息香酸メチルエステル、 ｐ−〔２−（トランス−４−エチルシクロヘキシ
ル）−１−エチル〕安息香酸エチルエステル、 ｐ−〔２−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕安息香酸メチルエステル、 ｐ−〔２−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕安息香酸エチルエステル、 ｐ−〔２−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕安息香酸プロピルエステル、 ｐ−〔２−（トランス−４−ブチルシクロヘキシ
ル）−１−エチル〕安息香酸メチルエステル、 ｐ−〔２−（トランス−４−ブチルシクロヘキシ
ル）−１−エチル〕安息香酸エチルエステル、 ｐ−〔２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕安息香酸メチルエステル、 ｐ−〔２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕安息香酸エチルエステル、 ｐ−〔２−（トランス−４−ヘキシルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕安息香酸メチルエステル、 ｐ−〔２−（トランス−４−ヘキシルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕安息香酸エチルエステル、 ｐ−〔２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕安息香酸メチルエステル、 ｐ−〔２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕安息香酸エチルエステル、 ｐ−〔２−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕プロピオフエノン、 ｐ−〔２−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕バレロフエノン、 ｐ−〔２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕プロピオフエノン、 ｐ−〔２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕バレロフエノン、 ｐ−〔２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕ヘキサフエノン、 ２−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−
１−（4′−プロピル−４−ビフエニリル）エタン、 ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（4′−プロピル−４−ビフエニリル）エタ
ン、 ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（4′−プロピル−４−ビフエニリル）エタ
ン、 ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（4′−ペンチル−４−ビフエニリル）エタ
ン、 ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（4′−エチル−４−ビフエニリル）エタン、 ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（4′−プロピル−４−ビフエニリル）エタ
ン、 ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（4′−ベンチル−４−ビフエニリル）エタ
ン、 ２−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−
１−（4′−ブチルオキシ−４−ビフエニリル）エ
タン、 ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（4′−エトキシ−４−ビフエニリル）エタ
ン、 ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（4′−ブチルオキシ−４−ビフエニリル）
エタン、 ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（4′−エトキシ−４−ビフエニリル）エタ
ン、 ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（4′−ブチルオキシ−４−ビフエニリル）
エタン、 4′〔２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−１−エチル〕−４−ビフエニリル−アセテー
ト、 4′−〔２−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕−４−ビフエニリル−ブチレ
ート、 4′−〔２−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕−４−ビフエニリル−カルボ
ン酸メチルエステル、 4′−〔２−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕−４−ビフエニリル−カルボ
ン酸エチルエステル、 4′−〔２−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕−４−ビフエニリル−カルボ
ン酸プロピルエステル、 4′−〔２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕−４−ビフエニリル−カルボ
ン酸メチルエステル、 4′−〔２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕−４−ビフエニル−カルボン
酸エチルエステル及び、 ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（4′−ブチリル−４−ビフエニリル）エタ
ン。
式の化合物は、本発明に従えば、一般式 式中、R4は水素、ヒドロキシ、ハロゲンまた
は基−R3もしくは−OR3を表わし、そしてR1、
R3及びｎは上記の意味を有する、 の化合物を還元し、そしてR4が水素を表わす場
合には、生ずる一般式 式中、R1、R4及びｎは上記の意味を有する、 の化合物をアシル化するか、R4がヒドロキシを
表わす場合には、生ずる式の化合物を式
R3COOHのカルボン酸もしくはその反応性誘導
体でエステル化するか、或いはR4がハロゲンを
表わす場合には、生ずる式の化合物をマグネシ
ウムと、次いで二酸化炭素と反応させ、得られる
カルボキシレートを加水分解し、そして生ずる酸
またはその反応性誘導体を式R3OHのアルコール
でエステル化することによつて製造することがで
きる。
式の化合物の還元はそれ自体公知の方法に従
つて行うことができる。好ましくは式の化合物
を塩基（例えば水酸化カリウム、ナトリウムエチ
レート、カリウムｔ−ブチレート等）の存在下に
おいて不活性有機溶媒例えばジメチルスルホキシ
ドまたはアルコール（例えばエタノール、ジエチ
レングリコール、トリエチレングリコール等）中
にてヒドラジンと反応させ、次いで生じたヒドラ
ゾンを分解する。一般に生ずるヒドラゾンは昇温
下（例えば約200℃）でのみ分解する。しかしな
がら溶媒としてジメチルスルホキシドを用いる場
合、この分解は度々室温ですでに生じる。好まし
い具体例としては、この還元はハングーミンロン
（Huang−Minlon）法に行つて、例えば該ケトン
をヒドラジン水和物及び水酸化カリウムと共に、
水と混和し得る高沸点溶媒（例えばジエチレング
リコールまたはトリエチレングリコール）中にて
還流下で加熱し、続いてヒドラゾンが分解するま
で水を蒸留し、そして還元が終了するまで還流下
で沸騰を続けることによつて行われる。
式の化合物を還元する際に更に好ましい方法
はクレメンゼン（Clemmensen）還元である。こ
の方法に従えば、ケトンをアマルガム化した亜鉛
及び塩酸と共に加温する。必要に応じて有機溶媒
例えばエタノール、酢酸、ジオキサン、トルエン
等を加えることができる。
更に、R4が水素またはアルキル基を表わす式
の化合物は接触水素添加によつて還元すること
ができる。この水素添加は必要に応じて不活性担
体物質（例えば炭素）に担持させた通常の水素添
加触媒（例えばパラジウム、白金、ラネ−ニツケ
ル等）を用いて行うことができる。パラジウム及
び白金が好ましい触媒である。使用する溶媒は不
活性有機溶媒例えば飽和アルコール、エーテル、
エステル、カルボン酸、炭化水素等（例えばエタ
ノール、ジオキサン、酢酸エチル、氷酢酸または
ヘキサン）であることができる。この接触水素添
加において温度及び圧力は臨界的ではない。室温
乃至混合物の沸点間の温度及び約１〜約５気圧の
圧力が有利に用いられる。
また、R4が水素またはアルキル基を表わす式
の化合物の還元は、該化合物をアルカンチオー
ルまたはアルカンジチオール（例えばエタンチオ
ール、１，３−プロパンジチオール、エタンジチ
オール等）と反応させ、次に得られるチオケター
ルをラネ−ニツケルによる接触水素添加によつて
離脱させて行うことができる。好ましいチオール
は１，３−プロパンジチオールそして特にエタン
ジチオールであり、このものは環式チオケタール
を生じる。チオケタールの生成は例えば三フツ化
ホウ素エーテレートによつて触媒される。有利に
は、チオケタールの製造及び水素添加は不活性有
機溶媒例えばジエチルエーテル、ジオキサン、塩
化メチレン、クロロホルム等中にて行われる；し
かしながら、用いるチオールが液体である場合に
は、このものは同時に溶媒としての役割を果すこ
とができる。圧力及び温度は臨界的ではない；大
気圧及び室温が有利に用いられる。
R4が基−R3または−OR3を表わす式の化合
物は上記の還元によつて直接式の対応する化合
物に転化される（即ち式の化合物がこの場合の
目的生成物である）。一方、R4が水素、ヒドロキ
シまたはハロゲンを表わす式の化合物を式の
化合物に還元後に更に反応させなければならな
い。
R4が水素を表わす式の化合物のアシル化は
フリーデル−クラフツ・アシル化に対するそれ自
体公知の方法に従つて、ルイス（Lewis）酸例え
ば三塩化アルミニウム、四塩化スズ、三フツ化ホ
ウ素等、好ましくは三塩化アルミニウムの存在下
において、カルボン酸クロライド、プロマイドま
たは無水物、好ましくは対応するカルボン酸クロ
ライドとの反応によつて行うことができる。この
反応は不活性有機溶媒、例えば二硫化炭素または
塩素化された炭化水素、好ましくは塩化メチレン
またはクロロホルム中にて行われる。この反応は
有利には約０℃乃至反応混合物の還流温度間で行
われる。圧力は臨界的ではなく、この反応は大気
圧及び室温で有利に行われる。
R4がヒドロキシを表わす式の化合物の式
R3COOHのアルカンカルボン酸またはその反応
性誘導体（例えば無水物または酸ハロゲン化物）
によるエステル化はそれ自体公知の方法において
行うことができる。カルボン酸によるアルコール
のエステル化は不活性有機溶媒の存在下において
または該溶媒を用いずに、触媒量の強酸（例えば
硫酸またはハロゲン化水素酸）の存在下において
有利に行われる。しかしながらまた、このエステ
ル化はＮ，N′−ジシクロヘキシルカルボジイミ
ド及び４−（ジメチルアミノ）−ピリジンの存在下
において行うこともできる。しかしながら、好ま
しい方法は酸塩化物によるアルコールのエステル
化である。このエステル化は不活性有機溶媒例え
ばジエチルエーテルまたはテトラヒドロフランの
如きエーテル、ジメチルホルムアミド、ベンゼ
ン、トルエン、シクロヘキサン、四塩化炭素等中
で有利に行われる。エステル化中に遊離する塩化
水素を結合させるために、酸結合剤（例えば第三
級アミン、ピリジン等）を用いることが有利であ
る。酸結合剤を大過剰量で用いることが好まし
く、従つて酸結合剤が同時に溶媒としての役割を
果すことができる。温度及び圧力は臨界的ではな
く、一般にこのエステル化は大気圧及び室温乃至
混合物の沸点間の温度で行われる。また、R4が
ヒドロキシを表わす式の化合物は、式の対応
する化合物の代りに、それ自体公知のエーテル開
裂法に従つてR4がアルコキシを表わす式の化
合物から得ることができる。
R4がハロゲンを表わす式の化合物はそれ自
体公知の方法においてマグネシウムにより対応す
るグリニアール化合物に転化することができる。
用いる溶媒は有利にはエーテル、好ましくはジエ
チルエーテルまたはテトラヒドロフランである。
この反応を行う圧力及び温度は臨界的ではない。
一般にこの反応は大気圧及び約０℃乃至反応混合
物の還元温度間、好ましくはほぼ室温で行われ
る。本明細書において用いる「ハロゲン」なる語
は塩素臭素またはヨウ素、特に臭素を表わす。
得られるグリニアール化合物を二酸化炭素によ
つて対応するカルボキシレートに転化することが
でき、次いでこのものをカルボン酸に加水分解す
ることができる。二酸化炭素との反応は、上記の
如くして得られるグリニアール化合物の溶液中に
約０℃で二酸化炭素ガスを導入するか、または該
溶液をドライアイス上に注ぐことによつて有利に
行われる。カルボキシレートの加水分解は強酸、
好ましくは希釈無機酸例えば塩酸、硝酸等を用い
て行うことができる。
生ずる酸または対応する酸ハロゲン化物もしく
は無水物の式R3OHのアルカノールによるエステ
ル化は上記のエステル化と同様の方法で行うこと
ができる。酸ハロゲン化物及び無水物はそれ自体
公知の方法において製造することができる；例え
ば酸塩化物は該酸を三塩化リン、五塩化リン、塩
化チオニル等との反応によつて得られ、無水物は
該酸を酢酸無水物、アセタルクロライド、エチル
クロロホルメート等と反応させて得られる。また
メチルエステルは対応するカルボン酸を不活性有
機溶媒、好ましくはジエチルエーテル中にてジア
ゾメタンと反応させて得ることができる。
出発物質として用いる式の化合物は一般式 式中、R4及びｎは上記の意味を有する、 の化合物を一般式 式中、R1は上記の意味を有する、 の化合物から誘導された酸塩化物でアシル化して
製造することができる。この反応はフリーデル−
クラフツ・アシル化に対するそれ自体公知の方法
（及び特に上記のフリーデル−クラフツ・アシル
化法と同様）に従つて行うことができる。酸塩化
物は例えば対応する式の酸を塩化チオニルと共
に加熱して製造することができる。
式及びの化合物は公知であるか、または公
知の化合物の同族体である。
式の化合物は他の液晶或いは非液晶物質例え
ばシツフ（Schibb）塩基、アゾベンゼン、アゾ
キシベンゼン、安息香酸フエニル、シクロヘキサ
ンカルボン酸フエニルエステル、ビフエニル、タ
ーフエニル、フエニルシクロヘキサン、ケイ皮酸
誘導体、フエニルピリミジン、ジフエニルピリミ
ジン、フエニルジオキサン、シクロヘキシルフエ
ニルピリミジン、シクロヘキシルエタン等との混
合物の形態で用いることができる。かかる化合物
は当該分野に精通せる者にとつてはよく知られた
公知の化合物である；例えば次の特許参照：ドイ
ツ国特許出願公開明細書第2306738号、同第
2306739号、同第2429093号、同第2356085号、同
第2636684号、同第2459374号、同第2547737号、
同第2641724号、同第2708276号、同第2811001号、
同第2922236号、東ドイツ国特許第139852号、同
第139867号、ヨーロツパ特許出願公開第0014885
号。更に、かかる物質の多くのものは市販されて
いる。
本発明における混合物は加えて、一般式 式中、環Ｂは飽和されているか、または芳香族
であり、存在し得る飽和した環Ｂは第二の環にト
ランス−結合しており；R13は炭素原子１〜11個
を含む直鎖状のアルキルまたはアルコキシ基を表
わし；R14はシアノ、炭素原子１〜11個を含む直
鎖状のアルキル、一般式 のエステル基、または環Ｂが飽和されている場合
には、追加的に炭素原子１〜11個を含む直鎖状の
アルコキシ基を表わし；ここに式XIIのエステル
基において、環Ａは芳香族であり、Ｘは酸素また
は硫黄を表わし、そしてR15はシアノまたは炭素
原子１〜10個を含む直鎖状のアルキルもしくはア
ルコキシ基を表わすか、或いは環Ａはトランス−
１，４−二置換されたシクロヘキサン環を表わ
し、Ｘは酸素を表わし、そしてR15はシアノまた
は炭素原子１〜10個を含む直鎖状のアルキル基を
表わし；存在するアルキル及び／またはアルコキ
シ基における炭素原子の総数は多くとも12個であ
る、 の水素添加されたナフタレン及び／または一般式 式中、R16は炭素原子１〜11個を含む直鎖状の
アルキル基を表わし；R17はシアノ、炭素原子１
〜11個を含む直鎖状のアルキル基または上記式
XIIのエステル基を表わし、ここにＸ、Ａ及びR15
は上記の意味を有し；そして存在するアルキル及
びアルコキシ基における炭素原子の総数は多くと
も12個である、 のベンゾオキサン及び／または一般式 式中、記号Ｙは窒素を表わし、そして記号Ｚは
＝CH−を表わすか、或いは記号Ｚは窒素を表わ
し、そして記号Ｙは＝CH−を表わし、R18はア
ルキルを表わし、そしてR19はシアノ、アルキ
ル、ｐ−アルキルフエニルまたはトランス−４−
アルキルシクロヘキシルを表わし、アルキルなる
語は炭素原子１〜12個を含む直鎖状のアルキルを
表わし、或いはまた残基R18またはR19の一つは
分枝鎖状のアルキル基C2H5−CH（CH3）−（CH2）
ｍ−を表わし、ここにｍは１〜３の整数であり、
そして存在するアルキル基における炭素原子の和
は多くとも14個である、 のトランス−（４−アルキルシクロヘキシル）ピ
リミジン及び／または一般式 式中、環Ａは芳香族であるか、またはトランス
−１，４−二置換されたシクロヘキサン環を表わ
し；R24はメチルまたは基−CH2R′、−OR′、−CO
−R′、−CN、−COOH、−CR−OR′、−CR−
SR′または−Ｏ−CO−R′の一つを表わし；R23は
水素、メチルまたは基−CH2R、−OR、−CH2OR
の一つを表わすか、或いはR24がメチルまたは基
−CH2R′、−OR′もしくは−CO−R′の一つを表わ
す場合、R23は−CN、−COOH、−CO−OR、−
CO−SRまたは−Ｏ−CO−Ｒを表わし；ここに
Ｒ及びR′は直鎖状または分枝鎖状のアルキル基
を表わし；R23またはR24における炭素原子の数
は12個までであり、そしてR23及びR24における
炭素原子の数は一緒にして多くとも14個である、 の赤道的に（equatorially）置換されたトランス
−デカリンを含むことができる。
式XI、、及びの化合物
は新規のものである。R14がシアノ、直鎖状のア
ルキルまたは直鎖状のアルコキシを表わす式XI
の化合物及びR17がシアノまたは直鎖状のアルキ
ルを表わす式の化合物はなかでもも液晶混
合物におけるドーピング（doping）剤として適
しており、一般にこのもの自体は液晶性ではな
い。従つて、かかるドーピング剤を含む混合物の
場合には、混合物全体が液晶特性を有する様に十
分な量の液晶特性をもつ少なくとも１種の化合物
を加えて含むように注意しなければならない。一
方、残りの式XI及びの化合物並びに式
及びの化合物は相当の程度でそれ自
体液晶である。
式XIの化合物は、 (a) R14が式XIIのエステル基を表わす式XIの
化合物を製造するために、一般式 式中、R13及びＢは上記の意味を有する、 の化合物またはその反応性誘導体、例えば対応
する酸塩塩化物を一般式 式中、Ｘ、Ａ及びR15は上記の意味を有す
る、 の化合物でエステル化し、 (b) R14がシアアノを表わす式XIの化合物を製
造するために、一般式 式中、R13及びＢは上記の意味を有する、 の化合物を脱水し、 (c) R14が直鎖状のアルキル基を表わす式XIの
化合物を製造するために、一般式 式中、n1は０〜10の整数を表わし、そして
R13及びＢは上記の意味を有する、 の化合物を塩基の存在下においてヒドラジンと
反応させ、 (d) 環Ｂが飽和されており、そしてR14が直鎖状
のアルコキシ基を表わす式XIの化合物を製造
するために、一般式 式中、R13は上記の意味を有する の化合物をエーテル化する、 ことによつて製造することができる。
式の化合物は公知であるか、または公知
の化合物の同族体である。式XI〜の化
合物の製法を次の反応Ａ〜Ｃによつて示す；反応
式中、R13、Ｂ及びn1は上記の意味を有し、n2は
１〜10の整数を表わし、記号（〜〜）はその置換
基がα−またはβ−配置（式の面の下または上）
を有することを示し、点線（……）はこれによつ
て表わされる結合の一つが二重結合であることを
示す。
式の化合物は、 (a) R17が式XIIのエステル基を表わす式
の化合物を製造するために、一般式 式中、R16は上記の意味を有する、 の化合物を前記の式の化合物でエステル
化し、 (b) R17がシアノを表わす式の化合物を製
造するために、一般式 式中、R16は上記の意味を有する、 の化合物を脱水し、 (c) R17が炭素原子２〜11個を含む直鎖状のアル
キル基を表わす式の化合物を製造するた
めに、一般式 式中、n3は０〜９の整数を表わし、そして
R16は上記の意味を有する、 の化合物を接触水素添加し、 (d) R17がメチル基を表わす式の化合物を
製造するために、一般式 式中、R16は上記の意味を有する、 の化合物を塩基のの存在下においてヒドラジン
と反応させる、 ことによつて製造することができる。
出発物質として用いた式〜の化
合物は次の反応式Ｄに従つて製造することができ
る；反応式中、R16及びn3は上記の意味を有する。
式の化合物は (a) R19はアルキル、ｐ−アルキルフエニルまた
はトランス−４−アルキルシクロヘキシルを表
わす式の化合物を製造するために、一般
式 の化合物を塩基、好ましくはアルコレートの存
在下において一般式 式中、R20及びR22の一方はトランス−４−
アルキルシクロヘキシルを表わし、他方はアル
キル、ｐ−アルキルフエニルまたはトランス−
４−アルキルシクロヘキシルを表わし、そして
R21は低級アルキルを表わす、 の化合物の酸付加塩、好ましくは塩酸塩と反応
させ、 (b) R19がシアノを表わす式の化合物を製
造するために、一般式 式中、R16、Ｙ及びＺは上記の意味を有す
る、 の化合物を脱水し、 (c) 記号Ｙが＝CH−を表わし、Ｚが窒素を表わ
し、そしてR19がシアノを表わす式の化
合物を製造するために、一般式 式中、R18は上記の意味を有する、 の化合物を脱水する、 ことによつて製造することができる。
「低級アルキル」なる語には炭素原子１〜５個
を含むアルキル基が包含される。
式及びの化合物は公知である
かまたは公知の化合物の同族体である〔Z.
Naturforsch.33b、433（1978）及び34b、1535
（1979）〕。
式及びの出発物質の製造は次
の反応式Ｅ及びＦによつて説明される；反応式
中、R13は上記の意味を有する。
反応式Ｅ及びＦに用いた出発物質またはこれら
の化合物の同族体は例えばZ.Naturforsch.34b、
1535（1979）及びMol.Cryst.Liq.Cryst.37、189
（1976）または42、215（1977）に記載されている。
式の化合物は次の反応式Ｇ〜Ｍに基づ
いて製造することができる。反応式中、Ａ、Ｒ及
びR′は上記の意味を有し、R″は容易に離脱する
アルコール保護基を表わし：R25は水素、メチル
または基−CH2R、−OR、−OR″−CH2ORまたは
−CH2OR″の一つを表わし；R26は水素またはア
ルキルを表わし；R27はR25に対応する等価の一
つまたは基−CO−ORもしくは−Ｏ−CO−Ｒを
表わし；R23はR25に対応する当価の一つまたは
−CO−OR、−Ｏ−CO−Ｒもしくは−COOHの一
つを表わし；Ｘは酸素または硫黄を表わし；X1
は臭素またはヨウ素を表わし；Tsはｐ−トシル
基を表わし；記号〜〜はその結合が図面の上また
は下にあることができる、即ち式の化合
物におけるシアノ基は軸または赤道上の配置を有
することができるか、或いは式Ｌの化合物に
おけるシクロヘキサン環はトランス−またはシス
−二置換されていてもよいことを示す；残りの場
合において、用いた（飽和）デカリン構造式は置
換基の赤道的配置を有するトランス−デカリンを
意味するとと理解されたい。
式の化合物のジアステレオマー混合物
はクロマトグラフイーによつて分離することがで
きる。しかしながら、式Ｌの酸への転化、分
別結晶による分離及び式ａのニトリルへ
の転化がより適当である。一方、式のニ
トリルを式Ｌの化合物に転化する場合、その分
離はグリニアール反応、、続いて平衡加水撫解の
後にのみ、式Ｌの化合物の結晶化によつて有利
に行われる。
また式Ｌの酸は例えば式Ｌのアルデヒ
ドから過マンガン酸カリウムによる酸化によつて
得ることもできる。
必要に応じて式Ｌの酸のラセミ体を光学的
対掌体に分割することができる。かくして、有利
には式Ｌの酸を光学的活性塩基、例えば光学
的活性フエニルエチルアミン、エフエドリン、シ
ンコニジン、ナフチルエチルアミン、メチルベン
ジルアミン等と反応させ、得られるジアステレオ
マー塩の混合物を結晶化によつて分離し、得られ
る光学的活性塩を加水分解する。かくて式
の全ての化合物は、式Ｌの光学的活性から
出発して、光学的活性型で得ることができる。
基R″に対して用いた「容易に離脱させ得るア
ルコール保護基」なる語にはアルコキシ基に影響
を及ぼさぬ条件下で離脱させ得るアルコール保護
基が包含される。かかる基R″の好ましい例はベ
ンジル基及びテトラヒドロピラニル基〔Adv.
Org.Chem.３（1963）216〕、式−CH2OCH3〔J.
Amer.Chem.Soc.99、1275（1977）〕及び−
CH2OCH2CH2OCH3（Tetrahedron Letters1976、
809）の基、ｔ−ブチル−ジメチル−シリル基
〔J.Amer.Chem.Soc.94、6190（1972）〕等である。
ベンジル基は例えば接触水素添加によつて離脱さ
せることができる；パラジウム／炭素が好ましい
触媒である。基−CH2OCH3、テトラヒドロピラ
ニル基及びｔ−ブチル−ジメチル−シリル基は強
酸例えば硫酸、塩化水素酸、ｐ−トルエンスルホ
ン酸等との反応によつて除去することができる。
基−CH2OCH2CH2OCH3の除去は例えば塩化メ
チレン中にて室温で臭化亜鉛（）または塩化チ
タン（）との反応によつて行うことができる。
またｔ−ブチル−ジメチル−シリル基はフルオラ
イド、好ましくはアルカリ金属フルオライドまた
はテトラアルキルアンモニウムフルオライド、例
えばフツ化カリウム、テトラブチルフツ化アンモ
ニウム等との反応によつて離脱させることができ
る。かかる保護基の導入は、例えば保護するアル
コールを必要に応じて塩基の存在下において塩化
ベンジル、ジヒドロピラン、クロロメチルメチル
エーテル、β−メトキシエトキシ−メチルクロラ
イド、ｔ−ブチル−ジメチル−シリルクロライド
等と反応させることによつて行うことができる。
アルコール保護基の導入及び離脱に関する詳細は
上記の文献に記載されている。
本発明における液晶混合物は、１種またはそれ
以上の式の化合物に加えて、好ましくは１種ま
たはそれ以上の次の化合物を含有する： 一般式 式中、R29は炭素原子２〜７個を含む直鎖状の
アルキルまたはアルコキシ基を表わす、 の４−シアノビフエニル、一般式 式中、R30は炭素原子３〜７個を含む直鎖状の
アルキル基を表わす、 のトランス−ｐ−（４−アルキルシクロヘキシル）
ベンゾニトリル、一般式 式中、R30は上記の意味を有する、 のｐ−（５−アルキル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル、一般式 式中、R30は上記の意味を有する、 のｐ−（トランス−５−アルキル−ｍ−ジオキサ
ン−２−イル）ベンゾニトリル、一般式 式中、R31は炭素原子２〜７個を含む直鎖状の
アルキル基を表わす、 のｐ−アルキル安息香酸p′−シアノフエニルエス
テル、一般式 式中、R30は上記の意味を有し、そしてR32は
シアノまたは炭素原子１〜３個を含む直鎖状のア
ルコキシ基を表わす、 のトランス−４−アルキルシクロヘキサンカルボ
ン酸フエニルエステル、一般式 式中、R31は上記の意味を有する、 のトランス−ｐ−〔５−（４−アルキルシクロヘキ
シル）−２−ピリミジニル〕ベンゾニトリル及び
一般式 式中、R30は上記の意味を有する、 の２−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−シアノフエニル）−エタン。
混合物の各成分の重量比は好ましくは共融
（eutectic）組成物に対応するものである。しか
しながら、本発明における液晶混合物中の式の
化合物の量は一般式に約１〜約90モル％、好まし
くは約10〜約85モル％である。しかしながら、こ
の混合物は、また混合物全体が液晶特性を有する
ように、十分な量で少なくとも１種の液晶化合物
を含んでいなければならない。
更に、本発明における混合物は光学的活性化合
物、例えば光学的活性ビフエニル類、並びに／ま
たは二色性（dichroic）着色物質、例えばアゾ、
アゾキン及びアントラキノン着色物質を含むこと
ができる。かかる化合物の量は所望のピツチ
（pitch）色調、吸光（extinction）、溶解度等に
よつて決定される。
本発明における液晶混合物の製造はそれ自体公
知の方法において、例えば各成分の混合物をわず
かに透明点よりも高い温度に加熱し、次に冷却す
ることによつて行うことができる。
また式の化合物の１種またはそれ以上を含む
電子−光学装置の製造はそれ自体公知の方法にお
いて、例えば適当なセルを空にし、そしてこの空
にしたセルに対応する化合物または混合物を導入
することによつて行うことができる。
また、本発明は本明細書に記載した全ての新規
な化合物、混合物、製法、用途及び装置に関す
る。
好ましい混合物の例は次の混合物実施例１〜12
であり、該実施例においてηは粘度（バルク粘
度）を表わし、△εは誘電異方性を表わす。式
XI及びの化合物を２つの赤道的２，６−
二置換された異性体として各々の場合に用いた。
混合物実施例 １ ｐ−（５−ペンチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル５モル％、 ｐ−（５−ヘプチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトル９％、 トランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボ
ン酸ｐ−メトキシフエニルエステル16モル％、 トランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボ
ン酸ｐ−プロピルオキシフエニルエステル25モル
％、 ｐ−〔５−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−２−ピリミジニル〕ベンゾニトリル６モ
ル％、 ｐ−〔（4aαH，8aβH）−デカヒドロ−6β−プロ
ピル−2α−ナフチル〕ベンゾニトリル８モル％、 β−〔（4aαH，8aβH）−デカヒドロ−6β−ペン
チル−2α−ナフチル〕ベンゾニトリル６モル％、 ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−エトキシフエニル）エタン25モル
％； 融点＜０℃、透明点69℃、η（22℃）＝28.2cp、
ネマテイツク。
混合物実施例 ２ ｐ−（５−ペンチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル６モル％、 ｐ−（５−ヘプチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル12モル％、 トランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボ
ン酸ｐ−メトキシフエニルエステル20モル％、 トランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボ
ン酸ｐ−プロピルオキシフエニルエステル26モル
％、 ｐ−〔（4aαH，8aβH）−デカヒドロ−6β−エチ
ル−2α−ナフチル〕ベンゾニトリル８モル％ ｐ−〔（4aαH，8aβH）−デカヒドロ−6β−プロ
ピル−2α−ナフチル〕ベンゾニトリル８モル％、 ｐ−〔（4aαH，8aβH）−デカヒドロ−6β−ペン
チル−2α−ナフチル〕ベンゾニトリル８モル％、 ２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−エトキシフエニル）エタン； 融点＜０℃、透明点63.5℃、η（22℃）＝
32.5cp、テマテイツク。
混合物実施例 ３ ｐ−（５−ペンチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル７モル％、 ｐ−（５−ヘブチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル13モル％ トランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボ
ン酸ｐ−メトキシフエニルエステル21モル％、 トランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボ
ン酸ｐ−プロピルオキシフエニルエステル27モル
％、 ｐ−〔５−（トランス−４−エチルシクロヘキシ
ル）−２−ピリミジニル〕ベンゾニトリル11モル
％、 ｐ−〔５−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−２−ピリミジニル〕ベンゾニトリル８モ
ル％、 ２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−エトキシフエニル）エタン13モル
％； 融点＜０℃、透明点80℃、ネマテイツク。
混合物実施例 ４ ｐ−（５−ペンチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル５モル％、 ｐ−（５−ヘプチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル８モル％、 トランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボ
ン酸ｐ−メトキシフエニルエステル14モル％、 トランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボ
ン酸ｐ−プロピルオキシフエニルエステル21モル
％、 ｐ−〔５−（トランス−４−エチルシクロヘキシ
ル）−２−ピリミジニル〕ベンゾニトリル９モル
％、 ｐ−〔５−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−２−ピリミジニル〕ベンゾニトリル６モ
ル％、 ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−エトキシフエニル）エタン37モル
％； 融点＜０℃、透明点70℃、η（22℃）＝26.3cp、
ネマテイツク。
混合物実施例 ５ トランス−４−ブチルシクロヘキサンカルボン
酸ｐ−エトキシフエニルエステル17モル％、 トランス−４−ブチルシクロヘキサンカルボン
酸ｐ−ペンチルオキシフエニルエステル19モル
％、 トランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボ
ン酸ｐ−メトキシフエニルエステル16モル％、 トランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボ
ン酸ｐ−プロピルオキシフエニルエステル22モル
％、 ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−エトキシフエニル）エタン26モル
％； 融点＜０℃、透明点62.2℃、η（22℃）＝
21.0cp、△ε＝−1.09、ネマテイツク。
混合物実施例 ６ ｐ−（５−ペンチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル６％、 ｐ−（５−ヘプチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル12モル％、 トランス−４−ペンチルシクロヘキシルカルボ
ン酸ｐ−メトキシフエニルエステル19モル％、 ｐ−〔５−（トランス−４−エチルシクロヘキシ
ル）−２−ピリミジニル〕ベンゾニトリル12モル
％、 ｐ−〔５−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−２−ピリミジニル〕ベンゾニトリル７モ
ル％、 ｐ−〔２−（トランス−４−ヘブチルシクロヘキ
シル）エチル〕ベンゾニトリル12モル％、 ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−ブチルオキシフエニル）エタン32モ
ル％； 融点＜０℃、透明点69℃、η（22℃）＝28.5cp、
ネマテイツク。
混合物実施例 ７ ｐ−（５−ペンチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル５モル％、 ｐ−（５−ヘプチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル９モル％、 トランス−４−ブチルシクロヘキサンカルボン
酸ｐ−エトキシフエニルエステル16モル％、 トランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボ
ン酸ｐ−メトキシフエニルエステル15モル％、 ｐ−〔５−（トランス−４−エチルシクロヘキシ
ル）−２−ピリミジニル〕ベンゾニトリル11モル
％、 ｐ−〔５−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−２−ピリミジニル〕ベンゾニトリル７モ
ル％、 ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−エトキシフエニル）エタン37モル
％； 融点＜０℃、透明点71℃、η（22℃）＝28.2p、
ネマテイツク。
混合物実施例 ８ ｐ−ブチル安息香酸p′−シアノフエニルエステ
ル５モル％、 ｐ−（５−ペンチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル５モル％、 ｐ−（５−ヘプチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル９モル％、 ｐ−〔５−（トランス−４−エチルシクロヘキシ
ル）−２−ピリミジニル〕ベンゾニトリル10モル
％、 ｐ−〔２−トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）エチル〕ベンゾニトリル34モル％、 ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−エトキシフエニル）エタン37モル
％； 融点＜10℃、透明点54℃、η（22℃）＝27.0cp、
ネマテイツク。
混合物実施例 ９ ｐ−（５−ペンチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル４モル％、 ｐ−（５−ヘプチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル７モル％、 トランス−４−ブチルシクロヘキサンカルボン
酸ｐ−エトキシフエニルエステル12モル％、 トランス−４−ペンチルシクロヘキシサンカル
ボン酸ｐ−メトキシフエニルエステル11モル％、 ｐ−〔５−（トランス−４−エチルシクロヘキシ
ル）−２−ピリミジニル〕ベンゾニトリル９モル
％、 ６−ペンチル−トランス−デカリン−２−カル
ボン酸ｐ−エチルフエニルエステル５モル％、 ６−ブチル−トランス−デカリン−２−カルボ
ン酸トランス−４−ペンチル−１−シクロヘキシ
ルエステル７モル％、 ｐ−〔２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）エチル〕ベンゾニトリル27モル％、 ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−ブチルオキシフエニル）エタン18モ
ル％； 融点＜−10℃、透明点63℃、η（22℃）＝
27.0cp、ネマテイツク。
混合物実施例 10 ｐ−（５−ペンチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル３モル％、 ｐ−（５−ヘプチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル８モル％、 トランス−４−ブチルシクロヘキサンカルボン
酸ｐ−エトキシフエニルエステル10モル％、 トランス−４−ペンチルシクロヘキシルカルボ
ン酸ｐ−メトキシフエニルエステル９モル％、 トランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボ
ン酸ｐ−プロピルオキシフエニルエステル15モル
％、 ｐ−〔５−（トランス−４−エチルシクロヘキシ
ル）−２−ピリミジニル〕ベンゾニトリル７モル
％、 ｐ−〔５−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキ
シル）−２−ピリミジニル〕ベンゾニトリル９モ
ル％、 ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−エトキシフエニル）エタン24モル％、 ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−ブチルオキシフエニル）エタン15モ
ル％； 融点＜−10℃、透明点69℃、η（22℃）＝
25.8cp、ネマテイツク。
混合物実施例 11 ｐ−（５−ペンチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル４モル％、 ｐ−（５−ヘプチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル６モル％、 トランス−４−ブチルシクロヘキサンカルボン
酸ｐ−エトキシフエニルエステル13モル％、 トランス−４−ペンチルシクロヘキシルカルボ
ン酸ｐ−メトキシフエニルエステル12モル％、 ｐ−〔５−（トランス−４−エチルシクロヘキシ
ル）−２−ピリミジニル〕ベンゾニトリル８モル
％、 ｐ−〔５−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキ
シル）−２−ピリミジニル〕ベンゾニトリル10モ
ル％、 ｐ−〔２−（トランス−４−ペントルシクロヘキ
シル）エチル〕ベンゾニトリル29モル％、 ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−ブチルオキシフエニル）エタン18モ
ル％； 融点＜−10℃、透明点74℃、η（22℃）＝
28.3cp、ネマテイツク。
混合物実施例 12 ｐ−（５−ペンチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル８モル％、 ｐ−（５−ヘプチル−２−ピリミジニル）ベン
ゾニトリル14モル％、 トランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボ
ン酸ｐ−メトキシフエニルエステル23モル％、 トランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボ
ン酸ｐ−プロピルオキシフエニルエステル29モル
％、 トランス−４−（ｐ−ペンチルフエニル）シク
ロヘキサンカルボン酸トランス−４−プロピルシ
クロヘキシルエステル11モル％、 ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−エトキシフエニル）エタン15モル
％； 融点＜０℃、透明点60.3℃、η（22℃）＝
30.0cp、ネマテイツク。
本発明における式の化合物の製造を次の実施
例を基にして説明する。相転位に対して用いた略
号は次の意味を有する；Ｃは結晶性を表わし、
SAはスメクテイツクＡを表わし、SBはスメクテ
イツクＢを表わし、Ｎはネマテイツクを表わしそ
してＩは等方性相を表わす（従つて、例えばSB−
Ｎは相転位スメクテイツクＢ−ネマテイツクを表
わす）。
実施例 １ ４−エトキシ−α−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）アセトフエノン9.7ｇ、ジエチ
レングリコール125ml、エタノール50ml、ヒドラ
ジン水和物6.2ｇ及び水酸化カリウム8.2ｇの混合
物を浴温110℃で４時間加熱沸騰させた。その後、
浴温を220℃に上昇させ、エタノール及び過剰量
のヒドラジン水和物を留出させた。次に混合物を
内部温度180℃に更に4.5時間加熱し、一夜放置
し、混合物を氷水に注ぎ、生成物をエーテル各
150mlに３回採り入れた。合液した有機相を水で
洗浄して中性にし、硫酸ナトリウム上で乾燥し、
蒸発させ、球管中にて180℃／約1Torrで蒸留し
た。生じた２−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）−１−（ｐ−エトキシフエニル）エタン
7.4ｇ（純度約98.5％）を約−20℃でイソプロパ
ノールから１回、そしてジイソプロパノールから
１回再結晶させた；融点（Ｃ−Ｎ）18℃または27
℃（２つの変態）、転位点SB−N8℃（モノトロピ
ツク）、透明点（Ｎ−１）47℃。
出発物質として用いた４−エトキシ−α−（ト
ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）アセトフ
エノンは次の如くして製造することができた： ジクロロメタン120ml中のトランス−４−ペン
チルシクロヘキシル酢酸クロライド（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル酢酸8.0ｇをベンゼ
ン75ml中の塩化チオニル4.1mlと共に２時間沸騰
させ、次に生成物を蒸発させて製造したもの）
8.7ｇ及びフエノレート4.6ｇを不活性ガス雰囲気
下にて塩化アルミニウム5.5ｇで一部づつ処理し
た。この混合物を室温で５時間撹拌し、次に濃塩
酸50mlを含む氷水中に注いだ。有機相を分離し、
水相をジクロロメタン300mlで逆抽出した。合液
した有機相を順次水、3N水酸化ナトリウム、水
及び飽和塩化ナトリウム溶液で洗浄し、硫酸ナト
リウム上で乾燥し、過し、そして蒸発させた。
粗製の油状の４−エトキシ−α−（トランス−４
−ペンチルシクロヘキシル）アセトフエノン9.7
ｇが得られた。
上記同様の方法で次の化合物を製造することが
できた： ２−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−
１−（ｐ−エトキシフエニル）エタン；融点（Ｃ
−Ｉ）20.5℃、透明点（SB−Ｉ）３℃〔モノトロ
ピツク（monotropic）〕； ２−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−
１−（ｐ−ブチルオキシフエニル）エタン；融点
（Ｃ−Ｎ）４℃、転位点SB−N0℃（モノトロピツ
ク）、透明点（Ｎ−Ｉ）6.5℃； ２−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−
１−（ｐ−ヘキシルオキシフエニル）エタン；融
点（Ｃ−Ｎ）10℃、転位点SB−N1℃（モノトロ
ピツク）、透明点（Ｎ−Ｉ）13℃； ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−エトキシフエニル）エタン；融点
（Ｃ−Ｎ）21℃、透明点（Ｎ−Ｉ）34℃； ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−プロピルオキシフエニル）エタン；
融点（Ｃ−Ｉ）20.5℃、転位点SB−N13.5℃（モ
ノトロピツク）、透明点（Ｎ−Ｉ）19.5℃（モノ
トロピツク）； ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−ブチルオキシフエニル）エタン；融
点（Ｃ−Ｎ）20.5℃、転位点SB−N20℃（モノト
ロピツク）、透明点（Ｎ−Ｉ）33℃； ２−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−
１−（ｐ−メトキシフエニル）エタン；融点（Ｃ
−Ｉ）28℃、透明点（Ｎ−Ｉ）16.5℃（モノトロ
ピツク）； ２−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−
１−（ｐ−エトキシフエニル）エタン；融点（Ｃ
−SB）10℃、転位点SB−N11℃、透明点（Ｎ−
Ｉ）32℃； ２−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−
１−（ｐ−ブチルオキシフエニル）エタン；融点
（Ｃ−SB）11℃、透明点（SB−Ｉ）37℃； ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−メトキシフエニル）エタン；融点
（Ｃ−Ｎ）31℃、透明点（Ｎ−１）33℃； ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−プロピルオキシフエニル）エタン；
融点（Ｃ−SB）4.5℃、転位点SB−N32.5℃、透明
点（Ｎ−Ｉ）33.5℃； ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−ブチルオキシフエニル）エタン；融
点（Ｃ−SB）25.5℃、転位点SB−N44℃、透明点
（Ｎ−Ｉ）45℃； ２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−メトキシフエニル）エタン；融点
（Ｃ−Ｎ）28.5℃、転位点SB−N17℃（モノトロ
ピツク）、透明点（Ｎ−Ｉ）40℃； ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−エトキシフエニル）エタン；融点
（Ｃ−Ｎ）36℃、転位点SB−N30℃（モノトロピ
ツク）、透明点（Ｎ−Ｉ）51℃； ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−ベンチルフエニル）エタン；融点
（Ｃ−SB）３℃、透明点（SB−Ｉ）６℃； ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−（ｐ−プロピルフエニル）エタン；融点（Ｃ−
SB）4.5℃、透明点（SB−Ｉ）18℃； ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−ペンチルフエニル）エタン；融点
（Ｃ−SB）9.5℃、透明点（SB−Ｉ）30℃； ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−ヘキシルフエニル）エタン；融点
（Ｃ−SB）11℃、透明点（SB−Ｉ）34℃； ２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−（ｐ−ブチルフエニル）エタン；融点（Ｃ
−SB）3.5℃、透明点（SB−Ｉ）30.5℃；SB一相
からの結晶は−24℃に冷却してもできなかつた。
実施例 ２ ４−（4′−ペンチルフエニル）−α−（トランス
−４−プロピルシクロヘキシル）アセトフエノン
4.3ｇ、ジエチレングリコール75ml、エタノール
25ml、ヒドラジン水和物2.2ｇ及び水酸化カリウ
ム7.0ｇの混合物を浴温110℃で４時間加熱沸騰さ
せた。その後、浴温を220℃に上昇させ、エタノ
ール及び過剰量のヒドラジン水和物を留出させ
た。次にこの混合物を内部温度180℃に更に５時
間加熱し、放冷し、水で希釈し、ジエチルエーテ
ルで抽出した。有機相を水で洗浄して中性にし、
硫酸ナトリウム上で乾燥し、そして蒸発させた。
得られた黄色泡状物（3.9ｇ）をイソプロパノー
ルから１回、そしてエタノールから１回「再結
晶」させた。２−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）−１−（4′−ペンチル−４−ビフエニ
リル）エタン2.7ｇが得られ、このものはたぶん
室温でスメクテイクである；相転位点43.5℃及び
130℃、転位点SA−N132.5℃、透明点（Ｎ−Ｉ）
141.5℃。
出発物質として用いた４−（4′−ペンチルフエ
ニル）−α−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）アセトフエノンは次の如くして製造するこ
とができた： ジクロロメタン125ml中のトランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル酢酸クロライド3.5ｇ及び４
−ペンチルビフエニル4.0ｇの混合物を15分以内
に塩化アルミニウム2.6ｇで一部づつ処理した。
この混合物を室温で５時間撹拌し、次に2N塩酸
250mlを注いだ。有機相を分離し、水相をジクロ
ロメタン各150mlで２回逆抽出した。合液した有
機相を順次水、1N水酸化ナトリウム溶液及び水
で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、そして蒸
発させた。粗製の生成物を沸騰アセトンに溶解
し、少量の活性炭を用いて熱時過した。冷却し
た際に、４−（4′−ペンチルフエニル）−α−（ト
ランス−４−プロピルシクロヘキシル）アセトフ
エノンが晶出した。収量4.3ｇ；融点（Ｃ−SA）
100℃、透明点（SA−Ｉ）143℃。
上記同様の方法で次の化合物を製造することが
できた： ２−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−
１−（4′−プロピル−４−ビフエニリル）エタ
ン；融点約55℃、転位点Ｓ−SB51.5℃、転位点SB
−N98.5℃、透明点（Ｎ−Ｉ）121.5℃； ２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−１−（4′−ブチルオキシ−４−ビフエニリル）
エタン；融点（Ｃ−Ｓ）84.5℃、転位点Ｓ−SA
139.5℃、転位点SA−N152.5℃、透明点（Ｎ−Ｉ）
172.5℃。
実施例 ３ (a) 実施例１と同様の方法で、ｐ−〔２−（トラン
ス−４−ブチルシクロヘキシル）エチル〕フエ
ノールを製造した（フエノールのフリーデル−
クラフツアシル化に対する溶媒；ニトロベンゼ
ンまたはニトロメタン）；融点101.5〜102.5℃。
(b) ベンゼン３ml中の酪酸クロライド0.68ｇの溶
液を撹拌しながら、乾燥ピリジン５ml中のｐ−
〔２−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）
エチル〕フエノール1.6ｇの溶液に滴下した。
この混合物を一夜放置し、氷／水に注ぎ、ジエ
チルエーテルで抽出した。有機相を3N塩酸で
数回洗浄し、水で洗浄して中性にし、硫酸ナト
リウム上で乾燥し、そして蒸発させた。このス
メクテイク粗製の生成物（2.05ｇ）をシリカゲ
ル上でへキサン／ジエチルエーテル（19：１）
を用いてクロマトグラフによつて精製した。薄
層クロマトグラフによつて純粋な物質であるフ
ラクシヨン（1.9ｇ）を−20℃でイソプロパノ
ールから１回、そしてエタノールから１回再結
晶した。分析的に純ｐ−〔２−（トランス−４−
ブチルシクロヘキシル）−１−エチル〕フエニ
ルブチレート0.8ｇを得た；融点−13℃または
＋４℃（２つの変態）、透明点（SB−Ｉ）45℃。
ｐ−〔２−（トランス−４−ブチルシクロヘキシ
ル）エチル〕フエノールは次の方法で得ることが
できた： ジクロロメタン50ml中の２−（トランス−４−
ブチルシクロヘキシル）−１−（ｐ−メトキシフエ
ニル）エタン（実施例１における如くして製造し
たもの）4.7ｇの溶液をジクロロエタン100ml及び
エチルメルカプタン10ml中の塩化アルミニウム
6.9ｇの溶液に滴下し、この混合物を室温で４時
間撹拌し、次に氷／水に注ぎ、有機相を分離し、
水相をジクロロメタン各100mlで２回抽出した。
合液した有機相を飽和塩化ナトリウム溶液で洗浄
して中性にし、硫酸ナトリウム上で乾燥し、そし
て蒸発させた。生じた粗製のｐ−〔２−（トランス
−４−ブチルシクロヘキシル）エチル）エチル〕
フエノール（4.4ｇ）をヘキサンから再結晶させ
た。収量3.8ｇ；融点101.5〜102.5℃。
上記同様の方法で次の化合物を製造することが
できた： ｐ−〔２−（トランス−４−ブチルシクロヘキシ
ル）−１−エチル〕フエニルアセテート；融点
（Ｃ−Ｉ）32.5℃、透明点（Ｎ−Ｉ）23℃（モノ
トロピツク）； ｐ−〔２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕フエニルアセテート；融点
（Ｃ−Ｉ）41.5℃、透明点（Ｎ−Ｉ）40.5℃（モ
ノトロピツク）； ｐ−〔２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕フエニルブチレート；融点
（Ｃ−SB）31℃、透明点（SB−Ｉ）52℃。
実施例 ４ ジクロロメタン100ml中の２−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）−１−フエニルエタン
（ベンゼンのフリーデル−クラフツアシル化及び
得られたケトンの還元によつて実施例１と同様に
して製造したもの）4.6ｇ及びプロピオン酸クロ
ライド1.94ｇの混合物を不活性ガス雰囲気下にて
塩化アルミニウム3.2ｇで一部づつ処理した。こ
の混合物を室温で５時間撹拌し、濃塩酸25mlと混
合した氷／水に注いだ。有機相を分離し、水相を
ジクロロメタン各100mlで逆抽出した。合液した
有機相を1N水酸化ナトリウムで洗浄し、水で洗
浄して中性にし、硫酸ナトリウム上で乾燥し、そ
して蒸発させた。生じたｐ−〔２−（トランス−４
−プロピルシクロヘキシル）−１−エチル〕プロ
ピオフエノン（5.5ｇ）をエタノールから２回再
結晶した；融点（Ｃ−Ｎ）40℃、透明点（Ｎ−
Ｉ）56℃。
上記同様の方法で次の化合物を製造することが
できた： ｐ−〔２−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕バレロフエノン；融点（Ｃ
−Ｉ）47.5℃、転位点SB−N30℃（モノトロピイ
ツク）、透明点（Ｎ−Ｉ）46℃（モノトロピツ
ク）； ｐ−〔２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕バレロフエノン；融点（Ｃ
−Ｎ）48.5℃、転位点SB−SA33℃（モノトロピツ
ク）、転位点SA−N39℃（モノトロピツク）、透明
点（Ｎ−Ｉ）57℃。
実施例 ５ (a) トランス−４−ペンチルシクロヘキサンカル
ボキシアルデヒド182.3ｇ、塩化メチレン２
及び（ｐ−メトキシカルボニルフエニル）メチ
ルートリフエニルホスホニウムブロマイド
589.6ｇの混合物を０〜５℃に冷却し、この冷
溶液を０〜５℃で約１時間以内に、メタノール
276ml中のナトリウム27.6ｇの溶液（ナトリウ
ムメチレート1.2モル）で処理した。得られた
褐−赤色溶液を０〜５℃で更に15分間撹拌し、
次に温度を放置して室温に上昇させた。この溶
液を室温で１時間撹拌し、撹拌溶器中に注ぎ、
５％重炭酸ナトリウム溶液１で洗浄した。上
部の無色の相を塩化メチレン250mlで逆抽出し
た。合液した塩化メチレン相を硫酸ナトリウム
上で乾燥し、過し、滴下ロートを介して連続
的に合計５のメタノールを加えながら、一部
蒸発させた。反応容量４及び蒸留温度63℃に
なつた際、反応混合物を−20℃に冷却し、この
温度で撹拌しながら30分以内に水400mlで処理
した。晶出したｐ−〔２−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）エテニル〕安息香酸メチ
ルエステルを吸引過し、−20℃で90％メタノ
ール１で洗浄し、結晶性の塊から十分圧搾し
て溶液を除去した。
(b) 得られた結晶性の塊を塩化メチレン1.5に
溶解し、水750mlで洗浄した。水相を塩化メチ
レン250mlで逆抽出し、合液した塩化メチレン
相を硫酸ナトリウム上で乾燥し、過し、容量
1.5に濃縮した。トリエチルアミン５ml及び
パラジウム／炭素（５％）５ｇを加え、この混
合物を、水素添加フラスコに水素を２回通気し
た後、室温で振盪しながら水素添加した。２時
間後、水素の吸収は停止し、触媒を別し、塩
化メチレン250mlで洗浄した。液を活性炭30
ｇで処理し、撹拌し、そして過した。過残
渣を塩化メチレン250mlで逆洗浄し、液を回
転蒸発機で蒸発させた。無色の油状残渣をメタ
ノール１で処理し、蒸気浴上で撹拌しながら
還流下で加熱し、これによつて油はほとんど完
全に溶解した。この混合物を撹拌しながら冷却
し、生成物を−25℃で晶出させた。結晶性の生
成物を別し、−25℃にてメタノール250mlで洗
浄し、結晶性の塊から圧搾して溶媒を除去し
た。減圧下にて窒素気流中で室温で乾燥した
後、結晶性のｐ−〔２−（トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル）−１−エチル〕安息香酸メ
チルエステル252ｇが得られ、このものを更に
シリカゲル上でトルエンによるガスクロマトグ
ラフイ及びペンタンから再結晶によつて精製す
ることができた；融点（Ｃ−Ｎ）36.7℃、透明
点（Ｎ−Ｉ）48.7℃。
上記同様の方法で次の化合物を製造することが
できた： ｐ−〔２−（トランス−４−エチルシクロヘキシ
ル）−１−エチル〕安息香酸メチルエステルル；
融点（Ｃ−Ｉ）34.2℃； ｐ−〔２−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕安息香酸メチルエステル；
融点（Ｃ−Ｉ）38.3℃、透明点（Ｎ−Ｉ）37.7
℃； ｐ−〔２−（トランス−４−ブチルシクロヘキシ
ル）−１−エチル〕安息香酸メチルエステル；融
点（Ｃ−Ｉ）39.6℃、透明点（Ｎ−Ｉ）32℃； ｐ−〔２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキ
シル）−１−エチル〕安息香酸メチルエステル；
融点（Ｃ−Ｎ）33.5℃、透明点（Ｎ−Ｉ）53℃。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 一般式 式中、R2は基−R3、−OR3、−CO−R3、−CO−
    OR3または−Ｏ−CO−R3の一つを表わし、R1及
    びR3は炭素原子１〜12個を含む直鎖状のアルキ
    ル基を表わし、そしてｎは数１または２の一つを
    表わす、 の化合物。 ２ R2が基−R3、−OR3または−CO−OR3の一
    つを表わす特許請求の範囲第１項記載の化合物。 ３ R2が基−R3または−OR3の一つを表わす特
    許請求の範囲第２項記載の化合物。 ４ ｎが数１を表わす特許請求の範囲第１〜３項
    のいずれかに記載の化合物。 ５ R3が炭素原子１〜10個、好ましくは１〜７
    個を含む直鎖状のアルキル基を表わす特許請求の
    範囲第１〜４項のいずれかに記載の化合物。 ６ R1が炭素原子２〜10個、好ましくは３〜７
    個を含む直鎖状のアルキル基を表わす特許請求の
    範囲第１〜５項のいずれかに記載の化合物。 ７ 少なくとも一成分が一般式 式中、R2は基−R3、−OR3、−CO−R3、−CO−
    OR3または−Ｏ−CO−R3の一つを表わし、R1及
    びR3は炭素原子１〜12個を含む直鎖状のアルキ
    ル基を表わし、そしてｎは数１または２の一つを
    表わす、 の化合物である少なくとも二成分を含むことを特
    徴とする液晶混合物。 ８ 一般式 式中、R4は水素、ヒドロキシ、ハロゲンまた
    は基−R3もしくは−OR3の一つを表わし、R1及
    びR3は炭素原子１〜12個を含む直鎖状のアルキ
    ル基を表わし、そしてｎは数１または２の一つを
    表わす、 の化合物を還元し、そしてR4が水素を表わす場
    合には、生ずる一般式 式中、R1、R4及びｎは上記の意味を有する、
    の化合物をアシル化するか、R4がヒドロキシを
    表わす場合には、生ずる式の化合物を式
    R3COOHのカルボン酸もしくはその反応性誘導
    体でエステル化するか、或いはR4がハロゲンを
    表わす場合には、生ずる式の化合物をマグネシ
    ウムと、次いで二酸化炭素と反応させ、得られる
    カルボキシレートを加水分解し、そして生ずる酸
    またはその反応性誘導体を式R3OHのアルコール
    でエステル化することを特徴とする一般式 式中、R2は基−R3、−OR3、−CO−R3、−CO−
    OR3または−Ｏ−CO−R3の一つを表わし、そし
    てR1、R3及びｎは上記の意味を有する、 の化合物の製造方法。
JP57009640A 1981-01-30 1982-01-26 (trans-4-alkylcyclohexyl) ethanes Granted JPS57144229A (en)

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CH61981A CH646675A5 (en) 1981-01-30 1981-01-30 Disubstituted ethanes

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JPS57144229A JPS57144229A (en) 1982-09-06
JPH033643B2 true JPH033643B2 (ja) 1991-01-21

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JPS5841827A (ja) * 1981-08-06 1983-03-11 イギリス国 液晶組成物
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US4261651A (en) * 1978-05-31 1981-04-14 The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland Liquid crystal compounds

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JPS57144229A (en) 1982-09-06

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