JPH0336905B2 - - Google Patents
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- JPH0336905B2 JPH0336905B2 JP62179282A JP17928287A JPH0336905B2 JP H0336905 B2 JPH0336905 B2 JP H0336905B2 JP 62179282 A JP62179282 A JP 62179282A JP 17928287 A JP17928287 A JP 17928287A JP H0336905 B2 JPH0336905 B2 JP H0336905B2
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- JP
- Japan
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- etching
- solution
- ions
- metal
- ozone
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/32—Alkaline compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
A 産業上の利用分野
この発明は、還元すると低原子価状態となる第
1の原子価状態にある金属イオンまたは錯イオン
を含有するエツチング溶液に金属を接触させて、
エツチングされる金属を酸化し、これによつて溶
液中に移行する金属イオンを形成させることを特
徴とする金属のエツチング法に関するものであ
り、具体的には、通常はエツチング速度の遅い金
属のエツチング速度を高めるとともに、エツチン
グ溶液の活性を回復させる金属のエツチング法に
関するものである。
1の原子価状態にある金属イオンまたは錯イオン
を含有するエツチング溶液に金属を接触させて、
エツチングされる金属を酸化し、これによつて溶
液中に移行する金属イオンを形成させることを特
徴とする金属のエツチング法に関するものであ
り、具体的には、通常はエツチング速度の遅い金
属のエツチング速度を高めるとともに、エツチン
グ溶液の活性を回復させる金属のエツチング法に
関するものである。
B 従来技術
金属、特に銅を、銅との酸化反応によつてより
低い原子価状態に還元される第1の原子価状態の
イオンを含有するエツチヤント溶液によりエツチ
ングをして、イオンを形成する一般概念は、従来
から知られており、広く用いられている。塩化第
二鉄溶液で銅をエツチングする方法は、米国特許
第1969678号明細書に記載されている。エツチン
グ液中の酸化性イオンを酸化して元の第2の原子
価状態に戻し、エツチング液の活性を回復させる
各種の方法も良く知られており、たとえば米国特
許第2886420号、第3600244号、第3532568号明細
書等に開示されている。
低い原子価状態に還元される第1の原子価状態の
イオンを含有するエツチヤント溶液によりエツチ
ングをして、イオンを形成する一般概念は、従来
から知られており、広く用いられている。塩化第
二鉄溶液で銅をエツチングする方法は、米国特許
第1969678号明細書に記載されている。エツチン
グ液中の酸化性イオンを酸化して元の第2の原子
価状態に戻し、エツチング液の活性を回復させる
各種の方法も良く知られており、たとえば米国特
許第2886420号、第3600244号、第3532568号明細
書等に開示されている。
一般に、上記の方法による銅のエツチングは、
特に塩化第二鉄を使用した場合、許容できる速度
でエツチングが進行する。しかし、他の金属、た
とえばニツケル等は、反応の酸化電位が熱力学的
に有利だとしても、エツチング速度は遅く、実用
的ではない。反応速度は種々の理由により許容で
きないほど遅く、その理由の一部はまた完全には
解明されていない。おそらく、中間反応生成物の
一部が金属の表面を覆い、エツチング反応全体を
阻害していると考えられている。溶液を撹拌して
も、わずかしか改善されない。
特に塩化第二鉄を使用した場合、許容できる速度
でエツチングが進行する。しかし、他の金属、た
とえばニツケル等は、反応の酸化電位が熱力学的
に有利だとしても、エツチング速度は遅く、実用
的ではない。反応速度は種々の理由により許容で
きないほど遅く、その理由の一部はまた完全には
解明されていない。おそらく、中間反応生成物の
一部が金属の表面を覆い、エツチング反応全体を
阻害していると考えられている。溶液を撹拌して
も、わずかしか改善されない。
C 発明が解決しようとする問題点
この発明の目的は、エツチングの反応速度を改
善する、各種金属のエツチングのための、改良さ
れた方法を提供することにある。
善する、各種金属のエツチングのための、改良さ
れた方法を提供することにある。
この発明の他の目的は、これにより、エツチン
グ反応の反応速度を大幅に増大し、エツチング溶
液の活性を回復させる、改良された金属のエツチ
ング法を提供することにある。
グ反応の反応速度を大幅に増大し、エツチング溶
液の活性を回復させる、改良された金属のエツチ
ング法を提供することにある。
この発明のさらに他の目的は、エツチング溶液
の活性を回復させる技術を提供することにある。
の活性を回復させる技術を提供することにある。
D 問題点を解決するための手段
上記の目的により、エツチングされる金属を、
金属により還元されて第2のより低い原子価状態
となる第1の原子価状態のイオンまたは錯イオン
を活性物質として含有するエツチヤント液に接触
させることを特徴とする、改良された金属エツチ
ング法が提供される。エツチヤント溶液は、第二
鉄イオン、フエリシアン・イオン、第二セリウ
ム・イオン、重クロム酸イオン、クロム酸イオ
ン、およびヨウ素の中から選択した活性物質を含
有するが、活性物質は上記のものに限定されるも
のではない。同時にエツチング溶液中にオゾンを
導入して、溶液の活性を回復するとともに、金属
のエツチング速度を増加させる。
金属により還元されて第2のより低い原子価状態
となる第1の原子価状態のイオンまたは錯イオン
を活性物質として含有するエツチヤント液に接触
させることを特徴とする、改良された金属エツチ
ング法が提供される。エツチヤント溶液は、第二
鉄イオン、フエリシアン・イオン、第二セリウ
ム・イオン、重クロム酸イオン、クロム酸イオ
ン、およびヨウ素の中から選択した活性物質を含
有するが、活性物質は上記のものに限定されるも
のではない。同時にエツチング溶液中にオゾンを
導入して、溶液の活性を回復するとともに、金属
のエツチング速度を増加させる。
E 実施例
比較的厚い金属の層をエツチングすることが必
要な応用分野は、特に電子工業に多く存在する。
製造環境において、エツチング工程を経済的に可
能とするために、エツチングが高速で行なわれる
ことは不可欠である。厚い金属層のエツチングが
必要な代表例として、半導体デバイスを支持基板
上の電気ネツトワークに接合するための相互接続
デカルの形成がある。
要な応用分野は、特に電子工業に多く存在する。
製造環境において、エツチング工程を経済的に可
能とするために、エツチングが高速で行なわれる
ことは不可欠である。厚い金属層のエツチングが
必要な代表例として、半導体デバイスを支持基板
上の電気ネツトワークに接合するための相互接続
デカルの形成がある。
この目的にはニツケルが好ましい金属である。
しかし、ニツケルを塩化第二鉄溶液に接触させる
場合、室温で浴中に6時間も浸漬する必要があ
り、これは製造環境では実用的ではない。塩化第
二鉄の水溶液は銅を急速にエツチングするが、ニ
ツケルの場合にはそうではない。塩化第二鉄のニ
ツケルとのエツチング反応は、熱力学的には全く
有利であるが、反応速度はきわめて遅い。エツチ
ング中に溶液を撹拌すると、反応速度は幾分増大
するが、著しく増大することはない。同様な状況
は、モリブデン等他の金属や、鉄とニツケルを含
む他の合金をエツチングでも見られる。このよう
な合金には、ニツケル29%、コバルト17%、鉄53
%を含有するKOVARなどがある。KOVARは、
ウエスチングハウス・エレクトリツク・コーポレ
ーシヨン(Westinghouse Electric
Corporation)が製造販売する合金で、熱膨張特
性が硬質ガラスと同様であることが知られてい
る。エツチングが困難なもうひとつの合金は
INVARの商品名で販売されており、これは鉄と
ニツケルの混合物から形成されている。INVAR
は熱膨張率が低い。もうひとつの合金は
INCONELという商品名で販売されており、ニツ
ケルとクロムで形成されている。INCONELはイ
ンターナシヨナル・ニツケル・カンパニーで製造
販売しており、耐食性の合金である。他に、エツ
チングが困難な合金には、銅と亜鉛の合金である
青銅、銅とすずの合金である黄銅、鉄と0.02ない
し1.5%の炭素との合金である鋼鉄、鋼鉄に通常
クロム、ニツケル等を添加したステンレス・スチ
ール等がある。モリブデンのエツチングは、電子
工業で用いるマスクの製造に特に重要である。こ
の発明の実施に用いるエツチヤント溶液は、エツ
チングされてエツチング溶液に可溶なイオンを形
成する金属の酸化に依存する。エツチング工程に
は、金属を酸化して、溶液中に移行する金属イオ
ンを形成するエツチヤント浴中の活性成分による
酸化・還元反応が関係している。たとえば、ニツ
ケルをエツチングする場合は下記の反応が起こ
る。
しかし、ニツケルを塩化第二鉄溶液に接触させる
場合、室温で浴中に6時間も浸漬する必要があ
り、これは製造環境では実用的ではない。塩化第
二鉄の水溶液は銅を急速にエツチングするが、ニ
ツケルの場合にはそうではない。塩化第二鉄のニ
ツケルとのエツチング反応は、熱力学的には全く
有利であるが、反応速度はきわめて遅い。エツチ
ング中に溶液を撹拌すると、反応速度は幾分増大
するが、著しく増大することはない。同様な状況
は、モリブデン等他の金属や、鉄とニツケルを含
む他の合金をエツチングでも見られる。このよう
な合金には、ニツケル29%、コバルト17%、鉄53
%を含有するKOVARなどがある。KOVARは、
ウエスチングハウス・エレクトリツク・コーポレ
ーシヨン(Westinghouse Electric
Corporation)が製造販売する合金で、熱膨張特
性が硬質ガラスと同様であることが知られてい
る。エツチングが困難なもうひとつの合金は
INVARの商品名で販売されており、これは鉄と
ニツケルの混合物から形成されている。INVAR
は熱膨張率が低い。もうひとつの合金は
INCONELという商品名で販売されており、ニツ
ケルとクロムで形成されている。INCONELはイ
ンターナシヨナル・ニツケル・カンパニーで製造
販売しており、耐食性の合金である。他に、エツ
チングが困難な合金には、銅と亜鉛の合金である
青銅、銅とすずの合金である黄銅、鉄と0.02ない
し1.5%の炭素との合金である鋼鉄、鋼鉄に通常
クロム、ニツケル等を添加したステンレス・スチ
ール等がある。モリブデンのエツチングは、電子
工業で用いるマスクの製造に特に重要である。こ
の発明の実施に用いるエツチヤント溶液は、エツ
チングされてエツチング溶液に可溶なイオンを形
成する金属の酸化に依存する。エツチング工程に
は、金属を酸化して、溶液中に移行する金属イオ
ンを形成するエツチヤント浴中の活性成分による
酸化・還元反応が関係している。たとえば、ニツ
ケルをエツチングする場合は下記の反応が起こ
る。
Ni+2Fe3+→Ni2++2Fe2+
この発明の実施に用いることを意図したエツチ
ング液には、第二液イオン、フエリシアン・イオ
ン、第二セリウム・イオン、重クロム酸塩、クロ
ム酸塩、ヨウ素等がある。一般に第二鉄イオン
は、PHが−1ないし3の範囲の塩化第二鉄溶液か
ら得られる。フエリシアン・イオンは、PHが9な
いし14の範囲のフエリシアン化カリウム溶液から
得られ、第二セリウム・イオンは、PHが−1ない
し+2の範囲の硝酸セリウムアンモニウム溶液か
ら得られる。ヨウ素はKI−I2溶液から得られる。
これらの溶液は、通常金およびニツケルのストリ
ツピングに用いられる。
ング液には、第二液イオン、フエリシアン・イオ
ン、第二セリウム・イオン、重クロム酸塩、クロ
ム酸塩、ヨウ素等がある。一般に第二鉄イオン
は、PHが−1ないし3の範囲の塩化第二鉄溶液か
ら得られる。フエリシアン・イオンは、PHが9な
いし14の範囲のフエリシアン化カリウム溶液から
得られ、第二セリウム・イオンは、PHが−1ない
し+2の範囲の硝酸セリウムアンモニウム溶液か
ら得られる。ヨウ素はKI−I2溶液から得られる。
これらの溶液は、通常金およびニツケルのストリ
ツピングに用いられる。
他の陽イオンまたは陰イオンも、上記溶液中の
非反応性陽イオンまたは陰イオンの代りに使用す
ることができることは明らかである。たとえば、
塩化第二鉄の代りに、臭化第二鉄または硝酸第二
鉄を用いることができる。エツチヤント溶液中の
活性成分の濃度は、選択した金属をエツチングす
るのに適した濃度であればよい。
非反応性陽イオンまたは陰イオンの代りに使用す
ることができることは明らかである。たとえば、
塩化第二鉄の代りに、臭化第二鉄または硝酸第二
鉄を用いることができる。エツチヤント溶液中の
活性成分の濃度は、選択した金属をエツチングす
るのに適した濃度であればよい。
上記の金属のエツチングの際、エツチング溶液
にオゾンを添加すれば、エツチング速度が大幅に
増大し、また溶液中の活性酸化成分の活性を回復
させることが発明された。下記の例で証明される
ように、溶液の撹拌だけよりも、エツチング速度
は著しく増大する。さらに、エツチング反応を阻
害したり、エツチング溶液の有効寿命を短縮する
ような成分を添加または生成することなく、溶液
の活性回復が同時に行なわれる。エツチング浴へ
のオゾンの添加は、操作が簡単で、操作の規模の
大小に合わせることができる。オゾンの添加によ
つて、溶液中または装置や支持層上に残渣を残さ
ない。さらに、エツチング液に添加するオゾンの
量を加減することにより、エツチング速度の増大
を制御することができる。
にオゾンを添加すれば、エツチング速度が大幅に
増大し、また溶液中の活性酸化成分の活性を回復
させることが発明された。下記の例で証明される
ように、溶液の撹拌だけよりも、エツチング速度
は著しく増大する。さらに、エツチング反応を阻
害したり、エツチング溶液の有効寿命を短縮する
ような成分を添加または生成することなく、溶液
の活性回復が同時に行なわれる。エツチング浴へ
のオゾンの添加は、操作が簡単で、操作の規模の
大小に合わせることができる。オゾンの添加によ
つて、溶液中または装置や支持層上に残渣を残さ
ない。さらに、エツチング液に添加するオゾンの
量を加減することにより、エツチング速度の増大
を制御することができる。
酸性溶液中でのオゾンの酸化還元反応は下記の
式で表わされる。
式で表わされる。
O3+2H++2e-→O2+H2O
(E0=+2.07V)
塩基性溶液では下記の式で表わされる。
O3+H2O+2e-→O2+2OH-
(E0=+1.24V)
オゾンはフツ素およびその酸化物に次いで最も
強力な酸化剤である。したがつて、酸性ではE0
<2.07V、塩基性ではE0<1.24Vで酸化還元反応
を逆転する。したがつて、この範囲内の電位の酸
化還元対を有するどのエツチヤント剤にもオゾン
による酸化還元に従う。
強力な酸化剤である。したがつて、酸性ではE0
<2.07V、塩基性ではE0<1.24Vで酸化還元反応
を逆転する。したがつて、この範囲内の電位の酸
化還元対を有するどのエツチヤント剤にもオゾン
による酸化還元に従う。
したがつて、第二鉄イオンの循環は
Ni+2Fe3+→2Fe2++Ni2+
(E0=1.02V)
2Fe2++O3+2H+→O2+H2O+2Fe3+
(E0=+1.30V)
両式を加えると、
Ni+O3+2H+→O2+H2O+Ni+2
(E0=2.32V)
フエリシアン化物の場合の、活性回復反応は次
のとおりである。
のとおりである。
Mo+6Fe(CN)6 3-+8OH-
→MoO4 2-+4H2O+6Fe(CN)6 4-
(E0=+1.28V)
O3+H2O+2Fe-(CN)6 4-
→2Fe(CN)6 3-+O2+2OH-
(E0=+1.24V)
上式を加えると
Mo+3O3+2OH-
→MoO4 2-+H2O+3O2
(E0=+2.52V)
セリウムの酸化還元反応は可逆反応で次のよう
に表わされる。
に表わされる。
2Ce3++O3+2H+
→2Ce4++H2O+O2
(E0=+2.07V−1.44V=+0.63V)
ヨウ素/ヨウ化物の酸化還元反応は次のとおり
である。
である。
3I-+O3+H2O→I3 -+2OH-+O2
(E0=+0.17V、塩基性)
3I-+O3+2H+→I3 -+H2O+O2
(E0=+1.54V、酸性)
エツチング液の活性回復のための、クロムの酸
化還元反応は次のとおりである。
化還元反応は次のとおりである。
2Cr3++4H2O+3O3
→Cr2O7 2-+8H++3O2
(E0=+0.74V、酸性)
2Cr(OH)3+4OH-+3O3
→2CrO4 2-+5H2O+3O2
(E0=+1.36V、塩基性)
オゾンは市販の発生装置で容易に生成させるこ
とができる。オゾンは、静かなコロナ放電中に酸
素を通過させて生成する。発生装置から、O2と
O3の混合気体をパイプで直接エツチヤント浴に
送り、好ましくはガラス・フリツトのフイルタを
通して浴に送り、気泡を発生させる。生成気体は
排気口から排出させることができる。泡立ちの強
さは、溶液がはねるほどであつてはならない。通
常、気体の導入は、5psiの圧力の気体を、流速5
立方フイート/時で、3の75重量%の塩化第二
鉄溶液中を通過させる。エツチング液に導入する
気体は幾分変動するが、好ましくは、0.1ないし
10%の範囲のオゾンを含むもので、2ないし9重
量%の範囲のオゾンを含有し残部はO2であるも
のが最も好ましい。オゾンの添加による金属のエ
ツチング速度の増大は、従来技術によるエツチン
グと比較して、エツチングされる金属および特定
のエツチング溶液により幾分異なる。しかし、エ
ツチング速度の増大は著しく、オゾンを使用しな
い方法と比較して4ないし20倍となる。
とができる。オゾンは、静かなコロナ放電中に酸
素を通過させて生成する。発生装置から、O2と
O3の混合気体をパイプで直接エツチヤント浴に
送り、好ましくはガラス・フリツトのフイルタを
通して浴に送り、気泡を発生させる。生成気体は
排気口から排出させることができる。泡立ちの強
さは、溶液がはねるほどであつてはならない。通
常、気体の導入は、5psiの圧力の気体を、流速5
立方フイート/時で、3の75重量%の塩化第二
鉄溶液中を通過させる。エツチング液に導入する
気体は幾分変動するが、好ましくは、0.1ないし
10%の範囲のオゾンを含むもので、2ないし9重
量%の範囲のオゾンを含有し残部はO2であるも
のが最も好ましい。オゾンの添加による金属のエ
ツチング速度の増大は、従来技術によるエツチン
グと比較して、エツチングされる金属および特定
のエツチング溶液により幾分異なる。しかし、エ
ツチング速度の増大は著しく、オゾンを使用しな
い方法と比較して4ないし20倍となる。
下記の例はこの発明の方法の好ましい実施例を
説明するために示したものであり、特許請求の範
囲を不当に限定するものではない。
説明するために示したものであり、特許請求の範
囲を不当に限定するものではない。
例 1
金属エツチング試験片は、バツキング・シート
上にポリメチルメタクリレートの離型層を塗布
し、この離型層上に厚み1ミルのニツケル箔を積
層し、この金属上にフオトレジスト層を塗布し、
レジスト層を露光、現像して、層上にパターンを
形成させることにより作成した。フオトレジスト
の部分を除去し、得られた試験片を20℃の75重量
%の塩化第二鉄溶液に浸漬して、エツチング作用
を観察した。ニツケルの被覆しない部分をエツチ
ングにより除去した御、試験片をエツチヤント浴
から取り出し、、エツチング時間を記録した。厚
み1ミルのニツケル層のエツチングに必要な時間
は6時間であつた。
上にポリメチルメタクリレートの離型層を塗布
し、この離型層上に厚み1ミルのニツケル箔を積
層し、この金属上にフオトレジスト層を塗布し、
レジスト層を露光、現像して、層上にパターンを
形成させることにより作成した。フオトレジスト
の部分を除去し、得られた試験片を20℃の75重量
%の塩化第二鉄溶液に浸漬して、エツチング作用
を観察した。ニツケルの被覆しない部分をエツチ
ングにより除去した御、試験片をエツチヤント浴
から取り出し、、エツチング時間を記録した。厚
み1ミルのニツケル層のエツチングに必要な時間
は6時間であつた。
例 2
例1と同様にして作成したエツチングしない試
験片を、同じ温度で同じ塩化第二鉄溶液に浸漬
し、9重量%のオゾンを5psiの過剰圧力で、流速
5立方フイート/時で吹き込んだ。ニツケル箔の
露出部分がエツチングされた時点で試験片を取り
出した。露出したニツケル箔をエツチングするの
に要した浸漬時間は53分であることがわかつた。
これは例1の方法と比較して、エツチング速度が
6.8倍に増大したことを示す。また、このエツチ
ング作用で、フオトレジストも、バツキング層も
影響を受けないことがわかつた。このことは、こ
の発明の方法により、塩化第二鉄によるNiのエ
ツチング速度が劇的に増大することを示すもので
ある。
験片を、同じ温度で同じ塩化第二鉄溶液に浸漬
し、9重量%のオゾンを5psiの過剰圧力で、流速
5立方フイート/時で吹き込んだ。ニツケル箔の
露出部分がエツチングされた時点で試験片を取り
出した。露出したニツケル箔をエツチングするの
に要した浸漬時間は53分であることがわかつた。
これは例1の方法と比較して、エツチング速度が
6.8倍に増大したことを示す。また、このエツチ
ング作用で、フオトレジストも、バツキング層も
影響を受けないことがわかつた。このことは、こ
の発明の方法により、塩化第二鉄によるNiのエ
ツチング速度が劇的に増大することを示すもので
ある。
例 3
溶液自体の撹拌が、エツチング速度にどのよう
な影響を与えるかを判定するために、例1と同じ
方法で作成した試験片を同じ温度で同じタンク中
の同じ塩化第二鉄溶液に浸漬し、酸素を圧力
5psi、流速5立方フイート/時でエツチヤント溶
液に吹き込んだ、32分後に試験片を取り出し、露
出したニツケル被膜の厚みを測定して平均エツチ
ング速度を計算した。酸素による撹拌では、例1
の場合として比較して、エツチング速度は2.5倍
しか増大しないことが判明した。
な影響を与えるかを判定するために、例1と同じ
方法で作成した試験片を同じ温度で同じタンク中
の同じ塩化第二鉄溶液に浸漬し、酸素を圧力
5psi、流速5立方フイート/時でエツチヤント溶
液に吹き込んだ、32分後に試験片を取り出し、露
出したニツケル被膜の厚みを測定して平均エツチ
ング速度を計算した。酸素による撹拌では、例1
の場合として比較して、エツチング速度は2.5倍
しか増大しないことが判明した。
例 4
例3と同じ手順でエツチングを行なつた、ただ
し、5psiの窒素を5立方フイート/時の流速でエ
ツチング溶液に吹き込んだ。ニツケル層のエツチ
ングに要する時間を計算し、例1の時間およびエ
ツチング速度と比較した。窒素を用いて撹拌した
場合も、エツチング速度は例1の場合の2.5倍に
増大した。例3および例4は、エツチング速度は
溶液の撹拌によつて増大するが、その速度の増加
は、この発明の方法による速度の増大よりずつと
低いことを示している。O2を使用してもN2を使
用しても、同様なエツチング速度になることは、
速度の増大は撹拌のみによるものであることを示
すものである。
し、5psiの窒素を5立方フイート/時の流速でエ
ツチング溶液に吹き込んだ。ニツケル層のエツチ
ングに要する時間を計算し、例1の時間およびエ
ツチング速度と比較した。窒素を用いて撹拌した
場合も、エツチング速度は例1の場合の2.5倍に
増大した。例3および例4は、エツチング速度は
溶液の撹拌によつて増大するが、その速度の増加
は、この発明の方法による速度の増大よりずつと
低いことを示している。O2を使用してもN2を使
用しても、同様なエツチング速度になることは、
速度の増大は撹拌のみによるものであることを示
すものである。
例 5
対照例として、重量3.510gの平滑な金属モリ
ブデンの小片を、約1ケ月使用した、約22ないし
24重量%のフエリシアン化カリウムとフエロシア
ン化カリウム、および1.3ないし2.6%のモリブデ
ン(モリブデン酸イオンMoO4 2-の形で溶解)を
含有し、PHが12.5のエツチヤント浴に30分間浸漬
した後、小片を取り出し計量した。重量は3.1839
gで、5.0%減少した。
ブデンの小片を、約1ケ月使用した、約22ないし
24重量%のフエリシアン化カリウムとフエロシア
ン化カリウム、および1.3ないし2.6%のモリブデ
ン(モリブデン酸イオンMoO4 2-の形で溶解)を
含有し、PHが12.5のエツチヤント浴に30分間浸漬
した後、小片を取り出し計量した。重量は3.1839
gで、5.0%減少した。
例 6
例5で使用したのと同じ表面積、厚みを有する
モリブデンの小片を使用して、例5の手順を繰り
返した。ただし、モリブデンの小片を浸漬してい
る間、エツチヤント溶液に酸素を吹き込んだ。小
片の重量は9.7%減少した。エツチング速度の増
大はエツチヤント溶液の撹拌によるものである。
モリブデンの小片を使用して、例5の手順を繰り
返した。ただし、モリブデンの小片を浸漬してい
る間、エツチヤント溶液に酸素を吹き込んだ。小
片の重量は9.7%減少した。エツチング速度の増
大はエツチヤント溶液の撹拌によるものである。
例 7
例5の使用済みのエツチヤント浴に、9%の
O3を含有する酸素を1時間吹き込んだ後、モリ
ブデンの小片を計量し、O3を含有する酸素を吹
き込んでいる間浸漬した。モリブデンの小片の表
面積および厚みは例5および例6で使用したもの
と同じとした。40分後小片を取り出し、計量した
ところ、重量の減少は34.7%であつた。次に第2
の小片を計量し、オゾンを含有する酸素を吹き込
んだエツチヤント溶液に1時間浸漬したところ、
重量の減少は38.3%であつた。この実験により、
使用したフエリシアン化カリウム溶液の活性はオ
ゾンにより回復し、この溶液中でのエツチング速
度は再現性があり、溶液の撹拌を行なわない場合
または撹拌した場合より著しく増大することが証
明された。
O3を含有する酸素を1時間吹き込んだ後、モリ
ブデンの小片を計量し、O3を含有する酸素を吹
き込んでいる間浸漬した。モリブデンの小片の表
面積および厚みは例5および例6で使用したもの
と同じとした。40分後小片を取り出し、計量した
ところ、重量の減少は34.7%であつた。次に第2
の小片を計量し、オゾンを含有する酸素を吹き込
んだエツチヤント溶液に1時間浸漬したところ、
重量の減少は38.3%であつた。この実験により、
使用したフエリシアン化カリウム溶液の活性はオ
ゾンにより回復し、この溶液中でのエツチング速
度は再現性があり、溶液の撹拌を行なわない場合
または撹拌した場合より著しく増大することが証
明された。
例 8
2のK3Fe(CN)6溶液(146g/)に小量の
モリブデン(9gMo/)が溶解し、PHが11.5
のエツチヤント浴に、46℃で上述のようにオゾン
を吹き込んだ。レジスト層を塗布してパターンを
画定したMoシートを浴に浸漬した。エツチング
を2時間行なうと、エツチング溶液がMoシート
に浸透し、3時間後にはレジスト層が褐色の被膜
となつて剥離した。この性能は、エツチヤントの
温度が60℃、PHが12.5の通常のMoシートのスプ
レイ・エツチングと対照的である。エツチヤント
に30〜40分間さらしても、レジストはかろうじて
残存する。3時間エツチングしてもレジストが残
存することは、PHが11.5と低い場合と同様に、前
例のないことである。この例は、この発明の方法
を利点、すなわち(1)低いPHによりレジストの寿命
が長くなる。(2)低温のため、浴からの上記の逸散
が減少する、(3)エツチング速度の増大により、ス
ループツトが改善されることを示すものである。
モリブデン(9gMo/)が溶解し、PHが11.5
のエツチヤント浴に、46℃で上述のようにオゾン
を吹き込んだ。レジスト層を塗布してパターンを
画定したMoシートを浴に浸漬した。エツチング
を2時間行なうと、エツチング溶液がMoシート
に浸透し、3時間後にはレジスト層が褐色の被膜
となつて剥離した。この性能は、エツチヤントの
温度が60℃、PHが12.5の通常のMoシートのスプ
レイ・エツチングと対照的である。エツチヤント
に30〜40分間さらしても、レジストはかろうじて
残存する。3時間エツチングしてもレジストが残
存することは、PHが11.5と低い場合と同様に、前
例のないことである。この例は、この発明の方法
を利点、すなわち(1)低いPHによりレジストの寿命
が長くなる。(2)低温のため、浴からの上記の逸散
が減少する、(3)エツチング速度の増大により、ス
ループツトが改善されることを示すものである。
例 9
再生のため選択した、消耗した水性モリブデ
ン・エツチング溶液は、当初215g/のK3Fe
(CN)6と、PHを13.75に上昇させるための71.6g/
のKOHを含有するものであつた。消耗前の未
使用のエツチヤントの電位は+0.462mVであつ
た、通常は、金属モリブデンのエツチヤントとし
て繰り返し使用した後、浴を0.380mV台の任意
の電位で廃棄する。
ン・エツチング溶液は、当初215g/のK3Fe
(CN)6と、PHを13.75に上昇させるための71.6g/
のKOHを含有するものであつた。消耗前の未
使用のエツチヤントの電位は+0.462mVであつ
た、通常は、金属モリブデンのエツチヤントとし
て繰り返し使用した後、浴を0.380mV台の任意
の電位で廃棄する。
1のこの金色の溶液に(この発明方法によ
り)5立方フイート/時の流速で、8〜9%の
O3を含有するO2を15分間吹き込んだ。これによ
り、溶液は暗い桃色に戻つた。オゾン分解の間、
溶液からのオゾン臭の発散は検出されなかつた。
O3臭は、この期間の終りになつて検出され、こ
の時点でオゾン分解が終了した。
り)5立方フイート/時の流速で、8〜9%の
O3を含有するO2を15分間吹き込んだ。これによ
り、溶液は暗い桃色に戻つた。オゾン分解の間、
溶液からのオゾン臭の発散は検出されなかつた。
O3臭は、この期間の終りになつて検出され、こ
の時点でオゾン分解が終了した。
金色の溶液の電位をオゾン分解に測定すると+
0.398mVであつた、オゾン分解後に得られた暗
桃色の溶液の電位は+0.462mVで、Fe(CN)6 4-
がこの発明の方法によつてFe(CN)6 3-に戻つたこ
とを示す。
0.398mVであつた、オゾン分解後に得られた暗
桃色の溶液の電位は+0.462mVで、Fe(CN)6 4-
がこの発明の方法によつてFe(CN)6 3-に戻つたこ
とを示す。
例 10
金とニツケルのストリツピングに使用する下記
の組成のKI−I2浴について実験を行なつた。成分 濃度 モル/ KI 479g/ 2.885 I2 118g/ 0.464 ヨウ素浴の溶液は、通常なら廃棄する点まで使
用して、消耗させた。浴から消耗したKI−I2200
mlを抜き取り、チオ硫酸塩滴定によりI2濃度が
60.3g/(最初の濃度の51%)になつているこ
とがわかつた。次にこの溶液に9%のO3を含有
するO2を、流速5立方フイート/時で10分間吹
き込んだ。10分後、O3を導入する分散管がI2結晶
で覆われたことが判明した。さらにオゾン分解を
行ない、1時間後に再び溶液中のヨウ素濃度を判
明した。チオ流酸塩滴定により、ヨウ素濃度は約
130g/で、この濃度は最初に測定した濃度を
10%以上も上回つた。
の組成のKI−I2浴について実験を行なつた。成分 濃度 モル/ KI 479g/ 2.885 I2 118g/ 0.464 ヨウ素浴の溶液は、通常なら廃棄する点まで使
用して、消耗させた。浴から消耗したKI−I2200
mlを抜き取り、チオ硫酸塩滴定によりI2濃度が
60.3g/(最初の濃度の51%)になつているこ
とがわかつた。次にこの溶液に9%のO3を含有
するO2を、流速5立方フイート/時で10分間吹
き込んだ。10分後、O3を導入する分散管がI2結晶
で覆われたことが判明した。さらにオゾン分解を
行ない、1時間後に再び溶液中のヨウ素濃度を判
明した。チオ流酸塩滴定により、ヨウ素濃度は約
130g/で、この濃度は最初に測定した濃度を
10%以上も上回つた。
例 11
(NH4)2Ce(NO3)649.17gを100mlの水に溶解
した。この溶液は89.7mモルのCe4+を含有し、こ
れは、理論的には1.554gをクロムをエツチング
する量である。平均粒径1mmの粒状クロム15.37
gをこの溶液に加え、撹拌のため酸素を吹き込ん
だ。15分後に粒状クロムを取り出し、計量した。
最初15.37gであつたクロムは、15.10gとなり、
0.27gの減少であつた。この粒状クロムを再び溶
液中に入れ、5日間放置したところ、この間にさ
らに0.79gのクロムが硝酸セリウムアンモニウム
溶液に溶解した。次にエツチヤント液をデカント
により粒状クロムから分離し、9%のO3を含有
するO2を、流速5立方フイート/時で3時間溶
液に吹き込み、再生させた。この間に、溶液は緑
色からダイダイ色に変色した。電位差滴定によ
り、Ce4+イオンのほかにCr2O7 2-イオンが存在す
ることが判明した。
した。この溶液は89.7mモルのCe4+を含有し、こ
れは、理論的には1.554gをクロムをエツチング
する量である。平均粒径1mmの粒状クロム15.37
gをこの溶液に加え、撹拌のため酸素を吹き込ん
だ。15分後に粒状クロムを取り出し、計量した。
最初15.37gであつたクロムは、15.10gとなり、
0.27gの減少であつた。この粒状クロムを再び溶
液中に入れ、5日間放置したところ、この間にさ
らに0.79gのクロムが硝酸セリウムアンモニウム
溶液に溶解した。次にエツチヤント液をデカント
により粒状クロムから分離し、9%のO3を含有
するO2を、流速5立方フイート/時で3時間溶
液に吹き込み、再生させた。この間に、溶液は緑
色からダイダイ色に変色した。電位差滴定によ
り、Ce4+イオンのほかにCr2O7 2-イオンが存在す
ることが判明した。
粒状クロムを再びエツチング溶液に入れると、
わずか15分の間に15.53gのクロムの重量が15.16
gとなり、0.37g減少した。このように、O3再生
した溶液は、最初の新鮮な溶液よりも37%速い速
度でクロムをエツチングした。クロム()生成
物はO3により酸化されて、溶液が赤く変色した
ことで明らかなように、クロム()、すなわち
Cr2O7 2-を生成した。
わずか15分の間に15.53gのクロムの重量が15.16
gとなり、0.37g減少した。このように、O3再生
した溶液は、最初の新鮮な溶液よりも37%速い速
度でクロムをエツチングした。クロム()生成
物はO3により酸化されて、溶液が赤く変色した
ことで明らかなように、クロム()、すなわち
Cr2O7 2-を生成した。
この例はO3よつてCe4+/Ce3+酸化還元対が最
循環することを示すものである。溶液を金属クロ
ムのエツチングに使用すると、Cr3+イオンが溶液
中に放出される。溶液にO3を吹き込むことによ
り、このCr3+イオンが酸化されてCr2O7 2-とな
る。このことは、電位差滴定だけではなく、Cr
がエツチングされてCrイオンが赤色のCr2O7 2-に
酸化されるにつれて、溶液の赤色が濃くなること
からも明らかである。
循環することを示すものである。溶液を金属クロ
ムのエツチングに使用すると、Cr3+イオンが溶液
中に放出される。溶液にO3を吹き込むことによ
り、このCr3+イオンが酸化されてCr2O7 2-とな
る。このことは、電位差滴定だけではなく、Cr
がエツチングされてCrイオンが赤色のCr2O7 2-に
酸化されるにつれて、溶液の赤色が濃くなること
からも明らかである。
Ce4+溶液をクロムのエツチングに使用する場
合、両反応生成物、すなわちCr3+およびCe3+は
いずれも、オゾンにより再び酸化され易い。すな
わち、 2Cr3+4H2O+3O3 →Cr2O7 2-+8H++3O2 (E0=+0.74V) 2Cr3++O3+2H+→2Ce4++H2O+O2 (E0=+0.63V) クロムのほうがemf値が高いため、セリウムよ
り先に再酸化される。溶液中に過剰にクロムが存
在すると、Ce4+イオンが消耗され、エツチング
速度は[Ce4+]に比例するため、ほとんどゼロ
に低下する。オゾンでCe4+に戻つたCe3+は、過
剰に存在する金属クロムのエツチングにより、た
だちに消費される。クロムをエツチ液から濾過す
ると、再循環は明らかとなつた。次に、O3を用
いてCe4+が十分な濃度に再生され、金属クロム
がエツチヤントに再び導入されると、エツチンン
グ速度の増大が認められた。
合、両反応生成物、すなわちCr3+およびCe3+は
いずれも、オゾンにより再び酸化され易い。すな
わち、 2Cr3+4H2O+3O3 →Cr2O7 2-+8H++3O2 (E0=+0.74V) 2Cr3++O3+2H+→2Ce4++H2O+O2 (E0=+0.63V) クロムのほうがemf値が高いため、セリウムよ
り先に再酸化される。溶液中に過剰にクロムが存
在すると、Ce4+イオンが消耗され、エツチング
速度は[Ce4+]に比例するため、ほとんどゼロ
に低下する。オゾンでCe4+に戻つたCe3+は、過
剰に存在する金属クロムのエツチングにより、た
だちに消費される。クロムをエツチ液から濾過す
ると、再循環は明らかとなつた。次に、O3を用
いてCe4+が十分な濃度に再生され、金属クロム
がエツチヤントに再び導入されると、エツチンン
グ速度の増大が認められた。
この例はまた、クロム()−クロム()エ
ツチング・システムも再循環することを示す。
H2SO4中のH2Cr2O7は、銅、鉄・コバルト・バナ
ジウム合金、KOVAR、ニツケル・銀合金、リン
青銅、および鉄のエツチングに用いられる。一般
に、オゾンはエツチング生成物を含むあらゆる候
補化学種を達成可能な最高の状態再循環する。
ツチング・システムも再循環することを示す。
H2SO4中のH2Cr2O7は、銅、鉄・コバルト・バナ
ジウム合金、KOVAR、ニツケル・銀合金、リン
青銅、および鉄のエツチングに用いられる。一般
に、オゾンはエツチング生成物を含むあらゆる候
補化学種を達成可能な最高の状態再循環する。
F 発明の効果
上述のように、この発明によれば、エツチング
される金属を、第二鉄イオン、フエリシアン・イ
オン、第二セリウム・イオン、重クロム酸イオ
ン、クロム酸イオン、およびヨウ素の中から選択
した活性成分を有するエツチヤント溶液と接触さ
せると同時に、エツチヤント溶液中にオゾンを導
入することにより、エツチング反応の反応速度が
改善される。
される金属を、第二鉄イオン、フエリシアン・イ
オン、第二セリウム・イオン、重クロム酸イオ
ン、クロム酸イオン、およびヨウ素の中から選択
した活性成分を有するエツチヤント溶液と接触さ
せると同時に、エツチヤント溶液中にオゾンを導
入することにより、エツチング反応の反応速度が
改善される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 エツチング溶液との接触によつて、物体の表
面から金属が陽イオンとして溶かされるような金
属のエツチング方法において、 Ni、Sn、Cu、鋼鉄、ステンレス鋼からなる群
から選択された金属を、フエリシアン・イオン、
第二鉄イオン、重クロム・イオン、及びクロム酸
イオンからなる活性エツチング成分を含む溶液と
接触させ、 上記エツチング溶液にオゾンを導入する工程を
有する、 金属のエツチング方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/924,702 US4747907A (en) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | Metal etching process with etch rate enhancement |
| US924702 | 1986-10-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63111186A JPS63111186A (ja) | 1988-05-16 |
| JPH0336905B2 true JPH0336905B2 (ja) | 1991-06-03 |
Family
ID=25450576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62179282A Granted JPS63111186A (ja) | 1986-10-29 | 1987-07-20 | 金属のエッチング方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4747907A (ja) |
| EP (1) | EP0266518A1 (ja) |
| JP (1) | JPS63111186A (ja) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3728693A1 (de) * | 1987-08-27 | 1989-03-09 | Wacker Chemitronic | Verfahren und vorrichtung zum aetzen von halbleiteroberflaechen |
| US4995942A (en) * | 1990-04-30 | 1991-02-26 | International Business Machines Corporation | Effective near neutral pH etching solution for molybdenum or tungsten |
| US5227010A (en) * | 1991-04-03 | 1993-07-13 | International Business Machines Corporation | Regeneration of ferric chloride etchants |
| US5244000A (en) * | 1991-11-13 | 1993-09-14 | Hughes Aircraft Company | Method and system for removing contaminants |
| US5259979A (en) * | 1993-01-13 | 1993-11-09 | Oliver Sales Company | Process for regeneration of cleaning compounds |
| US5518131A (en) * | 1994-07-07 | 1996-05-21 | International Business Machines Corporation | Etching molydbenum with ferric sulfate and ferric ammonium sulfate |
| SE510298C2 (sv) * | 1995-11-28 | 1999-05-10 | Eka Chemicals Ab | Sätt vid betning av stål |
| US5904859A (en) * | 1997-04-02 | 1999-05-18 | Lucent Technologies Inc. | Flip chip metallization |
| US6194127B1 (en) * | 1998-05-27 | 2001-02-27 | Mcdonnell Douglas Corporation | Resistive sheet patterning process and product thereof |
| US6436723B1 (en) * | 1998-10-16 | 2002-08-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Etching method and etching apparatus method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
| US6537461B1 (en) * | 2000-04-24 | 2003-03-25 | Hitachi, Ltd. | Process for treating solid surface and substrate surface |
| US6375693B1 (en) | 1999-05-07 | 2002-04-23 | International Business Machines Corporation | Chemical-mechanical planarization of barriers or liners for copper metallurgy |
| SG92720A1 (en) * | 1999-07-14 | 2002-11-19 | Nisso Engineering Co Ltd | Method and apparatus for etching silicon |
| US6977515B2 (en) * | 2001-09-20 | 2005-12-20 | Wentworth Laboratories, Inc. | Method for forming photo-defined micro electrical contacts |
| US6906540B2 (en) * | 2001-09-20 | 2005-06-14 | Wentworth Laboratories, Inc. | Method for chemically etching photo-defined micro electrical contacts |
| US7049237B2 (en) * | 2001-12-21 | 2006-05-23 | Micron Technology, Inc. | Methods for planarization of Group VIII metal-containing surfaces using oxidizing gases |
| US6884723B2 (en) * | 2001-12-21 | 2005-04-26 | Micron Technology, Inc. | Methods for planarization of group VIII metal-containing surfaces using complexing agents |
| US7121926B2 (en) | 2001-12-21 | 2006-10-17 | Micron Technology, Inc. | Methods for planarization of group VIII metal-containing surfaces using a fixed abrasive article |
| US20030119316A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-06-26 | Micron Technology, Inc. | Methods for planarization of group VIII metal-containing surfaces using oxidizing agents |
| US6730592B2 (en) * | 2001-12-21 | 2004-05-04 | Micron Technology, Inc. | Methods for planarization of metal-containing surfaces using halogens and halide salts |
| WO2005050706A2 (en) | 2003-11-14 | 2005-06-02 | Wentworth Laboratories, Inc. | Die design with integrated assembly aid |
| US7186480B2 (en) * | 2003-12-10 | 2007-03-06 | Micron Technology, Inc. | Method for adjusting dimensions of photomask features |
| WO2006061741A2 (en) | 2004-12-06 | 2006-06-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Etchant solutions and additives therefor |
| US7837929B2 (en) * | 2005-10-20 | 2010-11-23 | H.C. Starck Inc. | Methods of making molybdenum titanium sputtering plates and targets |
| US8449818B2 (en) * | 2010-06-30 | 2013-05-28 | H. C. Starck, Inc. | Molybdenum containing targets |
| US8449817B2 (en) | 2010-06-30 | 2013-05-28 | H.C. Stark, Inc. | Molybdenum-containing targets comprising three metal elements |
| KR20160021299A (ko) | 2011-05-10 | 2016-02-24 | 에이치. 씨. 스타아크 아이앤씨 | 멀티-블록 스퍼터링 타겟 및 이에 관한 제조방법 및 물품 |
| US9334565B2 (en) | 2012-05-09 | 2016-05-10 | H.C. Starck Inc. | Multi-block sputtering target with interface portions and associated methods and articles |
| WO2020074541A1 (en) * | 2018-10-08 | 2020-04-16 | Degrémont Technologies Ag | Using ozone for manganese* oxidation in etching application |
| CN111893488A (zh) * | 2020-08-04 | 2020-11-06 | 深圳市乾行达科技有限公司 | 蚀刻液及其制备方法 |
| JP7595273B2 (ja) * | 2020-09-24 | 2024-12-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | エッチング液 |
| JP2024017655A (ja) * | 2022-07-28 | 2024-02-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法と基板処理装置と基板処理液 |
| CN118086964A (zh) * | 2024-01-30 | 2024-05-28 | 西湖大学 | 一种水氧化催化剂及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1188870A (en) * | 1912-11-06 | 1916-06-27 | B E Williamson | Etching process. |
| US2886420A (en) * | 1956-06-05 | 1959-05-12 | Gen Dynamics Corp | Etching process |
| GB955000A (en) * | 1961-04-13 | 1964-04-08 | Marconi Co Ltd | Improvements in or relating to copper etching solutions |
| US3306792A (en) * | 1963-08-05 | 1967-02-28 | Siemens Ag | Continuously regenerating coppercontaining etching solutions |
| US3532568A (en) * | 1967-11-24 | 1970-10-06 | Nasa | Method for etching copper |
| US3600244A (en) * | 1969-02-20 | 1971-08-17 | Ibm | Process of etching metal with recovery or regeneration and recycling |
| JPS5222743B2 (ja) * | 1973-03-02 | 1977-06-20 | ||
| DE2358683A1 (de) * | 1973-11-24 | 1975-06-05 | Kalman Von Dipl Phys Soos | Verfahren zum beizen und aetzen von metallen |
| JPS5116244A (en) * | 1974-07-31 | 1976-02-09 | Hitachi Ltd | Kinzokuno yokaishorihoho oyobi sonosochi |
| US3951710A (en) * | 1974-09-13 | 1976-04-20 | International Business Machines Corporation | Method for removing copper contaminant from semiconductor surfaces |
| US3962005A (en) * | 1975-06-30 | 1976-06-08 | Zenith Radio Corporation | Method for etching shadow mask and regenerating etchant |
| US4287002A (en) * | 1979-04-09 | 1981-09-01 | Atomic Energy Of Canada Ltd. | Nuclear reactor decontamination |
| JPS58167771A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-04 | Toshiba Corp | 腐蝕液の制御方法 |
| US4587043A (en) * | 1983-06-07 | 1986-05-06 | Westinghouse Electric Corp. | Decontamination of metal surfaces in nuclear power reactors |
| US4685971A (en) * | 1983-07-12 | 1987-08-11 | Westinghouse Electric Corp. | Ozone oxidation of deposits in cooling systems of nuclear reactors |
| US4569720A (en) * | 1984-05-07 | 1986-02-11 | Allied Corporation | Copper etching system |
| CA1230806A (en) * | 1984-05-29 | 1987-12-29 | Clifton G. Slater | Ceric acid decontamination of nuclear reactors |
| US4629636A (en) * | 1984-06-07 | 1986-12-16 | Enthone, Incorporated | Process for treating plastics with alkaline permanganate solutions |
| EP0182306B1 (en) * | 1984-11-17 | 1991-07-24 | Daikin Industries, Limited | Etchant composition |
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