JPH0337584A - 磁界センサ - Google Patents
磁界センサInfo
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- JPH0337584A JPH0337584A JP1171412A JP17141289A JPH0337584A JP H0337584 A JPH0337584 A JP H0337584A JP 1171412 A JP1171412 A JP 1171412A JP 17141289 A JP17141289 A JP 17141289A JP H0337584 A JPH0337584 A JP H0337584A
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- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 39
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 208000023514 Barrett esophagus Diseases 0.000 description 1
- 208000034656 Contusions Diseases 0.000 description 1
- 206010052428 Wound Diseases 0.000 description 1
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000034526 bruise Diseases 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000006903 response to temperature Effects 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁界センサに関し、よ−り詳細にはそのファ
ラデー効果素子の温度特性を補正して測定精度を向上し
得る磁界センサに関する。
ラデー効果素子の温度特性を補正して測定精度を向上し
得る磁界センサに関する。
逆11りえ(−
第1の従来例として、光ファイバにより導かれる光を偏
光子、ファラデー効果素子、及び検光子に順次透過させ
て透過光の強度を検出することにより磁界強度を求める
磁界センサか知られているか、この場合検光子は、磁界
強度に比例した出力か得られるよう、偏光子に対し光軸
に関して45度旋回させて配置されている。上記ファラ
デー効果素子どしては今、磁気旋光能(磁界をかけるこ
とによりファラデー効果により偏光面が回転する現象を
生ずる能力)を有するか、自然旋光能(磁界等かかかっ
ていない状態であっても分子構造や結晶構造の特殊な非
対称性により直線偏光が物質を透過するとき偏光面が回
転する現象を生ずる能力)を有さない、例えはZn5e
多結晶を採用しているとすると、上記透過光の強度Pは
次式により与えられる。
光子、ファラデー効果素子、及び検光子に順次透過させ
て透過光の強度を検出することにより磁界強度を求める
磁界センサか知られているか、この場合検光子は、磁界
強度に比例した出力か得られるよう、偏光子に対し光軸
に関して45度旋回させて配置されている。上記ファラ
デー効果素子どしては今、磁気旋光能(磁界をかけるこ
とによりファラデー効果により偏光面が回転する現象を
生ずる能力)を有するか、自然旋光能(磁界等かかかっ
ていない状態であっても分子構造や結晶構造の特殊な非
対称性により直線偏光が物質を透過するとき偏光面が回
転する現象を生ずる能力)を有さない、例えはZn5e
多結晶を採用しているとすると、上記透過光の強度Pは
次式により与えられる。
P−Po (1+5in2θ)
−P。(l−1−sin2Ve・11・Il)
−(1)(但し、P・・透過光の強度:Po−・磁界を
セロとした場合の透過光の強度: θ ファラデー回転
角:Ve・・・2nSeのベルデ定数: ■・・・磁界
強度: C・・・7アラデー効果素子の長さ: 尚[
θ−Veiill]の関係がある。) そして、(1)式中、5in2Veilllの項をn〕
と置くと、rm=sin2Ve・■・0.n・・(2)
」が変調度、即ち光強度の変化割合である。
−(1)(但し、P・・透過光の強度:Po−・磁界を
セロとした場合の透過光の強度: θ ファラデー回転
角:Ve・・・2nSeのベルデ定数: ■・・・磁界
強度: C・・・7アラデー効果素子の長さ: 尚[
θ−Veiill]の関係がある。) そして、(1)式中、5in2Veilllの項をn〕
と置くと、rm=sin2Ve・■・0.n・・(2)
」が変調度、即ち光強度の変化割合である。
しかしながら、一般にファラデー効果素子のヘルプ定数
は、温度の影響を受けることが知られている。例えは、
室温(20°Cとする)のときの変調度をm。、室温か
20°CからΔT’Oだけ温度変化したときの変調度を
mlとしたときの変調度n〕の変化率は次式により与え
られる。
は、温度の影響を受けることが知られている。例えは、
室温(20°Cとする)のときの変調度をm。、室温か
20°CからΔT’Oだけ温度変化したときの変調度を
mlとしたときの変調度n〕の変化率は次式により与え
られる。
(ml mo)/mo ・・・(3)(但し、
ml + mo”温度(20+ΔT)’C!、20°C
のときの変調度) これを図示したのか、第1図中の実線aであり、同図中
X軸は温度(°C)、Y軸は変調度変化率(m、−mo
)/m。(%)の各変化を表す。実線aは、右上かりで
あり、変調度変化率は温度上昇と共に増大するゆえ、Z
n5e製フアラデー効果素子は正の温度係数を有するこ
とが解る。
ml + mo”温度(20+ΔT)’C!、20°C
のときの変調度) これを図示したのか、第1図中の実線aであり、同図中
X軸は温度(°C)、Y軸は変調度変化率(m、−mo
)/m。(%)の各変化を表す。実線aは、右上かりで
あり、変調度変化率は温度上昇と共に増大するゆえ、Z
n5e製フアラデー効果素子は正の温度係数を有するこ
とが解る。
上述の如く、上記第1の従来例によれば、変調度変化率
が温度変化に応して変化する、即ち温度係数かゼロでな
いので、その後に別個に補正作業を必要とするという面
倒かあり、又上記の如く検光子をπ/4だけ旋回させて
配置する作業も比較的面倒であるという欠点かあった。
が温度変化に応して変化する、即ち温度係数かゼロでな
いので、その後に別個に補正作業を必要とするという面
倒かあり、又上記の如く検光子をπ/4だけ旋回させて
配置する作業も比較的面倒であるという欠点かあった。
このため、第2の従来例として、第2図に示す如く、フ
ァラデー効果素子と、偏光子及び検光子の何れかとの間
に、π/4(即ち45度)の旋光能を有する旋光子を配
置させることにより、検光子は何ら旋回させることなく
配置できるようにしたものがある。同図中、光ファイバ
により導かれる光1は、偏光子2、旋光子3、ファラデ
ー効果素子4、検光子5を順次透過する。この場合、旋
光子3は、BSO(ヒスマスシリコンオキザイド:例え
はBi+2SiO+z)単結晶からなり、又ファラデー
効果素子4は、上記と同しくZn5e多結晶からなる。
ァラデー効果素子と、偏光子及び検光子の何れかとの間
に、π/4(即ち45度)の旋光能を有する旋光子を配
置させることにより、検光子は何ら旋回させることなく
配置できるようにしたものがある。同図中、光ファイバ
により導かれる光1は、偏光子2、旋光子3、ファラデ
ー効果素子4、検光子5を順次透過する。この場合、旋
光子3は、BSO(ヒスマスシリコンオキザイド:例え
はBi+2SiO+z)単結晶からなり、又ファラデー
効果素子4は、上記と同しくZn5e多結晶からなる。
この場合、BSO単結晶は自然旋光能のみならず磁気旋
光能をも有し、しかも自然旋光能も温度の影響を受ける
ため、その変調度Ill、及びその変調度変化率は夫々
上記(2)、(3)式を参考として次の如く与えられる
。
光能をも有し、しかも自然旋光能も温度の影響を受ける
ため、その変調度Ill、及びその変調度変化率は夫々
上記(2)、(3)式を参考として次の如く与えられる
。
m= 5in2(Ve+ ・L +Ve2・Q2)H(
4) (Ill+ mo)/m。
4) (Ill+ mo)/m。
=(++ (k、・ΔT−痣、十に2 ・ΔT−仏
2 )/ (Ve+aL +Vez IL )l/
(12に1ΔT)(5) (但し、ml + no”’温度(20+ΔT)0C,
20°Cのときの変調度; Ve、 、Ve2 ・・
4nSe、 BSOのベルデ定数; Q+ 、 Q2
−4nSe、 BSOの長さ:に1に2 ・ベルブ定
数Ve、 、Ve2の温度係数(即ち、単位温度当たり
の変化分):に、・・BSOの自然旋光能の温度係数:
ΔT・・・20°Cからの温度変化)これを図示した
のか、第1図中の破線すであり、これによれは、変調度
変化率の温度係数は、BSOの自然旋光能の温度特性の
影響を受けて正から負に転し、しかも幾分温度係数ゼロ
に近付いているので、温度特性の補正が行われているこ
とか解る。
2 )/ (Ve+aL +Vez IL )l/
(12に1ΔT)(5) (但し、ml + no”’温度(20+ΔT)0C,
20°Cのときの変調度; Ve、 、Ve2 ・・
4nSe、 BSOのベルデ定数; Q+ 、 Q2
−4nSe、 BSOの長さ:に1に2 ・ベルブ定
数Ve、 、Ve2の温度係数(即ち、単位温度当たり
の変化分):に、・・BSOの自然旋光能の温度係数:
ΔT・・・20°Cからの温度変化)これを図示した
のか、第1図中の破線すであり、これによれは、変調度
変化率の温度係数は、BSOの自然旋光能の温度特性の
影響を受けて正から負に転し、しかも幾分温度係数ゼロ
に近付いているので、温度特性の補正が行われているこ
とか解る。
しかしながら、上記第2の従来例の如く、BSO旋光子
3を採用する場合、透過光の波長か例えは850−87
0nmでは、BSOの1mm長さ当たりの旋光角は10
,5度であるから、π/4(−45°)の旋光角を得る
ためには、45/lO,5−4,3mmの結晶厚さ(長
さ)を必要とする。しかるに、近年は磁気センサの小型
化の要求か強く、上記厚さでは、この小型化の要求に応
えることが出来ないという欠点あった。
3を採用する場合、透過光の波長か例えは850−87
0nmでは、BSOの1mm長さ当たりの旋光角は10
,5度であるから、π/4(−45°)の旋光角を得る
ためには、45/lO,5−4,3mmの結晶厚さ(長
さ)を必要とする。しかるに、近年は磁気センサの小型
化の要求か強く、上記厚さでは、この小型化の要求に応
えることが出来ないという欠点あった。
そこで第3の従来例として、上記π/4の旋光角を得る
他の方法として、第3図に示す如く、BSO旋光子の代
わりに、XY二軸の偏光にπの位相差を与えるいわゆる
水晶製1/2波長板6を使用し、水晶の複屈折を利用す
るものが知られている。この水晶製1/2波長板は厚さ
1mm程度で良く、BSOの場合の約t74の厚さに薄
型化出来る。尚、厚さが約1mmとなる根拠は以下の通
りである。1/2波長の光路差■は次式により与えられ
る。
他の方法として、第3図に示す如く、BSO旋光子の代
わりに、XY二軸の偏光にπの位相差を与えるいわゆる
水晶製1/2波長板6を使用し、水晶の複屈折を利用す
るものが知られている。この水晶製1/2波長板は厚さ
1mm程度で良く、BSOの場合の約t74の厚さに薄
型化出来る。尚、厚さが約1mmとなる根拠は以下の通
りである。1/2波長の光路差■は次式により与えられ
る。
1− 、t / 2(ne−no)
= 85072(1,5+7−1.538)−1722
2(nm) −17,222(μm) ・ (6)
(但し、I・・・光路差: λ・・・透過光の波長、こ
の場合850nm; n、、 n。・室温における水
晶の常光線及び異常光線に対する屈折率、この場合夫々
1538.1.517) 従って、理論的には17.222(71m)の水晶厚さ
かあれは良いのであるが、この厚さでは研磨か困跡であ
るため、厚さがdlとd2の2枚の水晶板を互いに光軸
が直交するように重ね合わせ、直線複屈折か相殺するよ
うにして、その厚さの差(d2d、)か上記光路差Iに
等しい厚さの1枚の水晶板と等価の波長板を得る。現在
市販のものでは上記の如く重ね合わせ貼り合わせた厚さ
か」二記の如く約1mmのものが多用されている。
2(nm) −17,222(μm) ・ (6)
(但し、I・・・光路差: λ・・・透過光の波長、こ
の場合850nm; n、、 n。・室温における水
晶の常光線及び異常光線に対する屈折率、この場合夫々
1538.1.517) 従って、理論的には17.222(71m)の水晶厚さ
かあれは良いのであるが、この厚さでは研磨か困跡であ
るため、厚さがdlとd2の2枚の水晶板を互いに光軸
が直交するように重ね合わせ、直線複屈折か相殺するよ
うにして、その厚さの差(d2d、)か上記光路差Iに
等しい厚さの1枚の水晶板と等価の波長板を得る。現在
市販のものでは上記の如く重ね合わせ貼り合わせた厚さ
か」二記の如く約1mmのものが多用されている。
ところで、1/2波長板は、これを透過する光のXY二
軸間に位相差δ(理想的には2δ−πである)を与える
ものであり、その位相差δは次式により与えられる。
軸間に位相差δ(理想的には2δ−πである)を与える
ものであり、その位相差δは次式により与えられる。
δ−(nc−no)(d2−d、 )/λ・2yr
−(7)(但し、δ ・位相差; ’O+ n、・・
・水晶の常光線及び異常光線に対する屈折率;d2.d
、・・・張り合わせ形水晶板の各板の厚さ: λ・・・
透過光の波長:) 従って、変調度変化率の温度係数、換言すればファラデ
ー効果素子(ZnSe)の温度係数の補正を行うに、第
2の従来例の場合にはBSO旋光子のヘルプ定数及び及
び自然旋光能により行ったか、上記第3の従来例の場合
には、1/2波長板の位相差δに着目して行う必要が生
ずる。
−(7)(但し、δ ・位相差; ’O+ n、・・
・水晶の常光線及び異常光線に対する屈折率;d2.d
、・・・張り合わせ形水晶板の各板の厚さ: λ・・・
透過光の波長:) 従って、変調度変化率の温度係数、換言すればファラデ
ー効果素子(ZnSe)の温度係数の補正を行うに、第
2の従来例の場合にはBSO旋光子のヘルプ定数及び及
び自然旋光能により行ったか、上記第3の従来例の場合
には、1/2波長板の位相差δに着目して行う必要が生
ずる。
解決すべき問題点
しかしながら、上記第3の従来例において、1/2波長
板の位相差δの温度特性か上記変調度変化率(m、
mo)/moの温度特性に与える影響については、未だ
調査されていないのが現状であった。
板の位相差δの温度特性か上記変調度変化率(m、
mo)/moの温度特性に与える影響については、未だ
調査されていないのが現状であった。
本発明Iコなる磁界センサは、上記従来の問題点を解決
することを目的とし、そのための構成は、光ファイバに
より導かれる光の進路に沿って、偏光子、ファラデー効
果素子、及び検光子を順次配置し、かつ該ファラデー効
果素子と、該偏光子及び検光子の何れか一方との間に、
水晶製1/2波長板を更に配置してなる磁界センサにお
いて、ファラデー効果素子の温度係数が負の場合は、室
温における前記1/2波長板のXY二軸間の位相差をπ
(即ち180度)より大きくしかつ、ファラデー効果素
子の温度係数が正の場合は、室温における前記1/2波
長板のXY二軸間の位相差をπ(即ち180度)より小
さくした、ことを特徴とする。
することを目的とし、そのための構成は、光ファイバに
より導かれる光の進路に沿って、偏光子、ファラデー効
果素子、及び検光子を順次配置し、かつ該ファラデー効
果素子と、該偏光子及び検光子の何れか一方との間に、
水晶製1/2波長板を更に配置してなる磁界センサにお
いて、ファラデー効果素子の温度係数が負の場合は、室
温における前記1/2波長板のXY二軸間の位相差をπ
(即ち180度)より大きくしかつ、ファラデー効果素
子の温度係数が正の場合は、室温における前記1/2波
長板のXY二軸間の位相差をπ(即ち180度)より小
さくした、ことを特徴とする。
実施例
第4図は本発明になる磁界センサの一実施例である、1
/2波長板を使用した該磁界センサの概略構成を示す斜
視図であり、同図中、第3図と同部分には同一符号を付
す。
/2波長板を使用した該磁界センサの概略構成を示す斜
視図であり、同図中、第3図と同部分には同一符号を付
す。
同図中、7は二枚の水晶板を張り合わせてなる1/2波
長板であるが、後述する如く第3図のl/2波長板6と
は厚さが異なる。
長板であるが、後述する如く第3図のl/2波長板6と
は厚さが異なる。
光ファイバにより導かれた光lは、偏光子2.1/2波
長板7、ファラデー効果素子4、及び検光子5を順次透
過する。尚1/2波長板7はファラデー効果素子4と検
光子5との間に配置しても良い。
長板7、ファラデー効果素子4、及び検光子5を順次透
過する。尚1/2波長板7はファラデー効果素子4と検
光子5との間に配置しても良い。
この場合の検光子5を出た透過光の強度Pは次式により
与えられる。
与えられる。
P−P+/2(1+(cos2δ・coS2θ−5in
2δ・5in2θ))・・・(8) (但し、P・・・検光子5を出た透過光の強度:Pl・
・・入射光の強度; δ・・・l/2波長板の位相差:
θ・・ファラデー回転角) ここで、1/2波長板6が、正確にπの位相差を有する
と仮定すると、δ−π/2となるため、上記(8)式は
次式に書き換えられる。
2δ・5in2θ))・・・(8) (但し、P・・・検光子5を出た透過光の強度:Pl・
・・入射光の強度; δ・・・l/2波長板の位相差:
θ・・ファラデー回転角) ここで、1/2波長板6が、正確にπの位相差を有する
と仮定すると、δ−π/2となるため、上記(8)式は
次式に書き換えられる。
P= P+/2(1−5in2θ)・(9)この式中、
5in2θの項が変調度を表す。
5in2θの項が変調度を表す。
次に、第4図の装置に全く磁界か作用していむいと仮定
すると、ファラデー回転を生しないため「θ−〇」とな
るゆえ、上記(8)式は次式に討き換えられる。
すると、ファラデー回転を生しないため「θ−〇」とな
るゆえ、上記(8)式は次式に討き換えられる。
Pde−P+/2(1+ CO52δ) ・ (
10)(但し、P6o・装置に磁界か作用せず、光か1
/2波長板のみにより変調作用を受けたときの透過光の
強度) この(10)式で求められるP、。の値は、透過光の直
流分(DC)強度を表しており、従って見掛Iフの変調
度mは次の様になる。
10)(但し、P6o・装置に磁界か作用せず、光か1
/2波長板のみにより変調作用を受けたときの透過光の
強度) この(10)式で求められるP、。の値は、透過光の直
流分(DC)強度を表しており、従って見掛Iフの変調
度mは次の様になる。
m−(P P、+c)/Pdc
= (CO32δ0CO32θ−5in2δ6sin2
θ)/(1+cos2δ) ・(11)ここで、
室温か20’Cのときの変調度を+112oとし、室温
か90°Cになったときの変調度をn19゜とすると、
変調度変化率は次式により与えられる。
θ)/(1+cos2δ) ・(11)ここで、
室温か20’Cのときの変調度を+112oとし、室温
か90°Cになったときの変調度をn19゜とすると、
変調度変化率は次式により与えられる。
(ms。−m2o)/mzo ・・(12)計算例
次に、ファラデー効果素子として、ファラT回転かは度
の影響を全く受けない理想的温度性11−1 (即ち温度係数か七〇)のファラデー効果素子を導入し
たと仮定し、変調度mの変化率が1/2波長板7のxY
二軸間の位相差δの温度特性たけでとの程度の影響を受
けるか計算して見る。位相差δは上記(7)式から下記
の通りである。
の影響を全く受けない理想的温度性11−1 (即ち温度係数か七〇)のファラデー効果素子を導入し
たと仮定し、変調度mの変化率が1/2波長板7のxY
二軸間の位相差δの温度特性たけでとの程度の影響を受
けるか計算して見る。位相差δは上記(7)式から下記
の通りである。
δ−(n、 no)(d2d+ )/λ・2yr
−(7)この(7)式中の]/2波長板の設定厚さd2
d、(−光路差I)は、上記(6)式から下記の如く与
えられている。
−(7)この(7)式中の]/2波長板の設定厚さd2
d、(−光路差I)は、上記(6)式から下記の如く与
えられている。
d2−d、=I−λ/2(n、 no) −
(13)ここで具体的な例として、730 nm(0,
73μm)の波′長を例として計算してみる。このとき
、同式中の水晶の常光線及び異常光線に対す屈折率n。
(13)ここで具体的な例として、730 nm(0,
73μm)の波′長を例として計算してみる。このとき
、同式中の水晶の常光線及び異常光線に対す屈折率n。
、noの値は次の如くなる。
20℃ 90℃
口。 1.519 1.5
.411524no−1,5391,5386011 更にファラデー効果素子4のファラデー回転角は、例え
は2° (−π/90)で一定とする。
.411524no−1,5391,5386011 更にファラデー効果素子4のファラデー回転角は、例え
は2° (−π/90)で一定とする。
計算の手順としては、ます上記屈折率n0、n。
2
値及び(13)式を基に(7)式より20°C及び90
°Cのときの各位相差δを求め、次に(11)式で変調
度m2.及びm9.を夫々求め、最後に(12)式て変
調度変化率(ms。−mzo)/mzoを求める。
°Cのときの各位相差δを求め、次に(11)式で変調
度m2.及びm9.を夫々求め、最後に(12)式て変
調度変化率(ms。−mzo)/mzoを求める。
この場合、上記変調度変化率の温度特性を補正する要素
として1/2波長板7の設定厚さd2d1に着目して見
る。一種類の設定厚さd2d、に対して上記変調度変化
率か一種類求められるから、設定厚さd2−d、を変化
させて夫々に対し変調度変化率を求め、全体として変調
度変化率の温度特性の補正が可能であるか否かを検討す
れば良い。尚、上記設定厚さd2−d、は、室温(即ち
20°C)下では、上記(13)式より次のようになる
。
として1/2波長板7の設定厚さd2d1に着目して見
る。一種類の設定厚さd2d、に対して上記変調度変化
率か一種類求められるから、設定厚さd2−d、を変化
させて夫々に対し変調度変化率を求め、全体として変調
度変化率の温度特性の補正が可能であるか否かを検討す
れば良い。尚、上記設定厚さd2−d、は、室温(即ち
20°C)下では、上記(13)式より次のようになる
。
d2−dl−λ/2(n、 no)
−〇、73/2(1,519−1,539)−36,5
(μm) 従って、上記設定厚さd2 d+は36.5μmを略中
心として、10〜50μmの範囲で変化させlこ。
(μm) 従って、上記設定厚さd2 d+は36.5μmを略中
心として、10〜50μmの範囲で変化させlこ。
第5図に、この計算結果を示す。同図中X軸は1/2波
長板の設定厚さ(+L+ −cl+ ) (μm)変
化、Y軸は変調度の変化率(m、o m2o)/m2
o(%)変化を表し、同図より下記のことが言える。
長板の設定厚さ(+L+ −cl+ ) (μm)変
化、Y軸は変調度の変化率(m、o m2o)/m2
o(%)変化を表し、同図より下記のことが言える。
■ l/2波長板の設定厚さが図中pの位置、即ち波長
730μm用に36.5μmになっているときは、実際
に波長730μmの光が透過すると、センサ全体の変調
度変化率の値(即ち温度係数)は約ゼロであり安定な温
度特性を示す。
730μm用に36.5μmになっているときは、実際
に波長730μmの光が透過すると、センサ全体の変調
度変化率の値(即ち温度係数)は約ゼロであり安定な温
度特性を示す。
■ 設定厚さが図中qの位置、即ち波長780μIn用
に約49μIn厚さになっているときは、実際に波長7
30μmの光が透過すると、温度係数は+05%となる
。
に約49μIn厚さになっているときは、実際に波長7
30μmの光が透過すると、温度係数は+05%となる
。
■ 設定厚さが図中rの位置、即ち波長830μn〕用
に約46μm厚さになっているときは、実際に波長73
0μmの光か透過すると、温度係数は+2.4%となる
。
に約46μm厚さになっているときは、実際に波長73
0μmの光か透過すると、温度係数は+2.4%となる
。
■ 設定厚さを大きくするほどセンサ全体の変調度変化
率の値(温度係数)は大きくなる。又設定厚さが波長7
30μmの光用の厚さより大きくなると温度係数は正に
なり、かつ波長730μn〕の光用の厚さより小さくな
るど、温度係数は負になる。
率の値(温度係数)は大きくなる。又設定厚さが波長7
30μmの光用の厚さより大きくなると温度係数は正に
なり、かつ波長730μn〕の光用の厚さより小さくな
るど、温度係数は負になる。
以上の設定厚さと、温度係数の正負との関係を第6及び
第7図に解り易く略図的に示す。尚第6図(B)〜(D
)、及び第7図(B)〜(I))は、X軸か温度、Y軸
が変調度変化率の各変化を表す。
第7図に解り易く略図的に示す。尚第6図(B)〜(D
)、及び第7図(B)〜(I))は、X軸か温度、Y軸
が変調度変化率の各変化を表す。
第6図(I3)に示す如く、7アラデー効果素子の温度
係数が実際に正(右上がり)の場合には、同図(A)に
示す如く、1/2波長板7の厚さしを、波長730μm
の光用の設定厚さE。(−365μm)より小さく設定
すれ11よい。すると、同図(C)に示す如く、ファラ
デー回転かn1□(肚の形管を受けないような理想的温
度特性のファラデ効果素子を使用したと仮定したときの
センサ全体の温度係数は、上記■の項で説明した如く負
(右下かり)になる。従って、同図(B)の温度特性は
同図(C)の温度特性により補正されて、実際のセンサ
全体の温度特性は同図(D)に示す如く所定温度範囲に
わたり略ゼロとなり、良好な温度5 補正がなされることか解る。
係数が実際に正(右上がり)の場合には、同図(A)に
示す如く、1/2波長板7の厚さしを、波長730μm
の光用の設定厚さE。(−365μm)より小さく設定
すれ11よい。すると、同図(C)に示す如く、ファラ
デー回転かn1□(肚の形管を受けないような理想的温
度特性のファラデ効果素子を使用したと仮定したときの
センサ全体の温度係数は、上記■の項で説明した如く負
(右下かり)になる。従って、同図(B)の温度特性は
同図(C)の温度特性により補正されて、実際のセンサ
全体の温度特性は同図(D)に示す如く所定温度範囲に
わたり略ゼロとなり、良好な温度5 補正がなされることか解る。
次に、第7図(B)に示す如く、ファラデー効果素子の
温度係数か実際に負(右下かり)の場合には、同図(A
)に示す如く、1/2波長板7の厚さtを、上記設定厚
さt。(=36.5μm)より大きく設定すればよい。
温度係数か実際に負(右下かり)の場合には、同図(A
)に示す如く、1/2波長板7の厚さtを、上記設定厚
さt。(=36.5μm)より大きく設定すればよい。
すると、同図(C)に示す如く、理想的温度特性のファ
ラデー効果素子を使用したと仮定したときのセンサ全体
の温度係数は、同しく上記■の項で説明した如く正(右
上かり)になるので、同図(B)の温度特性は同図(C
)の温度特性により補正されて、全体の温度特性は同図
(D)に示す如く同じく良好な温度補正かなされること
が解る。
ラデー効果素子を使用したと仮定したときのセンサ全体
の温度係数は、同しく上記■の項で説明した如く正(右
上かり)になるので、同図(B)の温度特性は同図(C
)の温度特性により補正されて、全体の温度特性は同図
(D)に示す如く同じく良好な温度補正かなされること
が解る。
実験例
次に第8図により、実際の実験例を示す。
同図中、発光ダイオード11から出射される光は、光フ
アイバ12により導かれて、偏光子2、l/2波長板7
、Zn5e製フアラデー効果素子4、検光子5を順次透
過する。その透過光は更に光フアイバ13により導かれ
て受光ダイオード14に至6 す、変換された電流かアンプ15を介してACアンプ1
6、DCアンプ17て夫々交流分及び直流分か増幅され
、更に割算器18で割算されて、アウトプッ)19から
交流分及び直流分の比AC/DCか出力される。一方、
AC電源20に接続したコイル21を巻回したコ字形鉄
心22が、上記ファラデー効果素子4を取り囲むよう配
設されて該素子4に磁界を与えている。これらは恒温槽
23内に収納されて、上述した20°C〜90°Cの温
度変化を正確に行い得るようになっている。
アイバ12により導かれて、偏光子2、l/2波長板7
、Zn5e製フアラデー効果素子4、検光子5を順次透
過する。その透過光は更に光フアイバ13により導かれ
て受光ダイオード14に至6 す、変換された電流かアンプ15を介してACアンプ1
6、DCアンプ17て夫々交流分及び直流分か増幅され
、更に割算器18で割算されて、アウトプッ)19から
交流分及び直流分の比AC/DCか出力される。一方、
AC電源20に接続したコイル21を巻回したコ字形鉄
心22が、上記ファラデー効果素子4を取り囲むよう配
設されて該素子4に磁界を与えている。これらは恒温槽
23内に収納されて、上述した20°C〜90°Cの温
度変化を正確に行い得るようになっている。
この場合、発光ダイオード11からの光の波長は850
nmとし、ファラデー効果素子4はZn5e製で長さは
12mmとし、かつ172波長板6の設定厚さ(d2−
dt)は光の波長830 n m用及び87Onm用に
夫々正規に対応する46゜3μm及び48.3μmの二
種類の厚さに設定して実験を行った。
nmとし、ファラデー効果素子4はZn5e製で長さは
12mmとし、かつ172波長板6の設定厚さ(d2−
dt)は光の波長830 n m用及び87Onm用に
夫々正規に対応する46゜3μm及び48.3μmの二
種類の厚さに設定して実験を行った。
その結果を示したのが第9図であり、同図中X軸は温度
、Y軸は変調度変化率の各変化を表す。
、Y軸は変調度変化率の各変化を表す。
これによれは、l/2波長板7の設定厚さか波長830
nm用の場合(d2−d、=46.3μm)は線Cのよ
うになり90°Cで変化率か+1.6%てあり、又設定
厚さが波長870用の場合(d2d、=4s、3μm)
は線dのようになり900Cて変化率が+3.4%であ
った。それゆえ、実際の光の波長850nmに対し、設
定厚さ(d2dt)を適宜変えることにより、変調度変
化率の値(温度係数)を変え得ることが解る。
nm用の場合(d2−d、=46.3μm)は線Cのよ
うになり90°Cで変化率か+1.6%てあり、又設定
厚さが波長870用の場合(d2d、=4s、3μm)
は線dのようになり900Cて変化率が+3.4%であ
った。それゆえ、実際の光の波長850nmに対し、設
定厚さ(d2dt)を適宜変えることにより、変調度変
化率の値(温度係数)を変え得ることが解る。
ここで、第9図を第6及び第7図と比較して考察すると
、1/2波長板が実際に使用された光の波長850μm
用の設定厚さを有している場合にはその温度特性は第9
図中破線eで示すようになると思われるので、設定厚さ
を小さくすることにより実際の温度特性をセンサ全体の
温度係数か負(右下かり)になる方向に移動するよう補
正出来、逆に設定厚さを大きくすることにより正(右上
かり)になる方向に移動するよう補正出来ることか解り
、上述した計算か正しいことが証明された。
、1/2波長板が実際に使用された光の波長850μm
用の設定厚さを有している場合にはその温度特性は第9
図中破線eで示すようになると思われるので、設定厚さ
を小さくすることにより実際の温度特性をセンサ全体の
温度係数か負(右下かり)になる方向に移動するよう補
正出来、逆に設定厚さを大きくすることにより正(右上
かり)になる方向に移動するよう補正出来ることか解り
、上述した計算か正しいことが証明された。
発明の効果
上述の如く、本発明になる磁界センサによれは、旋光子
の代わりに1/2fi長板を使用して、7アラデー効果
素子の温度係数が負の場合には、室温における1/2波
長板のXY二軸間の位相差をπより大きくし、逆に7ア
ラデー効果素子の温度係数が正の場合には、上記二軸間
の位相差をπより小さくしているので、次に示す利点か
ある。
の代わりに1/2fi長板を使用して、7アラデー効果
素子の温度係数が負の場合には、室温における1/2波
長板のXY二軸間の位相差をπより大きくし、逆に7ア
ラデー効果素子の温度係数が正の場合には、上記二軸間
の位相差をπより小さくしているので、次に示す利点か
ある。
■ センサ全体として、ファラデー効果素子の温度係数
がゼロ(即ち変調度の変化率かセロ)となる方向に補正
することか出来、広い温度範囲にわたり安定して磁界強
さを検出し得、検出精度を向上し得る。
がゼロ(即ち変調度の変化率かセロ)となる方向に補正
することか出来、広い温度範囲にわたり安定して磁界強
さを検出し得、検出精度を向上し得る。
■ 172波長板は厚さか約1. m m程度と小さい
ので、センサ全体の厚さを小さくして、センサを小型化
し得る。
ので、センサ全体の厚さを小さくして、センサを小型化
し得る。
第1図は磁界センサの第1の従来例及び第2の従来例に
おけるセンサの変調度変化率と温度との関係を示す図、 第2図は磁界センサの上記第2の従来例の概略構成を示
す斜視図、 9 第3図は磁界センサの第3の従来例の概略構成を示す斜
視図、 第4図は本発明になる磁界センサの一実施例である、1
/2波長板を使用した該磁界センサの概略構成を示ず斜
視図、 第5図は本発明磁界センサの変調度変化率とl/2波長
板の設定厚さの変化との関係を計算的に求めて示す図、 第6図(A)は本発明磁界センサのファラデ効果素子の
温度係数が負でありかつ1/2波長板の厚さか正規の厚
さより小さい場合の概略構成図、第6図(B)は上記フ
ァラデー効果素子単独の温度特性を示す図、 第6図(C)は理想的温度特性(即ち温度係数かセロ)
を有するファラデー効果素子と上記l/2彼長板とを用
いたときのセンサの温度特性図、第6図(D)は第6図
(B)及び(C)の各温度特性を台底した温度特性図、 第7図(A)は本発明磁界センサのファラデ効果素子の
温度係数か正でありかつl/2波長板0 の厚さか正規の厚さより大きい場合の概略構成図、第7
図(B)〜(D)は夫々第7図(A)の条件下での第6
図(B)〜(D)に対応する図、第8図は本発明磁界セ
ンサの一実施例の実験例の概略構成を示す図、 第9図は本発明磁界センサの変調度変化率と温度との関
係を実験的に求めて示した図である。 1・・光 2・・偏光子 3・・BSO製π/4旋光子 4・・・ファラデー効果素子 5・・・検光子6.7
− Z n S e製1/2波長板11・・発光ダイオ
ード 12.13・・光ファイバ 14・・・受光ダイオード 15〜17−アンプ 18・・・割算器21・・・コ
イル 22・・鉄心23・・・恒温槽。
おけるセンサの変調度変化率と温度との関係を示す図、 第2図は磁界センサの上記第2の従来例の概略構成を示
す斜視図、 9 第3図は磁界センサの第3の従来例の概略構成を示す斜
視図、 第4図は本発明になる磁界センサの一実施例である、1
/2波長板を使用した該磁界センサの概略構成を示ず斜
視図、 第5図は本発明磁界センサの変調度変化率とl/2波長
板の設定厚さの変化との関係を計算的に求めて示す図、 第6図(A)は本発明磁界センサのファラデ効果素子の
温度係数が負でありかつ1/2波長板の厚さか正規の厚
さより小さい場合の概略構成図、第6図(B)は上記フ
ァラデー効果素子単独の温度特性を示す図、 第6図(C)は理想的温度特性(即ち温度係数かセロ)
を有するファラデー効果素子と上記l/2彼長板とを用
いたときのセンサの温度特性図、第6図(D)は第6図
(B)及び(C)の各温度特性を台底した温度特性図、 第7図(A)は本発明磁界センサのファラデ効果素子の
温度係数か正でありかつl/2波長板0 の厚さか正規の厚さより大きい場合の概略構成図、第7
図(B)〜(D)は夫々第7図(A)の条件下での第6
図(B)〜(D)に対応する図、第8図は本発明磁界セ
ンサの一実施例の実験例の概略構成を示す図、 第9図は本発明磁界センサの変調度変化率と温度との関
係を実験的に求めて示した図である。 1・・光 2・・偏光子 3・・BSO製π/4旋光子 4・・・ファラデー効果素子 5・・・検光子6.7
− Z n S e製1/2波長板11・・発光ダイオ
ード 12.13・・光ファイバ 14・・・受光ダイオード 15〜17−アンプ 18・・・割算器21・・・コ
イル 22・・鉄心23・・・恒温槽。
Claims (1)
- 光ファイバにより導かれる光の進路に沿って、偏光子、
ファラデー効果素子、及び検光子を順次配置し、かつ該
ファラデー効果素子と、該偏光子及び検光子の何れか一
方との間に、水晶製1/2波長板を更に配置してなる磁
界センサにおいて、ファラデー効果素子の温度係数が負
の場合は、室温における前記1/2波長板のXY二軸間
の位相差をπ(即ち180度)より大きくしかつ、ファ
ラデー効果素子の温度係数が正の場合は、室温における
前記1/2波長板のXY二軸間の位相差をπ(即ち18
0度)より小さくした、ことを特徴とする磁界センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1171412A JPH0337584A (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | 磁界センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1171412A JPH0337584A (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | 磁界センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0337584A true JPH0337584A (ja) | 1991-02-18 |
Family
ID=15922660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1171412A Pending JPH0337584A (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | 磁界センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0337584A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105158709A (zh) * | 2015-08-05 | 2015-12-16 | 北京航空航天大学 | 一种基于内嵌nv-色心金刚石的磁场测量装置 |
-
1989
- 1989-07-03 JP JP1171412A patent/JPH0337584A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105158709A (zh) * | 2015-08-05 | 2015-12-16 | 北京航空航天大学 | 一种基于内嵌nv-色心金刚石的磁场测量装置 |
| CN105158709B (zh) * | 2015-08-05 | 2017-12-22 | 北京航空航天大学 | 一种基于内嵌nv‑色心金刚石的磁场测量装置 |
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