JPH0338020A - 微細パターン描画装置 - Google Patents
微細パターン描画装置Info
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- JPH0338020A JPH0338020A JP1173355A JP17335589A JPH0338020A JP H0338020 A JPH0338020 A JP H0338020A JP 1173355 A JP1173355 A JP 1173355A JP 17335589 A JP17335589 A JP 17335589A JP H0338020 A JPH0338020 A JP H0338020A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- optical element
- light
- laser
- concave lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザビームを用いてレジストパターン等を描
画するための微細パターン描画装置に関する。
画するための微細パターン描画装置に関する。
第13図は例えば「光ディスク、オプトロニクス社製、
昭和63年1月20日発行」に記載されているディスク
の原盤の作製に用いた従来の微細パターン描画装置を示
す模式図であり、図中1は原盤、2はレーザ光源、3は
描画のための走査光学系を示している。
昭和63年1月20日発行」に記載されているディスク
の原盤の作製に用いた従来の微細パターン描画装置を示
す模式図であり、図中1は原盤、2はレーザ光源、3は
描画のための走査光学系を示している。
原盤lはガラスディスクla上に感光物質1bを塗着し
て形成してあり、感光物質1bを塗着した面を上向きに
して回転台4a上にセントされ、回転サーボ機構4にて
回転駆動せしめられるようになっている。
て形成してあり、感光物質1bを塗着した面を上向きに
して回転台4a上にセントされ、回転サーボ機構4にて
回転駆動せしめられるようになっている。
レーザ発振装置2は^rレーザ等にて形成されており、
露光量自動制御装置8で制御された光量のレーザビーム
を発振するようになっている。発振されたレーザビーム
aは制御器6で制御された光変調器5を通過する際に変
調され、走査光学系3をtf4成する凹レンズ11に入
射せしめられろ。
露光量自動制御装置8で制御された光量のレーザビーム
を発振するようになっている。発振されたレーザビーム
aは制御器6で制御された光変調器5を通過する際に変
調され、走査光学系3をtf4成する凹レンズ11に入
射せしめられろ。
走査光学系3はラジアル送りサーボ機構10によって駆
動されるモータMにより原盤1の回転に応して原盤1の
径方向に移動し、原盤1上をレーザビームにて走査せし
めるようになっている。
動されるモータMにより原盤1の回転に応して原盤1の
径方向に移動し、原盤1上をレーザビームにて走査せし
めるようになっている。
走査光学系3は前記した凹レンズ11、反則器12及び
対物レンズ13を備えており、レーザビームaを凹レン
ズ11にて拡径させ、反射器12にて90°その進行方
向を変えて対物レンズ13にて感光物質1b上で適切に
焦点を結ぶよう集光され、原盤1上に投射され、感光物
質16を感光せしめるようになっている。
対物レンズ13を備えており、レーザビームaを凹レン
ズ11にて拡径させ、反射器12にて90°その進行方
向を変えて対物レンズ13にて感光物質1b上で適切に
焦点を結ぶよう集光され、原盤1上に投射され、感光物
質16を感光せしめるようになっている。
第14図(イ)はレーザビームによる原盤lの感光物質
1bに対する露光態様を示す説明図であり、感光物質l
bをレーザビームにて露光させ、潜像1cを形成する。
1bに対する露光態様を示す説明図であり、感光物質l
bをレーザビームにて露光させ、潜像1cを形成する。
第14図(口〉は原盤lの現像後の態様を示す説明図で
あり、第14図(イ)に示す潜像1cが現像によってピ
ント1dに成形される。ピノトld、ld間のピンチは
通常1.6μm、ピント幅は0.7μm程度である。
あり、第14図(イ)に示す潜像1cが現像によってピ
ント1dに成形される。ピノトld、ld間のピンチは
通常1.6μm、ピント幅は0.7μm程度である。
21は走査光学系3に設けた計測用のHe−Ne レー
ザ発振装置であって、出射されたレーザビームbはハー
フミラ−22で2分岐され、透過したレーザビームCは
反射器23.凹レンズ24.ミラー25を経て、またハ
ーフミラ−22で反射されたレーザビームdはミラー2
6.27を経て夫々対物レンズ13を透過し、原盤1に
投射せしめられるようになっている。そして原盤lから
反射された光は対物レンズ13を経てその一部はミラー
25.凹レンズ242反射器23に戻り、ここで反射さ
れて増幅器7で増幅され、露光量自動制御装置8へ入力
され、レーザ発振装置2からの出力を調整するようにな
っている。
ザ発振装置であって、出射されたレーザビームbはハー
フミラ−22で2分岐され、透過したレーザビームCは
反射器23.凹レンズ24.ミラー25を経て、またハ
ーフミラ−22で反射されたレーザビームdはミラー2
6.27を経て夫々対物レンズ13を透過し、原盤1に
投射せしめられるようになっている。そして原盤lから
反射された光は対物レンズ13を経てその一部はミラー
25.凹レンズ242反射器23に戻り、ここで反射さ
れて増幅器7で増幅され、露光量自動制御装置8へ入力
され、レーザ発振装置2からの出力を調整するようにな
っている。
また、原盤lからの反射光の一部は反射器12を経て自
動焦点合せサーボ機構9へ入力される。
動焦点合せサーボ機構9へ入力される。
自動焦点合せサーボ機構9は感光物質1bからの反射光
を取り込み、対物レンズ13の焦点位置と感光物質1b
表面との位置ずれ量を検出し、対物レンズ13をレンズ
駆動装置13aにて移動し、その焦点位置を調整するよ
うになっている。
を取り込み、対物レンズ13の焦点位置と感光物質1b
表面との位置ずれ量を検出し、対物レンズ13をレンズ
駆動装置13aにて移動し、その焦点位置を調整するよ
うになっている。
ところでディスクに対する記録情報量はこれに形成され
たピソロdの数に依存するから、記録情報を増すにはピ
・7ト数を増大する必要がある。このピ・71数を増大
するためにはピット間ピッチを更に狭小化するか、或い
はビット自体を小さくせねばならないが、このためには
レーザビームスポットの狭小化が前提となる。しかし従
来技術にあってはこれに限界があった。
たピソロdの数に依存するから、記録情報を増すにはピ
・7ト数を増大する必要がある。このピ・71数を増大
するためにはピット間ピッチを更に狭小化するか、或い
はビット自体を小さくせねばならないが、このためには
レーザビームスポットの狭小化が前提となる。しかし従
来技術にあってはこれに限界があった。
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、その
目的とするところはレーザビームスポットの狭小化を可
能とし、これによってピントの縮小化、ピント密度の増
大を図れるようにした微細パターン描画装置を提供する
にある。
目的とするところはレーザビームスポットの狭小化を可
能とし、これによってピントの縮小化、ピント密度の増
大を図れるようにした微細パターン描画装置を提供する
にある。
本発明に係る微細パターン描画装置は、レーザビームの
光路中でその強度及び/又は位相の空間的分布を変化さ
せる。
光路中でその強度及び/又は位相の空間的分布を変化さ
せる。
本発明にあってはこれによってレーザビーム、を集光し
たとき、ビームスポソト径を縮小することか可能となる
。
たとき、ビームスポソト径を縮小することか可能となる
。
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。
明する。
[実施例1]
実施例1はレーザビームの光路中に配設してレーザビー
ム強度の空間的分布を変化させる場合を示しており、第
1図は本発明に係る微細パターン描画装置(以下本発明
装置という)をディスク原盤に対する記録装置として用
いた場合を示す模式図であり、図中1は原盤、2はレー
ザ発振装置、3は描画のための走査光学系を示している
。
ム強度の空間的分布を変化させる場合を示しており、第
1図は本発明に係る微細パターン描画装置(以下本発明
装置という)をディスク原盤に対する記録装置として用
いた場合を示す模式図であり、図中1は原盤、2はレー
ザ発振装置、3は描画のための走査光学系を示している
。
原盤lはガラスディスクla上に感光物質1bを塗着し
て形成してあり、感光物質1bを塗着した面を上向きに
して回転台4a上にセソトされ、回転サーボ機構4にて
回転駆動せしめられるようになっている。レーザ発振装
置2はArレーザ等にて構成されており、露光量自動制
御装置8で制御された光量のレーザビームを発振するよ
うになっている。
て形成してあり、感光物質1bを塗着した面を上向きに
して回転台4a上にセソトされ、回転サーボ機構4にて
回転駆動せしめられるようになっている。レーザ発振装
置2はArレーザ等にて構成されており、露光量自動制
御装置8で制御された光量のレーザビームを発振するよ
うになっている。
発振されたレーザビームaは制御器6で制御された光変
調器5をfl遇する際に変調され、走査光学系3を構成
する凹レンズ11に入射セしめられる。
調器5をfl遇する際に変調され、走査光学系3を構成
する凹レンズ11に入射セしめられる。
走査光学系3はラジアル送りサーボ機構10によって駆
動されるモータMにより原盤1の回転に応して原盤1の
径方向に移動し、原盤1上をレーザビームにて走査せし
めるようになっている。
動されるモータMにより原盤1の回転に応して原盤1の
径方向に移動し、原盤1上をレーザビームにて走査せし
めるようになっている。
走査光学系3は前記した凹レンズ11、反射器12゜対
物レンズ13及び光学素子14を備えており、レーザビ
ームaは凹レンズ1−1にて拡径され、反射器12にて
90°その進行方向を変えられ、光学素子14にてレー
ザビームの一部を遮断された後、対物レンズ13にて感
光物質lb上で適切に焦点を結ぶよう集光されて原盤l
上に投射され、感光物ff1bを感光せしめるようにな
っている。
物レンズ13及び光学素子14を備えており、レーザビ
ームaは凹レンズ1−1にて拡径され、反射器12にて
90°その進行方向を変えられ、光学素子14にてレー
ザビームの一部を遮断された後、対物レンズ13にて感
光物質lb上で適切に焦点を結ぶよう集光されて原盤l
上に投射され、感光物ff1bを感光せしめるようにな
っている。
第2図は光学素子14.対物レンズ13及び原盤l及び
これらに対するレーザビームを示す部分拡大図、第3図
(イ)は本発明装置に用いる光学素子の模式的平面図、
第3図(ロ)は同じく第3図(イ)のローロ線による断
面図であり、円板形をなす透光性基板14aの片面全面
に誘電体多層膜等によって構成される透光層14bを、
また他面には中心部にAu等のレーザビーム反射物質か
らなる遮光層14dを、またその周縁部には誘電体多層
膜等によって構成される透光層14cを夫々形成して構
成されており、第2図に示す如く遮光層14dを設けた
側をレーザビームの入射側に向けて対物レンズ13の直
前に配設され、これに入射した光は遮光層14dと対応
する中心部分を遮光されてリング状のレーザビームとし
て対物レンズ13で集光され、原盤1の感光物質ib上
に投射せしめられることとなる。
これらに対するレーザビームを示す部分拡大図、第3図
(イ)は本発明装置に用いる光学素子の模式的平面図、
第3図(ロ)は同じく第3図(イ)のローロ線による断
面図であり、円板形をなす透光性基板14aの片面全面
に誘電体多層膜等によって構成される透光層14bを、
また他面には中心部にAu等のレーザビーム反射物質か
らなる遮光層14dを、またその周縁部には誘電体多層
膜等によって構成される透光層14cを夫々形成して構
成されており、第2図に示す如く遮光層14dを設けた
側をレーザビームの入射側に向けて対物レンズ13の直
前に配設され、これに入射した光は遮光層14dと対応
する中心部分を遮光されてリング状のレーザビームとし
て対物レンズ13で集光され、原盤1の感光物質ib上
に投射せしめられることとなる。
なお、遮光層14dとしては反射物質に代えて光吸収物
質を用いてもよい。
質を用いてもよい。
第4図は上述した如き光学素子における遮光層14dの
半径d、透光層14cの外半径d2相互の比率率(β=
at/dx)を変えたときの焦点位置におけるレーザビ
ームの強度分布を計算機のシミュレーションにより得た
結果を示すグラフであり、横軸にレーザビームの半径方
向の距離を、また縦軸に規格化されたレーザビーム強度
をとって示しである。
半径d、透光層14cの外半径d2相互の比率率(β=
at/dx)を変えたときの焦点位置におけるレーザビ
ームの強度分布を計算機のシミュレーションにより得た
結果を示すグラフであり、横軸にレーザビームの半径方
向の距離を、また縦軸に規格化されたレーザビーム強度
をとって示しである。
このグラフから明らかなように感光物質1bの閾値を例
えば0.2程度に設定するとビーム径はβ−〇の従来例
に対してβ=0.6の時には約20%、β−1の時には
約30%減少し得ることが解る。
えば0.2程度に設定するとビーム径はβ−〇の従来例
に対してβ=0.6の時には約20%、β−1の時には
約30%減少し得ることが解る。
従ってレーザビーム径の減少に応して感光物質上のピノ
ト幅の縮小、ピント間ビノチの縮小が可能となり、それ
だけピント密度の増大が図れることとなる。
ト幅の縮小、ピント間ビノチの縮小が可能となり、それ
だけピント密度の増大が図れることとなる。
なお上述の実施例にあっては遮光層14dを透光性基板
14aの中心部に同心状に設けた構成を示したが、これ
に限らず例えば第5図に示す如くレーザビームによる走
査方向(矢符方向)に対し、遮光層14dが左、右対称
に位置すれば同心状に位置しないでも実質的に同じ効果
が得られる。
14aの中心部に同心状に設けた構成を示したが、これ
に限らず例えば第5図に示す如くレーザビームによる走
査方向(矢符方向)に対し、遮光層14dが左、右対称
に位置すれば同心状に位置しないでも実質的に同じ効果
が得られる。
また上述の実り語例にあっては光学素子14をレーザビ
ームの進行方向に対し、対物レンズ13よりも前に配置
する構成を示したが、第6図に示す如く対物レンズ13
の後に配置しても同様の効果が得られる。
ームの進行方向に対し、対物レンズ13よりも前に配置
する構成を示したが、第6図に示す如く対物レンズ13
の後に配置しても同様の効果が得られる。
更に対物レンズ13の直前、直後に限らず、例えばレー
ザビームの光路ψの任意位置に光学素子14を配置して
もよい。
ザビームの光路ψの任意位置に光学素子14を配置して
もよい。
なお、He−Neレーザ発振装置21、ハーフミラ−2
2、反射器23、凹レンズ24、稟う−25.26.2
7等からなる計測光学系は第13図に示す従来装置と実
質的に同しであり、対応する部分に同じ番号を付して説
明を省略する。
2、反射器23、凹レンズ24、稟う−25.26.2
7等からなる計測光学系は第13図に示す従来装置と実
質的に同しであり、対応する部分に同じ番号を付して説
明を省略する。
[実施例2コ
実施例2は実施例1と同様にレーザビーム強度の空間的
分布を変化させる場合を示している。
分布を変化させる場合を示している。
第7図は本発明に用いる光学素子の他の例を示しており
、第7図(イ)は模式的平面図、第7図(ロ)は第7図
(イ)のローロ線による縦断面図である。この実施例に
あっては円板形をなす透光性基’tJi16aの両面に
夫々誘電体多層膜からなる透光IJ16b、 16cを
形成すると共に、片面の遮光層16cの表面中央にAu
等の光反射機能又は光吸収機能を備えた遮光層16dを
形成して構成しである。
、第7図(イ)は模式的平面図、第7図(ロ)は第7図
(イ)のローロ線による縦断面図である。この実施例に
あっては円板形をなす透光性基’tJi16aの両面に
夫々誘電体多層膜からなる透光IJ16b、 16cを
形成すると共に、片面の遮光層16cの表面中央にAu
等の光反射機能又は光吸収機能を備えた遮光層16dを
形成して構成しである。
他の構成は実施例1と実質的に同じである。
上述した実施例1,2にあっては光学素子1/1.16
と対物レンズ13とを別個の部品で構成したが、対物レ
ンズ13の入射面上に直接遮光領域を形成してもよい。
と対物レンズ13とを別個の部品で構成したが、対物レ
ンズ13の入射面上に直接遮光領域を形成してもよい。
この場合対物レンズ13が複数のレンズで構成されてい
る場合は最も集光機能の大きいレンズを特定して、この
レンズに対して遮光領域を形成することは勿論である。
る場合は最も集光機能の大きいレンズを特定して、この
レンズに対して遮光領域を形成することは勿論である。
なお、実施例2においては遮光層16dとしてAu等光
を反射する材料又は吸収する材料を用いる場合について
説明したが、これに代えて例えばレーザビームに対する
光透過率が透光層14c、16cと異なる材料を用いて
もよい。
を反射する材料又は吸収する材料を用いる場合について
説明したが、これに代えて例えばレーザビームに対する
光透過率が透光層14c、16cと異なる材料を用いて
もよい。
[実施例3]
実施例3はレーザビームの光路中に配設され、レーザビ
ームの位相の空間的分布を変化させる場合を示している
。第8図(イ)は本発明に用いる光学素子の更に他の例
を示す平面図、第8図(ロ)は第8図(イ)のローロ線
による断面図であり、この実施例にあっては透光性基板
17aの11面中央部に円形の凹所17fを形成し、こ
の凹所17fの底面及び凹所以外の表面、並びに裏面に
夫々透光層17b、 17c、 17dを積層形成して
構成しである。
ームの位相の空間的分布を変化させる場合を示している
。第8図(イ)は本発明に用いる光学素子の更に他の例
を示す平面図、第8図(ロ)は第8図(イ)のローロ線
による断面図であり、この実施例にあっては透光性基板
17aの11面中央部に円形の凹所17fを形成し、こ
の凹所17fの底面及び凹所以外の表面、並びに裏面に
夫々透光層17b、 17c、 17dを積層形成して
構成しである。
第9図は上記した如き光学素子の使用態様を示す説明図
であり、レーザビームの進行方向に対し、対物レンズ1
3の直前に光学素子17を配設し、レーザビームは前記
光学素子17の凹所17f及び凹所17f以外の部分を
透過して位相の空間的分布を変化せしられた状態で対物
レンズ13に入射し、原盤1上の感光物質1b表面に入
射セしめられることとなる。
であり、レーザビームの進行方向に対し、対物レンズ1
3の直前に光学素子17を配設し、レーザビームは前記
光学素子17の凹所17f及び凹所17f以外の部分を
透過して位相の空間的分布を変化せしられた状態で対物
レンズ13に入射し、原盤1上の感光物質1b表面に入
射セしめられることとなる。
第10図(イ〉は光学素子17に入射する前のレーザビ
ームの位相分布図、第10図〈口)は光学素子17を透
過した後のレーザビームの位相分布図であり、横軸にレ
ーザビーム中心からの距離を、また縦軸に位相をとって
示しである。このグラフから明らかな如く、光学素子1
7に入射する前においては位相はレーザビームの径方向
において略直線に近い曲率の球面となっているが、光学
素子17を透過した後はn−d・2π/λ(但し、n:
屈折率、d:凹所17fと非凹所部分との肉厚差、λ:
波長)だけ非凹所部分を透過した光の位相が凹所17f
を透過した光の位相よりも遅れることとなる。
ームの位相分布図、第10図〈口)は光学素子17を透
過した後のレーザビームの位相分布図であり、横軸にレ
ーザビーム中心からの距離を、また縦軸に位相をとって
示しである。このグラフから明らかな如く、光学素子1
7に入射する前においては位相はレーザビームの径方向
において略直線に近い曲率の球面となっているが、光学
素子17を透過した後はn−d・2π/λ(但し、n:
屈折率、d:凹所17fと非凹所部分との肉厚差、λ:
波長)だけ非凹所部分を透過した光の位相が凹所17f
を透過した光の位相よりも遅れることとなる。
この結果、原盤1上に集光したときのレーザビームスポ
ソトの強度分布は第11図に示す如くになる。第11図
は横軸にレーザビームの径方向の距離を、また縦軸に規
格化されたレーザビーム強度をとって示しである。グラ
フ中実線は本発明装置を用いたときの、破線は従来装置
を用いたときの弧度分布である。このグラフから明らか
なように例えば感光物質1bの闇値を0.2とすると従
来装置におけるレーザビームスポット径はW′であるの
に対し、本発明装置に依ったときはWに縮小し得ている
ことが解る。
ソトの強度分布は第11図に示す如くになる。第11図
は横軸にレーザビームの径方向の距離を、また縦軸に規
格化されたレーザビーム強度をとって示しである。グラ
フ中実線は本発明装置を用いたときの、破線は従来装置
を用いたときの弧度分布である。このグラフから明らか
なように例えば感光物質1bの闇値を0.2とすると従
来装置におけるレーザビームスポット径はW′であるの
に対し、本発明装置に依ったときはWに縮小し得ている
ことが解る。
[実施例4]
実施例4は実施例3と同様にレーザビームの位相の空間
的分布を変化させる場合を示しており、第12図(イ)
は本発明装置に用いる光学素子の更に他の例を示す平面
図、第12図(ロ)は第12図(イ)のローロ線による
断面図である。光学素子18は透光性基板18aの片面
に中央部と、周縁部とで屈折率の異なる2種の透光層1
8b、 18cを均一な厚さに積層形成して構成しであ
る。両法光層18b18cの屈折率はいずれが小さく、
いずれが大きくてもよい。またその半径dl+d!の比
率についても特に限定するものではない。
的分布を変化させる場合を示しており、第12図(イ)
は本発明装置に用いる光学素子の更に他の例を示す平面
図、第12図(ロ)は第12図(イ)のローロ線による
断面図である。光学素子18は透光性基板18aの片面
に中央部と、周縁部とで屈折率の異なる2種の透光層1
8b、 18cを均一な厚さに積層形成して構成しであ
る。両法光層18b18cの屈折率はいずれが小さく、
いずれが大きくてもよい。またその半径dl+d!の比
率についても特に限定するものではない。
他の構成は実施例1の場合と実質的に同しである。
実施例3.4の場合についても光学素子17.18にお
ける凹所17f 、透光層18bを透光性基板17a。
ける凹所17f 、透光層18bを透光性基板17a。
18aを同心に形成する代わりに第5図に示した場合と
同様にレーザビームによる走査方向に対し左。
同様にレーザビームによる走査方向に対し左。
右対称な関係を維持すれば透光性基板17a、L8aに
対し偏心して形成されていてもよいことは勿論である。
対し偏心して形成されていてもよいことは勿論である。
また上述の実施例3.4では光学素子17.18を対物
レンズ13とは別体に構成した場合につき説明したが、
対物レンズ13の表面に光学素子17.18を一体的に
形成してもよい。この場合対物レンズ13が複数のレン
ズで構成されている場合は最も集光機能の大きいレンズ
を特定して、このレンズに対して遮光領域を形成するこ
とは勿論である。
レンズ13とは別体に構成した場合につき説明したが、
対物レンズ13の表面に光学素子17.18を一体的に
形成してもよい。この場合対物レンズ13が複数のレン
ズで構成されている場合は最も集光機能の大きいレンズ
を特定して、このレンズに対して遮光領域を形成するこ
とは勿論である。
また上述の各実施例1〜4は光路中に光学素子1416
.17.18を夫々単独に配設する)14成につき説明
したが、各光学素子を適宜相互に組み合わせて用いても
よい。
.17.18を夫々単独に配設する)14成につき説明
したが、各光学素子を適宜相互に組み合わせて用いても
よい。
更に上述した実施例1〜4は、ディスク原盤の記録装置
に適用した場合について説明したが、何らこれに限らず
、例えばレーザビームによりレジスト等の遮光物質を感
光させてパターンを描画する装置であれば何でもよい。
に適用した場合について説明したが、何らこれに限らず
、例えばレーザビームによりレジスト等の遮光物質を感
光させてパターンを描画する装置であれば何でもよい。
以上の如く本発明装置にあってはレーザビーム弧度又は
位相の空間的分布に変化を与えることとしたからレーザ
ビームのビームスポット径を縮小することが出来て、よ
りピント間隔の縮小化、高密度化が図れて、記録量の向
上を図ることが出来るなど本発明は優れた効果を奏する
ものである。
位相の空間的分布に変化を与えることとしたからレーザ
ビームのビームスポット径を縮小することが出来て、よ
りピント間隔の縮小化、高密度化が図れて、記録量の向
上を図ることが出来るなど本発明は優れた効果を奏する
ものである。
第1図は本発明装置の模式図、第2図は光学素子の使用
態様を示す部分拡大図、第3図(イ)は光学素子の平面
図、第3図(ロ)は第3図(イ)のローロ線による断面
図、第4図は光学素子を用いたときのレーザビームスポ
ットの強度分布図、第5図は光学素子の変形例を示す説
明図、第6図は光学素子の他の配置態様を示す説明図、
第7図(イ)は本発明装置に用いる光学素子の更に他の
例を示す平面図、第7図(ロ)は第7図(イ)のローロ
線による断面図、第8図(イ)は本発明装置に用いる光
学素子の更に他の例を示す平面図、第8図(ロ)は第8
図(イ)のローロ線による断面図、第9図は第8図(イ
)、(口〉に示す光学素子の使用態様を示す説明図、第
10図(イ)は第8図(イ〉、(ロ)に示す光学素子を
通過する前の位相分布図、第1O図(ロ)は第8図(イ
)、(ロ)に示す光学素子をif!!過した後の位相分
布図、第11図は第8図(イ)、(ロ)に示す光学素子
を用いたときのレーザビームスポットの強度分布図、第
12図(イ)は本発明装置に用いる光学素子の更に他の
例を示す平面図、第12図(ロ)は第12図(イ)のロ
ーロ線による断面図、第13図は従来装置の模式図、第
14図(イ)はレーザビームによる露光状態の説明図、
第14図(ロ)は第14図(イ)に示す原盤を現像した
後の状態を示す説明図である。 1・・・原盤 2・・・レーザ発振装置 3・・・走査
光学系 4・・・回転サーボ機構 11・・・凹レンズ
12・・・反射器 13・・・対物レンズ 14.1
6.17.18・・・光学素子なお、図中、同一符号は
同一、又は相当部分を示す。
態様を示す部分拡大図、第3図(イ)は光学素子の平面
図、第3図(ロ)は第3図(イ)のローロ線による断面
図、第4図は光学素子を用いたときのレーザビームスポ
ットの強度分布図、第5図は光学素子の変形例を示す説
明図、第6図は光学素子の他の配置態様を示す説明図、
第7図(イ)は本発明装置に用いる光学素子の更に他の
例を示す平面図、第7図(ロ)は第7図(イ)のローロ
線による断面図、第8図(イ)は本発明装置に用いる光
学素子の更に他の例を示す平面図、第8図(ロ)は第8
図(イ)のローロ線による断面図、第9図は第8図(イ
)、(口〉に示す光学素子の使用態様を示す説明図、第
10図(イ)は第8図(イ〉、(ロ)に示す光学素子を
通過する前の位相分布図、第1O図(ロ)は第8図(イ
)、(ロ)に示す光学素子をif!!過した後の位相分
布図、第11図は第8図(イ)、(ロ)に示す光学素子
を用いたときのレーザビームスポットの強度分布図、第
12図(イ)は本発明装置に用いる光学素子の更に他の
例を示す平面図、第12図(ロ)は第12図(イ)のロ
ーロ線による断面図、第13図は従来装置の模式図、第
14図(イ)はレーザビームによる露光状態の説明図、
第14図(ロ)は第14図(イ)に示す原盤を現像した
後の状態を示す説明図である。 1・・・原盤 2・・・レーザ発振装置 3・・・走査
光学系 4・・・回転サーボ機構 11・・・凹レンズ
12・・・反射器 13・・・対物レンズ 14.1
6.17.18・・・光学素子なお、図中、同一符号は
同一、又は相当部分を示す。
Claims (2)
- (1)集光させたレーザビームにて感光物質面を走査し
て微細パターンを描画する装置において、 前記レーザビームの光路中にレーザビーム 強度の空間的分布を変化させる光学素子を配したことを
特徴とする微細パターン描画装置。 - (2)集光させたレーザビームにて感光物質面を走査し
て微細パターンを描画する装置において、 前記レーザビームの光路中にレーザビーム の位相の空間的分布を変化させる光学素子を配したこと
を特徴とする微細パターン描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1173355A JPH0338020A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 微細パターン描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1173355A JPH0338020A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 微細パターン描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0338020A true JPH0338020A (ja) | 1991-02-19 |
Family
ID=15958874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1173355A Pending JPH0338020A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 微細パターン描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0338020A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008219000A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-18 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
| WO2025225290A1 (ja) * | 2024-04-23 | 2025-10-30 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置 |
-
1989
- 1989-07-04 JP JP1173355A patent/JPH0338020A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008219000A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-18 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
| WO2025225290A1 (ja) * | 2024-04-23 | 2025-10-30 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置 |
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