JPH0338035A - 拡散ウェハの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は拡散ウェハの製造方法に関する。

〔従来の技術〕

シリコンウェハには、メーカーにより片面に不純物拡散
が施された状態でユーザーに出荷されるものがあり、こ
れらは一般に拡散ウェハと呼ばれている。この拡散ウェ
ハは、正確な拡散濃度及び拡散深さが確保されているた
め、主に三重拡散型トランジスタの基板として用いられ
ている。

従来、拡散ウェハは第２図（ａ）〜（ｄ）に示すような
方法で製造されている。まず、例えばＮ型のシリコンイ
ンゴットをスライスしラッピングしてＮ型ラップトウェ
ハ１を得る（第２図（ａ）図示）。

このラップトウェハｌの両面に例えばＮ型不純物を拡散
してＮ０型拡散層２（拡散深さ７０〜２５０ｔ１Ｍ）を
形成する（同図（ｂ）図示）。ここで、ラップトウェハ
及び拡散層の導電型は、用途に応じて、Ｎ型、Ｐ型のい
ずれでもよい。この両面拡散されたウェハ１の片面の拡
散層を研磨して除去する（同図（Ｃ）図示）。その後、
洗浄を行って、第２図（ｄ）に示すような拡散ウェハ３
が得られる。

なお、第２図（ｂ）の工程でウェハの片面にのみ不純物
を拡散する方法もあるが、この場合も第２図（Ｃ）に対
応する工程でウェハの不純物が拡散されていない側の片
面の研磨が行われる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、従来の方法では、シリコンインゴットからラッ
プトウェハを経て拡散ウェハを製造するまでに、１枚の
拡散ウニｎ３りの切り代（しろ）及びラップ代が大きい
ため、コストが上昇するという問題があった。

本発明は前記問題点を解決するためになされたものであ
り、低コストで拡散ウェハを製造できる方法を提供する
ことを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の拡散ウェハの製造方法は、複数のシリコンウェ
ハの両面に不純物を拡散する工程と、両面拡散された複
数のシリコンウェハを接着剤で接着してインゴットを作
製する工程と、インゴットを構成する両面拡散された各
シリコンウェハの中央部を切断する工程と、接着剤を除
去して片面拡散された拡散ウェハを得る工程とを具備し
たことを特徴とするものである。

本発明においては、従来と同様に、ラップトウェハ及び
拡散層の導電型はＮ型、Ｐ型のいずれでもよく、用途に
応じて決定される。

本発明において、接着剤は特に限定されないが、ウェハ
に不純物が付着することがなく、Ｌかも容易に除去でき
るものが好ましい。このような接着剤としては例えばパ
ラフィンを挙げることができる。パラフィンは精製が容
易で、しかも有機溶剤を用いて容易に除去することがで
きる。接着剤の量はウェハの直径によっても異なるため
、−ｔａに限定できないが、接着剤の量が少なすぎると
接着しに＜＜、多すぎるとムラになって均一に接着する
ことができない。

本発明において、両面拡散された複数のシリコンウェハ
を接着剤で接着して作製されたイン・ゴツトを構成する
各シリコンウェハの中央部を切断（スライス）するには
、Ｃ２法により引き上げられたインゴットをスライスす
る場合と同様な方法が用いられる。すなわち、インゴッ
トをカーボンベースに接着してカーボンベースごと切断
機にセットし、ブレードでインゴットとともにカーボン
ベースまでスライスする。

〔作用〕

本発明方法では、シリコンインゴットを切断・研磨して
、従来のラップトウェハの約２倍の厚さのラップトウェ
ハを得て、最終的には１枚のラップドウェへ当り２枚の
拡散ウェハを製造する。つまり、従来はシリコンインゴ
ットからＡ枚のラップトウェハを得ていたとすると、本
発明方法においてはシリコンインゴットからＡ／２枚の
ラップトウェハを得るだけでよい。このため、シリコン
インゴットからラップトウェハを得る際に、１枚のラッ
プドウェへ当り同一の切り代及びラップ代を見込むとす
れば、全ラップトウェハを得るための切り代及びラップ
代の合計は、本発明方法では従来の方法の１／２でよい
。また、ラップトウェハから拡散ウェハを得る際には、
従来の方法で片面の拡散層を研磨するためのラップ代と
、本発明方法において各シリコンウェハの中央部を切断
するための切り代とは同程度でよい。したがって、本発
明方法では、最初のシリコンインゴットから最終的な拡
散ウェハをｊするまでの全体の切り代及びラップ代を従
来よりも大幅に減少することかできるので、低コストで
拡散ウェハを製造できる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を第１図（ａ）〜（ｄ）を参照し
て説明する。なお、以下の実施例では、全体の厚さが２
００ｕｓ、拡散層の深さが１５０μｓの拡散ウェハを製
造する場合について説明する。

まず、Ｎ型のシリコンインゴットをスライスしラッピン
グして得られた厚さ９００、．５インチ径のＮ型ラップ
トウェハ１の両面にＮ型不純物を拡散して拡散深さ１５
０μのＮ＋型型数散層２形成した（第１図（ａ）図示）
。次に、この両面拡散されたウェハ１を複数枚用意し、
５０−１５０℃に加熱したパラフィン４を１〜５ｇ滴下
し加圧して順次これらを接着することによりインゴット
を作製した（同図（ｂ）図示）。このインゴットをカー
ボンベースに接着し、切断機にセットした後（図示せず
）、インゴットを構成する両面拡散された各ウェハ１の
中央部をカーボンベースが分離されるまで切断した。更
に、アルカリ洗浄してカーボンベースをはずし、溶剤を
用いて洗浄することによりパラフィン４を除去した。そ
の後、最終洗浄を行い、最後に鏡面加工を行った（同図
（ｃ）図示）。

こうして、厚さ２０Ｏｎ、拡散深さ１５０．の拡散ウェ
ハ３を得た（同図（ｄ）図示）。

ここで、従来の方法により厚さ２００Ｂ、拡散深さ１５
０　ｎの拡散ウェハを得る場合、ラップ代を２５０μ見
込んで厚さ４５０μのラップトウェハが必要とされてい
る。この厚さ４５０ｎのラップトウェハを得るためには
、切り代及びラップ代を４１０　ｔａｎ見込んで１枚の
ラップドウェへ当り厚さ８６０ｎに相当するシリコンイ
ンゴットが使用される。すなわち、従来は厚さ２００ｐ
の拡散ウェハを得るために、厚さ８６０μのシリコンイ
ンゴットが使用されている。

これに対して、前記実施例では厚さ２０Ｏｎ、拡散深さ
１５０　Ｍの拡散ウェハを得るために、１枚当りの切り
代を２５Ｏｎ、　２枚の合計で５００ｎ見込んで厚さ９
００μのラップトウェハから２枚の拡散ウェハを得てい
る。この厚さ９００　ｔａｎのラップトウェハを得るた
めには、切り代及びラップ代を４１０゜見込んで１枚の
ラップドウェへ当り厚さ１３１０Ｂに相当するシリコン
インゴットが使用される。すなわち、前記実施例では厚
さ２００μの拡散ウェノ＼を２枚得るために、厚さ１３
１０μのシリコンインゴットが使用され、１枚の拡散ウ
ニへ当りのシリコンインゴットの厚さは８５５ｎである
。

このように本実施例では従来と比較して１枚の拡散ウェ
ハを得るために使用されるシリコンインゴットの厚さを
２０５　ｍ　（２４％）減少できる。これに伴い、本実
施例では従来より材料コストを２４％低減することがで
きる。

〔発明の効果〕

以上詳述したように本発明方法では低コストで拡散ウェ
ハを製造することができ、その工業的価値は極めて大き
い。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例における拡散ウ
ェハの製造方法を示す断面図、Ｔｓ２図（ａ）〜（ｄ）
は従来の拡散ウェハの製造方法を示す断面図である。 １・・・シリコンウェハ、２・・・拡散層、３・・・拡
散ウェハ、 ４・・・パラフィ ン （接着剤）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 複数のシリコンウェハの両面に不純物を拡散する工程と
   、両面拡散された複数のシリコンウェハを接着剤で接着
   してインゴットを作製する工程と、インゴットを構成す
   る両面拡散された各シリコンウェハの中央部を切断する
   工程と、接着剤を除去して片面拡散された拡散ウェハを
   得る工程とを具備したことを特徴とする拡散ウェハの製
   造方法。