JPH0338644A - フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
フォトマスク及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0338644A JPH0338644A JP1173748A JP17374889A JPH0338644A JP H0338644 A JPH0338644 A JP H0338644A JP 1173748 A JP1173748 A JP 1173748A JP 17374889 A JP17374889 A JP 17374889A JP H0338644 A JPH0338644 A JP H0338644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photomask
- film
- etching
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003187 abdominal effect Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035935 pregnancy Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、フォトリソグラフィにおいて、フォトレジス
トを選択的に露光させるためのフォトマスク及びその製
造方法に関するものである。
トを選択的に露光させるためのフォトマスク及びその製
造方法に関するものである。
［従来技術］
従来、フォトリソグラフィでは所定形状パターンの透光
性部分を有するフォトマスクを用いてフォトレジストの
露光を行なう。このフォトマスクはガラス基板など透光
性基板上にクロム・アルミニウム・酸化鉄などの金属薄
膜を堆積させた後、フォトリソグラフィにより作成され
る。つまり、金属薄膜上にポジ型フォトレジストをコー
ティングしレーザなどの光源で露光する。そして、光照
射部のレジストを現像処理により除去し、さらに露出し
た金属薄膜を酸等でエツチングして除去し、基板を完全
に露出する。このようにして光照射による透光性の基板
露出部と非照射部の遮光性の金属薄膜残留部により所定
のマスクパターンを有するフォトマスクを得る。
性部分を有するフォトマスクを用いてフォトレジストの
露光を行なう。このフォトマスクはガラス基板など透光
性基板上にクロム・アルミニウム・酸化鉄などの金属薄
膜を堆積させた後、フォトリソグラフィにより作成され
る。つまり、金属薄膜上にポジ型フォトレジストをコー
ティングしレーザなどの光源で露光する。そして、光照
射部のレジストを現像処理により除去し、さらに露出し
た金属薄膜を酸等でエツチングして除去し、基板を完全
に露出する。このようにして光照射による透光性の基板
露出部と非照射部の遮光性の金属薄膜残留部により所定
のマスクパターンを有するフォトマスクを得る。
［発明が解決しようとする課ｍｌ
しかしながら、このようなフォトマスクの製造工程では
、遮光膜となる金属薄膜のエツチングの工程は、適当な
エツチング液にマスク全体を浸漬し、金属薄膜を完全に
除去しその部分の基板が露出するまで行なわれる。この
際、一般にエツチング液の濃度や温度の分布は不均一な
ので基板が完全に露出するまでの時間に差が生じる。こ
のため全域にわたり完全に基板露出するまでエツチング
を行なうと局所的にポジ型フォトレジストと金属薄膜と
の間にエツチング液が浸透して金属薄膜の側面がエツチ
ングされ所定寸法以上金属膜がエツチングされるためパ
ターン精度が悪くなる。
、遮光膜となる金属薄膜のエツチングの工程は、適当な
エツチング液にマスク全体を浸漬し、金属薄膜を完全に
除去しその部分の基板が露出するまで行なわれる。この
際、一般にエツチング液の濃度や温度の分布は不均一な
ので基板が完全に露出するまでの時間に差が生じる。こ
のため全域にわたり完全に基板露出するまでエツチング
を行なうと局所的にポジ型フォトレジストと金属薄膜と
の間にエツチング液が浸透して金属薄膜の側面がエツチ
ングされ所定寸法以上金属膜がエツチングされるためパ
ターン精度が悪くなる。
本発明は、上述した問題点を解決するためになされたも
のであり、フォトリソグラフィにおいて遮光膜である金
属膜あるいは金属化合物のエツチングを基板露出以前に
終了することにより、パターン精度の良いマスクを得る
ことを目的としている。
のであり、フォトリソグラフィにおいて遮光膜である金
属膜あるいは金属化合物のエツチングを基板露出以前に
終了することにより、パターン精度の良いマスクを得る
ことを目的としている。
［課題を解決するための手段］
この目的を達成するために本発明のフォトマス、りは透
光部のマスク基板が完全に露出していないことを要旨と
する。
光部のマスク基板が完全に露出していないことを要旨と
する。
また本発明のフォトマスクの製造方法は、エツチング工
程において、レジスト層のない位置の遮光膜が完全に溶
解する前にエツチング液をとりのぞくことを要旨とする
。
程において、レジスト層のない位置の遮光膜が完全に溶
解する前にエツチング液をとりのぞくことを要旨とする
。
［作用］
上記の構成を有する本発明のフォトマスクでは、フォト
リソグラフィによって遮光膜である金属あるいは金属化
合物薄膜のエツチングを基板が露出する前に終了させる
。従って、所定形状のパターンが金属あるいは金属化合
物薄膜の膜厚差により形成される。すなわち、レジスト
被覆による初期膜厚部と前述のようなエツチングによる
極薄膜残留部とにより膜厚差が生じる。前者の膜厚が十
分厚く低透過率を有し、後者の膜厚が十分薄く高透過率
を有しているので、この透過率の差により初期膜厚部す
なわち遮光部は光が透過せず、極薄膜残留部すなわち透
光部のみ光が透過する。このため、このフォトマスクに
より従来と同様に所定形状パータンの露光が可能となる
。
リソグラフィによって遮光膜である金属あるいは金属化
合物薄膜のエツチングを基板が露出する前に終了させる
。従って、所定形状のパターンが金属あるいは金属化合
物薄膜の膜厚差により形成される。すなわち、レジスト
被覆による初期膜厚部と前述のようなエツチングによる
極薄膜残留部とにより膜厚差が生じる。前者の膜厚が十
分厚く低透過率を有し、後者の膜厚が十分薄く高透過率
を有しているので、この透過率の差により初期膜厚部す
なわち遮光部は光が透過せず、極薄膜残留部すなわち透
光部のみ光が透過する。このため、このフォトマスクに
より従来と同様に所定形状パータンの露光が可能となる
。
〔実施例コ
以下、本発明を具体化した一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
本発明のフォトマスクは例えば第１図のように透明なガ
ラス基板１とその上に形成された酸化鉄等の遮光膜２か
ら構成され、遮光部３の膜厚は十分大きく、透光部４の
膜厚は薄くなっている。
ラス基板１とその上に形成された酸化鉄等の遮光膜２か
ら構成され、遮光部３の膜厚は十分大きく、透光部４の
膜厚は薄くなっている。
このような、フォトマスクは以下に示す工程にて第２図
のように作られる。最初に（ａ）のようにガラス基板１
の一面に酸化鉄膜２を１７００人はど公知の高周波スパ
ッタリング法にて堆積する。
のように作られる。最初に（ａ）のようにガラス基板１
の一面に酸化鉄膜２を１７００人はど公知の高周波スパ
ッタリング法にて堆積する。
ターゲットは酸化鉄を用いる。次に同図（ｂ）のように
酸化鉄膜２の上にポジ型レジスト１３をスピンコーター
にて回転塗布する。このレジスト１３をアルゴンレーザ
ー（波長４５８ｎｍ）１４によって同図（Ｃ）のように
所定形状のパターンどうりに選択露光する。レジストに
おける露光部分は光化学反応によりアルカリ可溶性とな
る。その後、アルカリ系の現像液にひたして、可溶性部
分を除去し、同図（ｄ）のように酸化鉄膜２を露出する
。この酸化鉄膜２を適当なエツチング液にてエツチング
を行なうが、このとき酸化鉄膜２を完全にとり除くので
はなく、ガラス基板１が露出する前に終了させ、同図の
（ｅ）のよう極薄膜を残しておく。最後にレジスト１３
を除去すれば、酸化鉄膜の膜厚が初期のまま厚い部分３
とエツチングにより極薄になっている部分４とで所定の
パターンを形成しているフォトマスクが得られる。第２
図に本実施例で作製した酸化鉄膜厚と透過率との関係を
示す。水銀ランプの波長４４０ｎｍにおいて透過率は１
７００Åにおいて４．４％、１４０入で７６．６％であ
る。
酸化鉄膜２の上にポジ型レジスト１３をスピンコーター
にて回転塗布する。このレジスト１３をアルゴンレーザ
ー（波長４５８ｎｍ）１４によって同図（Ｃ）のように
所定形状のパターンどうりに選択露光する。レジストに
おける露光部分は光化学反応によりアルカリ可溶性とな
る。その後、アルカリ系の現像液にひたして、可溶性部
分を除去し、同図（ｄ）のように酸化鉄膜２を露出する
。この酸化鉄膜２を適当なエツチング液にてエツチング
を行なうが、このとき酸化鉄膜２を完全にとり除くので
はなく、ガラス基板１が露出する前に終了させ、同図の
（ｅ）のよう極薄膜を残しておく。最後にレジスト１３
を除去すれば、酸化鉄膜の膜厚が初期のまま厚い部分３
とエツチングにより極薄になっている部分４とで所定の
パターンを形成しているフォトマスクが得られる。第２
図に本実施例で作製した酸化鉄膜厚と透過率との関係を
示す。水銀ランプの波長４４０ｎｍにおいて透過率は１
７００Åにおいて４．４％、１４０入で７６．６％であ
る。
このようにして作製したフォトマスクはエツチング工程
においてガラス基板到達前にエツチングを終了させるの
で、酸化鉄膜とフォトレジストとの間に浸透したエツチ
ング液による局所的な過剰エツチングを防ぐことができ
、高精度のパターンを実現することができる。
においてガラス基板到達前にエツチングを終了させるの
で、酸化鉄膜とフォトレジストとの間に浸透したエツチ
ング液による局所的な過剰エツチングを防ぐことができ
、高精度のパターンを実現することができる。
以上、本発明の一実施例を図面に基づいて詳細に説明し
たが、本発明は他の態様で実施することもできる。
たが、本発明は他の態様で実施することもできる。
例えば前記遮光膜として、酸化鉄が用いられているが、
これに限定されるものではなく酸化鉄以外の金属酸化物
、クロム、アルミニウム等の金属膜、ＴｉＮ等の窒化物
等の金属化合物を用いてもよい。
これに限定されるものではなく酸化鉄以外の金属酸化物
、クロム、アルミニウム等の金属膜、ＴｉＮ等の窒化物
等の金属化合物を用いてもよい。
また、透光部の膜厚は一定である必要はない。
この膜厚の差による透過光量の差は、露光時間を十分長
くすることにより補償できる。
くすることにより補償できる。
［発明の効果］
以上詳述したことから明らかなように、本発明によれば
、マスク作製のエツチング工程において、局所的な過剰
エツチングが妨げるのでパターン精度が極めて高いフォ
トマスクが得られる。
、マスク作製のエツチング工程において、局所的な過剰
エツチングが妨げるのでパターン精度が極めて高いフォ
トマスクが得られる。
第１図から第３図までは本発明を具体化した実施例を示
すもので、第１図は、フォトマスクの要部断面図、第２
図は、フォトマスクの製造工程を示す説明図、第３図は
膜厚に対する透過率を示す図である。 図中、ｌは基板、２は遮光膜、３は遮光部、４は透光部
である。 第２図 第３図 ００ α℃ ００ ２００ ５００ ８００ 娠４Ｌ恢腹厚［Ａ］
すもので、第１図は、フォトマスクの要部断面図、第２
図は、フォトマスクの製造工程を示す説明図、第３図は
膜厚に対する透過率を示す図である。 図中、ｌは基板、２は遮光膜、３は遮光部、４は透光部
である。 第２図 第３図 ００ α℃ ００ ２００ ５００ ８００ 娠４Ｌ恢腹厚［Ａ］
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、フォトリソグラフィに用いられフォトレジストを選
択的に露光させるための透光部及び遮光部を有するフォ
トマスクにおいて所定のマスクパターンに形成された透
光部のマスク基板が露出していないことを特徴とするフ
ォトマスク。 ２、請求項１記載のフォトマスクの製造方法であって、
遮光膜が形成されたマスク基板上にレジスト層を選択的
に形成した後、エッチング液に浸し、レジスト層のない
位置の遮光膜が完全に溶解する前に、エッチング液をと
りのぞくことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1173748A JPH0338644A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | フォトマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1173748A JPH0338644A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | フォトマスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0338644A true JPH0338644A (ja) | 1991-02-19 |
Family
ID=15966402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1173748A Pending JPH0338644A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | フォトマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0338644A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN120272921A (zh) * | 2025-06-09 | 2025-07-08 | 浙江众凌科技有限公司 | 高精密度金属掩膜版的制备方法 |
-
1989
- 1989-07-05 JP JP1173748A patent/JPH0338644A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN120272921A (zh) * | 2025-06-09 | 2025-07-08 | 浙江众凌科技有限公司 | 高精密度金属掩膜版的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4174219A (en) | Method of making a negative exposure mask | |
| US4379833A (en) | Self-aligned photoresist process | |
| US3508982A (en) | Method of making an ultra-violet selective template | |
| US3510371A (en) | Method of making an ultraviolet sensitive template | |
| US4377633A (en) | Methods of simultaneous contact and metal lithography patterning | |
| JPH0338644A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| JPH09218500A (ja) | レジストパターンの作製方法 | |
| JPS60235426A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH09146257A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| JPH0544169B2 (ja) | ||
| JPH0431858A (ja) | マスクの製作方法 | |
| JPH0385544A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH01278018A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH03271738A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| KR940001503B1 (ko) | 자기정렬 위상시프트 마스크 제조방법 | |
| JP2712407B2 (ja) | ２層フォトレジストを用いた微細パターンの形成方法 | |
| JP3366865B2 (ja) | パターン形成法 | |
| JPH01239928A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS61179440A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH01154060A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JPS59103343A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60192946A (ja) | 光学マスクの製造方法 | |
| JPH06148864A (ja) | 位相シフトマスクおよびその製造方法 | |
| JPH02237018A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63218959A (ja) | ホトマスクパタ−ンの修正方法 |