JPH0338845A - 混成集積回路 - Google Patents

混成集積回路

Info

Publication number
JPH0338845A
JPH0338845A JP1174624A JP17462489A JPH0338845A JP H0338845 A JPH0338845 A JP H0338845A JP 1174624 A JP1174624 A JP 1174624A JP 17462489 A JP17462489 A JP 17462489A JP H0338845 A JPH0338845 A JP H0338845A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
electronic component
conductor
layer
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1174624A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Ono
大野　兼一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP1174624A priority Critical patent/JPH0338845A/ja
Publication of JPH0338845A publication Critical patent/JPH0338845A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
    • H10W44/401—Resistive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
    • H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/581—Auxiliary members, e.g. flow barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/879—Bump connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は混成集積回路の構造に関する。
〔従来の技術〕
従来より混成集積回路に醤゛いては、半導体集積回路と
絶縁性基板上に形成されるか搭載された抵抗或いはコン
デンサ等を別個の部品として組合せて使っていた。
第３図は従来から実施されて来た混成集積回路の構造を
示す断面図である。第３図に於いて１は電気的に絶縁性
を示すアルミナセラミック等から成る基板であり、その
基板１の上に抵抗体３配線用の導体２が形成されている
。Ｓｉ単結晶とベースとした半導体集積回路（以下ＩＣ
と記す〉、４は基板１の上に設けられたＩＣ４用のマウ
ントランド５の上に塗布された接着剤６等により固定さ
れている。又、ＩＣ４は周囲の電気部品例えば、抵抗２
と電気的に接続する為にボンディング用のＡｕ細線等に
より接続が為されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の構造では、混成集積回路を構成する為に
半導体部品と抵抗コンデンサ等の受動部品を別個の部品
として組合せていたので、混成集積回路を実現する為の
面積が大きくなるという構造的な欠点があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の混成集積回路は、表裏両面に能動部分と受動部
分とを有する電子部品の絶縁性基板上の導体部分に相対
する面に設けられた電極と、前記導体部分に接続した後
に前記電子部品の他方の面に設けられた電極を前記絶縁
性基板上の導体部分に接続されている。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図である。１
は絶縁性の基板の示しその上に接続及び配線用の導体２
が形成されている。１４は基板１の上に搭載された電気
部品を示す。電子部品１４の表面側にはトランジスタ等
の能動部分２１が形成され、絶縁層２２．２３により保
護されると共に絶縁層の開口部の通して導体層２４によ
り電子部品１４内部での配線が為されると共に外部へ接
続する為の電ｆｌｉ２５が形成される。電子部品１４の
裏面側には絶縁層３１の上に抵抗層３２さらに導体層３
３が形成されている。
電子部品１４は電極２５を介して電極２とハンダづけ或
いは熱圧着等の方法により接続された後、抵抗体層３２
の上に形成された導体層３３と電極２′がＡｕ細線３４
等により接続される。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。本例で
は予め配列されて保持板３５によりその間隔向きが一定
に保たれそれぞれの両端が電極２′、３Ｂに平行になる
よう曲げられてさらに予備的にハンダ或いはＡｕ等の接
続用電極３７が付着されたリード列３６ハンダリフロー
又は熱圧着等により電極２′、３３に接続した状態を示
している。
この場合は電子部品１４の両側の接続が一括で可能とな
るはかりではなく、反対側の接続についても一括又は各
リード列毎に一括で接続できる利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明の混成集積回路は搭載する電
子部品の両面に能動部分受動部分を持つことにより、混
成集積回路の使用部品を減らすと共にその面積の小さく
することが可能であるばがりではなく、搭載部品の接続
に掛がる作業時間を短縮できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図、第２図は
本発明の第２の実施例の断面図、第３図は従来の混成集
積回路の一例の断面図である。 １・・・基板３．２．２′・・・導体、３・・・抵抗体
、４・・・ＩＣｌ３・・・マウントランド、６・・・接
着剤、７・・・Ａｕ細線、１４・・・電子部品、２１・
・能動部品、２２．２３・・絶縁層、２４・・・導体層
、２５・・・電極、３１・・・絶縁層、３２・・・抵抗
体層、３３・・・導体層、３４・・・Ａｕ細線、３５・
・・保持板、３６・・・リード列、３７・・・接続用電
極。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 表裏両面に能動部分と受動部分とを有する電子部品の絶
    縁性基板上の導体部分に相対する面に設けられた電極と
    、前記導体部分に接続した後に前記電子部品の他方の面
    に設けられた電極を前記絶縁性基板上の導体部分に接続
    したことを特徴とする混成集積回路。
JP1174624A 1989-07-05 1989-07-05 混成集積回路 Pending JPH0338845A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1174624A JPH0338845A (ja) 1989-07-05 1989-07-05 混成集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1174624A JPH0338845A (ja) 1989-07-05 1989-07-05 混成集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0338845A true JPH0338845A (ja) 1991-02-19

Family

ID=15981851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1174624A Pending JPH0338845A (ja) 1989-07-05 1989-07-05 混成集積回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0338845A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001015230A1 (fr) * 1999-08-25 2001-03-01 Hitachi, Ltd. Dispositif electronique
KR101400463B1 (ko) * 2010-02-19 2014-05-28 다이-이치 세이코 가부시키가이샤 전기 커넥터 및 전기 커넥터 조립체

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001015230A1 (fr) * 1999-08-25 2001-03-01 Hitachi, Ltd. Dispositif electronique
US6740969B1 (en) 1999-08-25 2004-05-25 Renesas Technology Corp. Electronic device
KR101400463B1 (ko) * 2010-02-19 2014-05-28 다이-이치 세이코 가부시키가이샤 전기 커넥터 및 전기 커넥터 조립체

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2003005445A1 (en) Semiconductor device and semiconductor module
JPH0462866A (ja) 表面実装部品の実装方法
JPH0338845A (ja) 混成集積回路
JPH02134890A (ja) 回路素子実装基板
JPH0966689A (ja) Ｉｃカード
JP2879503B2 (ja) 面実装型電子回路装置
JPS6022348A (ja) 半導体装置
JP2641912B2 (ja) 格子配列形半導体素子パッケージ
JPH04277658A (ja) メタルコア基板
JPH0519974Y2 (ja)
JP3890850B2 (ja) 電子回路装置
JPH04146631A (ja) 混成集積回路
JPS63250850A (ja) 半導体メモリモジユ−ル
JPH0430441A (ja) 半導体装置
JPS62208691A (ja) 両面実装型混成集積回路
JPH0231794Y2 (ja)
JPH02239577A (ja) 表面実装用混成集積回路
JPH0451488Y2 (ja)
JPH064605Y2 (ja) 混成集積回路
JPH05226518A (ja) 混成集積回路装置
JPS60202984A (ja) 混成集積回路
JPH0672249U (ja) 集積回路装置
JPH05217788A (ja) 電子装置の実装構造
JPS59189658A (ja) セラミツクパツケ−ジおよびその製造方法
JPS63102390A (ja) 混成集積回路