JPH0341620A - 硬質非晶質炭素膜 - Google Patents
硬質非晶質炭素膜Info
- Publication number
- JPH0341620A JPH0341620A JP17629389A JP17629389A JPH0341620A JP H0341620 A JPH0341620 A JP H0341620A JP 17629389 A JP17629389 A JP 17629389A JP 17629389 A JP17629389 A JP 17629389A JP H0341620 A JPH0341620 A JP H0341620A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous carbon
- carbon film
- film
- adhesion
- fluorine
- Prior art date
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- Pending
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- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明け、たとえば磁気ディスクや、磁気ヘッド等の
表面に付着させる表面保護潤滑膜に適する硬質非晶質炭
素膜に関するものである。
表面に付着させる表面保護潤滑膜に適する硬質非晶質炭
素膜に関するものである。
磁気ディスクや磁気ヘッドは、磁気ディスク表面として
、コンピュータの外部記憶装置に広く用いられている。
、コンピュータの外部記憶装置に広く用いられている。
上記磁気ディスクは例えばアルミニウム合金基板上に０
ＯＮｉＯｒ等の磁性層音形成して用いられている。磁気
ヘッドにはいろいろな方式があるが通常できるだけ磁気
ディスク表面に近づけて使用される。このため磁気ヘラ
）、お、えアイユ、ゆ。８６（。。。□。ｄ択ｒ、、ｔ
、−。
ＯＮｉＯｒ等の磁性層音形成して用いられている。磁気
ヘッドにはいろいろな方式があるが通常できるだけ磁気
ディスク表面に近づけて使用される。このため磁気ヘラ
）、お、えアイユ、ゆ。８６（。。。□。ｄ択ｒ、、ｔ
、−。
動作等により、互いｌＣｗ：触を起こす。
従って、ディスク表面の損傷ケ防ぐための保護膜を必要
とする。
とする。
保！！膜の特性としては、ｅ＊耗性に優れていること、
基板への密着性が高いこと、表面の潤滑性に優れている
ことなどが挙げられる。倭硬度は高いほど耐摩耗性に優
れてｉ？６．密着性は磁気ヘッドの接触時あるいは摩擦
時に保護膜が剥離しないために重要である。
基板への密着性が高いこと、表面の潤滑性に優れている
ことなどが挙げられる。倭硬度は高いほど耐摩耗性に優
れてｉ？６．密着性は磁気ヘッドの接触時あるいは摩擦
時に保護膜が剥離しないために重要である。
従来、この目的のために厚み５００Ａ程度の二酸化ケイ
素（Ｓ１０−やアルξす（Ａｔ＠Ｏｓ）等の酸化物やカ
ーボン膜が用いられていた。８１０．やＡ／。
素（Ｓ１０−やアルξす（Ａｔ＠Ｏｓ）等の酸化物やカ
ーボン膜が用いられていた。８１０．やＡ／。
０、は通常シリコンやアル宅ニウムの有機金属化合物全
溶媒中に溶解したもの１ｊｔ塗布乾燥後、熱処理する方
法や、アルゴンと酸素の混合ガス中でスパッタリングす
るか、あるいＶｉ、蒸着法で作られていた。
溶媒中に溶解したもの１ｊｔ塗布乾燥後、熱処理する方
法や、アルゴンと酸素の混合ガス中でスパッタリングす
るか、あるいＶｉ、蒸着法で作られていた。
カーボン膜は例えば特開昭５２−９０２８１％公報に記
載されたような炭素電極の放電によって形成される炭素
イオンビーム蒸着法ないしはスバッタ法などの方法で作
られていた。
載されたような炭素電極の放電によって形成される炭素
イオンビーム蒸着法ないしはスバッタ法などの方法で作
られていた。
先に述べた種々の従来の保護膜材料は、しかしながら十
分な硬度密着性含有してからす、特に高密度記録のため
にヘッド材料が硬くなってゆくと、保護膜の方が柔らか
くなってし筐い、ヘッドとディスクが接触した時、ディ
スクに傷が入ったり保護膜が剥離してし！うという問題
点があった。
分な硬度密着性含有してからす、特に高密度記録のため
にヘッド材料が硬くなってゆくと、保護膜の方が柔らか
くなってし筐い、ヘッドとディスクが接触した時、ディ
スクに傷が入ったり保護膜が剥離してし！うという問題
点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためＶＣなさ
れたもので、高ｔ４度で耐摩耗性に優れ、かつ、潤滑性
の良好な、磁気ディスク表面保＃膜などの用途に適する
保護膜材料を提供することを目的とする。
れたもので、高ｔ４度で耐摩耗性に優れ、かつ、潤滑性
の良好な、磁気ディスク表面保＃膜などの用途に適する
保護膜材料を提供することを目的とする。
この発明に係る硬質非晶質炭素膜は水素金含有する非晶
質炭素膜に更にシリコン（ｓｌ）とフッ素ｔＦｌを含有
させたものである。
質炭素膜に更にシリコン（ｓｌ）とフッ素ｔＦｌを含有
させたものである。
通常のメタンと水素との混合ガスを馬脚＃（１８，６６
ＭＨｚ）グロー放電させることによって得られる幌は非
晶質で約１０％以上の水素金嘆中に含有している。
ＭＨｚ）グロー放電させることによって得られる幌は非
晶質で約１０％以上の水素金嘆中に含有している。
水素は炭素原子のダングリングボンドの部分に入り、炭
素の連＃ｔ１に閉じることによって、非晶質状ｍｔ安定
化させている構造とされている。
素の連＃ｔ１に閉じることによって、非晶質状ｍｔ安定
化させている構造とされている。
このような非晶質炭素膜中に種々の元＃金添加すること
により密着性、硬度、表面潤滑性に対して効果があるこ
とを見いだした。とくにシリコン（８１）の添加によっ
て密着性の向上が、筐たフッ素（目の添加によって、表
面ｅ４滑性が向上するものと思われる。
により密着性、硬度、表面潤滑性に対して効果があるこ
とを見いだした。とくにシリコン（８１）の添加によっ
て密着性の向上が、筐たフッ素（目の添加によって、表
面ｅ４滑性が向上するものと思われる。
以下、この発明の一実宛／Ｊ ’に図について説明する
・この発明の一実施例による非晶質炭素膜は水１１ （
Ｈ，）中にメタン（ＣＨ４）を０．１〜８０％の＠囲で
成金した気体を第１図に示すように平行平板型高周波（
ｔｓ、ａｅＭａｇ）プラズマＣＶＤ装置にて合成する・ この装置は真空槽（１；内に対向して配置される２りの
電ｔ！ｋｔ’ｌｌｌ、・３）を備え一方の電極！３１上
には基板＋４）が配置され％！たヒーターｎも備えられ
ているＯ 真空槽…にはガス濃入口（８）が取付けられ、マス７０
−コントローラー１９１ 、１１０１ 、 ＜１υを通
して、それぞれＯＨ，ガスＩＪ２Ｊ、Ｈｗ力Ｘ（１：１
．ＳｉＦ４＃ＸＧ４ノボンベが接続されている。！た真
空槽…には圧力＃！４！！ ！８１６１ ｋ介して排気
ポンプ系１１１が配置されている。
・この発明の一実施例による非晶質炭素膜は水１１ （
Ｈ，）中にメタン（ＣＨ４）を０．１〜８０％の＠囲で
成金した気体を第１図に示すように平行平板型高周波（
ｔｓ、ａｅＭａｇ）プラズマＣＶＤ装置にて合成する・ この装置は真空槽（１；内に対向して配置される２りの
電ｔ！ｋｔ’ｌｌｌ、・３）を備え一方の電極！３１上
には基板＋４）が配置され％！たヒーターｎも備えられ
ているＯ 真空槽…にはガス濃入口（８）が取付けられ、マス７０
−コントローラー１９１ 、１１０１ 、 ＜１υを通
して、それぞれＯＨ，ガスＩＪ２Ｊ、Ｈｗ力Ｘ（１：１
．ＳｉＦ４＃ＸＧ４ノボンベが接続されている。！た真
空槽…には圧力＃！４！！ ！８１６１ ｋ介して排気
ポンプ系１１１が配置されている。
硬質非晶質炭素膜の合成には第１図に示すような平行平
板型高周波プラズマｃｖＤ！！Ｉｔ用い、１ず画電極１
２１３１間に高周波電力を印加し、ｉｓ極側に基板を設
置した。放電電力はｇｏ ｗとし、圧力は１ｌＯＰａと
した。反応ガスは流量比ＣＨ４；Ｈｌ；８１Ｆ、 ＃
ｊＧ、：５：１で成膜した。この時の酸膜速度は約９
０Ａ／癲であった。
板型高周波プラズマｃｖＤ！！Ｉｔ用い、１ず画電極１
２１３１間に高周波電力を印加し、ｉｓ極側に基板を設
置した。放電電力はｇｏ ｗとし、圧力は１ｌＯＰａと
した。反応ガスは流量比ＣＨ４；Ｈｌ；８１Ｆ、 ＃
ｊＧ、：５：１で成膜した。この時の酸膜速度は約９
０Ａ／癲であった。
得られた膜の膜＃ＩＳｌ！度を測定したところ、ビッカ
ース４１ｔ！１度テａｖ−ｓｇｏｏＮｇｇｏｏ以上ト硬
イものであった。この値は薄膜ヘッド材料の硬度ＨＶ−
ａｏｏｏ よりもさらに硬く、耐摩耗性に優れてい４゜ るものと考えられる。また、できた膜の表面の摩擦係数
もμｍ０．１程度と小さく、潤滑性も有しているものと
考えられる。
ース４１ｔ！１度テａｖ−ｓｇｏｏＮｇｇｏｏ以上ト硬
イものであった。この値は薄膜ヘッド材料の硬度ＨＶ−
ａｏｏｏ よりもさらに硬く、耐摩耗性に優れてい４゜ るものと考えられる。また、できた膜の表面の摩擦係数
もμｍ０．１程度と小さく、潤滑性も有しているものと
考えられる。
なか、上記実ｉ例では、固定磁気ディスクに用いる硬質
非晶質炭素膜について説明したが、含有するＳｌやＰの
暖によって密着性や摩擦係数も制御でき、同様にフロッ
ピーディスク磁気テープカード等の各種の基体に対して
も６用でき、同様の効果が期待できる。
非晶質炭素膜について説明したが、含有するＳｌやＰの
暖によって密着性や摩擦係数も制御でき、同様にフロッ
ピーディスク磁気テープカード等の各種の基体に対して
も６用でき、同様の効果が期待できる。
以上のようにこの発明によれば水素を含有する非晶質炭
素膜に、更にシリコンおよびフッ素を含有させたので、
極めて高硬度でまた１表面のｆＲｆｆｉ性も有する新し
い保護潤滑幌を得ることができる。
素膜に、更にシリコンおよびフッ素を含有させたので、
極めて高硬度でまた１表面のｆＲｆｆｉ性も有する新し
い保護潤滑幌を得ることができる。
第１図はこの発明の一実旋例による硬質非晶質炭素膜を
形成する平行平板型高周波プラズマＣＶＤ装置を示す概
略構成図である。第１図に釦いて１１１は真空槽、 ！
！＋ 、 （３１は電極、１４１は基板、４１げヒータ
ー、（６）は圧力調整器、（７）は排気ポンプ、（８１
６−ｊガス導入口、 ＋９１ 、 ＋１０１ 、 （Ｉ
ｌｌ ｎ マス７０−コントローラー、α２１はメタン
（０１１４）ガス、 α３１け水ｓＣａｇ）ガス、α４
は四フッ化シラン（８１１Ｆ、）ガスを示す。 なか、図中、同一符号ばＩＩ：ＩＪ−又は相当部分金示
す。
形成する平行平板型高周波プラズマＣＶＤ装置を示す概
略構成図である。第１図に釦いて１１１は真空槽、 ！
！＋ 、 （３１は電極、１４１は基板、４１げヒータ
ー、（６）は圧力調整器、（７）は排気ポンプ、（８１
６−ｊガス導入口、 ＋９１ 、 ＋１０１ 、 （Ｉ
ｌｌ ｎ マス７０−コントローラー、α２１はメタン
（０１１４）ガス、 α３１け水ｓＣａｇ）ガス、α４
は四フッ化シラン（８１１Ｆ、）ガスを示す。 なか、図中、同一符号ばＩＩ：ＩＪ−又は相当部分金示
す。
Claims (1)
- 水素を含有する非晶質炭素膜にシリコンおよびフッ素を
含有せしめた硬質非晶質炭素膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17629389A JPH0341620A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 硬質非晶質炭素膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17629389A JPH0341620A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 硬質非晶質炭素膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0341620A true JPH0341620A (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=16011055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17629389A Pending JPH0341620A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 硬質非晶質炭素膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0341620A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH056532A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-14 | Nec Corp | 磁気デイスク |
| KR100956179B1 (ko) * | 2004-10-06 | 2010-05-04 | 리에 우스이 | 프라이어 |
-
1989
- 1989-07-07 JP JP17629389A patent/JPH0341620A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH056532A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-14 | Nec Corp | 磁気デイスク |
| KR100956179B1 (ko) * | 2004-10-06 | 2010-05-04 | 리에 우스이 | 프라이어 |
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