JPH0423219A - 磁気ディスクおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〕 本発明は磁気ティスフに関するものであり、さらに詳し
くは耐久性を向上させるへき保護膜ならびに潤滑層か形
成された磁気記録媒体およびその製造方法に関するもの
である。

（従来の技術） 近年、コンピュータ・システムにおける磁気ティスフな
との外部記憶装置の重要性か増大しており、これにとも
ない磁気ディスクなどを使用した磁気記録装置の高記録
密度化に対する要求はますます高まっている。かかる磁
気記録装置は記録再生ヘットと磁気ディスクとの主要構
成部から構成されており、該磁気ティスフは高速で回転
していて前記記録再生ヘットは磁気ディスク表面から微
小間隔たけ離れた位置に置かれている。この微小間隔を
小さくして磁気記録装置の高性能化を図るために記録再
生ヘッドの荷重を小さくするとともに、接触始動・停止
（コンタクト・スタート・ストップ（ＣＳＳ））型ヘッ
ト浮上システムが採用されている。磁気ディスクの高記
録密度化および高性能化を図るためには、磁気記録媒体
の薄層化、均−一様化、磁気特性の改良および低浮上量
における安定したヘッド浮揚状態を確保し、さらにヘッ
トとディスクの衝突（ヘッドクラッシュ）を防止すべき
ディスクの表面の粗さの精度の向上および耐ヘットクラ
ッシュ性などの向上が必要である。しかしディスク表面
の粗さの精度の向上にともない、磁気ディスクと磁気ヘ
ッドとの接触慴動時における動摩擦係数が著しく大きく
なり、ヘッド浮上まての慴動特性か悪いという欠点が生
しる。

従来の磁気ディスクとしては樹脂フィルムの基板、アル
ミ合金の基板またはＮ１−Ｃｕ−Ｐ合金の基板上にＦｅ
と酸素を用いて反応性スパッタ訪てＦｅの酸化物からな
る層を形成した後、さらに大気中で酸化することにより
γ−Ｆｅ２Ｏ３から成る磁性層としたもの、ならびにア
ルミ合金の基板上にＮｊ−Ｐ合金の下地層をメツキ法に
より形成し、さらにその上にＮ１−Ｇｏ−Ｐ合金の磁性
層をメツキ法により形成したものか知られている。

しかしなからこのような磁気ディスクにおいては、磁気
ヘットとの前述の慴動特性か悪く、そのため磁気ディス
クあるいは、磁気ヘットの損傷を生じ機械的耐久性が悪
いという欠点がある。

このような欠点を解消し磁気ディスクの下地層および磁
性層を保護するために、従来より磁性層上にスパッタ法
、電子ビーム蒸着法、あるいはＣＶＤ法などにより炭素
から成る保護膜を形成したり、また、この上にフッ素系
潤滑剤をスピンコード法あるいはデイツプコート法など
により塗布したりして保護膜を形成している。なおこの
ような従来技術は、日本応用磁気学会誌、ｖｏｌ、］ｏ
、Ｎｏ、］　、ｐ、６　（＋９８８）等に記載されてい
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の磁気ディスクは以上のように構成されているか、
上述の炭素から成る保護膜を持つ磁気ディスクにおいて
は、炭素保護膜上に塗布したフッ素系潤滑剤の保持か困
難であり、磁気ディスクの回転にともないフッ素系混滑
剤が飛散したり、放置時間および放置温度に依存してフ
ッ素系潤滑剤か蒸発したりして、保護層の磁気ヘットに
対する潤滑効果か劣化し、磁気ディスクあるいは磁気ヘ
ットに損傷か生しやすくなったり、充分な耐久性および
信頼性か得られないという問題点かあった。なお、上記
現象については雑誌（Ｅ、Ｅ、Ｋｌａｎｓ　ａｎｄ　Ｂ
、Ｂｈｕｓｈａｎ；　ＡＳＬＥ　５Ｐ−２０（１９８５
）　）等に記載されている。

本発明はかかる従来の問題点を解決するためになされた
もので、炭素保護膜を、Ｓｉ、ＧｅＳｎおよびｐｂから
なる金属群から選ばれる少なくとも一種の金属元素を含
む炭素膜より成る保護膜に置き換えるとともに、親水性
官能基を分子内に有するフッ素系潤滑剤を塗布すること
で、潤滑剤を塗布した後の潤滑剤の飛散、蒸発現象かほ
とんとなく、その結果として再生出力か低下せず、さら
に実用上充分な耐火性および耐食性を有する磁気ディス
クを提供することを第一の目的とし、それを製造するた
め改良された磁気ディスクの製造方法を提供することを
第二の目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係わる磁気ディスクは、非磁性基体上に薄膜磁
性層を有し、前記磁性層上に、Ｓｉ。

Ｇｅ、Ｓｎおよびｐｂからなる金属群から選ばれる少な
くとも一種の金属元素を含む炭素膜より成る保護膜か形
成され、さらに前記保護膜上にカルホキシル基、アミノ
基、水酸基、シラノール基、スルホン酸基、リン酸基、
等の親水性官能基を構成分子内に有するフッ素系極性潤
滑剤層を塗布形成したものである。

また、このような磁気ディスクは非磁性基体上に金属磁
性層が形成された基板を、炭素をターゲットとしたスパ
ッタ成膜室内に設けられた試料台上に載置し、前記室内
を高真空に排気した後、アルゴン（Ａｒ）と、上記金属
の水素化物（Ｓ　ｉＨ４、ＧｅＨ４，ＳｎＨ４、ＰｂＨ
４等）、アルキル化合物（−数式：　Ｓ　ｉ　Ｒ４、Ｇ
ｅＲ４，５ｎＲ４，ＰｂＲ４等）、アルコキシ化合物（
−数式：　Ｓ　ｉ　（ＯＲ）４　、Ｇｅ　（ＯＲ）４．
５ｎ　（ＯＲ）、、Ｐｂ　（ＯＲ）　４等）、（たたし
、いずれの−数式においてもＲは例えばメチル基ＣＨ３
、エチル基Ｃ２Ｈ５、プロピル基Ｃ３Ｈ７、ブチル基Ｃ
４Ｈ９なとで表せるアルキル基）の少なくとも一種を含
む混合ガスを供給し、ガス圧１〜１００ｍＴｏｒｒ、放
電電力２０〜２０００Ｗでスパッタすることにより上記
金属を含む炭素保護膜を形成し、そのあと前記保護膜上
に、カルボキシル基、アミノ基、水酸基、シラノール基
、スルホン酸基、リン酸基、等の親水性官能基を構成分
子内に有するフッ素系極性潤滑剤を塗布形成することに
より製造することがてきる。

〔作用〕

本発明におけるＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎおよびｐｂのうちから
選ばれる少なくとも一種の金属元素を含む炭素膜より成
る保護膜内の金属原子は、炭素原子に比較して親水性官
能基を有するフッ素系極性潤滑剤分子と塩を形成したり
、イオン結合のような静電気的結合を形成することによ
って相互作用が強くなり、フッ素系極性潤滑剤は炭素膜
上に強く保持され、結果的に潤滑剤分子の飛散や蒸発か
ほとんと生じず、潤滑剤層の厚さか薄くとも、充分な機
械的耐久性を有するとともに充分な溢水性を有する磁気
ディスクを得ることができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について説明する。

第１図は本発明の一実施例による磁気ディスクを示す断
面図である。第１図において、（１）はアルミ合金から
なる厚さが約１．９ｍｍの非磁性基体であり、（２）は
基体（１）上に形成されたＮ１−Ｐ合金からなる厚さか
約１０μｍの下地層であり、（３）は下地層（２）上に
形成されたＮ１−Ｃ。

Ｃｒ合金からなる厚さ約５００人の磁性層であり、（４
）は磁性層（３）上に形成されたＳｌ。

Ｇｅ、Ｓｎおよびｐｂの金属群から選ばれる少なくとも
一種の金属元素を含む炭素膜より成る厚さ約３００人の
保護膜層である。モして（５）は親水性官能基を構成分
子内に有するフッ素系極性潤滑剤層であり、デイツプコ
ート法により後記ＫＲＹＴＯＸ　　１５７ＦＳ（Ｍ）が
塗布されている。尚その厚さは約３９人であった。

次にＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎおよびｐｂの金属群から選ばれる
少なくとも一種の金属元素を含む炭素膜からなる炭素保
護膜層の形成方法の例を示す。

第２図は上記ディスクを製造するためのＤＣスパッタリ
ング装置の概略構成図である。

あらかしめ、第１図中て磁性層（３）まて形成された基
板（２０）を、第２図のＤＣスパッタリング装置を構成
する真空Ｆ　（１１）内のアース電極（１２）−ヒに載
置し、炭素ターゲット（１３）を直流電源（１４）に接
続されたターゲット電極（１５）上に載置する。そして
アース電極（１２）とターゲット電極（１５）を並行に
設置する。次に真空ポンプ（１６）を動作させ真空槽内
を一旦高真空に引いた後、ＧｅＨ，カス（１７）とＡｒ
カス（１８）をガス導入口（１９）から真空槽内に導入
する。次にアース電極（１２）とターゲット電極（１５
）との間に直流電圧を印加し、電極間にプラズマを発生
させる。そして、それら混合ガス圧１〜１００ｍＴ。

ｒｒ、放電電力２０〜２０００Ｗの範囲で適当な条件に
設置し、磁性層（３）上にゲルマニウム含有の炭素保護
膜を約３００人の厚さにスパッタ成膜した。

ガス導入口（１９）からのＧｅＨ４カス（１７）とＡｒ
ガス（１８）の流量比を変えて膜中の炭素に対するゲル
マニウムの組成比率を評価した。第５図はその例を示１
−特性曲線図である。この時のスパッタ条件は混合カス
圧か１０ｍＴｏ　ｒ　ｒ、放電電力か５００Ｗであった
。

第３図は上記ディスクを製造するための別のＤＣスパッ
タリング装置の概略構成図である。

あらかしめ、第１図中で磁性層（３）まで形成された基
板（２０）を、第３区のＤＣスパッタリング装置を構成
する真空槽（ｊｌ）内のアース電極（１２）上に載置し
、Ｇｅ含含有炭素ターワット２１）を直流電＃、（１４
）に接続されたターケット電極（１５）上に載置する。

そしてアース電極（１２）とターゲット電８ｉ（＋５）
を並行に設置する。次に真空ポンプ（１６）を動作させ
真空槽内を一旦高真空に引いた後、Ａｒガス（１８）を
ガス導入口（１９）から真空槽内に導入する。次にアー
ス電極（１２）とターゲット電極（１５）との間に直流
電圧を印加し、電極間にプラズマを発生させる。

この時ターゲット（２１）には炭素中にゲルマニウムを
０．０１〜１０ａｔｍ％含有した合金ターゲットを用い
た。そして、ガ′ス圧１〜１００ｍＴｏｒｒ、放電電力
２０〜２０００Ｗ、の範囲で適当な条件に設置し、磁性
層（３）上にゲルマニウム含有の炭素保護膜を約３００
人の厚さにスパッタ成膜した。

合金ターゲット中のゲルマニウム含有率を変化させたと
きの、保護膜中の炭素に対するゲルマニウムの組成比率
を評価した。第６図はその例を示す特性曲線図である。

この時のスパッタ条件はＡｒガス圧が５ｍＴｏｒｒ、放
電電力が５００Ｗてあった。

第４図は上記ディスクを製造するための高周波プラズマ
ＣＶＤ装置の概略図である。

あらかしめ、第１図中て磁性層（３）まで形成された基
板（２０）を、第４図の高周波プラズマＣＶＤ装置を構
成する真空槽（１１）内の高周波電源（２２）に接続さ
れた高周波電極（２３）上に載置する。そしてアース電
極（１２）を高周波電極（２３）と並行に設置する。次
に真空ポンプ（１６）を動作させ真空槽内を一旦高真空
に引いた後、ＣＨ４ガス（２４）とＧｅＨ４ガス（１７
）をカス導入口（１９）から真空槽内に導入する。次に
アース電極（１２）と高周波電極（２３）との間に１３
゜５６　Ｍ　Ｈｚの高周波電圧を印加し、電極間にプラ
ズマを発生させる。そして、それら混合ガス圧１〜１０
００　ｍ　Ｔ　ｏ　ｒ　ｒ、放電電力２〜２００Ｗ、の
範囲で適当な条件に設置し、磁性層（３）上にゲルマニ
ウム含有の炭素保護膜を約３００人の厚さに成膜した。

カス導入口（１９）からのＣＨ４カス（２４）とＧｅＨ
４ガスク１７）の流量比を変えて炭素保護膜中の炭素に
対するゲルマニウムの組成比率を評価した。第７図はそ
の例を示す特性曲線図である。

この時のプラズマＣＶＤによる成膜条件は混合カスの圧
力が３００ｍＴｏｒｒ、放電電力か６０Ｗであった。こ
のようにして基板（２０）上に保護膜層（４）を形成後
、この保護膜層上に、潤滑剤層（５）を形成する。本発
明に用いる親水性官能基を分子内に有するフッ素系極性
潤滑剤としては、分子中に少なくとも１個、好ましくは
１〜２０個のカルボキシル基を存するフッ素系潤滑剤で
あればいずれのものであってもイ吏用できる。その具体
例としては、例えば、−数式（１）：（式中、ｎは１〜
５０の自然数を示す）で表されるもの、−数式（ＩＩ） （式中、 ｍは１〜５０の自然数、 は１〜５０の 自然数を示す）で表されるもの、−数式（ｍ）二Ｆ−（
ＣＦ２　）ｇ−ｃｏｏｌ−１（ｍ）（式中、ｇは１〜２
０の自然数を示す）で表されるものなどかあげられる。

一般式（Ｉ）で表されるものの具体令としては、例えば
デュポン社製、ＫＲＹＴＯＸ１５７ＦＳ（Ｌ）、ＫＲＹ
ＴＯＸ　　１５７ＦＳ（Ｍ）　、　ＫＲＹＴＯＸ　　１
５７　Ｆ　Ｓ　（Ｈ）　　（を字＋７）（Ｌ）、（Ｍ）
、（Ｈ）はそれぞれ平均分子量で分けられ、分子式中の
ｎか異なるものである）かあげられる。

一般式（ｎ）で表されるものの具体例としては、たとえ
ばモンテフロース社製、Ｚ−Ｄ　Ｉ　ＡＣかあげられる
。

一般式（Ｉ［ｌ）で表されるものの具体例としては、例
えば大日本インキ化学工業（株）製、メカファックＦ−
１２０（弐Ｆ−（ＣＦ２）８ＣＯＯＨ）かあげられる。

また他のフッ素系極性潤滑剤としては、分子内に少なく
とも１個以上のアミノ基、水酸基、シラノール基、スル
ホン酸基、リン酸基、等の親水基を持つものであればよ
い。その具体例としては、−数式（■、■）：Ｃａ　Ｆ
Ｉ７　　ＮＨ２（ｒｖ） Ｃ８Ｆ、７−ＮＨＣ２Ｈ４ＮＨ２（Ｖ）モンテフロース
社製、Ｚ−ＤＯＬ、−数式（Ｖｌ）ＨＯＣＨ２ＣＦ２　
０　　　（Ｃ２Ｆ４　０）。

−（ＣＦ２０）。

−ＣＦ２　　ＣＨ２０Ｈ（■） （式中、ｎ、ｍは１〜２０の自然数を示す、−数式（■
〜Ｘ［）： Ｆ１７−８０３ Ｆ、７−０３ｉ （ＯＣＨ３ （■） （ＩＸ） て表されるものなどがある。

なお上記化合物につ いては、「昭和６３年度電子情報通信学会秋季全国大会
Ｃ−８」で記載されている。

実施例１ 第２図に示す方法によって作製した、ゲルマニウムを５
ａｔｍ％含む炭素保護膜が形成された基板上に、フッ素
系極性潤滑剤ＫＲＹＴＯＸ１５７ＦＳ（Ｍ）をデイツプ
コート法で塗布することで磁気ディスクを作製した。な
お、塗布時の条件として、ＫＲＹＴＯＸ　　１５７ＦＳ
（Ｍ）をフッ素溶媒（トリフルオロトリクロロエタン）
に３ｇ／ｌの条件で希釈し、この中へ基板を浸漬し、基
板引き上げ速度０．１ｍ／ｍｉｎで行った。

デイツプコート法についての詳細な説明は、「日本潤滑
学会第３２期全国大会（大阪）予稿集２４８５〜４８Ｂ
　（１９８７）Ｊ等に記載されている。

実施例２ 実施例１で用いたゲルマニウムを５ａｔｍ％含む炭素保
護膜の代わりに、ゲルマニウムを０．０４、０．　０８
、０．　２　、０．６、０．　９．８ａｔｍ％含む炭素
保護膜を有する基板を用いた以外は、実施例１と全く同
様にして実施例２の磁気ディスクを作製した。

実施例３ 実施例１で用いたゲルマニウムを５ａｔｍ％含も炭素保
護膜の代わりに、シリコンをａｔｍ％含む炭素保護膜を
有する基板を用いた以外は、実施例１と全く同様にして
実施例３の磁気ディスクを作製した。

実施例４ 実施例１で用いたゲルマニウムを５ａｔｍ％含む炭素保
護膜の代わりに、スズを５ａｔｍ％含む炭素保護膜を有
する基板を用いた以外は、実施例１と全く同様にして実
施例４の磁気ディスクを作製した。

実施例５ 実施例１で用いたゲルマニウムを５ａ　ｔｍ％含む炭素
保護膜の代わりに、鉛を５ａｔｍ％含む炭素保護膜を有
する基板を用いた以外は、実施例１と全く同様にして実
施例５の磁気ディスクを作製した。

実施例６ ′ｉ！、２図に示す方法によって作製した、ゲルマニウ
ムを５ａｔｍ％含む炭素保護膜を有する基板を用いた以
外は、実施例１と全く同様にして実施例６の磁気ディス
クを作製した。

実施例７ 第３図に示す方法によって作製した、ゲルマニウムを５
ｓｔｍ％含む炭素保護膜を有する基板を用いた以外は、
実施例１と全く同様にして実施例７の磁気ディスクを作
製した。

比較例１ 実施例１て用いた、ゲルマニウムを含有する炭素保護膜
を有する基板の代わりに、スパッタ法で成膜された従来
の炭素保護膜を存する基板を用いた以外は、実施例１と
全く同様にして比較例１の磁気ディスクを作製した。

比較例２ 実施例１て用いたフッ素系極性Ｃ滑剤の代わりに、極性
基を持たない同系列の潤滑剤であるデュホン社製ＫＲＹ
ＴＯＸ　　１４３ＡＤ、−数式％式％）： （［） （式中、ｎは１〜５０の自然数を示す）を用いた以外は
実施例１と全く同様にして比較例２の磁気ディスクを作
製した。

前記実施例１と比較例１．２について磁気記録媒体の信
頼性を表すスピンオフ試験を行フた。その時の試験期間
に対する潤滑層膜Ｈの変化の推移を第８図に示す。ただ
し、ここて言うスピンオフ試験とは、被試料の磁気ディ
スクをスピンドルモーター上に搭載し、これを温度６５
℃、湿度２０％の恒温恒湿槽に設置した後、スピンドル
モーターを３６００ｒｐｍて回転させ（ｍ気ディスクも
３６００ｒｐｍで回転する）、この回転にともなう磁気
ディスク面上の潤滑剤層の膜厚変化を評価する試験をい
う。すなわち、磁気ディスクの回転に伴い、潤滑層膜厚
か人きく減少した場合は、スピンオフ現象か生したこと
を示し、司滑効果の劣化か生じていることがわかる。特
にＣ５Ｓ動作試験においては、潤滑剤層がある厚さより
も薄くなると、Ｃ８Ｓにともなう摩擦力の増大が問題と
なり、また余り厚く塗布し過ぎるとヘッドとディスクと
の吸着現象が起きるため、潤滑剤層の厚さにある適当な
厚さの範囲があることが分っている（参考文献：日本潤
滑学会第３２期全国大会（大阪）予稿集Ｐ４８５〜４８
８（１９８７））。

今回の潤滑層膜厚評価は、ＦＴ−Ｉ　Ｒ（フーリエ変換
赤外吸収分光）による膜厚測定法を用いた。本方法は、
潤滑層の示す赤外吸収強度から算出されるものである。

なおその詳細については、前述の参考文献「日本潤滑学
会第３２期全国人会（大阪）予稿集」ｐ４８５〜４８８
　（１９８７）に詳細に説明されている。

第８図から、本発明の実施例１の磁気ディスクでは、ス
ピンオフによる潤滑層膜厚の変化か少なく、試験後も約
３０人の厚さの潤滑剤層が残っているのに対し、従来の
タイプの比較例１および極性基を持たない潤滑剤を用い
たタイプの比較例２の磁気ディスクでは、潤滑剤層の膜
厚減少が大きく明らかにスピンオフが発生し、残りだ潤
滑剤層の厚さも薄＜ＣＳＳによる摩擦係数の増大が起こ
る。

ここで、本発明の磁気ディスクが従来の磁気ディスクと
較へ、スピンオフに対し良好な理由について検討してみ
たところ、実施例１のディスク上に塗布された潤滑層膜
厚は、比較例１及び２のディスク上に塗布される潤滑層
膜厚よりも、同条件て塗布したにもかがねらず、厚く塗
布されることから、本発明のゲルマニウムを含む炭素膜
とフッ素系極性潤滑剤であるＫＲＹＴＯＸ１５７ＦＳ（
Ｍ）分子内のカルボキシル基とが相互作用を有したこと
がねがった。これは炭素膜中のゲルマニウムのような金
属原子と潤滑剤分子中の親水性官能基とが、塩を形成し
たりイオン性結合のような静電気的結合により炭素原子
とのそれに比へて大きな結合エネルギーを有するためた
と考えられる。このことから、本発明の磁気ディスクの
構成部である潤滑層は、炭素膜上に相互作用を介してし
っかりと固着されるため、結果としてスどンオフしにく
い潤滑層を形成したものと考えられる。なお第９図に、
潤滑剤の塗布条件と潤滑層膜厚の関係を示す。

また、表１には本発明の実施例１．２における連のスピ
ンオフ試験結果を示す。表１から、炭素膜中のゲルマニ
ウムのａｔｍ％量か約５％になるまで順次、塗布潤滑層
膜厚か増加している。このことから、膜中のゲルマニウ
ムの増加に伴い潤滑剤層との相互作用が強くなったこと
がわかる。

また６週間におけるスピンオフ試験後の潤滑剤層の膜厚
も、炭素膜中のゲルマニウムの増加に伴い多くなってい
ることかわかり、スピンオフに対しその防止効果が大き
いことか確かめられる。

次にスピンオフ試験を行った後の前記実施例と比較例に
ついて磁気記録媒体の信頼性を表すＣＳＳ動作試験を行
った。その時のＣＳＳ動作試験回数と、その時ヘット、
ディスク間に発生した摩擦係数の関係を第１０図に示す
。

第１０図から、実施例１に磁気ディスクのＣＳＳ動作試
験に伴う摩擦係数の増加は少ないのに対し、比較例１．
２の磁気ディスクでは著しく大きくなっていることが分
かる。このことから、本発明の磁気ディスクは磁気ヘッ
ドとの接触摺動に伴う機絨的劣化が少ないことがわかり
、潤滑層の効果が著しいことがわかる。なおＣ５Ｓ動作
試験方法については、「精密機械工学会誌」５４゜５、
ｐ７３〜７９　（１９８８）等に詳細に紹介さねている
。

表２には、本発明発明の実施例１．２を用いた連のスピ
ンオフ試験後の試料についてのＣ３Ｓ動作試験の結果を
示している。表２から炭素膜中のゲルマニウムのａｔｍ
％か約０，１％以上でＣＳＳ動作に伴なう機械的耐久性
改善の効果が著しいことがわかる。また表３には、本発
明の実施例１．３〜７、比較例１．２を用いたＣＳＳ動
作試験の結果を示している。表３から、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ
ｎ、Ｐｂの内、いずれかの金属元素を５％含む炭素保護
膜上にフッ素系極性潤滑剤を塗布したものは、Ｃ３Ｓか
３万回を越えても摩擦係数が０．５を越えず、ＣＳＳ動
作に伴う機械的耐久性改善の効果が著しいことが分かる
。

以上、本発明の実施例を比較例と対比して示したか、上
記実施例はごく一部の炭素成分原料および金属元素成分
原料を用いたにすぎない。その他のアルキル化合物、ア
ルコキシ化合物を用いた場合ても同様の効果が得られる
。金属元素成分としてアルキル化合物やアルコキシ化合
物を用いた場合には、金属元素の導入と同時に炭素成分
の一部をも導入できる。

また、上記実施例では、製造装置としてＤＣスパッタ装
置ならびに高周波プラズマＣＶＤ装置を用いたか、本発
明においてはプラズマ発生手段としてそれぞれ高周波、
直流ならびにマイクロ波ＥＣＲのいずれをもイ吏用でき
ることはいうまてもない。

なお、本発明の実施例ては磁気ディスクについて述へた
か、フロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも
本発明が有効である。

〔発明の効果〕

以上のように本発明にかかる磁気ディスクは、基板上に
磁性層を形成し、その表面にシリコン、ゲルマニウム、
スズおよび鉛の中から選ばれる少なくとも一種の金属元
素を含む炭素膜より成る保護膜を形成し、さらにこの保
護膜上に親水性官能基を有するフッ素系極性潤滑剤層を
塗布形成したのて、保護膜が潤滑剤分子と相互作用を持
つために、潤滑剤層は炭素保護膜上に強く保持され、デ
ィスク回転にともなう潤滑剤層のスピンオフ現象、すな
わち飛散や蒸発がほとんど生じず、十分な機械的耐久性
を有する効果かある。また磁性層上に形成される層の合
計の膜厚を薄くできるので磁性層と磁気ヘットとのスペ
ーシングロスか少なく、磁気記録媒体の再生特性を良好
に保持てきる。そして、このため耐久性に優れ、かつ再
生出力か低下しない磁気ティスフが得られる効果かある
。

また、このような磁気ディスクは非磁性基体上に７ｉｂ トとしたスパッタ成膜室内に設けられた試料台上に載置
し、上記室内を高真空に排気した後、アルゴンと、シリ
コン、ゲルマニウム、スズ及び鉛の金属群から選ばれる
少なくとも一種の金属元素の水素化物、アルキル化合物
、及びアルコキシ化合物から選ばれる少なくとも一種を
含む混合ガスを供給し、ガス圧１〜２００ｍＴｏｒｒ、
放電電力２０〜２０００Ｗの条件でスパッタすることに
より上記金属元素を含む炭素保護膜を形成し、そのあと
上記保護股上に、親水性官能基を構成分子内に有するフ
ッ素系極性潤滑剤を塗布形成することにより容易に得る
ことかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による磁気ディスクを示す部
分断面図、第２図は本発明の一実施例による磁気ディス
クを製造するためのＤＣスパッタ装置の一例を示す概略
構成図、第３図は本発明の一実施例による磁気ディスク
を製造するためＤＣスパッタ装置の他の例を示す概略構
成図、第４図は本発明の一実施例による磁気ディスクを
製造するための高周波プラズマＣＶＤ装置の一例を示す
概略構成図、第５図は、第２図に示す装置において用い
られるＧｅＨ４ガスの流量比と形成した炭素保護膜中の
Ｇｅの含有量との関係を示す特性曲線図、第６図は、第
３図に示す装置において用いられるターゲットのＧｅ含
有量と形成した炭素保護膜中のＧｅの含有量との関係を
示す特性曲線図、第７図は、第４図に示す装置において
用いられるＧｅＨ４ガスの流量比と形成した炭素保護膜
中のＧｅの含有量との関係を示す特性曲線図、第８図は
、本発明の実施例及び従来の磁気ディスクにおけるスピ
ンオフ試験期間と潤滑剤層膜厚の変化との関係を示す特
性曲線図、第９図は本発明の実施例及び従来の磁気ディ
スクにおける、ＫＲＹＴＯＸ　　１５７ＦＳ　（Ｍ）の
濃度と塗布膜厚の変化との関係を示す特性曲線図、並び
に第１０図は、本発明の実施例及び従来の磁気ディスク
におけるＣ５Ｓ試験回数と磁気ディスクの摩擦係数の変
化との関係を示す特性曲線図である。 図において、（１）は非磁性基体、（２）は下地層、（
３）は磁性層、（４）は保護膜層、（５）はフッ素系潤
滑剤層、（１１ンは真空槽、（１３）は炭素ターゲット
、（１７）はケルマンカス、（１８）はアルゴンガス、
（２ｏ）は基板、（２１）はＧｅ含含有炭素ターフット
（２４）はメタンガスを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分をボす。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）、非磁性基体上に薄膜磁性層を有し、上記薄膜磁
   性層上に、シリコン、ゲルマニウム、スズ、及び鉛の金
   属群から選ばれる少なくとも一種の金属元素を含む炭素
   膜より成る保護膜が形成され、さらに上記保護膜上に、
   親水性官能基を構成分子内に有するフッ素系極性潤滑剤
   層を塗布形成した磁気ディスク。
2. （２）、非磁性基体上に薄膜磁性層が形成された基板を
   、炭素をターゲットとしたスパッタ成膜室内に設けられ
   た試料台上に載置し、上記室内を高真空に排気した後、
   アルゴンとシリコン、ゲルマニウム、スズ及び鉛の金属
   群から選ばれる少なくとも一種の金属元素の水素化物、
   アルキル化合物、及びアルコキシ化合物から選ばれる少
   なくとも一種を含む混合ガスを供給し、ガス圧１〜１０
   ０ｍＴｏｒｒ、放電電力２０〜２０００Ｗの条件でスパ
   ッタすることにより上記金属元素を含む炭素保護膜を形
   成し、そのあと上記保護膜上に、親水性官能基を構成分
   子内に有するフッ素系極性潤滑剤を塗布形成する磁気デ
   ィスクの製造方法。