JPH0424426B2 - - Google Patents
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- JPH0424426B2 JPH0424426B2 JP59012561A JP1256184A JPH0424426B2 JP H0424426 B2 JPH0424426 B2 JP H0424426B2 JP 59012561 A JP59012561 A JP 59012561A JP 1256184 A JP1256184 A JP 1256184A JP H0424426 B2 JPH0424426 B2 JP H0424426B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- film
- storage medium
- magnetic storage
- protective film
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0605—Carbon
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/727—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本発明は、磁気記憶媒体表面に炭化水素保護膜
を形成する方法、特に録画、録音、電算機等に用
いられる磁気ドラム又は磁気デイスク等の磁気記
憶媒体表面にスパツタリングにより炭化水素保護
膜を形成する方法に関する。 近年、記録密度を向上させるため真空蒸着、ス
パツタリング、及びメツキ等の方法により、鉄、
コバルト、ニツケル又はこれらの合金からなる強
磁性金属薄膜を基体上に形成する方法が提案され
ている。しかし、これらの方法で作成された薄膜
型の金属磁気記憶媒体は高密度記録性が優れてい
るが、例えば記録再生装置に使用する場合、磁気
記憶媒体と磁気ヘツド等とが物理的に接触し、高
速度走行をするので、長期使用による耐摩耗性に
問題がある。 これらを改善するために、磁性層の表面に
SiO2、Si3N4、Ｃ、Al2O3のスパツタ蒸着膜など
を形成する方法が知られているが、これらの保護
膜は硬質ではあるが、摩擦係数が大きいために保
護膜は磁気ヘツドのいずれかが摩耗したり、損傷
したりするので、さらにこれらの保護膜と潤滑剤
とを併用する方法が提案されている。しかしなが
ら、この方法によるものはスペーシングロスやヘ
ツドステイツクなどの新たな問題点を生じ易い欠
点がある。 本発明は、これらの欠点を改善することを目的
とするものであつて、磁気記憶媒体の保護膜とし
て、特定の炭化水素から選ばれた１種以上を含有
するガス雰囲気下炭素ターゲツトを用いてスパツ
タリングを行ない磁気記憶媒体上に炭化水素膜を
形成させることにより、潤滑剤の併用なしでも摩
擦係数が小さく耐摩耗性にすぐれ、ヘツドステイ
クなどの問題が少ないすぐれた磁気記憶媒体が得
られる磁気記憶媒体表面に炭化水素保護膜を形成
させる方法を提供しようとするものである。 すなわち本発明は磁気記憶媒体表面にスパツタ
リング法により炭化水素保護膜を形成させる際
に、CH4、C2H4、C2H6、C3H8、C6H6（ベンゼ
ン）等の炭化水素から選ばれた１種以上のガス雰
囲気下、炭素をターゲツトとして用いスパツタリ
ングすることを特徴とする。 以下さらに、本発明を詳しく説明する。 本発明は炭素をターゲツトとして用いスパツタ
リング法により磁気記憶媒体の表面に炭化水素膜
を形成させる方法であるが、本発明の雰囲気とし
て用いられる炭化水素はCH4、C2H6、C2H8、
C2H8、C2H及びC6H6等の炭化水素であるが、こ
れらを１種以上含有するガスであればよく、又こ
れらのガスのみであつてもよいが、アルゴン
（Ar）、ヘリウム（He）及び水素（H2）などのガ
スを併用しても差支えはない。 本発明において炭素をターゲツトとして用い、
雰囲気ガスとして前記炭化水素から選ばれた１種
以上を含有するガス雰囲気中でスパツタリングを
行なうと、Ｃ−Ｈ結合を多量に含む硬質の炭化水
素被膜が形成される。このようにして得られた保
護膜は動摩擦係数が小さく、かつ内部応力が小さ
いために密着力が強固である。従来の炭素をター
ゲツトとして用いるスパツタリング法は雰囲気ガ
スとしてAr、He等のガスを単独で用いるので、
硬質の炭素保護膜が形成されるが、この保護膜中
にはＣ−Ｈ結合あるいは水素原子は検出されない
か、あるいは検出されても極く僅かであるので、
その内部応力が大きいために、密着力が弱く、さ
らに動摩擦係数も大きくなるので好ましくないか
らである。 磁気記憶媒体に対する保護膜の形成条件として
は前記した雰囲気ガス以外にガス圧力、スパツタ
リング電源、バイアス電圧、及び反応時間があ
る。 これらの条件はその装置の形状大きさ等によつ
て変るので特に限定することはできないがいずれ
も公知の条件で行うことができる。なお、本発明
のスパツタリング工程において炭化水素被膜を被
着されるべき磁気記憶媒体には電圧を印加しなく
ても良いが、電圧を印加することも可能である。 以下実施例をあげてさらに本発明を具体的に説
明する。 実施例 １ メツキデイスクの製造 直径９cm、厚み２mmの鏡面研摩したアルミ板上
に非磁性Ni−Ｐを50μm厚に無電解メツキした
後、30μm厚まで鏡面研摩し、更にその上に第１
表に示すメツキ液を用い、メツキ条件としてCo
−Ni−Ｐ（Co：80％、Ni：15％、Ｐ：５％）の
磁性膜を0.1μm厚となるようにPH7.5、液温75℃で
無電解メツキ（以下メツキデイスクＡという）し
た。なお無電解メツキの前処理する際に、日本カ
ニゼン(株)の商品名「シユーマセンシタイザー」及
び商品名「シユーマアクチベーター」を使用し
た。
を形成する方法、特に録画、録音、電算機等に用
いられる磁気ドラム又は磁気デイスク等の磁気記
憶媒体表面にスパツタリングにより炭化水素保護
膜を形成する方法に関する。 近年、記録密度を向上させるため真空蒸着、ス
パツタリング、及びメツキ等の方法により、鉄、
コバルト、ニツケル又はこれらの合金からなる強
磁性金属薄膜を基体上に形成する方法が提案され
ている。しかし、これらの方法で作成された薄膜
型の金属磁気記憶媒体は高密度記録性が優れてい
るが、例えば記録再生装置に使用する場合、磁気
記憶媒体と磁気ヘツド等とが物理的に接触し、高
速度走行をするので、長期使用による耐摩耗性に
問題がある。 これらを改善するために、磁性層の表面に
SiO2、Si3N4、Ｃ、Al2O3のスパツタ蒸着膜など
を形成する方法が知られているが、これらの保護
膜は硬質ではあるが、摩擦係数が大きいために保
護膜は磁気ヘツドのいずれかが摩耗したり、損傷
したりするので、さらにこれらの保護膜と潤滑剤
とを併用する方法が提案されている。しかしなが
ら、この方法によるものはスペーシングロスやヘ
ツドステイツクなどの新たな問題点を生じ易い欠
点がある。 本発明は、これらの欠点を改善することを目的
とするものであつて、磁気記憶媒体の保護膜とし
て、特定の炭化水素から選ばれた１種以上を含有
するガス雰囲気下炭素ターゲツトを用いてスパツ
タリングを行ない磁気記憶媒体上に炭化水素膜を
形成させることにより、潤滑剤の併用なしでも摩
擦係数が小さく耐摩耗性にすぐれ、ヘツドステイ
クなどの問題が少ないすぐれた磁気記憶媒体が得
られる磁気記憶媒体表面に炭化水素保護膜を形成
させる方法を提供しようとするものである。 すなわち本発明は磁気記憶媒体表面にスパツタ
リング法により炭化水素保護膜を形成させる際
に、CH4、C2H4、C2H6、C3H8、C6H6（ベンゼ
ン）等の炭化水素から選ばれた１種以上のガス雰
囲気下、炭素をターゲツトとして用いスパツタリ
ングすることを特徴とする。 以下さらに、本発明を詳しく説明する。 本発明は炭素をターゲツトとして用いスパツタ
リング法により磁気記憶媒体の表面に炭化水素膜
を形成させる方法であるが、本発明の雰囲気とし
て用いられる炭化水素はCH4、C2H6、C2H8、
C2H8、C2H及びC6H6等の炭化水素であるが、こ
れらを１種以上含有するガスであればよく、又こ
れらのガスのみであつてもよいが、アルゴン
（Ar）、ヘリウム（He）及び水素（H2）などのガ
スを併用しても差支えはない。 本発明において炭素をターゲツトとして用い、
雰囲気ガスとして前記炭化水素から選ばれた１種
以上を含有するガス雰囲気中でスパツタリングを
行なうと、Ｃ−Ｈ結合を多量に含む硬質の炭化水
素被膜が形成される。このようにして得られた保
護膜は動摩擦係数が小さく、かつ内部応力が小さ
いために密着力が強固である。従来の炭素をター
ゲツトとして用いるスパツタリング法は雰囲気ガ
スとしてAr、He等のガスを単独で用いるので、
硬質の炭素保護膜が形成されるが、この保護膜中
にはＣ−Ｈ結合あるいは水素原子は検出されない
か、あるいは検出されても極く僅かであるので、
その内部応力が大きいために、密着力が弱く、さ
らに動摩擦係数も大きくなるので好ましくないか
らである。 磁気記憶媒体に対する保護膜の形成条件として
は前記した雰囲気ガス以外にガス圧力、スパツタ
リング電源、バイアス電圧、及び反応時間があ
る。 これらの条件はその装置の形状大きさ等によつ
て変るので特に限定することはできないがいずれ
も公知の条件で行うことができる。なお、本発明
のスパツタリング工程において炭化水素被膜を被
着されるべき磁気記憶媒体には電圧を印加しなく
ても良いが、電圧を印加することも可能である。 以下実施例をあげてさらに本発明を具体的に説
明する。 実施例 １ メツキデイスクの製造 直径９cm、厚み２mmの鏡面研摩したアルミ板上
に非磁性Ni−Ｐを50μm厚に無電解メツキした
後、30μm厚まで鏡面研摩し、更にその上に第１
表に示すメツキ液を用い、メツキ条件としてCo
−Ni−Ｐ（Co：80％、Ni：15％、Ｐ：５％）の
磁性膜を0.1μm厚となるようにPH7.5、液温75℃で
無電解メツキ（以下メツキデイスクＡという）し
た。なお無電解メツキの前処理する際に、日本カ
ニゼン(株)の商品名「シユーマセンシタイザー」及
び商品名「シユーマアクチベーター」を使用し
た。
【表】
次に(株)徳田製作所製のマグネトロン型スパツタ
リング装置（商品名「CFS−8ES」）またターゲ
ツトとしては日立化成(株)の高密度カーボン（商品
名「HCB−18」）を用い、第２表に示す条件下で
スパツタリングを行ない、メツキデイスクＡの表
面に炭化水素保護膜を800Å厚に形成した。また
比較のために第２表に示す条件（実験No.８）でス
パツタリングを行ない、メツキデイスクＡの表面
に炭素膜を800Å厚に形成した。
リング装置（商品名「CFS−8ES」）またターゲ
ツトとしては日立化成(株)の高密度カーボン（商品
名「HCB−18」）を用い、第２表に示す条件下で
スパツタリングを行ない、メツキデイスクＡの表
面に炭化水素保護膜を800Å厚に形成した。また
比較のために第２表に示す条件（実験No.８）でス
パツタリングを行ない、メツキデイスクＡの表面
に炭素膜を800Å厚に形成した。
【表】
【表】
なお第３表に示した物性の測定は次の方法によ
つた。 (1) 動摩擦係数測定 第１図に示す回転装置を用いて測定した。 ヘツド：２mmφサフアイア球． ヘツド荷重：5g 相対速度：5m／sec。 (2) 摺動回数測定 第１図の装置を用いて保護膜が破壊するまでの
摺動回数を測定した。 ヘツド：２mmφサフアイア球． ヘツド荷重：10g 相対速度：10m／sec (3) CSS（コンタクト・スタート・ストツプ）テ
スト 固定デイスクドライブ装置を用いて、ヘツドク
ラツシユが発生するまでのサイクル数を測定し
た。 ヘツド：IBM−3350タイプ、 ヘツド荷重：9.8g. 回転速度：3600r.p.m.、 ON−OFF30秒サイクル。 実施例 ２ 0.5mm厚のシリコンウエハー上に、反応時間を
75分とした以外は実験No.１と同じ条件で行い炭化
水素膜を1μm厚で得た。 この炭化水素膜を施したシリコンウエハーの透
過型赤外分光分析の結果を第２図に示す。第２図
に示すように2870、2920、2960、1420および1375
cm1の吸収より、この炭化水素膜中には明らかに
Ｃ−Ｈ結合が存在することが確認された。 比較例 0.5mm厚のシリコンウエハー上に、反応時間を
87.5分とした以外は実験No.８と同じ条件で行い炭
素膜を1μm厚で得た。 この炭素膜を施したシリコンウエハーの透過型
赤外分光分析の結果を第３図に示す。第３図によ
ればこの炭素膜中にはＣ−Ｈ結合の存在が認めら
れなかつた。
つた。 (1) 動摩擦係数測定 第１図に示す回転装置を用いて測定した。 ヘツド：２mmφサフアイア球． ヘツド荷重：5g 相対速度：5m／sec。 (2) 摺動回数測定 第１図の装置を用いて保護膜が破壊するまでの
摺動回数を測定した。 ヘツド：２mmφサフアイア球． ヘツド荷重：10g 相対速度：10m／sec (3) CSS（コンタクト・スタート・ストツプ）テ
スト 固定デイスクドライブ装置を用いて、ヘツドク
ラツシユが発生するまでのサイクル数を測定し
た。 ヘツド：IBM−3350タイプ、 ヘツド荷重：9.8g. 回転速度：3600r.p.m.、 ON−OFF30秒サイクル。 実施例 ２ 0.5mm厚のシリコンウエハー上に、反応時間を
75分とした以外は実験No.１と同じ条件で行い炭化
水素膜を1μm厚で得た。 この炭化水素膜を施したシリコンウエハーの透
過型赤外分光分析の結果を第２図に示す。第２図
に示すように2870、2920、2960、1420および1375
cm1の吸収より、この炭化水素膜中には明らかに
Ｃ−Ｈ結合が存在することが確認された。 比較例 0.5mm厚のシリコンウエハー上に、反応時間を
87.5分とした以外は実験No.８と同じ条件で行い炭
素膜を1μm厚で得た。 この炭素膜を施したシリコンウエハーの透過型
赤外分光分析の結果を第３図に示す。第３図によ
ればこの炭素膜中にはＣ−Ｈ結合の存在が認めら
れなかつた。
図面は本発明の実施例及び比較例に用いる装置
を示すものであつて、第１図は動摩擦係数及び摺
動回数測定装置の説明図、第２図及び第３図はそ
れぞれ実施例２及び比較例によつて作成されたシ
リコンウエハー上の保護膜の波数と透過率との関
係図である。 符号 １……磁気記憶媒体、２……ホルダー、
３……サフアイア球、４……板バネ、５……歪ゲ
ージ、６……XYステージ、７……モーター、８
……架台。
を示すものであつて、第１図は動摩擦係数及び摺
動回数測定装置の説明図、第２図及び第３図はそ
れぞれ実施例２及び比較例によつて作成されたシ
リコンウエハー上の保護膜の波数と透過率との関
係図である。 符号 １……磁気記憶媒体、２……ホルダー、
３……サフアイア球、４……板バネ、５……歪ゲ
ージ、６……XYステージ、７……モーター、８
……架台。
Claims (1)
- １ 磁気記憶媒体表面にスパツタリング法により
炭化水素保護膜を形成させる際に、CH4、C2H4、
C2H6、C3H8、及びC6H6等の炭化水素から選ばれ
た１種以上のガスを含有する雰囲気下炭素をター
ゲツトとして用いスパツタリングすることを特徴
とする磁気記憶媒体表面に炭化水素保護膜を形成
する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59012561A JPS60155668A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 磁気記憶媒体表面に炭化水素保護膜を形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59012561A JPS60155668A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 磁気記憶媒体表面に炭化水素保護膜を形成する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60155668A JPS60155668A (ja) | 1985-08-15 |
| JPH0424426B2 true JPH0424426B2 (ja) | 1992-04-27 |
Family
ID=11808755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59012561A Granted JPS60155668A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 磁気記憶媒体表面に炭化水素保護膜を形成する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60155668A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6362656A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| DE3644822A1 (de) * | 1986-12-31 | 1988-07-14 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung von scheibenfoermigen magnetischen aufzeichnungstraegern |
| US4778582A (en) * | 1987-06-02 | 1988-10-18 | International Business Machines Corporation | Process for making a thin film metal alloy magnetic recording disk with a hydrogenated carbon overcoat |
| US5045165A (en) * | 1990-02-01 | 1991-09-03 | Komag, Inc. | Method for sputtering a hydrogen-doped carbon protective film on a magnetic disk |
| JP4073567B2 (ja) | 1999-01-11 | 2008-04-09 | シャープ株式会社 | 熱アシスト磁気記録媒体 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4277540A (en) * | 1971-05-03 | 1981-07-07 | Aine Harry E | Thin film magnetic recording medium |
| JPS5321901A (en) * | 1976-08-11 | 1978-02-28 | Fujitsu Ltd | Formation of carbonized protective film for magnetic recording medium |
| JPS5321902A (en) * | 1976-08-11 | 1978-02-28 | Fujitsu Ltd | Formation of carbonized protective film for magnetic recording medium |
| JPS6023406B2 (ja) * | 1977-05-18 | 1985-06-07 | 日本電気株式会社 | 磁気デイスク |
-
1984
- 1984-01-26 JP JP59012561A patent/JPS60155668A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60155668A (ja) | 1985-08-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |