JPH0341714A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH0341714A JPH0341714A JP1176604A JP17660489A JPH0341714A JP H0341714 A JPH0341714 A JP H0341714A JP 1176604 A JP1176604 A JP 1176604A JP 17660489 A JP17660489 A JP 17660489A JP H0341714 A JPH0341714 A JP H0341714A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- filter
- semiconductor wafer
- exposure
- permeability
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は露光装置に関する。
［従来の技術及び発明が解決すべき課題］従来から半導
体装置の工程の一つであるリングラフィ工程は、主とし
て表面処理、レジスト塗布、露光、現像、エツチングの
５つの工程に分けられる。これらの工程で用いられる露
光装置として、可視光または紫外線を光源とし、投影光
学系を用いた投影露光装置がある。
体装置の工程の一つであるリングラフィ工程は、主とし
て表面処理、レジスト塗布、露光、現像、エツチングの
５つの工程に分けられる。これらの工程で用いられる露
光装置として、可視光または紫外線を光源とし、投影光
学系を用いた投影露光装置がある。
これらの露光装置は、光源からの照射強度は第６図に示
すように光軸Ｑにおいて最強で周辺部は弱くなる。この
ため照射面の光軸近傍域Ｓ１は強く露光され、周辺域Ｓ
２での露光は弱くなってしまい、照射面全域が均一に露
光されないことに起因して、現像して得られるレジスト
膜の膜厚が均一にならず、高品質の半導体が得られない
という欠点があった。
すように光軸Ｑにおいて最強で周辺部は弱くなる。この
ため照射面の光軸近傍域Ｓ１は強く露光され、周辺域Ｓ
２での露光は弱くなってしまい、照射面全域が均一に露
光されないことに起因して、現像して得られるレジスト
膜の膜厚が均一にならず、高品質の半導体が得られない
という欠点があった。
本発明は上記の欠点を解消するためになされたものであ
って、露光の光源が−様な均一照射を行い、従って高品
位な製品を製造できる露光装置を提供することを目的と
する。
って、露光の光源が−様な均一照射を行い、従って高品
位な製品を製造できる露光装置を提供することを目的と
する。
［課題を解決するための手段］
上記の目的を遠戚するため本発明の露光装置は、光線の
光軸近傍域と周辺域間に生じる照射強度差を均一化する
中心部は高く周辺部は低い透過率を有するフィルタを前
記光線の光路に設ける。
光軸近傍域と周辺域間に生じる照射強度差を均一化する
中心部は高く周辺部は低い透過率を有するフィルタを前
記光線の光路に設ける。
［作用］
本発明の露光装置は、可視光または紫外線を用いて照射
面に露光する際、これらの光線の光軸近傍域１周辺域に
生しる照射強度を相殺するように光線の光路にフィルタ
を設け、フィルタの中心部は透過率を低く周辺部は透過
率を高くすることにより照射面を均一な強度で照射する
ことができるようにしたものである。
面に露光する際、これらの光線の光軸近傍域１周辺域に
生しる照射強度を相殺するように光線の光路にフィルタ
を設け、フィルタの中心部は透過率を低く周辺部は透過
率を高くすることにより照射面を均一な強度で照射する
ことができるようにしたものである。
［実施例］
本発明の露光装置を半導体製造の周辺露光装置に適用し
た一実施例を図面を参照して説明する。
た一実施例を図面を参照して説明する。
第１図に示す露光装置は、被処理体であるレジスト塗布
後の半導体ウェハｌを吸着、保持する載置台２、載置台
２を回転開動する回転機構３、半導体ウェハ１の周縁端
面を検出する端面検出手段４、半導体ウェハ１の周縁部
５を露光するための光照射部６及び端面検出手段４から
の信号によって回転機構３等を開動制御する制御部７か
ら成り、端面検出手段４は光源８及びレンズ９を介して
光源８からの光を検出する光センサ１０から成る。
後の半導体ウェハｌを吸着、保持する載置台２、載置台
２を回転開動する回転機構３、半導体ウェハ１の周縁端
面を検出する端面検出手段４、半導体ウェハ１の周縁部
５を露光するための光照射部６及び端面検出手段４から
の信号によって回転機構３等を開動制御する制御部７か
ら成り、端面検出手段４は光源８及びレンズ９を介して
光源８からの光を検出する光センサ１０から成る。
光照射部６は図示しない開動機構を備え、光センサ１０
からの信号によってこの廃動機構が光照射部６を移動さ
せることにより、半導体ウェハ２のオリフラ部５ａも含
め、その周縁に沿って露光することができるように構成
されている。
からの信号によってこの廃動機構が光照射部６を移動さ
せることにより、半導体ウェハ２のオリフラ部５ａも含
め、その周縁に沿って露光することができるように構成
されている。
ここで１本発明の要点である光照射部６は、図示しない
光源から露光用の光、例えば可視光あるいは紫外線を導
くための光ファイバ、液体ファイバ等の先導？ｅ１０に
よって導かれた光をフィルタ１１を透過して半導体ウェ
ハ１の周縁部５に照射する。フィルタ１１は第２図に示
すように光導管１０の先端に所望の波長を選択的に透過
させる例えば第３図に示すような波長４００〜４５０ｎ
ｍ光を選択して透過するような特性を有するカラーフィ
ルタ１１−１を設けることにより露光に不必要な波長光
を除去する。さらに、第５図に示すような光軸氾近傍の
中心部Ｔ□は透過率が低く、周辺部Ｔ２は透過率の高い
特性を有する拡散フィルタ１１−２を第４図に示すよう
に設ける。従って光源から光軸近傍域と周辺域に生じる
照射強度差は拡散フィルタ１１−２の中心部と周辺部の
透過率の違いにより、相殺されて照射面における照射強
度は均一化される。
光源から露光用の光、例えば可視光あるいは紫外線を導
くための光ファイバ、液体ファイバ等の先導？ｅ１０に
よって導かれた光をフィルタ１１を透過して半導体ウェ
ハ１の周縁部５に照射する。フィルタ１１は第２図に示
すように光導管１０の先端に所望の波長を選択的に透過
させる例えば第３図に示すような波長４００〜４５０ｎ
ｍ光を選択して透過するような特性を有するカラーフィ
ルタ１１−１を設けることにより露光に不必要な波長光
を除去する。さらに、第５図に示すような光軸氾近傍の
中心部Ｔ□は透過率が低く、周辺部Ｔ２は透過率の高い
特性を有する拡散フィルタ１１−２を第４図に示すよう
に設ける。従って光源から光軸近傍域と周辺域に生じる
照射強度差は拡散フィルタ１１−２の中心部と周辺部の
透過率の違いにより、相殺されて照射面における照射強
度は均一化される。
拡散フィルタ１１−２の透過率を中心部Ｔ１と周辺部Ｔ
２で異なるように成形するには、拡散フィルタ１１−２
の膜厚を中心部Ｔ工は厚く、周辺部Ｔ２は薄くするかあ
るいは着色濃度を中心部Ｔ□は濃く、周辺部Ｔ２は淡く
すればよい。
２で異なるように成形するには、拡散フィルタ１１−２
の膜厚を中心部Ｔ工は厚く、周辺部Ｔ２は薄くするかあ
るいは着色濃度を中心部Ｔ□は濃く、周辺部Ｔ２は淡く
すればよい。
以上のような構成における露光装置は、回転機構３によ
り半導体ウェハ１を回転させると共に、端面検出手段４
により半導体ウェハ端面を検出しながら光照射部６の位
置を制御して半導体ウェハ周縁部に沿ってウェハ上のレ
ジスト膜に光を照射してゆくものであるが、光照射部６
に設けたカラーフィルタ１１−１により所望波長を選択
し、さらに拡散フィルタ１１−２により中心部Ｔ１の透
過率を低く、周辺部Ｔ２の透過率を高くすることにより
均一な露光を行うことができる。従って。
り半導体ウェハ１を回転させると共に、端面検出手段４
により半導体ウェハ端面を検出しながら光照射部６の位
置を制御して半導体ウェハ周縁部に沿ってウェハ上のレ
ジスト膜に光を照射してゆくものであるが、光照射部６
に設けたカラーフィルタ１１−１により所望波長を選択
し、さらに拡散フィルタ１１−２により中心部Ｔ１の透
過率を低く、周辺部Ｔ２の透過率を高くすることにより
均一な露光を行うことができる。従って。
照射光は強度のものを使用でき、露光面と非露光面の非
露光面の境界がシャープになり、現像後は必要最大限の
不要レジストの除去ができ、異物の生じない半導体ウェ
ハの製造ができる。
露光面の境界がシャープになり、現像後は必要最大限の
不要レジストの除去ができ、異物の生じない半導体ウェ
ハの製造ができる。
以上の説明は本発明の露光装置を周辺露光装置に適用し
た一実施例であって、本発明はこれに限定されるもので
はなく、均一照射が要求されるものであれば何れの装置
にも適用することができる。
た一実施例であって、本発明はこれに限定されるもので
はなく、均一照射が要求されるものであれば何れの装置
にも適用することができる。
［発明の効果］
以上の説明からも明らかなように本発明の露光装置によ
れば、光源からの照射強度を相殺するような透過率を有
するフィルタを設けたため、均一な露光が実現でき、従
って、半導体製造等の微妙な光量の変化で生じる膜厚の
不均一性を除去し、極めて高品位な製品を製造すること
ができる。
れば、光源からの照射強度を相殺するような透過率を有
するフィルタを設けたため、均一な露光が実現でき、従
って、半導体製造等の微妙な光量の変化で生じる膜厚の
不均一性を除去し、極めて高品位な製品を製造すること
ができる。
第工図は本発明の露光装置の一実施例の構成図、第２図
は第１図に示す一実施例の要部を示す図、第３図は第２
図に示す要部の特性を説明する図、第４図は第１図に示
す一実施例の要部を示す図、第５図は第４図に示す要部
の特性を説明する図。 第６図は従来例を説明する図である。 怠・・・・・・光軸 Ｓ４・・・・・近傍域 Ｓ２・・・・・周辺部 Ｔ１・・・・・中心部 Ｔ２・・・・・周辺部 １１・・・・フィルタ １１−２・・・・・・・拡散フィルタ
は第１図に示す一実施例の要部を示す図、第３図は第２
図に示す要部の特性を説明する図、第４図は第１図に示
す一実施例の要部を示す図、第５図は第４図に示す要部
の特性を説明する図。 第６図は従来例を説明する図である。 怠・・・・・・光軸 Ｓ４・・・・・近傍域 Ｓ２・・・・・周辺部 Ｔ１・・・・・中心部 Ｔ２・・・・・周辺部 １１・・・・フィルタ １１−２・・・・・・・拡散フィルタ
Claims (1)
- 光線の光軸近傍域と周辺域間に生じる照射強度差を均一
化する中心部は高く周辺部は低い透過率を有するフィル
タを前記光線の光路に設けたことを特徴とする露光装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1176604A JPH0341714A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1176604A JPH0341714A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0341714A true JPH0341714A (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=16016473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1176604A Pending JPH0341714A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0341714A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000019271A1 (en) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Nikon Corporation | Photomask and exposure method |
| JP2013162110A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-19 | Topcon Corp | 露光装置 |
-
1989
- 1989-07-07 JP JP1176604A patent/JPH0341714A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000019271A1 (en) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Nikon Corporation | Photomask and exposure method |
| US6727025B1 (en) | 1998-09-30 | 2004-04-27 | Nikon Corporation | Photomask and exposure method |
| JP2013162110A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-19 | Topcon Corp | 露光装置 |
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