JPH0342642Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0342642Y2 JPH0342642Y2 JP1983052626U JP5262683U JPH0342642Y2 JP H0342642 Y2 JPH0342642 Y2 JP H0342642Y2 JP 1983052626 U JP1983052626 U JP 1983052626U JP 5262683 U JP5262683 U JP 5262683U JP H0342642 Y2 JPH0342642 Y2 JP H0342642Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip resistor
- intermediate body
- slit
- ceramic chip
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、チツプ抵抗器を一時に多数製作する
ためのセラミツク製チツプ抵抗基板の中間体に関
する。
ためのセラミツク製チツプ抵抗基板の中間体に関
する。
第1図に示すように、チツプ抵抗器1はセラミ
ツク製のチツプ抵抗基板2(例えば縦1.5mm、横
3mm、厚さ0.52mm)の表面の両端部に電極膜3,
3を、また中央部にはこの電極膜3,3に接する
ように抵抗膜4を各ペーストによる印刷及び焼成
により形成し、更に抵抗膜4の上面には湿気等に
より抵抗値が変化しないように保護膜(図示せ
ず)を印刷することによつて構成される。
ツク製のチツプ抵抗基板2(例えば縦1.5mm、横
3mm、厚さ0.52mm)の表面の両端部に電極膜3,
3を、また中央部にはこの電極膜3,3に接する
ように抵抗膜4を各ペーストによる印刷及び焼成
により形成し、更に抵抗膜4の上面には湿気等に
より抵抗値が変化しないように保護膜(図示せ
ず)を印刷することによつて構成される。
ところでこのようなチツプ抵抗器1を複数個製
作するのに、従来では第2図に示す通り、チツプ
抵抗器1の1個分に相当する大きさに区画された
部分5が多数形成されるように縦横に複数のスリ
ツト6,7を表面に形成した方形状のセラミツク
製チツプ抵抗基板の中間体8を使用している。
尚、前記各スリツト6,7はそれぞれ前記セラミ
ツク製チツプ抵抗基板の中間体8の端辺まで達し
ている。
作するのに、従来では第2図に示す通り、チツプ
抵抗器1の1個分に相当する大きさに区画された
部分5が多数形成されるように縦横に複数のスリ
ツト6,7を表面に形成した方形状のセラミツク
製チツプ抵抗基板の中間体8を使用している。
尚、前記各スリツト6,7はそれぞれ前記セラミ
ツク製チツプ抵抗基板の中間体8の端辺まで達し
ている。
そして、前記の様に構成されたセラミツク製チ
ツプ抵抗基板の中間体8の両側をチヤツク9,9
で挟持し、この状態で各スリツト6,7によつて
区画された部分5ごとに前記のようなチツプ抵抗
器1が形成されるように、その表面にまず電極と
なるペーストで印刷焼成して電極膜3(第1図参
照)を形成し、次に抵抗体となるペーストで印刷
焼成して抵抗膜4(第1図参照)を形成し、更に
抵抗膜4の上面に図示されていないが保護膜を形
成する。
ツプ抵抗基板の中間体8の両側をチヤツク9,9
で挟持し、この状態で各スリツト6,7によつて
区画された部分5ごとに前記のようなチツプ抵抗
器1が形成されるように、その表面にまず電極と
なるペーストで印刷焼成して電極膜3(第1図参
照)を形成し、次に抵抗体となるペーストで印刷
焼成して抵抗膜4(第1図参照)を形成し、更に
抵抗膜4の上面に図示されていないが保護膜を形
成する。
しかし、以上の様な従来のセラミツク製チツプ
抵抗基板の中間体8では、この表面に形成された
縦又は横方向の各スリツト6,7の両側の末端
は、その中間体8の端辺まで達しているので、こ
のセラミツク製チツプ抵抗基板の中間体8の両側
をチヤツク9,9で挟むとき、特に急いで挟むと
き矢印方向の圧縮力によつてスリツト7に割れが
生じることが頻繁にあつた。同様にスリツト6方
向から前記セラミツク製チツプ抵抗基板の中間体
8をチヤツクで挟む場合にもスリツト6に沿つて
割れが生じることがあつた。このように従来にあ
つては割れによる不良品が多く発生することによ
つてチツプ抵抗器の生産性が悪かつた。
抵抗基板の中間体8では、この表面に形成された
縦又は横方向の各スリツト6,7の両側の末端
は、その中間体8の端辺まで達しているので、こ
のセラミツク製チツプ抵抗基板の中間体8の両側
をチヤツク9,9で挟むとき、特に急いで挟むと
き矢印方向の圧縮力によつてスリツト7に割れが
生じることが頻繁にあつた。同様にスリツト6方
向から前記セラミツク製チツプ抵抗基板の中間体
8をチヤツクで挟む場合にもスリツト6に沿つて
割れが生じることがあつた。このように従来にあ
つては割れによる不良品が多く発生することによ
つてチツプ抵抗器の生産性が悪かつた。
本考案の目的は、前記従来技術の欠点を解消
し、材料の歩留りが高く生産性に優れたセラミツ
ク製チツプ抵抗基板の中間体を提供することにあ
る。
し、材料の歩留りが高く生産性に優れたセラミツ
ク製チツプ抵抗基板の中間体を提供することにあ
る。
この目的を達成するために、本考案は、チツプ
抵抗器1個分に相当する大きさに区画されるよう
に表面に縦方向及び横方向に沿つてスリツトを多
数形成してなる方形状のセラミツク製チツプ抵抗
基板の中間体において、一端縁とこの一端縁に沿
つて隣接するスリツトとの間に、このスリツトに
直交する他方のスリツトが途中まで延びて一端縁
まで延びて一端縁まで達しない空所を設けたこと
を特徴とするものである。
抵抗器1個分に相当する大きさに区画されるよう
に表面に縦方向及び横方向に沿つてスリツトを多
数形成してなる方形状のセラミツク製チツプ抵抗
基板の中間体において、一端縁とこの一端縁に沿
つて隣接するスリツトとの間に、このスリツトに
直交する他方のスリツトが途中まで延びて一端縁
まで延びて一端縁まで達しない空所を設けたこと
を特徴とするものである。
以下、本考案のセラミツク製チツプ抵抗基板の
中間体について説明する。
中間体について説明する。
第3図は本考案の一実施例を示す平面図であ
る。
る。
第3図中、10はセラミツク製チツプ抵抗基板
の中間体であり、その表面に従来と同様にチツプ
抵抗器1の1個分に相当する大きさの部分が多数
区画形成されるように、縦横に複数本のスリツト
11,12を形成する。但し前記一方向のスリツ
ト12の上方末端は、最上段の他方向のスリツト
11を若干量越えるものの、セラミツク製チツプ
抵抗基板の中間体10の上側の端辺まで達してな
く、このセラミツク製チツプ抵抗基板の中間体1
0の上側の端縁にはスリツト12が形成されない
細長い空所13を形成してある。
の中間体であり、その表面に従来と同様にチツプ
抵抗器1の1個分に相当する大きさの部分が多数
区画形成されるように、縦横に複数本のスリツト
11,12を形成する。但し前記一方向のスリツ
ト12の上方末端は、最上段の他方向のスリツト
11を若干量越えるものの、セラミツク製チツプ
抵抗基板の中間体10の上側の端辺まで達してな
く、このセラミツク製チツプ抵抗基板の中間体1
0の上側の端縁にはスリツト12が形成されない
細長い空所13を形成してある。
そして、前記セラミツク製チツプ抵抗基板の中
間体10の空所13を除き各スリツト11,12
によつて区画された各部分の表面に、第1図に示
すような電極膜3、抵抗膜4を印刷焼成して形成
するためにセラミツク製チツプ抵抗基板の中間体
10をチヤツク14,15に取り付けるわけであ
るが、そのとき空所13が形成されている側を一
方のチヤツク14で、空所13と反対側を他方の
チヤツク15で挟むようにすれば、たとえチヤツ
ク14,15にセラミツク製チツプ抵抗基板の中
間体10を挟むとき誤つて矢印方向に強い圧縮力
が生じたとしても、空所13を設けたことにより
矢印方向の圧縮力に対しての強度が従来のセラミ
ツク製チツプ抵抗基板の中間体8より増している
ためにスリツト12に沿つて割れるような事が起
こらない。
間体10の空所13を除き各スリツト11,12
によつて区画された各部分の表面に、第1図に示
すような電極膜3、抵抗膜4を印刷焼成して形成
するためにセラミツク製チツプ抵抗基板の中間体
10をチヤツク14,15に取り付けるわけであ
るが、そのとき空所13が形成されている側を一
方のチヤツク14で、空所13と反対側を他方の
チヤツク15で挟むようにすれば、たとえチヤツ
ク14,15にセラミツク製チツプ抵抗基板の中
間体10を挟むとき誤つて矢印方向に強い圧縮力
が生じたとしても、空所13を設けたことにより
矢印方向の圧縮力に対しての強度が従来のセラミ
ツク製チツプ抵抗基板の中間体8より増している
ためにスリツト12に沿つて割れるような事が起
こらない。
また、スリツト11により分割した短冊体のう
ち前記空所13を含む最上段の短冊体は破棄され
るのでその分無駄となるように見受けられるが従
来のセラミツク製チツプ抵抗基板の中間体8の表
面に印刷するときでも、その最上段、最下段に印
刷されるペーストがだれやすい傾向にあり、その
ため不良品となることが多いので、この部分のチ
ツプは従来からも破棄するようにしている。特
に、本実施例の場合、空所13を含む最上段の短
冊体の一部に各スリツト12の上方末端が入り込
んでいるため、この部分のスリツト12を利用し
て、電極膜3形成用のペーストの余剰分を空所1
3内に溜めることができる。従つて、これらの点
を考慮すると、実際には第3図に示す本考案のセ
ラミツク製チツプ抵抗基板の中間体10を用いて
も無駄になる部分は従来と同じである。
ち前記空所13を含む最上段の短冊体は破棄され
るのでその分無駄となるように見受けられるが従
来のセラミツク製チツプ抵抗基板の中間体8の表
面に印刷するときでも、その最上段、最下段に印
刷されるペーストがだれやすい傾向にあり、その
ため不良品となることが多いので、この部分のチ
ツプは従来からも破棄するようにしている。特
に、本実施例の場合、空所13を含む最上段の短
冊体の一部に各スリツト12の上方末端が入り込
んでいるため、この部分のスリツト12を利用し
て、電極膜3形成用のペーストの余剰分を空所1
3内に溜めることができる。従つて、これらの点
を考慮すると、実際には第3図に示す本考案のセ
ラミツク製チツプ抵抗基板の中間体10を用いて
も無駄になる部分は従来と同じである。
尚、本実施例では空所13がセラミツク製チツ
プ抵抗基板の中間体10のチヤツク14側の端縁
のみに設けられているが、これに限らずセラミツ
ク製チツプ抵抗基板の中間体10のチヤツク15
側の端縁にも前記と同様な空所を設けても良く、
このように2ヵ所に空所を設けることで更に強度
を増すことができる。
プ抵抗基板の中間体10のチヤツク14側の端縁
のみに設けられているが、これに限らずセラミツ
ク製チツプ抵抗基板の中間体10のチヤツク15
側の端縁にも前記と同様な空所を設けても良く、
このように2ヵ所に空所を設けることで更に強度
を増すことができる。
更に、本実施例では、セラミツク製チツプ抵抗
基板の中間体10からは第1図に示すような構成
のチツプ抵抗器1を得るものとして説明したが、
これに限らず、セラミツク製の基板の表面に最初
に抵抗膜を形成し、次にこの抵抗膜の両端に導電
膜を形成し、更にこのセラミツク製の基板の両端
面に前記導電膜に連なる電極膜を形成することに
より構成されるチツプ抵抗器でも本実施例のセラ
ミツク製チツプ抵抗基板の中間体10で製作する
ことができるものである。
基板の中間体10からは第1図に示すような構成
のチツプ抵抗器1を得るものとして説明したが、
これに限らず、セラミツク製の基板の表面に最初
に抵抗膜を形成し、次にこの抵抗膜の両端に導電
膜を形成し、更にこのセラミツク製の基板の両端
面に前記導電膜に連なる電極膜を形成することに
より構成されるチツプ抵抗器でも本実施例のセラ
ミツク製チツプ抵抗基板の中間体10で製作する
ことができるものである。
以上説明したように、本考案によれば、スリツ
トに沿つて生じ易い中間体の割れを空所によつて
防止できると共に、スリツトの端部に発生し易い
印刷不良を空所内に積極的に位置させることで、
空所の内側に沿つて隣接する区画が不良になるこ
とを防止でき、それ故、材料の歩留りが高まつて
チツプ抵抗器の生産性が向上するという効果があ
る。
トに沿つて生じ易い中間体の割れを空所によつて
防止できると共に、スリツトの端部に発生し易い
印刷不良を空所内に積極的に位置させることで、
空所の内側に沿つて隣接する区画が不良になるこ
とを防止でき、それ故、材料の歩留りが高まつて
チツプ抵抗器の生産性が向上するという効果があ
る。
第1図はチツプ抵抗器の斜視図、第2図は従来
のセラミツク製チツプ抵抗基板の中間体の平面
図、第3図は本考案のセラミツク製チツプ抵抗基
板の中間体の一実施例の平面図である。 1……チツプ抵抗器、10……セラミツク製チ
ツプ抵抗基板の中間体、11,12……スリツ
ト、13……空所。
のセラミツク製チツプ抵抗基板の中間体の平面
図、第3図は本考案のセラミツク製チツプ抵抗基
板の中間体の一実施例の平面図である。 1……チツプ抵抗器、10……セラミツク製チ
ツプ抵抗基板の中間体、11,12……スリツ
ト、13……空所。
Claims (1)
- チツプ抵抗器1個分に相当する大きさに区画さ
れるように表面に縦方向及び横方向に沿つてスリ
ツトを多数形成してなる方形状のセラミツク製チ
ツプ抵抗基板の中間体において、一端縁とこの一
端縁に沿つて隣接するスリツトとの間に、このス
リツトに直交する他方のスリツトが途中まで延び
て一端縁まで達しない空所を設けたことを特徴と
するセラミツク製チツプ抵抗基板の中間体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5262683U JPS59171304U (ja) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | セラミツク製チツプ抵抗基板の中間体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5262683U JPS59171304U (ja) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | セラミツク製チツプ抵抗基板の中間体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59171304U JPS59171304U (ja) | 1984-11-16 |
| JPH0342642Y2 true JPH0342642Y2 (ja) | 1991-09-06 |
Family
ID=30182972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5262683U Granted JPS59171304U (ja) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | セラミツク製チツプ抵抗基板の中間体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59171304U (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5941282B2 (ja) * | 1979-09-25 | 1984-10-05 | ティーディーケイ株式会社 | 抵抗素子、抵抗素子集合体およびその製造方法 |
| JPS56104407A (en) * | 1980-01-24 | 1981-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | Method of manufacturing chip resistor |
-
1983
- 1983-04-11 JP JP5262683U patent/JPS59171304U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59171304U (ja) | 1984-11-16 |
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