JPH0543441Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

この考案は、抵抗被膜を確実に被覆して特性不
良化を防止しうるように構成された電子部品に関
する。

【従来の技術】 電子装置においては、構成部品としての各種の
電子部品がその回路基板上に実装されている。そ
してその電子部品の中でも、たとえばチツプ抵抗
器は、次の各工程を経て製造されている。 まず、縦割り溝を格子状に形成しながら焼成し
たセラミツク製の材料基板の上面における、上記
割り溝で囲まれて複数行複数列に形成された各横
長矩形状の単位領域の長手方向両端部に、電極被
膜を一括印刷形成した後、各単位領域に所定形状
の抵抗被膜を一括印刷形成する。これにより、上
記各横長矩形の領域に、抵抗被膜と、これと導通
するように長手方向両端に形成された電極被膜と
からなる各単位チツプ抵抗器の基本的部分が形成
される。この後、後述するトリミング工程におい
て切除された抵抗被膜が粉体となつて基板上に残
つている抵抗被膜上に飛散することを防止するた
め、各矩形の単位領域における抵抗被膜の表面に
アンダーコートガラスを所定形状であつてかつ抵
抗被膜の大きさよりやや大きめにコーテイングし
て、抵抗被膜を保護する。 そして、この時点において、各単位チツプ抵抗
器の両電極に測定プローブを接触させて抵抗値を
計測しつつ、計測された抵抗値に応じて、各チツ
プ抵抗器の抵抗被膜をその抵抗値が所定の値とな
るように上記のアンダーコートガラスとともにレ
ーザ光で所定量切除するトリミングを行う。 さらに、このトリミング工程において形成され
たアンダーコートガラスのトリミング部から露出
する抵抗被膜を被覆するために、アンダーコート
ガラスの表面に、さらにオーバコートガラスをコ
ーテイングする。このオーバコートガラスのコー
テイングは、基板の上記縦割り溝方向におけるコ
ーテイングの位置ずれによつてアンダーコートガ
ラスのトリミング部が被覆されない不都合を回避
し、また、複雑な縦方向（横長単位領域の幅方
向）の位置決め作業を省略するために、通常、基
板の縦方向に並ぶ単位チツプ抵抗器群毎に縦方向
帯状に一括コーテイングされる。 そうして、この後は、セラミツク基板をその縦
割り溝に沿つて分割して棒状基板片を得、その側
縁面ないし側縁に近い裏面に二次および三次電極
被膜を塗布焼成した後、横割り溝に沿つて各単位
チツプ抵抗器ごとに分割する。こうして各単位チ
ツプごとに分割された後、チツプ抵抗器の電極部
にバレルメツキが施される。そして、このように
して作製されたチツプ抵抗器は、次の包装工程に
おいてマガジン等の包装用部材に収容されて出荷
される。

【考案が解決しようとする課題】

ところで、チツプ抵抗器は、上記の包装工程に
おいて包装用部材の待機位置まで搬送する際や、
回路基板への実装時に回路基板上まで搬送する際
には、マニピユレータ等によつて搬送される。こ
の際、チツプ抵抗器の長手方向（材料基板におけ
る横割り溝方向）に対向する両側縁部に配設され
た電極部をマニピユレータによつてチヤツキング
すると、電極部に傷ができてチツプ抵抗器に特性
不良が生じる危険がきわめて高いため、マニピユ
レータのチヤツキング位置は、チツプ抵抗器の幅
方向（材料基板における縦割り溝方向）に対向す
る両側縁部に設定されている。 しかしながら、チツプ抵抗器の幅方向の側縁部
には、製造工程において材料基板縦方向帯状にコ
ーテイングされたオーバコートガラスの端部が露
出しているため、マニピユレータのチヤツキング
時に、オーバコートガラスに割れが生じることが
よくあり、このために、チツプ抵抗器が不良化さ
せられる問題があつた。すなわち、オーバコート
ガラスに割れが生じたときに、この割れが、アン
ダーコートガラスのトリミング部を覆う部位まで
及ぶと、抵抗被膜が露出してしまい、抵抗素子の
特性を著しく劣化させてしまうのである。 これを解決するために、オーバコートガラスの
コーテイングを、アンダーコートガラスのコーテ
イングのように、各矩形の単位領域ごとに所定の
形状にコーテイングして、オーバコートガラスの
端部がチツプ抵抗器の幅方向に対向する側縁に露
出することがないようにすることも考えられる。 しかしながら、この方法では、第６図に示すよ
うに、オーバコートガラス５に印刷ずれが発生し
た場合、露出した抵抗体３にメツキ成長が発生
し、抵抗値の異常が出て特性不良を誘発するた
め、アンダーコートガラス４のコーテイング時だ
けでなく、オーバコートガラス５のコーテイング
時においても、面倒な基板の縦割り溝方向におけ
る位置決め作業が要求される。このため、製造コ
ストの著しい上昇を招くという問題が生じる。 本願考案は、以上のような事情のもとで考え出
されたものであつて、製造コストの増加を招くこ
となく、いかなる場合でも常に抵抗被膜を保護ガ
ラス層によつて適正確実に被覆して、特性不良化
を防止しうるように構成した電子部品を提供する
ことをその課題としている。

【課題を解決するための手段】

上記の課題を解決するために、本願考案では、
次の技術的手段を講じている。 すなわち、本願考案は、横長矩形状をした単位
基板片における長手方向に対向する側部に形成さ
れた電極部と、上記基板片の表面に上記電極片と
導通するように形成された抵抗被膜と、上記抵抗
被膜ないし電極部の表面に積層形成された第一の
ガラス層と、上記第一のガラス層の表面に積層形
成された第二のガラス層とを備える電子部品にお
いて、 上記抵抗被膜を、その幅方向に対向する側縁が
上記基板片の幅方向に対向する側縁から後退して
位置するように形成する一方、 上記第一のガラス層を、上記抵抗被膜の長手方
向寸法よりも大なる長手寸法を有し、かつ、幅方
向に対向する側縁が上記基板片の幅方向に対向す
る側縁にまで延出するように形成するとともに、 上記第二のガラス層を、上記抵抗被膜の表面全
体を覆い、かつ、幅方向に対向する側縁が上記基
板片の幅方向に対向する側縁から後退し、かつ、
上記抵抗被膜の幅方向に対向する側縁よりも外側
に位置するように形成したことを特徴としてい
る。

【作用および効果】

本願考案では、横長矩形状をした単位基板片の
長手方向両端部に形成された電子部間を導通させ
るように形成される抵抗被膜を第一のガラス層で
被覆し、そしてその表面にさらに積層形成する第
二のガラス層を、その基板幅方向に対向する側縁
が基板片の幅方向に対向する側縁から後退し、か
つ、抵抗被膜の幅方向に対向する側縁よりも外側
に位置するように形成している。すなわち、基板
片の幅方向についていえば、抵抗被膜は基板片の
幅方向側縁から後退した位置に位置し、第一ガラ
ス層は、基板片の幅方向全域にわたつて上記抵抗
被膜を覆い、そして第二のガラス層は、基板片の
幅方向側縁から後退した位置ではあるが、上記抵
抗被膜の幅方向側縁よりも外側に位置するように
して上記第一のガラス層をさらに覆うようにする
のである。これをさらに換言すると、基板片の厚
み方向については、最下層に抵抗被膜が、その上
層に第一のガラス層が、さらにその上層に第二の
ガラス層が形成されるとともに、各層の基板片幅
方向側縁に対する関係は、上記抵抗被膜の側縁が
最も内側に、上記第二のガラス層の側縁が抵抗被
膜の側縁よりも外側に、そして第一のガラス層
は、基板片の幅方向全域に形成されていることに
なる。 したがつて、たとえばマニピユレータ等によつ
て電子部品をチヤツキングする場合であつても、
少なくとも第二のガラス層に割れが生じることが
一切なくなる。すなわち、電子部品をマニピユレ
ータ等によつてチヤツキングする際には、電極部
が配設された基板長手方向に対向する側縁を避
け、基板幅方向に対向する側縁がチヤツキングさ
れる。このとき、マニピユレータの挟圧力が所定
値より大きいために、万一第一のガラス層に割れ
が生じても、第二のガラス層は、その側縁が電子
部品の幅方向側縁にまでは延出しておらず、マニ
ピユレータに接触することがないことから、この
第二のガラス層に割れが生じることがないのであ
る。 これにより、第一のガラス層が割れにより欠損
しても、第一のガラス層の上から抵抗被膜の表面
全域を覆う第二のガラス層によつて抵抗被膜の露
出が防止される。したがつて、抵抗被膜の露出に
起因する特性不良を都合よく回避して、電子部品
の抵抗値を所定値に保持することができる。 しかも、第一のガラス層は、これに融着する第
二ガラス層の融着力をもつて補強されるので、第
一のガラス層の割れを、この第一のガラス層にお
ける抵抗被膜の表面全体を覆う第二のガラス層か
ら露出した部分だけに食い止めることが可能とな
る。すなわち、第一のガラス層に割れが生じても
これが抵抗被膜を被覆する部位にまで及ぶのを防
止することができる。 また、第一のガラス層は、基板幅方向に対向す
る側縁が基板片の幅方向側縁、すなわち基板分割
前における基板の縦割り溝方向に対向する単位矩
形領域どうしの境界にまで延出するように形成し
ている。したがつて、この第一のガラス層を形成
するにあたつては、基板分割前において縦方向に
並ぶ単位電子部品群に対して縦方向帯状に一括コ
ーテイングして形成することができる。すなわ
ち、第一のガラス層のコーテイング工程において
は、抵抗体の露出に伴う特性不良を防止するため
の縦方向の位置調整を行う作業が不要となり、ガ
ラスコーテイング工程において面倒な縦方向（各
基板片における幅方向）の位置決め作業が、従来
例以上に要求されることもなく、また、本願考案
の電子部品を作製するにあたつては、従来の製造
工程全体の流れを変更するものでもないので、製
造コストの増加を招くようなことはない。 以上のように、本願考案の電子部品において
は、ガラス層によつて抵抗被膜が適正確実に被覆
されるので、その品位が常に一定に保たれるとと
もに、これを作製するにあたつてコストアツプを
きたすようなこともない。

【実施例の説明】

以下、本願考案の一実施例を図面を参照しなが
ら具体的に説明する。 実施例は、電子部品の一つであるチツプ抵抗器
を本願考案にしたがつて構成した例である。ま
た、本例のチツプ抵抗器は、抵抗被膜の上に形成
するガラス層の構造に特徴づけられるものである
から、後述するガラス層のコーテイング工程を除
いては基本的に従来のチツプ抵抗器の製造方法を
利用して作製することができる。 すなわち、第４図および第５図に示すように、
等間隔複数本の横割り溝１ａと等間隔複数本の縦
割り溝１ｂとからなる格子状の割り溝が表面に形
成されたセラミツク製の材料基板１における、上
記各縦割り溝１ａ，１ｂで囲まれて縦方向に複数
行、横方向に複数列隣接して形成された横長矩形
状の各単位領域Ａに、電極被膜２および抵抗被膜
３が一括印刷形成される。これにより、抵抗被膜
３と、この抵抗被膜３と導通するようにその長手
方向両端に配設される電極被膜２，２とによつて
構成される単位チツプ抵抗器Ｃの基本的部分が複
数個一括形成される。 こうして形成された各単位チツプ抵抗器Ｃの基
本的部分に対して、第一のガラス層４を、上記抵
抗被膜３ないし電極被膜２の上にコーテイングす
る。 本例では、第１図に示すように、第一のガラス
層４は、材料基板の縦方向に並ぶ単位チツプ抵抗
器群に対して、縦方向帯状に、かつ横方向におい
て上記抵抗被膜３の長手寸法よりも大きな寸法幅
をもつてコーテイングしている。そして、この時
点において、図示しない測定プローブ等により、
各単位チツプ抵抗器Ｃの抵抗値を測定し、この測
定抵抗値に応じて、レーザ光等を利用して、測定
される抵抗値を所望の値となるように抵抗被膜３
を上記の第一のガラス層４とともに所定量切除す
るトリミングを行う。 次に、第２図に示すように、各単位チツプ抵抗
器Ｃに対して、上記第一のガラス層４の表面に、
第二のガラス層５を、抵抗被膜３の表面積より大
なる面積をもつて抵抗被膜３の表面全体を覆うよ
うに矩形状にコーテイングする。さらに本願考案
では、この第二のガラス層５は、その幅方向（材
料基板における縦方向）に対向する側縁５ａ，５
ａが幅方向に隣接する単位領域どうしの境界、す
なわち上記横割り溝１ａから後退し、しかも、上
記抵抗被膜３の幅方向側縁よりも基板幅方向外側
に位置するようにコーテイングしている。 そうして、上記のガラスコーテイング工程を終
えた後、材料基板１を、上記縦割り溝１ｂに沿つ
て分割して図示しない棒状片を得、その側縁面な
いし側縁近傍の裏面に一次ないし二次電極被膜を
塗布焼成して電極部６を形成する。 そして、最後に、上記棒状片を、上記横割り溝
１ａに沿つて単位領域ごとの基板１ｃに分割し
て、第３図に示すような単位チツプごとに分割形
成されたチツプ抵抗器Ｃを得る。 以上のようにして作製された本願考案のチツプ
抵抗器Ｃにおいては、第二のガラス層のチツプ幅
方向に対向する側縁５ａ，５ａがチツプの幅方向
側縁（すなわち、材料基板１における横割り溝１
ａ）に対して上述のような位置関係をもつてコー
テイングされているので、第３図に示すように、
第二のガラス層５の幅方向に対向する側縁５ａ，
５ａは、チツプ抵抗器Ｃの幅方向側縁７，７より
も後退した位置に位置させられている。したがつ
て、チツプ抵抗器Ｃをマニピユレータ等によつて
チヤツキングする際に、この第二のガラス層５が
挟圧力をもつてチツプの幅方向側縁に接触する上
記のマニピユレータに直接接触することはない。
したがつて、たとえ上記第一のガラス層４がチツ
プをチヤツキングするマニピユレータによつて与
えられる挟圧力に起因して割れても、この割れが
第二のガラス層５に及ぶことはなくなる。これに
より、抵抗被膜３が露出してチツプ抵抗器Ｃが不
良化させられるという不都合がほぼ完全に回避さ
れることになる。 また、本実施例においては、上記第二のガラス
層５の膜厚を、第二のガラス層４の膜厚よりも大
きくして、第二のガラス層５に、より高い強度を
与えるようにしている。さらに、第二のガラス層
５の形成材料を第一のガラス層４の形成材料より
も溶融点の低い、すなわち、第二のガラス層５
を、第一のガラス層４よりも粘性の高いガラス材
料で形成することができる。このようにすると、
第一のガラス層４の割れによつて、第二のガラス
層５に割れが誘発されたり、万一マニピユレータ
等が第二のガラス層５に接触した場合であつて
も、この第二のガラス層５の損傷を極力防止する
ことができるようになる。この場合、第二のガラ
ス層５による抵抗被膜３の被覆の確実性が一層高
められ、チツプ抵抗器Ｃの製品品位をハンドリン
グ過程を通じて一定に保たせうるという本願考案
の効果をより充実させることが可能となる。 なお、本願考案の範囲は上述した実施例に限定
されるものではない。たとえば、上記の実施例で
は、本願考案をチツプ抵抗器に適用した場合を示
しているが、これ以外の電子部品に本願考案を適
用することももちろん可能である。また、第二の
ガラス層の形状等においても上記実施例で示した
ものに限定されることはない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本願考案の実施例において第一のガラ
ス層のコーテイング状態を示す平面図、第２図は
実施例において第二のガラス層のコーテイング状
態を示す平面図、第３図は実施例にかかるチツプ
抵抗器の平面図、第４図はガラスコーテイング前
のセラミツク製材料基板の全体を示した平面図、
第５図は第４図に示すセラミツク製材料基板の要
部を拡大して示す平面図、第６図は従来例の説明
図である。 １ｃ……基板片、３……抵抗被膜、４……第一
のガラス層、５……第二のガラス層、５ａ……
（第二のガラス層の基板片幅方向に対向する）側
縁、６……電極部。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 横長矩形状をした単位基板片における長手方向
   に対向する側部に形成された電極部と、上記基板
   片の表面に上記電極部と導通するように形成され
   た抵抗被膜と、上記抵抗被膜ないし電極部の表面
   に積層形成された第一のガラス層と、上記第一の
   ガラス層の表面に積層形成された第二のガラス層
   とを備える電子部品において、 上記抵抗被膜を、その幅方向に対向する側縁が
   上記基板片の幅方向に対向する側縁から後退して
   位置するように形成する一方、 上記第一のガラス層を、上記抵抗被膜の長手方
   向寸法よりも大なる長手寸法を有し、かつ、幅方
   向に対向する側縁が上記基板片の幅方向に対向す
   る側縁にまで延出するように形成するとともに、 上記第二のガラス層を、上記抵抗被膜の表面全
   体を覆い、かつ、幅方向に対向する側縁が上記基
   板片の幅方向に対向する側縁から後退し、かつ、
   上記抵抗被膜の幅方向に対向する側縁よりも外側
   に位置するように形成したことを特徴とする、電
   子部品。