JPH0342822A - 半導体装置のイオン注入方法 - Google Patents
半導体装置のイオン注入方法Info
- Publication number
- JPH0342822A JPH0342822A JP17881389A JP17881389A JPH0342822A JP H0342822 A JPH0342822 A JP H0342822A JP 17881389 A JP17881389 A JP 17881389A JP 17881389 A JP17881389 A JP 17881389A JP H0342822 A JPH0342822 A JP H0342822A
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- JP
- Japan
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- ion implantation
- semiconductor substrate
- conductive material
- semiconductor device
- semiconductor
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 18
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- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
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Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置のイオン注入方法に関する。
この発明は、半導体装置のイオン注入工程において、半
導体基板上に導電性材料を設けた後、イオン注入するこ
とにより半導体装置の破壊を防止するようにしたもので
ある。
導体基板上に導電性材料を設けた後、イオン注入するこ
とにより半導体装置の破壊を防止するようにしたもので
ある。
従来、第７図に示すように半導体基板３にパターン形成
材料ｌを設けたのちイオン注入を行う方法、あるいは半
導体基板３に直接イオン注入する方法が行われていた。
材料ｌを設けたのちイオン注入を行う方法、あるいは半
導体基板３に直接イオン注入する方法が行われていた。
しかし、従来の方法は絶縁膜が設けられた半導体基板に
、また導電性に乏しいパターン形成材料が設けられてい
る半導体基板にイオン注入を行うためイオンビームによ
る帯電が半導体装置の表面付近で発生し、その帯電電荷
の放電による半導体装置の破壊劣化（以下帯電破壊・劣
化と略す）が発生する欠点があった。
、また導電性に乏しいパターン形成材料が設けられてい
る半導体基板にイオン注入を行うためイオンビームによ
る帯電が半導体装置の表面付近で発生し、その帯電電荷
の放電による半導体装置の破壊劣化（以下帯電破壊・劣
化と略す）が発生する欠点があった。
そこで、この発明は従来のこのような欠点を解決するた
め、帯電破壊・劣化を発生のない半導体装置を得ること
を目的としている。
め、帯電破壊・劣化を発生のない半導体装置を得ること
を目的としている。
（Ｌｆ！題を解決するための手段〕
上記課題を解決するために、この発明は前工程に半導体
基板上に導電性材料を設ける工程を備えたことによりイ
オン注入工程における帯電破壊劣化を防止するようにし
た。
基板上に導電性材料を設ける工程を備えたことによりイ
オン注入工程における帯電破壊劣化を防止するようにし
た。
上記の方法により、イオンビームのｒｔＩ電粒子粒子導
体基板上に設けられた導電性材料を介してスムーズに流
れ去るため、局部的帯電による半導体装置の帯電破壊・
劣化を防止することができるのである。
体基板上に設けられた導電性材料を介してスムーズに流
れ去るため、局部的帯電による半導体装置の帯電破壊・
劣化を防止することができるのである。
以下にこの発明の実施例を図面に基づいて説明する。第
１図は第１の実施例を示すもので半導体基板３上に導電
性材料２を設けたのちパターン形成材料１によるパター
ン形成工程を経てイオン注入を行う、第２図は第２の実
施例を示すもので、半導体基板３上にパターン形成材料
ｌによるパターン形成を行ったのち導電性材料２を形成
する工程を経てイオン注入を行う、第３図は第３の実施
例を示すもので、半導体基板３上に導電性材料２を形成
したのちイオン注入を行う、第４図は第４の実施例を示
すもので、半導体基板３上に導電性材料２を設けたのち
パターン形成可能な導電性ｎ料４によるパターン形成、
工程を経てイオン注入を行う。第５図は第５の実施例を
示すもので、半導体基板３上にパターン形成可能な導電
性材料４によるパターン形成を行ったのち導電性材料２
の形成工程を経てイオン注入を行う、第６図は第６の実
施例を示すもので、半導体基板３上にパターン形成可能
な導電性材料４によるパターン形成を行ったのちイオン
注入を行う。
１図は第１の実施例を示すもので半導体基板３上に導電
性材料２を設けたのちパターン形成材料１によるパター
ン形成工程を経てイオン注入を行う、第２図は第２の実
施例を示すもので、半導体基板３上にパターン形成材料
ｌによるパターン形成を行ったのち導電性材料２を形成
する工程を経てイオン注入を行う、第３図は第３の実施
例を示すもので、半導体基板３上に導電性材料２を形成
したのちイオン注入を行う、第４図は第４の実施例を示
すもので、半導体基板３上に導電性材料２を設けたのち
パターン形成可能な導電性ｎ料４によるパターン形成、
工程を経てイオン注入を行う。第５図は第５の実施例を
示すもので、半導体基板３上にパターン形成可能な導電
性材料４によるパターン形成を行ったのち導電性材料２
の形成工程を経てイオン注入を行う、第６図は第６の実
施例を示すもので、半導体基板３上にパターン形成可能
な導電性材料４によるパターン形成を行ったのちイオン
注入を行う。
尚、上記説明は半導体基板内の構造について限定するも
のでなく、いかなる構造を有する半導体基板に対し適用
可能なことはいうまでもない。
のでなく、いかなる構造を有する半導体基板に対し適用
可能なことはいうまでもない。
この発明は、以上説明したように、半導体基板上に導電
性材料を設けるという簡単な方法により、イオン注入工
程での局部的帯電による帯電破壊・劣化を防止し、半導
体装置の歩留まり及び品質を向上する効果がある。
性材料を設けるという簡単な方法により、イオン注入工
程での局部的帯電による帯電破壊・劣化を防止し、半導
体装置の歩留まり及び品質を向上する効果がある。
第１図はこの発明の第１の実施例を示す説明図、第２図
はこの発明の第２の実施例を示す説明図、第３図はこの
発明の第３の実施例を示す説明図、第４図はこの発明の
第４の実施例を示す図、第５図はこの発明の第５の実施
例を示す説明図、第６図はこの発明の第６の実施例を示
す説明図、第７図は従来のイオン注入方法を説明する図
である。 １・・・パターン形成材料 ２・・・導電性材料 ３・・・半導体基板 ４・・・パターン形成可能な導電性材料取 上
はこの発明の第２の実施例を示す説明図、第３図はこの
発明の第３の実施例を示す説明図、第４図はこの発明の
第４の実施例を示す図、第５図はこの発明の第５の実施
例を示す説明図、第６図はこの発明の第６の実施例を示
す説明図、第７図は従来のイオン注入方法を説明する図
である。 １・・・パターン形成材料 ２・・・導電性材料 ３・・・半導体基板 ４・・・パターン形成可能な導電性材料取 上
Claims (1)
- 半導体装置のイオン注入方法において、前工程として導
電性材料を半導体基板上に設ける工程とを有することを
特徴とした半導体装置のイオン注入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17881389A JPH0342822A (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 半導体装置のイオン注入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17881389A JPH0342822A (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 半導体装置のイオン注入方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0342822A true JPH0342822A (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=16055109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17881389A Pending JPH0342822A (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 半導体装置のイオン注入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0342822A (ja) |
-
1989
- 1989-07-10 JP JP17881389A patent/JPH0342822A/ja active Pending
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