JPH0343724B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0343724B2 JPH0343724B2 JP58141140A JP14114083A JPH0343724B2 JP H0343724 B2 JPH0343724 B2 JP H0343724B2 JP 58141140 A JP58141140 A JP 58141140A JP 14114083 A JP14114083 A JP 14114083A JP H0343724 B2 JPH0343724 B2 JP H0343724B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting
- tape
- copper base
- compound
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は超電導複合テープの製造法に関する。
超電導材料を用いると、電力消費なしに大電流
を流すことができ、しかも強い磁界まで超電導状
態が保たれることから、強磁界発生用電磁石の巻
線材としての利用が進められている。
を流すことができ、しかも強い磁界まで超電導状
態が保たれることから、強磁界発生用電磁石の巻
線材としての利用が進められている。
従来技術
現在、超電導材料のうち実用されている線材
は、合金系のNb−Ti、および化合物系の
Nb3Sn、V3Gaの3つである。Nb−Ti合金は可
塑性に富み直接線材に加工することが可能である
が、Nb3Sn、V3Ga化合物は硬くて脆いため直接
加工が不可能で、表面拡散法や複合加工法などの
拡散反応を利用している。
は、合金系のNb−Ti、および化合物系の
Nb3Sn、V3Gaの3つである。Nb−Ti合金は可
塑性に富み直接線材に加工することが可能である
が、Nb3Sn、V3Ga化合物は硬くて脆いため直接
加工が不可能で、表面拡散法や複合加工法などの
拡散反応を利用している。
これらのNb−Ti、Nb3Sn、V3Gaの4.2Kにお
ける臨界磁界Hc2は、それぞれ12T、21T、22T
(1T(テスラ)=10000ガウス)で、印加磁界がこ
れに近くなるほど臨界電流密度が急速に低下す
る。したがつてV3Ga線材を用いても超電導磁石
としての発生磁界は17.5Tが限界であつた。一方
超電導応用の発展に伴い超電導磁石に対して従来
よりも強い磁界発生が要求され、高性能超電導化
合物の開発が要望されている。例えばミラー型核
融合炉用超電導マグネツトでは、24テスラ近くの
磁界発生が必要であるとされており、このような
強磁界を既存のNb3Sn、V3Ga線材で得ることは
困難である。このような強磁界用の候補材料とし
て、例えばNb基のNb3Al(Hc2=29.5T)、Nb3
(Al・Ge)(Hc2=41.0T)、Nb3Ga(Hc2=
33.6T)、V基のV2(Hf・Zr)(1.8KでHc2=
30T)、およびMo基のPbMo6S8(Hc2=50T)な
どがあるが、これらを従来の拡散反応を利用する
方法で作製しようとすると、生成温度が著しく高
くなつて結晶粒が粗大化し実用的に重要な臨界電
流密度Jcが極端に低下する難点があり実用化にい
たつていない。
ける臨界磁界Hc2は、それぞれ12T、21T、22T
(1T(テスラ)=10000ガウス)で、印加磁界がこ
れに近くなるほど臨界電流密度が急速に低下す
る。したがつてV3Ga線材を用いても超電導磁石
としての発生磁界は17.5Tが限界であつた。一方
超電導応用の発展に伴い超電導磁石に対して従来
よりも強い磁界発生が要求され、高性能超電導化
合物の開発が要望されている。例えばミラー型核
融合炉用超電導マグネツトでは、24テスラ近くの
磁界発生が必要であるとされており、このような
強磁界を既存のNb3Sn、V3Ga線材で得ることは
困難である。このような強磁界用の候補材料とし
て、例えばNb基のNb3Al(Hc2=29.5T)、Nb3
(Al・Ge)(Hc2=41.0T)、Nb3Ga(Hc2=
33.6T)、V基のV2(Hf・Zr)(1.8KでHc2=
30T)、およびMo基のPbMo6S8(Hc2=50T)な
どがあるが、これらを従来の拡散反応を利用する
方法で作製しようとすると、生成温度が著しく高
くなつて結晶粒が粗大化し実用的に重要な臨界電
流密度Jcが極端に低下する難点があり実用化にい
たつていない。
発明の目的
本発明の目的は超電導特性および安定性の優れ
た超電導材料複合テープを提供するにある。
た超電導材料複合テープを提供するにある。
発明の構成
本発明者は前記目的を達成すべく研究の結果、
バナジウム、ニオブまたはモリブデンを主成分と
して含有する超電導性合金または化合物を、真空
または不活性ガス雰囲気中で、溶融状態から高速
急冷しながら銅製基盤テープと複合一体化させる
と、超電導特性および安定性の優れた超電導複合
テープが得られることを究明し得、この知見に基
いて本発明を完成した。
バナジウム、ニオブまたはモリブデンを主成分と
して含有する超電導性合金または化合物を、真空
または不活性ガス雰囲気中で、溶融状態から高速
急冷しながら銅製基盤テープと複合一体化させる
と、超電導特性および安定性の優れた超電導複合
テープが得られることを究明し得、この知見に基
いて本発明を完成した。
すなわち、本発明は真空または不活性ガス雰囲
気中で、バナジウム、ニオブまたはモリブデンを
主成分として含有する超電導性合金または化合物
の溶融液を、補強性耐熱性ベルトと共に高速で移
動する銅製基盤テープ上あるいは高速で移動する
1対の接近しながら接触する銅製基盤テープ間に
連続的に導き急冷し、該合金または化合物と銅製
基盤テープとを1体化することを特徴とする超電
導複合テープ製造法を要旨とする。
気中で、バナジウム、ニオブまたはモリブデンを
主成分として含有する超電導性合金または化合物
の溶融液を、補強性耐熱性ベルトと共に高速で移
動する銅製基盤テープ上あるいは高速で移動する
1対の接近しながら接触する銅製基盤テープ間に
連続的に導き急冷し、該合金または化合物と銅製
基盤テープとを1体化することを特徴とする超電
導複合テープ製造法を要旨とする。
本発明において使用するバナジウム、ニオブま
たはモリブデンを主成分として含有する超電導性
合金または化合物としては、例えば、Nb3Al、
Nb3(Al・Ge)、Nb3Sn、Nb−Ti、V2(Hf・Zr)、
PbMo6S8、Mo55Zr45等が挙げられる。これらを
真空またはアルゴンガス等の不活性雰囲気中で高
周波誘導あるいはアーク放電の高熱源により溶解
した後、例えば加熱した耐火物製のノズル内に落
下させて、先端の小孔から金属流を吹き出させ
る。金属流はそれと直角に補強用耐熱性ベルトと
共に高速で移動している銅製基盤テープ上に連続
的に導かれる。これにより、溶融液は薄層となつ
て銅製基盤テープ上に付着し、急冷固化して一体
となり、複合テープが得られる。また1対の銅製
基盤テープを互いに高速で接近しながら接触する
ように移動させ、接触しようとする位置に溶融液
を噴射させて急冷固化させることにより、超電導
物層が銅テープに挟まれた複合テープが得られ
る。
たはモリブデンを主成分として含有する超電導性
合金または化合物としては、例えば、Nb3Al、
Nb3(Al・Ge)、Nb3Sn、Nb−Ti、V2(Hf・Zr)、
PbMo6S8、Mo55Zr45等が挙げられる。これらを
真空またはアルゴンガス等の不活性雰囲気中で高
周波誘導あるいはアーク放電の高熱源により溶解
した後、例えば加熱した耐火物製のノズル内に落
下させて、先端の小孔から金属流を吹き出させ
る。金属流はそれと直角に補強用耐熱性ベルトと
共に高速で移動している銅製基盤テープ上に連続
的に導かれる。これにより、溶融液は薄層となつ
て銅製基盤テープ上に付着し、急冷固化して一体
となり、複合テープが得られる。また1対の銅製
基盤テープを互いに高速で接近しながら接触する
ように移動させ、接触しようとする位置に溶融液
を噴射させて急冷固化させることにより、超電導
物層が銅テープに挟まれた複合テープが得られ
る。
この場合、銅製基盤テープは超電導合金または
化合物の融点との温度差を特定範囲に保つように
加熱しておくことが望ましい。これにより次のよ
うな技術的効果が得られる。
化合物の融点との温度差を特定範囲に保つように
加熱しておくことが望ましい。これにより次のよ
うな技術的効果が得られる。
(1) 溶融液が銅製基盤テープに接触する際のぬれ
性が改善され、薄く拡がるのが容易となり、そ
のため著しく高い冷却効果が達成され、超電導
特性の優れた層の生成が可能である。
性が改善され、薄く拡がるのが容易となり、そ
のため著しく高い冷却効果が達成され、超電導
特性の優れた層の生成が可能である。
(2) 銅製基盤テープを真空中または不活性ガス雰
囲気中で加熱すると、その表面の酸化物や吸着
分子が除去され、溶融物と銅製基盤テープとの
密着性が良くなる。そのため熱伝達が改善され
て冷却効果をさらに高めると共に、超電導性合
金または化合物層と銅製基盤テープとが密着性
よく付着した複合体が得られるので、マグネツ
ト線材としての安定性を高め得られる。
囲気中で加熱すると、その表面の酸化物や吸着
分子が除去され、溶融物と銅製基盤テープとの
密着性が良くなる。そのため熱伝達が改善され
て冷却効果をさらに高めると共に、超電導性合
金または化合物層と銅製基盤テープとが密着性
よく付着した複合体が得られるので、マグネツ
ト線材としての安定性を高め得られる。
銅製基盤テープを加熱する温度は、対象とする
超電導性合金または化合物の融点との温度差が
1000〜1400℃の範囲内になる温度に加熱すること
が有効である。温度差が1400℃を超えるとぬれ
性、密着性の改善が得られず、また1000℃より小
さいと溶融液から銅製基盤テープへの伝熱量が小
さくなり過ぎて十分な急速冷却を行えない。
超電導性合金または化合物の融点との温度差が
1000〜1400℃の範囲内になる温度に加熱すること
が有効である。温度差が1400℃を超えるとぬれ
性、密着性の改善が得られず、また1000℃より小
さいと溶融液から銅製基盤テープへの伝熱量が小
さくなり過ぎて十分な急速冷却を行えない。
銅製基盤テープの移動(送り)速度は大きい程
生成される超電導物層が薄くなり冷却効果を高め
得られるが、層厚が薄くなり過ぎると複合テープ
としての臨界電流値が低くなる。従つて適正な送
り速度は対象とする超電導性材料および目標とす
る特性に応じて選択すればよい。一般的には5〜
20m/sec.の範囲である。銅製基盤テープの厚さ
は50〜200μmであることが好ましい。50μm未満
では複合テープとしての安定性が不十分となり、
また200μmを超えると複合テープ全断面当りの
臨界電流密度が低下する。
生成される超電導物層が薄くなり冷却効果を高め
得られるが、層厚が薄くなり過ぎると複合テープ
としての臨界電流値が低くなる。従つて適正な送
り速度は対象とする超電導性材料および目標とす
る特性に応じて選択すればよい。一般的には5〜
20m/sec.の範囲である。銅製基盤テープの厚さ
は50〜200μmであることが好ましい。50μm未満
では複合テープとしての安定性が不十分となり、
また200μmを超えると複合テープ全断面当りの
臨界電流密度が低下する。
また、前記のような高速度で銅製基盤テープを
移動させると、該テープに大きい駆動力が加わる
ので、他の抗張力の大きい補強用耐熱性金属製ベ
ルトを所定の高速で駆動し、それと一緒に該テー
プを移動させる。
移動させると、該テープに大きい駆動力が加わる
ので、他の抗張力の大きい補強用耐熱性金属製ベ
ルトを所定の高速で駆動し、それと一緒に該テー
プを移動させる。
本発明の製造法の実施態様を図面を参照して説
明する。図面は本発明の方法を実施する装置の態
様を示す概要図である。加圧雰囲気槽1内に高周
波浮遊用コイル2が内蔵され、真空または不活性
ガス雰囲気槽3とゲートバルブ4を介して連なつ
ている。真空または不活性ガス雰囲気槽3内部に
は加熱装置により加熱されるノズル5、冷却ロー
ル6、銅製基盤テープ供給リールとその加熱装置
7、補強用ハステロイベルト8、ベルト供給リー
ル9、ベルト巻取りリール10が設置されてい
る。11は複合テープを示す。超電導性合金また
は化合物(以下試料という)、は加圧雰囲気槽
(アルゴンガス等で加圧)内の高周波浮遊用コイ
ル2によつて浮遊溶解され、高周波電源を切ると
同時にゲートバルブ4を開くと溶融試料はノズル
5内に落下する。加圧雰囲気槽1内は例えばアル
ゴンガスによつて最大9Kg/cm2の加圧雰囲気とす
ることが好ましい。この加圧は試料中にアルミニ
ウム等の低融点元素が含まれている時、その蒸発
を抑制する作用をすると共に、ノズル内に溶融試
料を落下させる際に押し出す作用をする。ノズル
5の材質は試料に応じて、黒鉛、アルミナ、石英
ガラス等の耐火物あるいはタングステン、モリブ
デン等の金属から選定すればよい。ノズル5は溶
融試料がノズル内で凝固するのを抑制するため
1500℃まで加熱することができる。銅製基盤テー
プ7は加熱装置により前述した所定温度に加熱
し、補強用のハステロイベルト8と共に最大20
m/secの速度で移動させる。該テープ7上に付
着する試料層の厚さは、ノズル先端開口部の大き
さ、押出し圧力、銅製基盤テープの送り速度とそ
の加熱温度などの条件によつて変化する。またそ
の巾はノズル先端開口部の大きさと形状に依存
し、2mm以上の巾を生成させるにはノズル開口部
をスリツト状にする必要がある。以上は一実施態
様を示すものであり、本発明の要旨内に種々変更
し得られる。
明する。図面は本発明の方法を実施する装置の態
様を示す概要図である。加圧雰囲気槽1内に高周
波浮遊用コイル2が内蔵され、真空または不活性
ガス雰囲気槽3とゲートバルブ4を介して連なつ
ている。真空または不活性ガス雰囲気槽3内部に
は加熱装置により加熱されるノズル5、冷却ロー
ル6、銅製基盤テープ供給リールとその加熱装置
7、補強用ハステロイベルト8、ベルト供給リー
ル9、ベルト巻取りリール10が設置されてい
る。11は複合テープを示す。超電導性合金また
は化合物(以下試料という)、は加圧雰囲気槽
(アルゴンガス等で加圧)内の高周波浮遊用コイ
ル2によつて浮遊溶解され、高周波電源を切ると
同時にゲートバルブ4を開くと溶融試料はノズル
5内に落下する。加圧雰囲気槽1内は例えばアル
ゴンガスによつて最大9Kg/cm2の加圧雰囲気とす
ることが好ましい。この加圧は試料中にアルミニ
ウム等の低融点元素が含まれている時、その蒸発
を抑制する作用をすると共に、ノズル内に溶融試
料を落下させる際に押し出す作用をする。ノズル
5の材質は試料に応じて、黒鉛、アルミナ、石英
ガラス等の耐火物あるいはタングステン、モリブ
デン等の金属から選定すればよい。ノズル5は溶
融試料がノズル内で凝固するのを抑制するため
1500℃まで加熱することができる。銅製基盤テー
プ7は加熱装置により前述した所定温度に加熱
し、補強用のハステロイベルト8と共に最大20
m/secの速度で移動させる。該テープ7上に付
着する試料層の厚さは、ノズル先端開口部の大き
さ、押出し圧力、銅製基盤テープの送り速度とそ
の加熱温度などの条件によつて変化する。またそ
の巾はノズル先端開口部の大きさと形状に依存
し、2mm以上の巾を生成させるにはノズル開口部
をスリツト状にする必要がある。以上は一実施態
様を示すものであり、本発明の要旨内に種々変更
し得られる。
実施例 1
Nb3(Al0:8Ge0:2)の組成を持つ化合物を、
図面に示した装置を使用して銅との複合テープを
作つた。前記化合物5gを溶解し、これを1200℃
に加熱した先端に0.5mmφの小孔を有するアルミ
ナ製のノズルから銅製基盤テープ上に押し出し
た。
図面に示した装置を使用して銅との複合テープを
作つた。前記化合物5gを溶解し、これを1200℃
に加熱した先端に0.5mmφの小孔を有するアルミ
ナ製のノズルから銅製基盤テープ上に押し出し
た。
銅製基盤テープは巾約5mm、厚さ約50μmで、
これを500℃に加熱してハステロイ製補強テープ
と共に15m/secの速度で運行させた。その結果、
銅製基盤テープ上に、巾約4mm、厚さ約10μmの
層が付着し急冷されながら一体となつた。該層は
体心立方格子の過飽和固溶体になつているが、こ
れを800〜1000℃の温度に加熱することにより数
百〓径の微細結晶のA15型超電導化合物相に変態
する。このようにして得られたNb3(Al・Ge)超
電導複合テープは、16Tの磁界中で5×104A/
cm2(テープの全断面当り)の極めて高い臨界電流
密度を示した。
これを500℃に加熱してハステロイ製補強テープ
と共に15m/secの速度で運行させた。その結果、
銅製基盤テープ上に、巾約4mm、厚さ約10μmの
層が付着し急冷されながら一体となつた。該層は
体心立方格子の過飽和固溶体になつているが、こ
れを800〜1000℃の温度に加熱することにより数
百〓径の微細結晶のA15型超電導化合物相に変態
する。このようにして得られたNb3(Al・Ge)超
電導複合テープは、16Tの磁界中で5×104A/
cm2(テープの全断面当り)の極めて高い臨界電流
密度を示した。
実施例 2
V40(Zr0.7Hf0.3)50の組成を持つ化合物を、図面
に示す装置に実施例1に示す銅製基盤テープ2本
を使用して複合テープを作つた。2本の上記銅製
基盤テープを20m/secの速さで接近させ、1対
の鉄製ロール間に挟み込むようにし、その間に前
記化合物の溶融液を両テープ間に付着させた。
に示す装置に実施例1に示す銅製基盤テープ2本
を使用して複合テープを作つた。2本の上記銅製
基盤テープを20m/secの速さで接近させ、1対
の鉄製ロール間に挟み込むようにし、その間に前
記化合物の溶融液を両テープ間に付着させた。
なお、銅製基盤テープおよびノズル(石英製)
の加熱は行わなかつた。銅製基盤テープ間に挾ま
れた化合物相は非晶質相のものとなるが、600℃
以上で加熱すると数百〓径の微細結晶のラーベス
型超電導化合物相に変態する。このようにして得
られた複合テープは15Tの磁界中で1.5×104A/
cm2の極めて高い臨界電流密度を示した。
の加熱は行わなかつた。銅製基盤テープ間に挾ま
れた化合物相は非晶質相のものとなるが、600℃
以上で加熱すると数百〓径の微細結晶のラーベス
型超電導化合物相に変態する。このようにして得
られた複合テープは15Tの磁界中で1.5×104A/
cm2の極めて高い臨界電流密度を示した。
実施例 3
Mo55Zr45の組成を持つ化合物を使用し、実施
例1と同様にして複合テープを作つた。ただし、
ノズルは石英製で、500℃に加熱し、銅製基盤テ
ープの巾は約10mm、厚さは約100μmで600℃に加
熱し、20m/secの速さで運行させた。その結果、
銅製基盤テープ上に巾約5mm、厚さ約8μmの非
晶質相の層として付着したものであつた。
例1と同様にして複合テープを作つた。ただし、
ノズルは石英製で、500℃に加熱し、銅製基盤テ
ープの巾は約10mm、厚さは約100μmで600℃に加
熱し、20m/secの速さで運行させた。その結果、
銅製基盤テープ上に巾約5mm、厚さ約8μmの非
晶質相の層として付着したものであつた。
発明の効果
本発明の製造法によると、次に示すような優れ
た効果を奏し得られる。
た効果を奏し得られる。
(1) 対象とする超電導性合金または化合物が溶融
状態から瞬間的に薄膜状となり、105℃/sec以
上の極めて早い速度で冷却されるため、非常に
微細な結晶粒からなる層が得られる。超電導材
料の磁界中の臨界電流密度は、磁束のピン止め
作用をする粒界の占める割合が増加すると共に
大きくなるため、このような微細結晶組織によ
つて非常に高い臨界電流密度が得られる。また
材料によつては、急冷によつて過飽和固溶体や
非晶質相の準安定相が一端生成されるが、これ
を加熱することによつて特性の優れた結晶相を
変態折出させることができる。
状態から瞬間的に薄膜状となり、105℃/sec以
上の極めて早い速度で冷却されるため、非常に
微細な結晶粒からなる層が得られる。超電導材
料の磁界中の臨界電流密度は、磁束のピン止め
作用をする粒界の占める割合が増加すると共に
大きくなるため、このような微細結晶組織によ
つて非常に高い臨界電流密度が得られる。また
材料によつては、急冷によつて過飽和固溶体や
非晶質相の準安定相が一端生成されるが、これ
を加熱することによつて特性の優れた結晶相を
変態折出させることができる。
(2) 急冷で得られる過飽和固溶体や非晶質の準安
定相は一般に可撓性に優れるため、この状態で
マグネツトへの巻線を容易に行うことができ
る。その後、これを比較的低温の熱処理で微細
結晶になし得るため、高い臨界電流密度が得ら
れる。このような準安定相からの変態を利用す
る方法は、従来の拡散法の適用が困難であつた
A15型化合物のNb3Al、Nb3(Al・Ge)および
ラーベス型化合物のV2(Hf・Zr)などの生成
にも応用することができ、化合物超電導線材の
特性を大巾に改善し得られる。
定相は一般に可撓性に優れるため、この状態で
マグネツトへの巻線を容易に行うことができ
る。その後、これを比較的低温の熱処理で微細
結晶になし得るため、高い臨界電流密度が得ら
れる。このような準安定相からの変態を利用す
る方法は、従来の拡散法の適用が困難であつた
A15型化合物のNb3Al、Nb3(Al・Ge)および
ラーベス型化合物のV2(Hf・Zr)などの生成
にも応用することができ、化合物超電導線材の
特性を大巾に改善し得られる。
(3) 実用的な超電導線材としては、超電導状態を
保持するために、安定化材として、銅のような
電気伝導、熱伝導のよい金属を十分な厚さ密着
性よく被覆する必要がある。そのため、従来は
超電導線を銅と複合一体化して加工したり、あ
るいは最後に銅メツキや銅箔をハンダ付する複
雑な方法がとられていた。しかし、本発明の方
法では超電導材料が約10μm程度の薄層となつ
て密着性よく銅製基盤テープ上に付着するた
め、基盤をそのまま安定化材料として利用する
ことができる。
保持するために、安定化材として、銅のような
電気伝導、熱伝導のよい金属を十分な厚さ密着
性よく被覆する必要がある。そのため、従来は
超電導線を銅と複合一体化して加工したり、あ
るいは最後に銅メツキや銅箔をハンダ付する複
雑な方法がとられていた。しかし、本発明の方
法では超電導材料が約10μm程度の薄層となつ
て密着性よく銅製基盤テープ上に付着するた
め、基盤をそのまま安定化材料として利用する
ことができる。
(4) 溶融状態から極めて短時間で高性能の長尺の
超電導複合テープを製造し得られ、しかも基盤
テープをそのまま安定化材料として利用できる
ので、製造工程も著しく簡略化でき、コストも
低減し得られる。
超電導複合テープを製造し得られ、しかも基盤
テープをそのまま安定化材料として利用できる
ので、製造工程も著しく簡略化でき、コストも
低減し得られる。
等の優れた効果を奏し得られる。
図面は本発明の方法を実施する装置の態様を示
す概要図である。 1:加圧雰囲気槽、2:高周波浮遊用コイル、
3:真空または不活性ガス雰囲気槽、4:ゲート
バルブ、5:ノズル、6:冷却ロール、7:加熱
装置、8:補強用ハステロイベルト、9:ベルト
供給リール、10:ベルト巻取りリール、11:
複合テープ。
す概要図である。 1:加圧雰囲気槽、2:高周波浮遊用コイル、
3:真空または不活性ガス雰囲気槽、4:ゲート
バルブ、5:ノズル、6:冷却ロール、7:加熱
装置、8:補強用ハステロイベルト、9:ベルト
供給リール、10:ベルト巻取りリール、11:
複合テープ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 真空または不活性ガス雰囲気中で、バナジウ
ム、ニオブまたはモリブデンを主成分として含有
する超電導性合金または化合物の溶融液を、補強
性耐熱製ベルトと共に高速で移動する銅製基盤テ
ープ上あるいは高速で移動する一対の接近しなが
ら接触する銅製基盤テープ間に連続的に導き急冷
し、該合金または化合物と銅製基盤テープとを一
体化させることを特徴とする超電導複合テープの
製造法。 2 超電導性合金または化合物の融点と銅製基盤
テープとの温度差を、1000〜1400℃の範囲内に保
持して付着させる特許請求の範囲第1項記載の製
造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141140A JPS6035416A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | 超電導複合テ−プの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141140A JPS6035416A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | 超電導複合テ−プの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035416A JPS6035416A (ja) | 1985-02-23 |
| JPH0343724B2 true JPH0343724B2 (ja) | 1991-07-03 |
Family
ID=15285096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58141140A Granted JPS6035416A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | 超電導複合テ−プの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035416A (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5218195A (en) * | 1975-08-01 | 1977-02-10 | Hitachi Ltd | Superconducting wire process |
| JPS559835A (en) * | 1978-07-06 | 1980-01-24 | Yoshino Kogyosho Co Ltd | Blow molding method |
| JPS5593606A (en) * | 1979-01-10 | 1980-07-16 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of fabricating compound superconductive wire |
| JPS5911164B2 (ja) * | 1979-05-31 | 1984-03-14 | 東北大学長 | 超伝導体薄帯の製造方法および装置 |
| JPS56159009A (en) * | 1980-05-13 | 1981-12-08 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of manufacturing compound superconductive wire |
-
1983
- 1983-08-03 JP JP58141140A patent/JPS6035416A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6035416A (ja) | 1985-02-23 |
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