JPH034473A - 半導体装置の特性測定用ターミナル装置 - Google Patents
半導体装置の特性測定用ターミナル装置Info
- Publication number
- JPH034473A JPH034473A JP1138707A JP13870789A JPH034473A JP H034473 A JPH034473 A JP H034473A JP 1138707 A JP1138707 A JP 1138707A JP 13870789 A JP13870789 A JP 13870789A JP H034473 A JPH034473 A JP H034473A
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- JP
- Japan
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- terminal
- semiconductor device
- metal plate
- strip line
- hole
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の電気的特性を測定する際に半導体
装置の外部リードに電気的接続を行うために用いる測定
用ターミナル装置に関する。
装置の外部リードに電気的接続を行うために用いる測定
用ターミナル装置に関する。
一般に、半導体装置の電気的特性を測定する際には、半
導体装置の外部リードを測定用基板に設けたターミナル
に電気的に接続し、この測定用基板を通して半導体装置
に通電を行っている。従来、この種の測定用ターミナル
装置としては、例えば第２図（ａ）及び（ｂ）にその平
面図及びＢ−Ｂ線断面図を示すように、測定用基板１１
の上にＩＣソケット１２を取付け、このＩＣソケット１
２のリードピン１２ａを基板の裏面に設けたストリップ
ライン１３に半田付けする等して接続したものが用いて
られている。
導体装置の外部リードを測定用基板に設けたターミナル
に電気的に接続し、この測定用基板を通して半導体装置
に通電を行っている。従来、この種の測定用ターミナル
装置としては、例えば第２図（ａ）及び（ｂ）にその平
面図及びＢ−Ｂ線断面図を示すように、測定用基板１１
の上にＩＣソケット１２を取付け、このＩＣソケット１
２のリードピン１２ａを基板の裏面に設けたストリップ
ライン１３に半田付けする等して接続したものが用いて
られている。
このターミナル装置では、測定する半導体装置の外部リ
ードをＩＣソケット１２に挿入させることで、電気的接
続が実現できる。
ードをＩＣソケット１２に挿入させることで、電気的接
続が実現できる。
また、他の例として、第３図（ａ）及び（ｂ）にその平
面図及びＣ−Ｃ線断面図を示すように、測定用基板１１
の表面に薄膜導体で電極パターン１４をエツチング加工
し、この電極パターン１４をスルーホール１５を通して
裏面のストリップライン１３に接続したものがある。
面図及びＣ−Ｃ線断面図を示すように、測定用基板１１
の表面に薄膜導体で電極パターン１４をエツチング加工
し、この電極パターン１４をスルーホール１５を通して
裏面のストリップライン１３に接続したものがある。
このターミナル装置では、半導体装置の外部す−ドを電
極パターン１４に接触させて電気的接続を行っている。
極パターン１４に接触させて電気的接続を行っている。
上述した従来のターミナル装置において、第２図に示し
たＩＣソケット１２を用いる構成では、高周波帯域での
使用に際して、ＩＣソケット１２自体の高周波における
容量やインダクタンスが問題となり、正確な特性測定を
行うためには上限周波数に限界があり、かつ特性測定系
とのインピーダンス整合を取るのが難しいという問題が
ある。
たＩＣソケット１２を用いる構成では、高周波帯域での
使用に際して、ＩＣソケット１２自体の高周波における
容量やインダクタンスが問題となり、正確な特性測定を
行うためには上限周波数に限界があり、かつ特性測定系
とのインピーダンス整合を取るのが難しいという問題が
ある。
また、第３図に示したエツチング加工された電極パター
ン１４を用いる構成では、電極パターン１４の接触衝撃
に対する耐久性が低いために、使用頻度の増加に伴って
電極パターン１４の摩耗が進行し、電気的接続の不良を
まねき易い、このため、頻繁に新しい特性測定用基板を
作成交換しなければならないという問題がある。
ン１４を用いる構成では、電極パターン１４の接触衝撃
に対する耐久性が低いために、使用頻度の増加に伴って
電極パターン１４の摩耗が進行し、電気的接続の不良を
まねき易い、このため、頻繁に新しい特性測定用基板を
作成交換しなければならないという問題がある。
本発明は高周波帯での使用を可能にし、がっ耐久性に優
れた特性測定用ターミナル装置を提供することを目的と
する。
れた特性測定用ターミナル装置を提供することを目的と
する。
本発明の特性測定用ターミナル装置は、半導体装置の外
部リードに電気的に接触される金属板を特性測定用基板
に配設し、この金属板の裏面に突出した接続ピンを特性
測定用基板に設けた透孔を貫通させ、かつ該基板裏面に
設けたストリップラインに電気的に接続した構成として
いる。
部リードに電気的に接触される金属板を特性測定用基板
に配設し、この金属板の裏面に突出した接続ピンを特性
測定用基板に設けた透孔を貫通させ、かつ該基板裏面に
設けたストリップラインに電気的に接続した構成として
いる。
この構成では、ターミナルを金属板で構成するために容
量やインダクタンスを少なくでき、高周波帯での特性測
定を可能とする。また、ターミナルの摩耗を低減して耐
久性を向上させ、かつ特性測定用基板の作成交換を不要
にする。
量やインダクタンスを少なくでき、高周波帯での特性測
定を可能とする。また、ターミナルの摩耗を低減して耐
久性を向上させ、かつ特性測定用基板の作成交換を不要
にする。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例であり、同図（ａ）は平面図
、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿う断面図、同図（Ｃ）
はターミナルの斜視図である。これらの図において、１
は特性測定用基板であり、ターミナル形成箇所には透孔
２を開設するとともに、裏面にはこの透孔２に臨んでス
トリップライン３を形成している。一方、ターミル４は
、低抵抗の金属板で構成し、その裏面には１本以上、こ
こでは２本の接続ピン５を一体に突出形成している。こ
のターミナル４は、例えば真鍮、ニッケル等の金属板を
所要形状に形成し、かつ表面に金めつきを施しである。
、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿う断面図、同図（Ｃ）
はターミナルの斜視図である。これらの図において、１
は特性測定用基板であり、ターミナル形成箇所には透孔
２を開設するとともに、裏面にはこの透孔２に臨んでス
トリップライン３を形成している。一方、ターミル４は
、低抵抗の金属板で構成し、その裏面には１本以上、こ
こでは２本の接続ピン５を一体に突出形成している。こ
のターミナル４は、例えば真鍮、ニッケル等の金属板を
所要形状に形成し、かつ表面に金めつきを施しである。
或いは、銅板を用いて表面に錫めっきを施しである。そ
して、板厚は１．０１程度とし、１．２閣以下の長さに
形成している。
して、板厚は１．０１程度とし、１．２閣以下の長さに
形成している。
そして、ターミナル４に設けた接続ピン５を、特性測定
用基板ｌの透孔２を貫通させ、裏面のストリップライン
３に半田６で半田付けしている。
用基板ｌの透孔２を貫通させ、裏面のストリップライン
３に半田６で半田付けしている。
このように構成した上で、測定を行う半導体装置の外部
リードをターミナル４に接触させ、ストリップライン３
を通して通電することで、特性の測定を実行する。
リードをターミナル４に接触させ、ストリップライン３
を通して通電することで、特性の測定を実行する。
したがって、このターミナル４では、ＩＣソケットに比
較してターミナル自身の容量やインダクタンスは少なく
でき、優れた高周波特性での特性測定が可能となる。ま
た、電極パターン等に比較してターミナル４の耐摩耗性
が増大でき、長時間連続の特性測定においても電気的接
続不良が生じることはなく、しかもターミナルの交換が
必要とされる場合でも、ターミナル４のみを交換すれば
よく、新たに特性測定用基板を作成交換する必要がない
。
較してターミナル自身の容量やインダクタンスは少なく
でき、優れた高周波特性での特性測定が可能となる。ま
た、電極パターン等に比較してターミナル４の耐摩耗性
が増大でき、長時間連続の特性測定においても電気的接
続不良が生じることはなく、しかもターミナルの交換が
必要とされる場合でも、ターミナル４のみを交換すれば
よく、新たに特性測定用基板を作成交換する必要がない
。
以上説明したように本発明は、ターミナルを金属板で構
成し、この金属板の裏面に突出した接続ピンを特性測定
用基板に設けた透孔を貫通させて裏面のストリップライ
ンに電気的に接続しているので、ターミナル自身の容量
やインダクタンスを少なくでき、高周波帯での特性測定
を可能にする。
成し、この金属板の裏面に突出した接続ピンを特性測定
用基板に設けた透孔を貫通させて裏面のストリップライ
ンに電気的に接続しているので、ターミナル自身の容量
やインダクタンスを少なくでき、高周波帯での特性測定
を可能にする。
また、ターミナルの摩耗を低減して耐久性を向上させ、
かつ長時間連続測定に際しての特性測定用基板の作成交
換を不要にできる効果がある。
かつ長時間連続測定に際しての特性測定用基板の作成交
換を不要にできる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示しており、同図（ａ）は
平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿う断面図、同図
（ｃ）はターミナルの斜視図、第２図は従来のターミナ
ルの一例を示しており、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ
）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図、第３図は従来のターミ
ナルの他の例を示しており、同図（ａ）は平面図、同図
（ｂ）はそのＣ−Ｃ線に沿う断面図である。 １・・・測定用基板、２・・・透孔、３・・・ストリッ
プライン、４・・・ターミナル、５・・・接続ピン、６
・・・半田、１１・・・測定用基板、１２・・・ソケッ
ト、１３・・・ストリップライン、１４・・・電極パッ
ド、■５・・・スルーホール。 （ａ） 第 第３ （１））
平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿う断面図、同図
（ｃ）はターミナルの斜視図、第２図は従来のターミナ
ルの一例を示しており、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ
）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図、第３図は従来のターミ
ナルの他の例を示しており、同図（ａ）は平面図、同図
（ｂ）はそのＣ−Ｃ線に沿う断面図である。 １・・・測定用基板、２・・・透孔、３・・・ストリッ
プライン、４・・・ターミナル、５・・・接続ピン、６
・・・半田、１１・・・測定用基板、１２・・・ソケッ
ト、１３・・・ストリップライン、１４・・・電極パッ
ド、■５・・・スルーホール。 （ａ） 第 第３ （１））
Claims (1)
- １、特性測定が行われる半導体装置の外部リードに電気
的に接触して該半導体装置に通電を行うための特性測定
用基板に、前記半導体装置の外部リードに電気的に接触
される金属板を配設し、この金属板の裏面に突出した接
続ピンを前記特性測定用基板に設けた透孔を貫通させ、
かつ該基板裏面に設けたストリップラインに電気的に接
続したことを特徴とする半導体装置の特性測定用ターミ
ナル装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1138707A JPH034473A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 半導体装置の特性測定用ターミナル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1138707A JPH034473A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 半導体装置の特性測定用ターミナル装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH034473A true JPH034473A (ja) | 1991-01-10 |
Family
ID=15228249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1138707A Pending JPH034473A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 半導体装置の特性測定用ターミナル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH034473A (ja) |
-
1989
- 1989-05-31 JP JP1138707A patent/JPH034473A/ja active Pending
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