JPH0344928A - 非晶質合金磁性膜のパターン形成方法 - Google Patents
非晶質合金磁性膜のパターン形成方法Info
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- JPH0344928A JPH0344928A JP1181114A JP18111489A JPH0344928A JP H0344928 A JPH0344928 A JP H0344928A JP 1181114 A JP1181114 A JP 1181114A JP 18111489 A JP18111489 A JP 18111489A JP H0344928 A JPH0344928 A JP H0344928A
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- pattern
- amorphous alloy
- magnetic film
- alloy magnetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は 磁気記憶装置に用いられる薄膜磁気ヘッドな
どの磁気デバイスに使用される非晶質合金磁性膜のパタ
ーン形成方法に関する。
どの磁気デバイスに使用される非晶質合金磁性膜のパタ
ーン形成方法に関する。
従来の技術
近抵 薄膜磁気ヘッドの磁気コアには高飽和磁化 高透
磁率の非晶質合金磁性膜が用いられている。磁気コアの
磁気抵抗を下げてヘッド効率をあげるために あるいは
記録時に磁気コアの磁気飽和を防ぐために磁性膜は厚く
することが望ましくちまた狭トラツク化 マルチチャン
ネル化にともない磁性膜の高精度の微細加工技術が要求
されている。従来の非晶質合金磁性膜の微細加工の手法
（よ磁性膜を形成後、磁気コアに対応したフォトレジス
トパターンを形成し これをマスクとして磁気コアパ
ターン部以外をイオンエツチング（スバツタエッチンク
： イオンミリングなど）で除去している。
磁率の非晶質合金磁性膜が用いられている。磁気コアの
磁気抵抗を下げてヘッド効率をあげるために あるいは
記録時に磁気コアの磁気飽和を防ぐために磁性膜は厚く
することが望ましくちまた狭トラツク化 マルチチャン
ネル化にともない磁性膜の高精度の微細加工技術が要求
されている。従来の非晶質合金磁性膜の微細加工の手法
（よ磁性膜を形成後、磁気コアに対応したフォトレジス
トパターンを形成し これをマスクとして磁気コアパ
ターン部以外をイオンエツチング（スバツタエッチンク
： イオンミリングなど）で除去している。
発明が解決しようとする課題
イオンエツチングでパターン形成する場合に（よマスク
となるフォトレジストも磁性膜と同程度のエツチング速
度でエツチングされるたム 厚い磁性膜に対しては同程
度の厚いフォトレジストマスクが必要である。厚いフォ
トレジストをマスクにしてイオンエツチングを行う場合
に（よ マスクによるイオンの遮蔽 エツチングされた
磁性膜のマスクへの再付着などによって高精度のパター
ン形成は困難である。また イオンエツチングのエツチ
ング速度は素子へのダメージを抑えるためにあまり大き
くすることができず、エツチング時間が非常に長くなる
。
となるフォトレジストも磁性膜と同程度のエツチング速
度でエツチングされるたム 厚い磁性膜に対しては同程
度の厚いフォトレジストマスクが必要である。厚いフォ
トレジストをマスクにしてイオンエツチングを行う場合
に（よ マスクによるイオンの遮蔽 エツチングされた
磁性膜のマスクへの再付着などによって高精度のパター
ン形成は困難である。また イオンエツチングのエツチ
ング速度は素子へのダメージを抑えるためにあまり大き
くすることができず、エツチング時間が非常に長くなる
。
本発明（よ このような従来技術の課題を解決すること
を目的とする。
を目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は薄膜磁気ヘッドなどに使われる厚い非晶質合金
磁性膜を高精度にパターン形成する手段を提供するもの
であも その内容は 下記の一連の工程を含むものであ
る。
磁性膜を高精度にパターン形成する手段を提供するもの
であも その内容は 下記の一連の工程を含むものであ
る。
（ｉ）基材上にフォトレジストパターンを形成する工程
（ｉｉ）前記基材上及びフォトレジストパターン上に非
晶質合金磁性膜を形成する工程 （ｉｉｉ）前記非晶質合金磁性膜を化学エツチングする
工程 （ｉｖ）前記フォトレジストパターンを除去する工ｆ隻 さらに前記化学エツチングに使用するエツチング液がフ
ッ酸と硝酸を含む液からなり、基材上に下地層としてＣ
ｒを形成するものであも作用 本発明によると、フォトレジストパターンの厚さを非晶
質合金磁性膜の厚さ以上にしておけば非晶質合金磁性膜
が厚い場合でもパターン形成は容易であも フォトレジ
ストパターンの寸法にほぼ等しく非晶質合金磁性膜が除
去されるた取 高精度のパターン形成が容易にできる。
晶質合金磁性膜を形成する工程 （ｉｉｉ）前記非晶質合金磁性膜を化学エツチングする
工程 （ｉｖ）前記フォトレジストパターンを除去する工ｆ隻 さらに前記化学エツチングに使用するエツチング液がフ
ッ酸と硝酸を含む液からなり、基材上に下地層としてＣ
ｒを形成するものであも作用 本発明によると、フォトレジストパターンの厚さを非晶
質合金磁性膜の厚さ以上にしておけば非晶質合金磁性膜
が厚い場合でもパターン形成は容易であも フォトレジ
ストパターンの寸法にほぼ等しく非晶質合金磁性膜が除
去されるた取 高精度のパターン形成が容易にできる。
さらに 本発明によってパターン形成された非晶質合金
磁性、膜のパターンのエツジは比較的なだらかになるた
めパターンの上に順次形成される膜のパターンエツジに
よる切断、膜質の劣化が起こりに＜ Ｌｓ 実施例 以下に 本発明の実施例について説明する。
磁性、膜のパターンのエツジは比較的なだらかになるた
めパターンの上に順次形成される膜のパターンエツジに
よる切断、膜質の劣化が起こりに＜ Ｌｓ 実施例 以下に 本発明の実施例について説明する。
先ず、本発明による作用を第３図により説明する。フォ
トレジストパターン１０を基材１２上に形成後、その上
にスパッタ法により非晶質合金磁性膜１１を形成する。
トレジストパターン１０を基材１２上に形成後、その上
にスパッタ法により非晶質合金磁性膜１１を形成する。
・フォトレジストパターンｌＯの側斜面に付着した非晶
質合金磁性膜（図中／’％ッチングで示す）は他の平坦
な面上に付着した非晶質磁性合金膜に比べて膜の緻密性
が悪く、化学エツチングを受は安（１非晶質合金磁性膜
１１を形成後、膜表面を短時間化学エツチングするとフ
ォトレジストパターン１０の側斜面に付着した非晶質合
金磁性膜１１が選択的にエツチングされる。
質合金磁性膜（図中／’％ッチングで示す）は他の平坦
な面上に付着した非晶質磁性合金膜に比べて膜の緻密性
が悪く、化学エツチングを受は安（１非晶質合金磁性膜
１１を形成後、膜表面を短時間化学エツチングするとフ
ォトレジストパターン１０の側斜面に付着した非晶質合
金磁性膜１１が選択的にエツチングされる。
その後、フォトレジストパターンを溶剤で除去するとフ
ォトレジストパターンＩＯ以外の部分に非晶質合金磁性
膜１１が残る。本発明によるとフォトレジストパターン
ｌＯの厚さを非晶質合金磁性膜１１の厚さ以上にしてお
けば 非晶質合金磁性膜１１が厚い場合でもパターン形
成は容易であもまた 第３図に示したフォトレジストパ
ターン１０の寸法りにほぼ等しく非晶質合金磁性膜１１
が除去されるたム 高精度のパターン形成が容易にでき
る。
ォトレジストパターンＩＯ以外の部分に非晶質合金磁性
膜１１が残る。本発明によるとフォトレジストパターン
ｌＯの厚さを非晶質合金磁性膜１１の厚さ以上にしてお
けば 非晶質合金磁性膜１１が厚い場合でもパターン形
成は容易であもまた 第３図に示したフォトレジストパ
ターン１０の寸法りにほぼ等しく非晶質合金磁性膜１１
が除去されるたム 高精度のパターン形成が容易にでき
る。
さらに 本発明によってパターン形成された非晶質合金
磁性膜のパターンのエツジは比較的なだらかになるため
パターンの上に順次形成される膜のパターンエツジによ
る動脈 膜質の劣化が起こりにくＬ〜 第２図に本発明を適用した複合型薄膜磁気ヘッドの構造
を示す。第２図（ａ）はその平面は 第２図（ｂ）は第
２図（ａ）のＡ−Ａ′における断面図であも １は非磁
性材料からなる基板、２．３、４はそれぞれＣｏ−Ｔａ
−７，ｒ非晶質合金磁性膜からなる下部磁性胤 中間磁
性慝 上部磁性凰５、６はＡｌ２Ｏ３からなる絶縁恩
７はＡｌからなるコイノＩ／、８はパーマロイからなる
磁気抵抗効果素子である。本ヘッドの動作について説明
する。
磁性膜のパターンのエツジは比較的なだらかになるため
パターンの上に順次形成される膜のパターンエツジによ
る動脈 膜質の劣化が起こりにくＬ〜 第２図に本発明を適用した複合型薄膜磁気ヘッドの構造
を示す。第２図（ａ）はその平面は 第２図（ｂ）は第
２図（ａ）のＡ−Ａ′における断面図であも １は非磁
性材料からなる基板、２．３、４はそれぞれＣｏ−Ｔａ
−７，ｒ非晶質合金磁性膜からなる下部磁性胤 中間磁
性慝 上部磁性凰５、６はＡｌ２Ｏ３からなる絶縁恩
７はＡｌからなるコイノＩ／、８はパーマロイからなる
磁気抵抗効果素子である。本ヘッドの動作について説明
する。
記録はコイル７に通電して磁気ギャップ９からの漏れ磁
界で記録媒体に記録されも 再生（友 記録媒体から磁
気ギャップ９に流入した磁束が上部磁性層４を通り、磁
気抵抗効果素子８に導かれることによって行われも 第２図の複合型薄膜磁気ヘッドにおいて本発明が適用さ
れた上部磁性層４の形成方法を詳しく説明すも 以下の
説明では図面を簡略化するため絶縁層６、磁気抵抗効果
素子８より下の部分は省略した断面図のみを用いる。
界で記録媒体に記録されも 再生（友 記録媒体から磁
気ギャップ９に流入した磁束が上部磁性層４を通り、磁
気抵抗効果素子８に導かれることによって行われも 第２図の複合型薄膜磁気ヘッドにおいて本発明が適用さ
れた上部磁性層４の形成方法を詳しく説明すも 以下の
説明では図面を簡略化するため絶縁層６、磁気抵抗効果
素子８より下の部分は省略した断面図のみを用いる。
第１図に上部磁性層４の製造工程を示す。まず第１図（
ａ）に示すように磁気抵抗効果素子８が幅９μｍに形成
され その上に絶縁層６が厚さ０．２μｍ形成されも
さらにフォトレジストパターン１０が幅５μ孔 厚さ６
μｍに形成される。
ａ）に示すように磁気抵抗効果素子８が幅９μｍに形成
され その上に絶縁層６が厚さ０．２μｍ形成されも
さらにフォトレジストパターン１０が幅５μ孔 厚さ６
μｍに形成される。
次に第１図（ｂ）に示すようにＣｏ−Ｔａ−Ｚｒ非晶質
合金磁性膜１１が厚さ５μｍスパッタ法で形成される。
合金磁性膜１１が厚さ５μｍスパッタ法で形成される。
次に第１図（ｃ）に示すようにフッ酸と硝酸と水の混合
液でＣｏ−Ｔａ−Ｚｒ非晶質合金磁性膜１１の表面が化
学エツチングされ フォトレジストパターン１０の側斜
面に付着したＣｏ−ＴａＺｒ非晶質合金磁性膜１１が選
択的に除去される。
液でＣｏ−Ｔａ−Ｚｒ非晶質合金磁性膜１１の表面が化
学エツチングされ フォトレジストパターン１０の側斜
面に付着したＣｏ−ＴａＺｒ非晶質合金磁性膜１１が選
択的に除去される。
次に第１図（ｄ）に示すように溶剤でフォトレジストパ
ターン１０が除去され 上部磁性層４がパターン形成さ
れも このようにして厚さ５μｍの比較的厚い上部磁性
層が磁気抵抗効果素子に左右２μｍずつ重なりを持って
精度良く形成することができも 従来のように磁性膜を
形成後イオンエツチングする方法では厚さ５μｍの磁性
膜に幅５μｍの溝を形成することはイオンのフォトレジ
ストによる連敗 エツチングされた磁性膜の再付着によ
り、極めて困難であも また磁気抵抗効果素子が磁性膜
の下に極薄い絶縁層を介しであるので磁性膜のエツチン
グの終点の管理が厳密に要求されも 本発明では化学エツチングは短時間でよいためフォトレ
ジストの側斜面に付着したＣｏ−ＴａＺｒ非晶質合金磁
性膜が選択的に除去された後にエツチング液が下地層を
侵すことはほとんどない力文 これを防ぐためにはフッ
酸と硝酸を含むエツチング液に侵されな−い下地層とし
てＣｒを薄く形成しておけば良１．％ 発明の効果 以上述べたように本発明によれば厚さが厚い非晶質磁性
合金膜を短時間で高精度にパターン形成できる。特に従
来のイオンエツチングではきわめて困難繊 非晶質合金
磁性膜に幅が膜厚程度の溝を形成する場合などにはいっ
そう効果があも
ターン１０が除去され 上部磁性層４がパターン形成さ
れも このようにして厚さ５μｍの比較的厚い上部磁性
層が磁気抵抗効果素子に左右２μｍずつ重なりを持って
精度良く形成することができも 従来のように磁性膜を
形成後イオンエツチングする方法では厚さ５μｍの磁性
膜に幅５μｍの溝を形成することはイオンのフォトレジ
ストによる連敗 エツチングされた磁性膜の再付着によ
り、極めて困難であも また磁気抵抗効果素子が磁性膜
の下に極薄い絶縁層を介しであるので磁性膜のエツチン
グの終点の管理が厳密に要求されも 本発明では化学エツチングは短時間でよいためフォトレ
ジストの側斜面に付着したＣｏ−ＴａＺｒ非晶質合金磁
性膜が選択的に除去された後にエツチング液が下地層を
侵すことはほとんどない力文 これを防ぐためにはフッ
酸と硝酸を含むエツチング液に侵されな−い下地層とし
てＣｒを薄く形成しておけば良１．％ 発明の効果 以上述べたように本発明によれば厚さが厚い非晶質磁性
合金膜を短時間で高精度にパターン形成できる。特に従
来のイオンエツチングではきわめて困難繊 非晶質合金
磁性膜に幅が膜厚程度の溝を形成する場合などにはいっ
そう効果があも
第１図は本発明の一実施例にかかる非晶質合金磁性膜の
パターン形成方法を示す工程猛 第２図（ａ）、 （ｂ
）は本発明の製造方法が適用された薄膜磁気ヘッドの平
面図及び断面は 第３図は本発明の詳細な説明するため
の断面図であも■・・・基板、 ２・・・下部磁性凰
３・・・中間磁性恩４・・・上部磁性層 ５・・・６絶
縁恩 ７・・・コイ）Ｉ＜８・・・磁気抵抗効果素子、
９・・・磁気ギャッズ １０・・・フォトレジストパ
ターン、 １１・・・非晶質合金磁性風 １２・・・基
桟
パターン形成方法を示す工程猛 第２図（ａ）、 （ｂ
）は本発明の製造方法が適用された薄膜磁気ヘッドの平
面図及び断面は 第３図は本発明の詳細な説明するため
の断面図であも■・・・基板、 ２・・・下部磁性凰
３・・・中間磁性恩４・・・上部磁性層 ５・・・６絶
縁恩 ７・・・コイ）Ｉ＜８・・・磁気抵抗効果素子、
９・・・磁気ギャッズ １０・・・フォトレジストパ
ターン、 １１・・・非晶質合金磁性風 １２・・・基
桟
Claims (4)
- （１）基材上にフォトレジストパターンを形成する工程
と、前記基材上及びレジストパターン上に非晶質合金磁
性膜を形成する工程と、前記非晶質合金磁性膜を化学エ
ッチングする工程と、前記フォトレジストパターンを除
去する工程とを含むことを特徴とする非晶質合金磁性膜
のパターン形成方法。 - （２）非晶質合金磁性膜がＣｏを主成分とし、スパッタ
法で形成されることを特徴とする請求項１記載の非晶質
合金磁性膜のパターン形成方法。 - （３）化学エッチングに使用するエッチング液がフッ酸
と硝酸を含むことを特徴とする請求項２記載の非晶質合
金磁性膜のパターン形成方法。 - （４）基材上に下地層としてＣｒを形成することを特徴
とする請求項３記載の非晶質合金磁性膜のパターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1181114A JP2861080B2 (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 非晶質合金磁性膜のパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1181114A JP2861080B2 (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 非晶質合金磁性膜のパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0344928A true JPH0344928A (ja) | 1991-02-26 |
| JP2861080B2 JP2861080B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=16095094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1181114A Expired - Fee Related JP2861080B2 (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 非晶質合金磁性膜のパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2861080B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102487913B1 (ko) * | 2015-07-01 | 2023-01-13 | 삼성전자주식회사 | 비정질 합금 패터닝 방법, 그 방법으로 제조된 비정질 합금 패턴 구조물, 돔 스위치 및 돔 스위치 제조 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61105715A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁性薄膜ヘツドの製造方法 |
| JPS61105716A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁性薄膜ヘツドの製造方法 |
| JPS61179541A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Hitachi Chem Co Ltd | リフトオフ法によるパタ−ン形成法 |
-
1989
- 1989-07-12 JP JP1181114A patent/JP2861080B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61105715A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁性薄膜ヘツドの製造方法 |
| JPS61105716A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁性薄膜ヘツドの製造方法 |
| JPS61179541A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Hitachi Chem Co Ltd | リフトオフ法によるパタ−ン形成法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2861080B2 (ja) | 1999-02-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |