JPH0348433A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体製造装置に関し、 ピンクアップ時におけるＩＣチップ表面の損傷やチップ
の角の欠損を回避することを目的とし、ウェハから切り
出されたＩＣチップを負圧により吸引する吸引口を備え
た半導体製造装置において、前記吸引口に、前記ｒｃヂ
ソブ表面に付着したＳｔ片が透過できるような大きさを
有する透孔および柔軟性を有するクッション部材を設け
、該クソション部材を介してＩＣチップを吸引するよう
に構威したことを特徴とし、 または、前記クッション部材の少なくとも一部表面を非
切断加工面と゛し、該非切断加工面をＩＣチップ吸着面
として使用することを特徴とし、または、前記クッショ
ン部材の透孔をオープンセル構造としたことを特徴とす
る。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、ＩＣの組立時に使用される半導体製造装置に
関する． 一ａに、ＩＣチップをパフケージソグするためのプロセ
スすなわち組立は、大きく分けてウェハを１個づつのＩ
Ｃチップに分割するペレタイズ（あるいはダイシング）
工程、パンケージ上にＩＣチノプを搭載するボンディン
グ工程、パフケージの封止工程および仕上げ処理工程の
４工程からなる。

第１０図は、ペレタイズ工程の細部工程を示す図である
。

ペレタイズ工程は、粘着テープによりウェハを保持し（
第１０図（ａ））、カツタブレードを使用してウェハを
切断し（第１０図（ｂ））、スピンスプレーによる洗浄
乾燥（第ｌＯ図（Ｃ））を行った後、突き上げピンによ
って押し上げられたＩＣチップをピンクアンプしてボン
ディング工程へと搬送する（第ｌＯ図（ｄ））もので、
上記ピックアップには、負圧吸引を行うコレフトが用い
られる。

〔従来の技術〕

従来のこの種のコレフトとしては、平面コレソトおよび
角錐コレフトの２タイプが知られている。

王Ｅ口Ｌｋ１ユー 第１１図において、コレフト１には、負圧用の連通路１
ａと、この連通路１ａを外部に開放する吸引口１ｂを有
する水平端面１ｃとが設けられている。吸引口ｔｂに負
圧を作用させることにより、この吸引口１ｂでＩＣチッ
プ表面を吸着しピンクアップする。

角ＩＬＬヒヱ』一 第１２図において、コレフト２には、負圧用の連通路２
ａと、この連通路２ａを外部に開放する角錐型の吸引口
２ｂとが設けられている。吸引口２ｂに負圧を作用させ
ることにより、この吸引口２ｂでＩＣヂフプの角を保持
しピソクアップする。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、このような従来の平面コレフトおよび角
錐コレントについては、それぞれ以下に述べるような不
具合があった。

王ＥヒＬｋｌ』− ＩＣチップ表面にゴミ　（硬目の異物で例えば、ダイシ
ング時に発生するＳｔ片）が残留していた場合、このゴ
ミがＩＣチップ表面に強く押し付けられる結果、ＩＣチ
ップ表面の保ａｒｔｓ　＜例えばＰＳＯ膜）を損傷させ
ることがあった． なお、コレフトｌの材質を弾性的なものにすれば、上記
ゴミの押し付け力が弱められるので、チップ表面の損傷
を抑えることも可能と思われる．しかし、実際にはコレ
ット１の水平端面１ｃにゴミが付着しやすくなってしま
うために、ピックアップを繰り返していくと、水平端面
１ｃの残留ゴ稟量が増え、やはりＩＣチップ表面への損
傷は避けられない。

互立２ｙＬ上 一方、このタイプのコレットにあっては、コレッ１・と
！Ｃチップが面接触しないので、上記平面コレソトの如
き不具合、すなわちゴミによるＩＣチップ表面の損傷は
発生しないものの、ＩＣチップの角を保持するために、
この角を欠損させる恐れがあった。

本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、
ピンクアンプ時におけるゴ暑によるチソプ表面の損傷や
チップの角の欠損を回避することを目的としている。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、上記目的を達威するためその原理措威を第１
図に示すように、ウェハから切り出されたＩＣチップを
負圧により吸引する吸引口を備えた半導体製造装置にお
いて、前記吸引口に、前記ＩＣチップ表面に付着したＳ
ｉ片が透過できるような大きさを有する透孔および柔軟
性を有するクソション部材を設け、該クッション部材を
介してＩＣチップを吸引するように構成している。

また、好ましくは、前記クッシシン部材の少なくとも一
部表面を非切断加工面とし、該非切断加工面をＩＣチッ
プ吸着面として使用する。

さらに、より好ましくは、前記クッション部材をオープ
ンセル構造とする。

〔作用〕

本発明では、ＩＣチソブと吸引口との間に微小粒子（例
えば、Ｉｃチップ表面のＳｉ片）に対して透過性かつ柔
軟性を有するクッション部材が介装される。

したがって、負圧吸引時にＩＣチップが弾性的に面保持
されるとともに、吸引力によってＩＣチソプ表面のゴミ
（異物であり例えばＳｉ片）がクッション部材を難なく
通過させられる結果、このゴミに起因するＩＣチップ表
面の損傷が回避される。

これは、第２図に示すように、ＩＣチップ表面に例えば
Ｓｉ片等の異物があった場合、このＳｔ片が負圧吸引に
よってクソション部材を通り抜けることができる（第３
図参照）からで、これにより、ＩＣヂソプ表面からＳｉ
片等の微小粒子の異物を取り除くことができるからであ
る。

なお、好ましい構成によると、前記クッション部材のＩ
Ｃチップ吸着面がトゲのない平滑面となってＩＣヂップ
表面へのダメージがより確実に回避され、また、オープ
ンセル構造の透孔を介してゴミの負圧吸引がスムーズに
なされる。

〔実施例〕

以下、本発明を図面に基づいて説明する。

第４図は本発明に係る半導体製造装置の第１実施例を示
す図である。

第４図において、４はコレントであり、コレソト４は負
圧用の連通路５ａを形成した円筒体５を有している。こ
の連通路５ａの一端は吸引口５ｂを形威し、吸引口５ｂ
の周囲にはホルダ一部５Ｃが形威されている。そして、
ホルダ一部５Ｃにはクッション部材６が取り付けられて
いる。

ここで、クッション部材６には、例えば、海綿体、スポ
ンジ若しくは軟質ウレタンフォームを用いるのが好まし
い。要は、柔軟性を有するもので、かつ、内部に多数の
コア（気泡若しくは空洞）が形威され、コア間が一部で
連通しているとともに、少なくともコアの大きさあるい
は連通部の開口が異物の大きさに相当する大きさく例え
ば異物をＳｉ片とすると５００μφ程度）であればよい
。

したがって、これらの条件に合致したクッション部ｔオ
６は、ｔＣチップ表面に付着したＳｉ片が透過できるよ
うな大きさの透孔を有するとともに、かつ柔軟性を有す
るものである。

このような構成によれば、クッション部材６を介してＩ
Ｃチップを吸引するので吸引時の衝撃を緩和できる。ま
た、ＩＣチップを面保持できるので、ＩＣチップの角を
欠損することはない。さらに、ＩＣチップの表面に異物
が存在していた場合には、この異物がクッション部材６
を通り抜けて負圧吸引されるので、異物によるチップ表
面の損傷を回避できるといった諸効果が得られる。

なお、本発明は、従来の平面コレソトおよび角錐コレソ
トに適用することもできる。

第５図は本発明に係る半導体製造装置の第２実施例を示
す角錐コレソ１へへの適用例であり、（角錐〉コレソト
２の吸引口２ｂに第ｌ実施例と同様な材料からなるクソ
ション部材１０を取り付けたものである。また、第６図
は本発明に係る半導体製造装置の第３実施例を示す平面
コレフトへの適用例であり、（平面）コレソト１の吸引
口１ｂに第１実施例と同様な材料からなるクッション部
材２０を取り付けたものである。これら第２、第３実施
例によれば、従来の角錐および平面コレソトにクッショ
ン部材１０、２０を取り付けるだけの簡単な改修でよく
、コス！・の面や既存設備の再利用の面で好ましい。

なお、本発明に係るコレソトは、ダイシング装置に設け
られたものを指すことは勿論のことであるが、この他に
も、ＩＣチップを手動によりピックアップする例えば注
射針状の専用二一ドルをコレソトにも適用できる。要は
、ＩＣチップを負圧力によって吸引保持するものであれ
ば全てに適用でき、例えば、グイボンディング工程のピ
ンクアンプコレフトにも適用できる。

第７〜９図は、本発明に係る半導体製造装置の第４〜６
実施例をそれぞれ示す図であり、第７図は、前記第１実
施例のクンション部材６に開口６ａを形威したもの、第
８図は前記第２実施例のクッション部材１０に開口１０
ａを形成したもの、第９図は前記第３実施例のクソショ
ン部材２０に開口２０ａを形成したものであり、これら
の第４〜６実施例によれば、コアに比して充分に大きな
開口６ａ、ｌＱａ、２０ａを形成したので、チップ表面
のゴご例えばＳｉ片等をより効果的に吸引できるととも
に、比較的に大きなゴミを吸引することもできる．ここ
で、前記の各クッション部材６、１０、２０の少なくと
も一部表面を非切断加工面とし、該非切断加工面をＩＣ
チップ吸着面として使用すると好ましい。すなわち、型
枠内に発泡性材料を流し込んで製造する例えばスポンジ
は、その形状がコレソ１・先端に比べて充分に大きいの
で、所望の形状にするにはカッター等による切断加工を
要する。

しかし、切断加工されたスポンジの切断面は平滑ではな
く、トゲ状の凹凸を生じるから、このトゲによるＩＣチ
ップ表面のダメージが心配となる．型枠に接していた面
（非切断加工面）をそのままチップ吸着面に使用すれば
上記心配を解消できる。

また、クソション部材６、１０、２０を以下に述べるオ
ープンセル構造にすると、ゴミの負圧吸引がスムーズに
行われるので好ましい。すなわち、例えば、スポンジに
は、■多数のセル同士を薄膜で仕切ったクローズドセル
構造のもの（一般的なスポンジ）と、■セル間の薄膜を
一部だけにしたオープンセル構造のもの（例えばイノア
ソク社製のモルトフィルター）とがある。■をクッショ
ン部材に用いた場合には、初期のゴミ吸引を支障なく行
えるものの、残留ゴミの増加にともなって吸引効率が低
下する欠点がある。これに対し、■をクッション部材に
用いた場合には、残留ゴミが生しない（あるいは生じて
も僅かな量である）から、吸引効率を長時間に亘って良
好に維持できる効果がある。

〔発明の効果〕

本発明によれば、クッション部材を介してＩＣチップを
負圧吸引するようにしたので、ピ・７クアソプ時におけ
るゴミによるチップ表面のｔ貝傷やチップの角の欠損を
回避することができる．

【図面の簡単な説明】

第１〜３図は本発明の原理を説明する図であり、第ｌ図
はその原理構成図、 第２図はそのＩＣチップ上の異物を示す図、第３図はそ
のクッション部材を通り抜けた異物を示す図である。 第４図は本発明に係る半導体製造装置の第１実施例を示
すその構成図である。 第５図は本発明に係る半導体製造装置の第２実施例を示
すその構成図である。 第６図は本発明に係る半導体製造装置の第３実施例を示
すその構成図である。 第７図は本発明に係る半導体製造装置の第４実施例を示
すその構威図である。 第８図は本発明に係る半導体製造装置の第５実施例を示
すその構或図である。 第９図は本発明に係る半導体製造装置の第６実施例を示
すその構成図である。 第１０−１２図は従来例を示す図であり、第１０図はそ
のグイシング工程を示す工程図、第１１図はその平面コ
レットの構成図、第１２図はその角錐コレットの購或図
である。 ４・・・・・・コレソト、 ５ｂ・・・・・・吸引口、 ６、１０、２０・・・・・・クッション部材。 命、７７負圧 本発明の原理構成図 第 エ 図 ＩＣチップ上の異物を示す図 第 ２ 図 クッション部材を通り抜けた異物を示す図第 ３ 図 ５ｂ：吸引口 第ｌ実施例の構戒図 第 ４ 図 第２実施例の構成図 第５図 第３実施例の構戒図 第６図 第６実施例の構威図 第 ９ 図 従来のグイソング工程を示す工程図 第 １０ 図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）ウェハから切り出されたＩＣチップを負圧により
   吸引する吸引口を備えた半導体製造装置において、 前記吸引口に、前記ＩＣチップ表面に付着したＳｉ片が
   透過できるような大きさを有する透孔および柔軟性を有
   するクッション部材を設け、該クッション部材を介して
   ＩＣチップを吸引するようにしたことを特徴とする半導
   体製造装置。
2. （２）前記クッション部材の少なくとも一部表面を非切
   断加工面とし、該非切断加工面をＩＣチップ吸着面とし
   て使用することを特徴とする請求項１記載の半導体製造
   装置。
3. （３）前記クッション部材の透孔をオープンセル構造と
   したことを特徴とする請求項１または２記載の半導体製
   造装置。