JPH0348643B2 - - Google Patents
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- JPH0348643B2 JPH0348643B2 JP58105422A JP10542283A JPH0348643B2 JP H0348643 B2 JPH0348643 B2 JP H0348643B2 JP 58105422 A JP58105422 A JP 58105422A JP 10542283 A JP10542283 A JP 10542283A JP H0348643 B2 JPH0348643 B2 JP H0348643B2
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は鉛とリチウムを含有した酸化亜鉛薄
膜よりなる湿度センサに関するものである。
膜よりなる湿度センサに関するものである。
従来から存在する電気抵抗式の湿度センサとし
ては、櫛型電極上に固体電解質を高分子材料と架
橋重合させた有機物皮膜からなる湿度センサ、あ
るいは多孔性金属酸化物磁器を用いた湿度センサ
が知られている。
ては、櫛型電極上に固体電解質を高分子材料と架
橋重合させた有機物皮膜からなる湿度センサ、あ
るいは多孔性金属酸化物磁器を用いた湿度センサ
が知られている。
しかしながら、前者の有機物皮膜からなる湿度
センサは、高温での使用ができないこと、長時間
の結露した環境下では電解質が溶け出すなどの欠
点があつた。
センサは、高温での使用ができないこと、長時間
の結露した環境下では電解質が溶け出すなどの欠
点があつた。
また多孔性金属酸化物磁器を用いた湿度センサ
は、初期においてはすぐれた湿度応答を有するも
のであるが、長時間使用すると水分子が空孔の奥
深くに浸入し、化学吸着するようになり表面抵抗
は上昇する。
は、初期においてはすぐれた湿度応答を有するも
のであるが、長時間使用すると水分子が空孔の奥
深くに浸入し、化学吸着するようになり表面抵抗
は上昇する。
これを再生するために加熱によるクリーニング
が必要となり、ヒータ制御回路という複雑な機構
が必要である。
が必要となり、ヒータ制御回路という複雑な機構
が必要である。
一方酸化亜鉛を用いた湿度センサも従来からよ
く知られている。これはセラミツク、ガラスなど
の絶縁基板の上に酸化亜鉛の薄膜を形成し、さら
にこの上に一対の検出電極を形成したものであ
る。
く知られている。これはセラミツク、ガラスなど
の絶縁基板の上に酸化亜鉛の薄膜を形成し、さら
にこの上に一対の検出電極を形成したものであ
る。
この湿度センサは雰囲気の湿度が変化したとき
抵抗値が変化するという特性を有するものであ
り、応答性が速いという特徴をもつている。
抵抗値が変化するという特性を有するものであ
り、応答性が速いという特徴をもつている。
ところがこの抵抗値は、実用測定範囲内にある
ことが重要であるが、酸化亜鉛の場合抵抗値をこ
の実用測定範囲内にコントロールするに用いる元
素もあまり知られていない。
ことが重要であるが、酸化亜鉛の場合抵抗値をこ
の実用測定範囲内にコントロールするに用いる元
素もあまり知られていない。
また、この酸化亜鉛薄膜を用いた湿度センサは
主として酸化亜鉛の金属過剰のn型半導体であ
る。
主として酸化亜鉛の金属過剰のn型半導体であ
る。
そしてこのn型半導体をスパツタリング法で形
成するためには、酸素量をへらしてスパツタリン
グする方法が考えられるが、酸素を減らすとある
限界値で急激に亜鉛金属のスパツタ膜が形成され
るようになり、この条件をコントロールすること
が困難であつた。
成するためには、酸素量をへらしてスパツタリン
グする方法が考えられるが、酸素を減らすとある
限界値で急激に亜鉛金属のスパツタ膜が形成され
るようになり、この条件をコントロールすること
が困難であつた。
本発明者らは上記の点から酸化亜鉛薄膜を用い
た湿度センサで実用測定範囲内に抵抗値を有する
ものを得るべく検討を行い、鉛を含有した酸化亜
鉛薄膜よりなる湿度センサであれば、抵抗値が容
易に下り、加熱によるクリーニング処理をするこ
となく湿度の連続測定が可能であることを見出
し、さきに特許出願を行つた。
た湿度センサで実用測定範囲内に抵抗値を有する
ものを得るべく検討を行い、鉛を含有した酸化亜
鉛薄膜よりなる湿度センサであれば、抵抗値が容
易に下り、加熱によるクリーニング処理をするこ
となく湿度の連続測定が可能であることを見出
し、さきに特許出願を行つた。
ところが鉛を含有しただけでは抵抗を下げる効
果は有するものの湿度に対する応答性、特に復帰
時間が長いという欠陥のあることがわかつた。
果は有するものの湿度に対する応答性、特に復帰
時間が長いという欠陥のあることがわかつた。
そこで、この応答性をさきに改善すべく検討を
続けた結果、鉛とともにリチウムを加えるならば
抵抗値を下げる効果を有して且つ湿度に対する応
答性、特に復帰時間の短縮がはかれるという一層
すぐれた湿度センサが得られることを見出したも
のである。
続けた結果、鉛とともにリチウムを加えるならば
抵抗値を下げる効果を有して且つ湿度に対する応
答性、特に復帰時間の短縮がはかれるという一層
すぐれた湿度センサが得られることを見出したも
のである。
即ち、この発明の湿度センサは、感湿要素が鉛
とリチウムを含有した酸化亜鉛薄膜よりなるもの
であつて、これによつて (1) 自己復帰性があり、クリーニングを必要とし
ないこと、 (2) 応答性がはやいこと、 (3) 実用測定が容易な範囲の抵抗値を有するこ
と、 (4) 耐久性にすぐれていること、 などの効果を奏するものである。
とリチウムを含有した酸化亜鉛薄膜よりなるもの
であつて、これによつて (1) 自己復帰性があり、クリーニングを必要とし
ないこと、 (2) 応答性がはやいこと、 (3) 実用測定が容易な範囲の抵抗値を有するこ
と、 (4) 耐久性にすぐれていること、 などの効果を奏するものである。
以下この発明の湿度センサについて詳細に説明
する。
する。
第1図はこの発明にかかる湿度センサの一列を
示す概略平面図であつて、1はセラミツク、ガラ
スなどからなる絶縁基板であり、この基板1上に
はくし歯状の一対の検出電極2,3が形成され、
さらにくし歯部分を覆うように感湿要素である酸
化亜鉛薄膜4が形成されている。
示す概略平面図であつて、1はセラミツク、ガラ
スなどからなる絶縁基板であり、この基板1上に
はくし歯状の一対の検出電極2,3が形成され、
さらにくし歯部分を覆うように感湿要素である酸
化亜鉛薄膜4が形成されている。
5,6は検出電極2,3にそれぞれ接続された
端子である。なお図示省略したが、酸化亜鉛薄膜
4上に多孔性の検出電極を網目状またはくし歯状
に形成したもの、あるいは上下平行電極によるバ
ルク型のものであつてもよく、電極はAu、Ni、
Cr、Ti、Cu、Feなどの導電性物質をマスク蒸着
法などにより形成すればよい。
端子である。なお図示省略したが、酸化亜鉛薄膜
4上に多孔性の検出電極を網目状またはくし歯状
に形成したもの、あるいは上下平行電極によるバ
ルク型のものであつてもよく、電極はAu、Ni、
Cr、Ti、Cu、Feなどの導電性物質をマスク蒸着
法などにより形成すればよい。
酸化亜鉛薄膜4を形成する手段としては、例え
ばスパツタリング法、真空蒸着法、イオンプレー
テイング法などがあるが、特に形成手段の容易さ
から反応性スパツタリング法が適している。
ばスパツタリング法、真空蒸着法、イオンプレー
テイング法などがあるが、特に形成手段の容易さ
から反応性スパツタリング法が適している。
この発明において、感湿要素である酸化亜鉛薄
膜に含有させる鉛およびリチウムの使用範囲とし
ては、鉛は0.1〜20原子%、好ましくは0.5〜5原
子%であり、リチウムは0.1〜20原子%、好まし
くは0.5〜2原子%が望ましい。
膜に含有させる鉛およびリチウムの使用範囲とし
ては、鉛は0.1〜20原子%、好ましくは0.5〜5原
子%であり、リチウムは0.1〜20原子%、好まし
くは0.5〜2原子%が望ましい。
この理由は、鉛が0.1原子%以下では抵抗値は
108Ω以上となり、実用測定可能範囲を越え、20
原子%以上を用いると、湿度に対する抵抗変化が
小さくなつて好ましくなく、またリチウムが0.1
原子%以下では添加の効果がなく、20原子%以上
では抵抗値が上昇して鉛との併用効果が得られ
ず、何れも湿度センサとしては不適当である。
108Ω以上となり、実用測定可能範囲を越え、20
原子%以上を用いると、湿度に対する抵抗変化が
小さくなつて好ましくなく、またリチウムが0.1
原子%以下では添加の効果がなく、20原子%以上
では抵抗値が上昇して鉛との併用効果が得られ
ず、何れも湿度センサとしては不適当である。
ここで、この発明の感湿要素である鉛とリチウ
ムの併用について説明すると、鉛を加えることに
より抵抗値は下がるが応答性、再現性が好ましく
ない。しかしてこの鉛とリチウムの両者を添加す
ると応答性、再現性が改善されるのである。これ
は、酸化亜鉛に鉛を添加すると抵抗値が低下する
一方、これにさらにリチウムが添加されると、酸
化亜鉛と結合したリチウムが水と接触したとき、
すぐさま解離して可動イオンとなるため、水の存
在下ではイオン電導にもとづいて抵抗が小さくな
り、その結果、電流の流れが良好になり、すばや
く応答するという特性が得られると考えられる。
また、リチウムのイオン可動性が大きいことと相
俟つて、イオン半径が小さいことにより、水に対
してすばやく動くという性質が高められ、その結
果再現性が改善されると推察される。
ムの併用について説明すると、鉛を加えることに
より抵抗値は下がるが応答性、再現性が好ましく
ない。しかしてこの鉛とリチウムの両者を添加す
ると応答性、再現性が改善されるのである。これ
は、酸化亜鉛に鉛を添加すると抵抗値が低下する
一方、これにさらにリチウムが添加されると、酸
化亜鉛と結合したリチウムが水と接触したとき、
すぐさま解離して可動イオンとなるため、水の存
在下ではイオン電導にもとづいて抵抗が小さくな
り、その結果、電流の流れが良好になり、すばや
く応答するという特性が得られると考えられる。
また、リチウムのイオン可動性が大きいことと相
俟つて、イオン半径が小さいことにより、水に対
してすばやく動くという性質が高められ、その結
果再現性が改善されると推察される。
しかし、リチウムの添加で抵抗値は上昇するの
で、鉛とリチウムの添加比はまず実用抵抗値が湿
度40%で1MΩ以下になるように調整することが
必要である。従つて両者の使用量としては、酸化
亜鉛薄膜中に鉛3〜4原子%、リチウム0.5〜1
原子%程度が最も好ましい。
で、鉛とリチウムの添加比はまず実用抵抗値が湿
度40%で1MΩ以下になるように調整することが
必要である。従つて両者の使用量としては、酸化
亜鉛薄膜中に鉛3〜4原子%、リチウム0.5〜1
原子%程度が最も好ましい。
なお、リチウムの他に、アルカリ金属としてナ
トリウム、カリウムがあるが、次のような理由に
より湿度センサとして利用が困難なものである。
つまり、リチウム(リチウムのイオン半径は
0.70)にくらべてイオン半径(ナトリウムのイオ
ン半径は1.00、カリウムのイオン半径は1.33)が
大きく、リチウムほど可動度が良好でない。した
がつて、応答性、再現性に劣るため、この発明の
ような湿度センサとして実用を供することのでき
ないものである。
トリウム、カリウムがあるが、次のような理由に
より湿度センサとして利用が困難なものである。
つまり、リチウム(リチウムのイオン半径は
0.70)にくらべてイオン半径(ナトリウムのイオ
ン半径は1.00、カリウムのイオン半径は1.33)が
大きく、リチウムほど可動度が良好でない。した
がつて、応答性、再現性に劣るため、この発明の
ような湿度センサとして実用を供することのでき
ないものである。
以下この発明を一実施例により詳細に説明す
る。
る。
実施例
アルミナ基板上にくし歯の間隔が0.5mm、対向
長さが65mmの金からなるくし歯状の検出電極を形
成した。
長さが65mmの金からなるくし歯状の検出電極を形
成した。
さらにこの上にくし歯部分を覆うように、鉛と
リチウムを含有する酸化亜鉛薄膜をスパツタリン
グ法により形成した。
リチウムを含有する酸化亜鉛薄膜をスパツタリン
グ法により形成した。
この酸化亜鉛薄膜の形成は、ターゲツトとして
金属亜鉛を用いて次のようにして行なつた。
金属亜鉛を用いて次のようにして行なつた。
くし歯状の検出電極を形成したアルミナ基板を
スパツタリング装置の陽極側に設置した。一方陰
極側にはあらかじめ金属亜鉛に鉛を3原子%を混
入し、溶融して得た合金上にリチウムに換算して
1原子%となる炭素リチウム(Li2CO3)のプレ
ス成形物とならべたものをターゲツトとして配置
した。
スパツタリング装置の陽極側に設置した。一方陰
極側にはあらかじめ金属亜鉛に鉛を3原子%を混
入し、溶融して得た合金上にリチウムに換算して
1原子%となる炭素リチウム(Li2CO3)のプレ
ス成形物とならべたものをターゲツトとして配置
した。
そしてスパツタリング室内の真空圧を5×
10-7Torrとし、酸素(O2)とアルゴン(Ar)の
比率1:1からなる混合ガスをスパツタリング室
内に導入し、該室内を3×10-4Torrの圧力に保
つた。
10-7Torrとし、酸素(O2)とアルゴン(Ar)の
比率1:1からなる混合ガスをスパツタリング室
内に導入し、該室内を3×10-4Torrの圧力に保
つた。
その後排気弁を調整し、スパツタリング室圧力
が1.5×10-1Torrになるよう調整し、300Wの高周
波電源(13.56MHz)を供給してくし歯状の検出
電極を有するアルミナ基板上に鉛とリチウムを含
有する薄膜1μmの酸化亜鉛薄膜を形成した。
が1.5×10-1Torrになるよう調整し、300Wの高周
波電源(13.56MHz)を供給してくし歯状の検出
電極を有するアルミナ基板上に鉛とリチウムを含
有する薄膜1μmの酸化亜鉛薄膜を形成した。
なお上記実施例ではターゲツトとして金属亜鉛
を用い、反応性スパツタリング法により酸化亜鉛
薄膜を形成する例を示したが、ターゲツトとして
酸化亜鉛の焼結体を用いることも可能である。そ
してこの場合の酸化亜鉛焼結体は、例えば酸化亜
鉛粉末を主とし、これに鉛に換算して3原子%の
Pb3O4とリチウムに換算して1原子%の炭酸リチ
ウム(Li2CO3)を添加し、十分粉砕混合したも
のを500〜600℃で仮焼し、次いでプレス成形によ
り700〜1300℃で焼成することによつて得ること
ができる。
を用い、反応性スパツタリング法により酸化亜鉛
薄膜を形成する例を示したが、ターゲツトとして
酸化亜鉛の焼結体を用いることも可能である。そ
してこの場合の酸化亜鉛焼結体は、例えば酸化亜
鉛粉末を主とし、これに鉛に換算して3原子%の
Pb3O4とリチウムに換算して1原子%の炭酸リチ
ウム(Li2CO3)を添加し、十分粉砕混合したも
のを500〜600℃で仮焼し、次いでプレス成形によ
り700〜1300℃で焼成することによつて得ること
ができる。
またこの酸化亜鉛焼結体をターゲツトとする場
合の反応性スパツタリングにおけるスパツタリン
グ室内にはAr:O2=9:1の混合ガスを用いる
ことが好ましい。
合の反応性スパツタリングにおけるスパツタリン
グ室内にはAr:O2=9:1の混合ガスを用いる
ことが好ましい。
上記実施例においては、アルミナ等の絶縁基板
上に一対のくし歯状の検出電極を形成し、その上
にスパツタリング法で酸化亜鉛薄膜を形成したも
のを示したが、この発明の湿度センサはこのよう
な構造に限定されるものではなく、このほかにア
ルミナ等の絶縁基板上にスパツタリング法で酸化
亜鉛薄膜を形成し、その上に一対のくし歯状の検
出電極を形成した構造、あるいは導電性基板例え
ばステンレス、アルミニウム板等の上にスパツタ
リング法で酸化亜鉛薄膜を形成し、その上にくし
歯状検出電極もしくは金の島状蒸着膜あるいは多
孔性銀ペーストによる電極を形成し、上下電極間
の抵抗値を測定する構造のもの、などであつても
よい。
上に一対のくし歯状の検出電極を形成し、その上
にスパツタリング法で酸化亜鉛薄膜を形成したも
のを示したが、この発明の湿度センサはこのよう
な構造に限定されるものではなく、このほかにア
ルミナ等の絶縁基板上にスパツタリング法で酸化
亜鉛薄膜を形成し、その上に一対のくし歯状の検
出電極を形成した構造、あるいは導電性基板例え
ばステンレス、アルミニウム板等の上にスパツタ
リング法で酸化亜鉛薄膜を形成し、その上にくし
歯状検出電極もしくは金の島状蒸着膜あるいは多
孔性銀ペーストによる電極を形成し、上下電極間
の抵抗値を測定する構造のもの、などであつても
よい。
かくして得たスパツタリング法に基づく酸化亜
鉛薄膜は、その形成時には表面に欠陥構造を多く
含み、ガスなどが吸着しやすいため、150℃、24
時間のアニールを行つた。このアニールにより該
酸化亜鉛薄膜の抵抗値は膜形成時より幾分高くな
るが、抵抗値の経時変化が小さくなるのである。
鉛薄膜は、その形成時には表面に欠陥構造を多く
含み、ガスなどが吸着しやすいため、150℃、24
時間のアニールを行つた。このアニールにより該
酸化亜鉛薄膜の抵抗値は膜形成時より幾分高くな
るが、抵抗値の経時変化が小さくなるのである。
なお、この発明の湿度センサは低温では湿度セ
ンサとして作用するが、300〜500℃の高温にする
とガスセンサとして働き、従つてガス濃度を測定
するときは感応素子を加熱し、相対湿度を測定す
るときは室温にする使い方も可能である。
ンサとして作用するが、300〜500℃の高温にする
とガスセンサとして働き、従つてガス濃度を測定
するときは感応素子を加熱し、相対湿度を測定す
るときは室温にする使い方も可能である。
上記実施例で得られたこの発明の湿度センサに
ついてその応答特性を第2図に示すように相対湿
度0%真空中から相対湿度55%の大気中へ取り出
したとき、および相対湿度93%のKNO3飽和塩溶
液から相対湿度55%の大気中へ取り出した時の相
対湿度一電気抵抗曲線から換算した相対湿度指示
値(%)の変化について表わしたところ、この発
明の湿度センサAは鉛のみを添加した酸化亜鉛薄
膜を感湿要素とする湿度センサBに比べて応答性
のはやいことが認められた。
ついてその応答特性を第2図に示すように相対湿
度0%真空中から相対湿度55%の大気中へ取り出
したとき、および相対湿度93%のKNO3飽和塩溶
液から相対湿度55%の大気中へ取り出した時の相
対湿度一電気抵抗曲線から換算した相対湿度指示
値(%)の変化について表わしたところ、この発
明の湿度センサAは鉛のみを添加した酸化亜鉛薄
膜を感湿要素とする湿度センサBに比べて応答性
のはやいことが認められた。
なお、リチウムの代りに、ナトリウム、カリウ
ムを鉛とともに酸化亜鉛の中に含有させた場合、
この発明の湿度センサAと比較例の湿度センサB
の中間の特性を示した。
ムを鉛とともに酸化亜鉛の中に含有させた場合、
この発明の湿度センサAと比較例の湿度センサB
の中間の特性を示した。
またこの発明の湿度センサの自己復帰性を相対
湿度に対する電気抵抗変化にて測定したところ第
3図の結果が得られ、再現性の良いことが認めら
れた。
湿度に対する電気抵抗変化にて測定したところ第
3図の結果が得られ、再現性の良いことが認めら
れた。
なお、同図中実線はこの発明の湿度センサAの
もの、破線は比較例の湿度センサBのものであ
る。
もの、破線は比較例の湿度センサBのものであ
る。
第1図はこの発明にかかる湿度センサの一例を
示す概略平面図、第2図は応答特性を示すグラ
フ、第3図は相対湿度一電気抵抗特性図である。 1……絶縁基板、2,3……検出電極、4……
酸化亜鉛薄膜。
示す概略平面図、第2図は応答特性を示すグラ
フ、第3図は相対湿度一電気抵抗特性図である。 1……絶縁基板、2,3……検出電極、4……
酸化亜鉛薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 感湿要素が鉛とリチウムを含有した酸化亜鉛
薄膜よりなることを特徴とする湿度センサ。 2 酸化亜鉛薄膜に含有する鉛の量が0.1〜20原
子%であることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の湿度センサ。 3 酸化亜鉛薄膜に含有するリチウムの量が0.1
〜20原子%であることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の湿度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58105422A JPS59229802A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 湿度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58105422A JPS59229802A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 湿度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59229802A JPS59229802A (ja) | 1984-12-24 |
| JPH0348643B2 true JPH0348643B2 (ja) | 1991-07-25 |
Family
ID=14407156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58105422A Granted JPS59229802A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 湿度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59229802A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0620003B2 (ja) * | 1988-02-26 | 1994-03-16 | 鐘淵化学工業株式会社 | 感湿体薄膜およびその製造方法 |
-
1983
- 1983-06-13 JP JP58105422A patent/JPS59229802A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59229802A (ja) | 1984-12-24 |
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