JPH0349245A - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング方法

Info

Publication number
JPH0349245A
JPH0349245A JP1185643A JP18564389A JPH0349245A JP H0349245 A JPH0349245 A JP H0349245A JP 1185643 A JP1185643 A JP 1185643A JP 18564389 A JP18564389 A JP 18564389A JP H0349245 A JPH0349245 A JP H0349245A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
wire
bonding pad
tensile strength
gold plating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1185643A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0817190B2 (ja
Inventor
Mitsuhiro Hoshii
星井 光博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP1185643A priority Critical patent/JPH0817190B2/ja
Publication of JPH0349245A publication Critical patent/JPH0349245A/ja
Publication of JPH0817190B2 publication Critical patent/JPH0817190B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711Apparatus therefor
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90Bond pads, in general
    • H10W72/951Materials of bond pads
    • H10W72/952Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明はワイヤボンディング方法に関し、特にたとえ
ばICチップなどをパッケージに搭載して、ICチップ
とパンケージの端子とを接続する場合などに用いられる
、ワイヤボンディング方法に関する。
(従来技術) 従来、ICパッケージなどでは、ICチップ搭載部分の
周辺に、外部端子と電気的に接続されたボンディングパ
ッドが形成されていた。そして、パッケージにICチッ
プが搭載され、ICデツプとボンディングパッドとがワ
イヤボンディングによって接続されている。
このようなボンディングパッドは、たとえば電解金めっ
きによって形成される。電解金めっきによるボンディン
グパッド膜面は、無電解金めっきによる膜面より安定し
ている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、電解金めっきをすることによってボンデ
ィングパッドを形成すると、パターンニングによる電流
分布の不均一のため、金めっき膜厚にばらつきが生じる
。そのため、このようなボンディングパッドにワイヤボ
ンディングを施すと、ボンディングワイヤ接続部の引張
強度は不安定となり、かなりのばらつきが生じる。
ボンディングパッドにワイヤボンディングを施した後熱
エージングを行えば、ボンディングワイヤ接続部の引張
強度を安定化させることができる。
しかし、パッケージなどにICチップを搭載する場合、
ICチップの耐熱温度が低いため、この方法はあまり用
いられない。
それゆえに、この発明の主たる目的は、耐熱温度の低い
ICチ、プなどを搭載する場合にも用いることができ、
かつボンディングワイヤ接続部の引張強度にばらつきの
少ない、ワイヤボンディング方法を提供することである
(課題を解決するための手段) この発明は、電解金めっきによってボンディングパッド
を形成する工程と、ボンディングパッドに熱エージング
を施す工程と、ボンディングパッドにワイヤボンディン
グをする工程とを含む、ワイヤボンディング方法である
(作用) 熱エージングによって、電解金めっきによるボンディン
グパッドの膜面が安定化する。
(発明の効果) この発明によれば、ワイヤボンディングを行う前に熱エ
ージングが施されるため、ICチップなどのように耐熱
温度の低い素子を取り付ける場合にもワイヤボンディン
グを行うことができる。また、熱エージングによってボ
ンディングパッドの膜面が安定化し、接続されたボンデ
ィングワイヤ接続部の引張強度のばらつきが少なくなる
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
(実施例) まず、電解金めっきによってボンディングパッドを形成
した。次に、このボンディングパッドを300℃の雰囲
気中に1時間おいて熱エージングを施した。その後、ボ
ンディングパッドにワイヤボンディングをして、その引
張強度を測定した。
引張強度としては、ボンディングパッドの面に平行な方
向(X方向)およびボンディングパッドの面に垂直な方
向(Y方向)の両方向について測定し、第1図に示した
。ここでは、複数のサンプルについて引張強度を測定し
、各引張強度における個数を棒グラフに示した。さらに
、引張強度の分布状態がわかりやすいように、棒グラフ
の各中点を結んで折れ線グラフとした。そして、引張強
度の平均値(k)、最大値(Max)、最小値(Min
)および分散(σ)を示した。ここで、実線はX方向の
引張強度を示し、点線はY方向の引張強度を示す。
比較例として、電解金めっきによって形成したボンディ
ングパッドにワイヤボンディングしたものについて、同
様の測定を行い、第2図に示した。
また、電解金めっきによってボンディングパッドを形成
し、これにワイヤボンディングを施した後、300℃で
1時間熱エージングを行って引張強度を測定し、第3図
に示した。
第1図、第2図および第3図かられかるように、熱エー
ジングを施したものでは、接続したボンディングワイヤ
接続部の引張強度のばらつきが小さく、安定した接続が
可能である。第1図に示すこの発明の方法でワイヤボン
ディングをした場合、第3図に示す比較例と同様に引張
強度のばらつきが少ないが、この発明の方法ではワイヤ
ボンディングを行う前に熱エージングが施されるため、
ICチップなどの耐熱温度の低い素子を接続する場合に
も用いることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の方法でワイヤボンディングを行った
場合のボンディングワイヤ接続部の引張強度とその個数
との関係を示すグラフである。 第2図はこの発明の方法と比較するために行った方法で
接続したボンディングワイヤ接続部の引張強度とその個
数との関係を示すグラフである。 第3図はこの発明の方法と比較するための別の方法で接
続したボンディングワイヤ接続部の引張強度とその個数
との関係を示すグラフである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 電解金めっきによってボンディングパッドを形成する工
    程、 前記ボンディングパッドに熱エージングを施す工程、お
    よび 前記ボンディングパッドにワイヤボンディングをする工
    程を含む、ワイヤボンディング方法。
JP1185643A 1989-07-17 1989-07-17 ワイヤボンディング方法 Expired - Fee Related JPH0817190B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1185643A JPH0817190B2 (ja) 1989-07-17 1989-07-17 ワイヤボンディング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1185643A JPH0817190B2 (ja) 1989-07-17 1989-07-17 ワイヤボンディング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0349245A true JPH0349245A (ja) 1991-03-04
JPH0817190B2 JPH0817190B2 (ja) 1996-02-21

Family

ID=16174360

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1185643A Expired - Fee Related JPH0817190B2 (ja) 1989-07-17 1989-07-17 ワイヤボンディング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0817190B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0817190B2 (ja) 1996-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4142203A (en) Method of assembling a hermetically sealed semiconductor unit
JPS6149432A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS59126665A (ja) 厚膜混成集積回路
JPH08139257A (ja) 面実装型半導体装置
JPH0263142A (ja) モールド・パッケージおよびその製造方法
JPH0349245A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH0574831A (ja) 半導体装置
US12153071B2 (en) Current sensor
JPS6257257B2 (ja)
JPH0778903A (ja) 混成集積回路におけるバイアス電圧の供給方法
JPH07235576A (ja) 半導体装置の評価方法
JPH04247645A (ja) 金属基板の実装構造
JPH05166871A (ja) 半導体装置
JP2555519Y2 (ja) 表面実装樹脂封止型半導体装置
KR920000559B1 (ko) 반도체장치
JPH0362959A (ja) リードフレームの製造方法
JP3148941B2 (ja) セラミック回路基板
JPS63131559A (ja) 半導体装置
JPH02128488A (ja) 化合物半導体装置
JPH06349983A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63150953A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPH05226393A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH03237733A (ja) Ic
JPH04273158A (ja) 半導体装置
JPH0243758A (ja) 樹脂封止型半導体素子

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees