JPH03500640A - α相含量の高い窒化ケイ素の製造方法 - Google Patents
α相含量の高い窒化ケイ素の製造方法Info
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- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims description 54
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 116
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 116
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 114
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 68
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 54
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 41
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 33
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 32
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 27
- -1 silicon imide Chemical class 0.000 claims description 27
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 18
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims description 17
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 claims description 16
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 11
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 2
- 230000002925 chemical effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 35
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 27
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 18
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- XZXYQEHISUMZAT-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-hydroxy-5-methylphenyl)methyl]-4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(CC=2C(=CC=C(C)C=2)O)=C1 XZXYQEHISUMZAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940107816 ammonium iodide Drugs 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 4
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 3
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000269908 Platichthys flesus Species 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003831 antifriction material Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 description 2
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 2
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150018711 AASS gene Proteins 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N ammonia nh3 Chemical compound N.N XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000012824 chemical production Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000004035 construction material Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000009970 fire resistant effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000011089 mechanical engineering Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/068—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
- C01B21/0682—Preparation by direct nitridation of silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/068—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
- C04B35/591—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride obtained by reaction sintering
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Structural Engineering (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
α相含量の高い窒化ケイ素の製造方法
技術分野
本発明は耐火性無機化合物の製造法に関し、さらに詳L<it〜α相含量の高い
窒化ケイ素の製造法1;関する。
窒化ケイ素は、特有の物理的、機械的性質(高硬度、充分な強度と耐摩耗性、熱
安定性、極度に低い熱膨張係数、多くの侵襲性媒質中での不活性、低い摩擦係数
、低い密度、特異的な半導特性と誘導特性)のために、様々な目的に用いられる
セラミック材料の製造に使用されている。
これらの耐熱性建設材料、耐火材、減摩材及び工具材料、広い範囲の条件内での
高い電気的強度と安定な誘電特性を有し、断熱性と熱伝導性とを有する特定の材
料は、機械工学、工具産業、冶金学、ロケット工学、エレクトロニクス、電気工
学、ラジオ工学、及びその他の産業部門に広く用いられている。
背景技術
工業的規模で窒化ケイ素粉末を製造するには、出発材料が容易に入手可能である
ので、種々の直接合成法か広く用いられている。
窒化反応による窒化ケイ素粉末の公知の直接合成法は、工業界で広く用いられて
いる、因習的な炉合成方法と有望な比較的新しいプラズマ化学方法と燃焼形式で
の自動伝搬型高温合成法(Sn2)とに大別される。
窒化ケイ素粉末の炉合成方法は、窒素気流下または窒素含有ガス流下での電気炉
における加熱による元素状ケイ素の窒化に基づく。還元剤(主として炭素)によ
る混合物中の二酸化窒素の窒化は、公知方法の1つの変形である。
炉内でのケイ素窒化方法は、主として2段階であり、これらの完成には多くの時
間を要する。ケイ素粉末窒化の第1段階はケイ素の融点よりも100〜250℃
位低い温度において、ケイ素−窒素の30〜40%結合度が達成されるまで実施
される。この段階は、3〜5時間から10〜20時間までを要する。第2段階で
は1500〜1600℃において完全な窒化が達成される。
炉合成法によるα相含量の高い窒化ケイ素粉末の最も効果的でかなり簡単な製造
方法は、技術上公知である。
この方法は、1200〜1400℃の炉内で加熱しながら低い窒素分圧下、窒素
含有ガス流中での4〜5時間の金属ケイ素の窒化にあり、窒素分圧はケイ素質量
の50〜60%が反応するまで、〜0. 5ata (0,05MPa )に等
しく維持される。この方法は窒化ケイ素粉末中のα相含量を97質量%(X b
y aass )に等しくする。
窒化ケイ素の公知の製造方法の使用は、α相の形成に必要な熱的条件を維持し、
除熱によって窒化反応の発熱効果を中和するために温度、窒素分圧、ガス流量の
全窒化プロセスの過程における厳密な制御を必要とする。さらに、この方法は窒
化プロセスを実施する電気炉に1200〜1400℃を得るためのかなり大きい
エネルギー消費を必要とする。
プラズマ化学合成方法すなわち低温窒素プラズマ中でのケイ素の窒化は、良好な
ケーキ化力(Caking abjJity)を有する微細な窒化ケイ素粉末の
製造にとりで興味深い。
98.9%純度のケイ素と高純度の窒素を用い、高周波発生器によって生じる窒
素プラズマ中でのケイ素の窒化による窒化ケイ素のプラズマ化学製造方法は技術
上公知である〔イブド、アカド7ナウク、ニスニスニスアール。
セル、ネオルガノケスキー、マテリアリー、モスコー。
(Izd、 Akad、 Nauk、 5SSR,Ser、 Neorgano
cheskfematerialy、 Moscow ) 、1979. 15
巻、4号、ジー。
エム、カイデマンス(G、M、 Kheldemans ) 、ヤ、ピー。
グラパス(Ya、P、 Grabas)及びティ、エイ、ミラー(T。
A、 Miller ) r高分散性窒化ケイ素の高温合成(Hjgh−tem
perature 5ynthesis or r1ne!y dispers
ed 5Njeonnitr4de ) J 595−598頁〕。
上記方法によって製造した窒化ケイ素粉末はα相とβ相の混合物であり、2〜4
質量%の遊離ケイ素と5質量%までの酸素とを含む。さらに、プラズマ化学によ
る窒化ケイ素粉末は他の方法によって得られた粉末に比べて強化された化学活性
を有し、湿った空気内では容易に加水分解されるので、貯蔵及び加工時に特定の
手段を必要とする。
従って、プラズマ化学による粉末はケーキ化傾向を有するが、これらの粉末の品
質は高度の物理的、機械的特性を有するセラミック材料へのこれらの粉末の使用
を不可能にする。
さらに、プラズマ化学合成ならびに炉合成の達成には大きなエネルギー消費が必
要である。
自動伝搬型高温合成法(燃焼形式での)(米国特許第A3726643号)は、
生成物の純度と品質、方法の効率とエネルギー強度に関して、窒化ケイ素を直接
合成するための最も有望な方法である。
この方法は、少なくとも1種類が凝縮形である試薬の発熱性相互作用時に放出さ
れる熱の利用に基づいている。
この方法は反応混合物の層における化学反応の局部的開始と、これに続く、燃焼
形式での試薬の相互作用すなわち、反応の充分な発熱効果による反応混合物の層
から層への自己加熱を犠牲にした燃焼フロントの自動伝搬に関する。
ケイ素と窒素との反応の大きな熱効果(180Neat/mole)は、燃焼形
式でのすなわち自動伝搬型高温合成法(SF(S)によるケイ素窒化プロセスの
実施を可能にする。
さらに、ケイ素と窒素との反応の発熱効果が非常に高いので、窒化ケイ素のα相
形成に好ましい温度を維持するためには、燃焼温度を低下させなければならない
〇燃焼温度を低下させるには、試薬の初期粉状混合物を最終生成物によって50
質量%になるまで希釈する・初期粉状混合物を最終生成物によって希釈する自己
生長性高温合成法によって、α相含量の高0窒イしケイ素力(製造される[J、
An、 Cerata、 Soc、、 1986.69巻。
4号、キヨシ ヒラメ(Kiyoshi )Iirano) 、ヨシナリミャモ
ト(Yoshjnari Miyaaoto) 、ミツエコイズメ(帽tsue
Koizume) r高窒素圧下での燃焼反応による窒化ケイ素の合成(Sy
nthesis of 5iljeon njtrjde by acombu
stion reaction under htgh nitrogen p
ressure) J60〜61頁」〕。
この方法は、分散度≦5ahを有するケイ素粉末(99,9%純度)と分散度〜
0. 1+K11を有するα窒化ケイ素粉末(α−8i3N498%)とからそ
れぞれ47.4%と52.6%の質量比で成る初期粉状混合物(チャージ)を調
製し:チャージ成分を分散度〜0. 2+eKmになるまで粉砕し:アセトン中
で混合し;チャージを減圧乾燥し一理論密度の44〜46%の密度を有する直径
6mm、長さ10snのシリンダーを成形し;3秒電気パルスによってチャージ
層内に反応を局部開始させた後に10MPa下での燃焼形式において合成を実施
することからなる。
燃焼形式での合成はα相を87質量%含む窒化ケイ素を生じた。
このように、α相含量の高い窒化ケイ素の調製は、α相を殆んど100%含む窒
化ケイ素を初期チャージの製造に不活性成分として初期チャージ量の50%量で
用いることを必要とする。
発明の開示
稀小物質を用いずに最終生成物の製造を保証する。α相含量の高い窒化ケイ素の
製造方法を提供することが、本発明の目的である。
この目的は、ケイ素試薬と添加剤とを含むチャージを高圧下で窒化媒質と接触さ
せることを含む自動伝搬型高温合成法を用いた高α相含量窒化ケイ素の製造方法
において、本発明によって金属ケイ素をケイ素試薬として用い、添加剤として少
なくとも1種類のハロゲン化アンモニウムをケイ素試薬量の1〜60%量で用い
、自動伝搬型高温合成法を4〜30MPaの圧力下で実施することによって達成
される。4 MPa未満の窒化媒質の圧力は、ケイ素の窒化度の低下のために、
窒化ケイ素の収率の低下を招く。
30MPaより大きい窒化媒質の圧力は、この圧力上昇がもはやケイ素の窒化度
を高めないので、不適当である。
本発明の方法において提案したチャージ添加剤は合成過程で二重の役割を果す。
第一に、添加剤はチャージの希釈剤であり、すなわちこれらは燃焼温度を低下さ
せることによって、α相の形成に好ましい温度域(te+5pe−rature
reginie)を形成する01質量%未満の添加剤含量は燃焼温度の上昇と
最終生成物の解離をもたらす、すなわち臨界燃焼温度の下限を高める。
60質量%より高い添加剤の含量は所定系の臨界燃焼温度の上限を高める(すな
わち、燃焼が不可能になる)。
第二に、これらの添加剤は自動伝搬型高温合成プロセスにおいて不活性ではない
。これらの添加剤は燃焼フロントでガス化すると、ケイ素と共に中間生成物を形
成し、この中間生成物は後に再燃焼領域におけるα−窒化ケイ素の形成に有利に
作用する。
このために、ハロゲン化アンモニウムの1種類またはハロゲン化アンモニウム混
合物をチャージへの添加剤として用いる。
フッ化アンモニウム、塩化アンモニウムまたはヨウ化アンモニウム、またはこれ
らの何らかの割合での混合物をハロゲン化アンモニウムとして用いることができ
る。
付加的に、周期律表第1族〜第■族金属の/XXロジン物をそれぞれ1:0.0
1〜1に等しい110ゲン化アンモニウム/ハロゲン化金属の質量比においてチ
ャージに導入することが好ましい。
第1族〜第■族金属のりロゲン化の添加剤としての、チャージへの付加的導入は
、ケーキ化能力の大きいα−窒化ケイ素の調製を可能にする。
最終生成物中のα−窒化ケイ素の含量を高めるために、チャージ中に金属ケイ素
量の5〜95%量のケイ素試薬として、非晶質ケイ素及び/またはケイ素イミド
を付加的に導入することが適当であり、非晶質ケイ素とケイ素イミドの量はこれ
らを同時に用いる場合には一方の成分が他方の成分に比べて同じから10倍多い
までの範囲内である。
非晶質ケイ素をケイ素イミドと同様に導入すると、ケイ素試薬の反応性は強化さ
れて、低温での燃焼形式の合成の実施が保証される。
5質量%未満の非晶質ケイ素及び/またはケイ素イミドの含量は、最終生成物中
のα相の高含量を保証しない。
95質量%より高い非晶質ケイ素及び/またはケイ素イミドの含量は、最終生成
物の収率がもはや増加しないので、不適当である。
非晶質ケイ素とケイ素イミドを同時に用いる場合には、それらの質量比は一方の
成分が他方の成分に比べて等量から10倍多いまでの範囲内であることが最適で
ある。
自動伝搬型高温合成プロセスにおける燃焼温度を低下させるために、このプロセ
スをケイ素試薬の40〜60%が反応した後に窒化媒質の流れの中で実施するこ
とが適切である。この限界は窒化媒質の流れの中で自動生長型高温合成を実施す
るために最適である。
窒化媒質としては、アンモニア、窒素、1〜b%のアンモニアとの混合物として
の窒素、水素・ハロゲン化物・″ロゲン化水素及びアルゴンを別々にまたは互い
に組合せて用いることが適切である。
自動伝搬型高温合成法は窒化媒質としての液体窒素によって実施される。
最終生成物の収率を高めるために、金属ケイ素を予め化学的または物理的作用に
さらすことが望ましい。その結果、ケイ素の反応性は増大する。合成法を低温で
実施することも可能である。
金属ケイ素を予めフッ化水素酸によって処理することができる。この処理はフル
オロプラスチック容器内で攪拌しながら、希フッ化水素酸を用いて実施される。
金属ケイ素を慣習的な手段に従って、超音波、衝撃波効果または振動分散によっ
て予め処理することもできる。
超音波による金属ケイ素の処理は、粉状ケイ素に対する超音波領域の作用である
。
衝撃波効果による処理は、粉状ケイ素を含む非破壊性カプセル上での爆発性物質
の爆発によって発生した衝撃波の作用からなる。
振動分散による金属ケイ素の処理は、破解機型クラッシャー内で振動ボールの層
によってケイ素粉末を選別す゛ることにある。
本発明によるα相含量の高い窒化ケイ素の製造方法は、良好なケーキ化力を有し
、ケーキ化時の収縮率が小さく、95%までのα相含量を有する最終生成物の製
造を確実に可能にする。
本発明による方法は複雑な装置、稀小原料及び大きなエネルギー消費量を必要と
しない。電気パルスによってチャージ層内で化学反応を開始させるだめの初期電
力は無視できるほど小さい。
発明の好ましい実施態様
α相含量の高い窒化ケイ素の製造方法はテクノロジー的に簡易であり、次のよう
に実施される。
ボールミル内で出発成分を20分間混合することによって、チャージを調製する
。
分散度101Kgを有する金属ケイ素粉末をハロゲン化アンモニウムまたはハロ
ゲン化アンモニウム混合物とをボールミルで混合する。
得られたチャージを反応器内の高温多孔質支持体上に入れる。反応器は冷却用の
ウォータージャケットを備えた、ステンレス鋼製高圧容器である。
反応器にガス状アンモニウムもしくは窒素、1〜30容量%のアンモニウムと窒
素との混合物、水素、ハロゲン化物、ハロゲン化水素及びアルゴンを個別に用い
て、または互いの混合物として、4〜30MPaの圧力下で充てんする。
次に、チャージの小さい層で化学反応の初期開始を惹起する。このために、20
〜50V電流(30〜70A)の短いパルス(5〜10秒)を直径25+++m
のタングステンワイヤー製電気コイルに供給する。高温コイルが接触するチャー
ジ層を高温になるまで加熱すると、ケイ素と窒素の相互作用が開始し、次に所定
系中に燃焼波の伝搬速度0. 5〜2+om/秒2層から層への燃焼形式でチャ
ージ中へ化学反応が伝搬される(チャージの組成物と窒化媒質とに依存する)。
添加剤は燃焼フロントでガス化されて、一方では燃焼温度の低下に作用し、他方
では中間反応生成物の形成を容易にし、燃焼帯ではα−窒化ケイ素が生成する。
合成が終了し、反応器が冷却した後に、反応器内の圧力を放出し、最終生成物を
ケーキとして取り出す。ケーキの外層から不完全燃焼の生成物を除去する。
非晶質ケイ素及び/またはケイ素イミドとml族〜第■族金属のハロゲン化とを
用いる場合には、ボールミル内で出発成分を退会するチャージの調製段階で添加
剤をチャージに導入する。
窒化媒質流中での窒化ケイ素の自動伝m型高温合成法は、次のように実施される
。
調製したチャージを反応器に装入する。反応器に4〜30MPaの圧力下で窒化
用ガスを導入し、反応を上記のような電気パルスで開始させる。ケイ素試薬の4
0〜60%が反応した後に、すなわち反応が殆んど半分終了した後に、窒化用ガ
スを特定の流量で吹き出す。
燃焼反応プロセスは、所定系での既知燃焼速度から算出することのできる反応時
間によって制御する。窒化媒質の最適流量は4〜8g/分である。合成が終了し
、反応器が冷却した後に、圧力を大気圧にまで放出し、最終生成物を取り出す。
窒化媒質として液体窒素を用いる場合には、反応の発熱効果による高温のために
、装入孔内に生ずる窒素圧下で燃焼反応が進行する。
製造方法は次のように実施される。
調製したチャージを高温支持体上に載せ、ジュワーフラスコ(Devar fl
ask )として作られた反応器に装入する。次に、反応器に液体窒素を充てん
し、化学反応を電気パルスによって開始させる。
反応が終了し、反応器が冷却した後に、反応器を用いて最終生成物を取り出す。
本発明をさらに理解しやすくするために、本発明の特定の実施例の実例を挙げて
下記に示す。
窒化ケイ素中のα相含量はX線分析によって測定し、遊離ケイ素の含量は化学分
析によって(ケイ素によってアルカリ溶液から放出される水素の容量分析によっ
て)測定する。
実施例1
金属ケイ素の粉末とケイ素量の60質量%としてのフッ化アンモニウム添加剤と
から、チャージを調製する。
チャージを調製するために、金属ケイ素3000gとフッ化アンモニウム180
0gとをボールミル内で20分間混合する。このようにして得たチャージを反応
器中の多孔質高温支持体上に装入する。反応器に10MPaの圧力下でガス状窒
素を充てんする。直径25mmのタングステンワイヤ製の電気コイルに電気パル
ス(30−70A、2O−50V)を5〜10秒間供給することによって、化学
反応を開始する。高温コイルが接触するチャージ層を、ケイ素と窒素の相互作用
が熱を放出して開始するような温度にまで加熱する。次に化学反応が層から層へ
燃焼する自動伝搬型で進行する。燃焼反応が終了し、反応器が冷却した後に、反
応器の圧力を大気圧にまで放出し、最終生成物を取り出す。外層から不完全燃焼
生成物を除去する。窒化ケイ素のα相含量は88質量%であり、遊離ケイ素含量
は1質量%である。
実施例2
金属ケイ素95質量九と非晶質ケイ素5質量%とから、ケイ素試薬の60%量で
添加剤を用いてチャージを調製する。添加剤としては、フッ化アンモニウムを用
いる。
成分の混合によって調製したチャージを反応器に装入し、反応器に10MPaま
で窒素を充てんし、化学反応を開始させる。次に実施例1に述べたように製造方
法を実施する。
窒化ケイ素のα相の含量は89質量%であり、遊離ケイ素の含量は0.2質量%
である。
実施例3
金属ケイ素95質量%とケイ素イミド5質量%とから、ケイ素試薬量の40%量
で添加剤を用いて、チャージを調製する。質量比1:1でのフッ化アンモニウム
と塩化アンモニウムの混合物を添加剤として用いる。質量比1:0.01でのフ
ッ化アンモニウムとハロゲン化アンモニウム混合物も添加剤として用いる。
金属ケイ素、ケイ素イミド、フッ化アンモニウム、塩化アンモニウム及びフッ化
アンモニウムの粉末を混合することによって調製したチャージを反応器に装入し
、反応器に15MPaの圧力下で窒素を充てんしてから、実施例1に述べた方法
に従ってプロセスを実施する。
窒化ケイ素のα相含量は93質量%であり、遊離ケイ素含量は0.07質量%で
ある。
実施例4
金属ケイ素5質量%と非晶質ケイ素95質量%とから、ケイ素試薬量の1質量%
量での添加剤を加えて、チャージを調製する。1:1に等しい質量比でのフッ化
アンモニウムと塩化アンモニウムの混合物を添加剤として用いることもできる。
金属ケイ素、非晶質ケイ素、フッ化アンモニウム及び塩化アンモニウムの粉末を
混合することによって得られたチャージを反応器に装入する。反応器に窒素をア
ルゴン30容量%との混合物として、30MPaの圧力下で装入する。次に、プ
ロセスを実施例1に述べた方法に従って実施する。
窒化ケイ素中のα相含量は88質量%であり、遊離ケイ素含量は1質量%である
。
実施例5
金属ケイ素45質量%、非晶質ケイ素50質量%及びケイ素イミド5質量%から
、ケイ素試薬量の40%量の添加剤を用いてチャージを調製する。添加剤として
は、1:0.1の質量比でのフッ化アンモニウムと塩化アンモニウムの混合物も
用いられる。
得られたチャージを反応器に装入し、反応器に窒素をアンモニア10容量%との
混合物として、12MPaの圧力下で充てんする。次にプロセスを実施例1に述
べたように実施する。
窒化ケイ素中のα相含量は95質量%であり、遊離ケイ素含量は0.15質量%
である。
実施例6
金属ケイ素45質iIk%、非晶質ケイ素5質量%、ケイ素イミド50質量から
、ケイ素試薬量の5%量での添加剤を用いてチャージを調製する。添加剤として
は、2:1の等しい質量比でのフッ化アンモニウムと塩化アンモニウムの混合物
を用いる。フッ化ナトリウムも、ハロゲン化アンモニウム:フッ化ナトリウムの
1:0.1に等しい質量比で添加剤として用いられる。調製したチャージを反応
器に装入し、反応器に窒素を水素5容量%との混合物として、10MPaの圧力
下で充てんする。次に実施例1に述べた方法に従って、プロセスを実施する。
窒化ケイ素中のα相含量は95質量%であり、遊離ケイ素含量は0.06質量%
である。
実施例7
金属ケイ素90質量%、非晶質ケイ素10質量%及びケイ素試薬量の25%量で
の添加剤からチャージを調製する。添加剤としては、1:1の質量比でのフッ化
アンモニウムと塩化アンモニウムの混合物が用いられる。
調製したチャージを反応器に装入し、反応器に窒素を4 MPaの圧力下で充て
んしてから、化学反応を開始する。
燃焼フロントがチャージ中に40%だけ伝搬した後に、すなわち燃焼の開始から
15分後に反応器を6Ω/分の流量の窒素によって吹き洗う。燃焼プロセスが終
了した後に、実施例1に述べた方法を実施する。
窒化ケイ素中のα相含量は94質量%であり、遊離ケイ素含量は0.1質量%で
ある。
実施例8
実施例7に述べた組成と同じ組成を有するチャージを調製し、反応器に装入する
。反応器に窒素を4 MPaの圧力下で充てんし、化学反応を開始する。燃焼フ
ロントがチャージ中に60%伝搬した後に、すなわち燃焼の開始か520分後に
、反応器を617分の流量の窒素で吹き洗うO燃焼プロセスの終了後に、実施例
1に述べた方法を実施する。
窒化ケイ素中のα相含量は94質量%であり、遊離ケイ素の含量は0,15質量
%である。
実施例9
金属ケイ素95質量%、非晶質ケイ素2.5質量%、ケイ素イミド2.5質量%
及びケイ素試薬量の30%量での添加剤からチャージを調製する。添加剤として
は、10:1に等しいの質量比でのフッ化アンモニウムと塩化アンモニウムの混
合物が用いられる。
調製したチャージを反応器に装入し、反応器に窒素を塩化水素10容量%との混
合物として、20MPaの圧力下で充てんし、実施例1に述べた方法に従ってプ
ロセスを実施する。
窒化ケイ素中のα相含量は93質量%であり、遊離ケイ素含量は0.07質量%
である。
実施例10
金属ケイ素70質量%、非晶質ケイ素30質量%及びケイ素試薬量の30%量の
添加剤からチャージを調製する。添加剤としては、1:1:1に等しい質量比で
のフッ化アンモニウムと塩化アンモニウムとヨウ化アンモニウムの混合物も用い
る。
調製したチャージを反応器に装入し、反応器に窒素を15MPaの圧力下で充て
んする。次に、実施例1に述べた方法に従って、プロセスを実施する。
窒化ケイ素中のα相含量は95質量%であり、遊離ケイ素含量は0.07質量%
である。
実施例11
金属ケイ素50質量%、非晶質ケイ素50質量%及びケイ素試薬量の5%量の2
0%量の添加剤からチャージを調製する。添加剤としては、1:1に等しい質量
比でのフッ化アンモニウムと塩化アンモニウムの混合物が用いられる。1:0.
1に等しいハロゲン化アンモニウム対フッ化マグネシウムの質量比でのフッ化マ
グネシウムも添加剤として用いられる。
得られたチャージを反応器に装入し、この反応器にアンモニアを8 MPaの圧
力下で充てんする。次に実施例1に述べた方法に従って、プロセスを実施する。
窒化ケイ素中のα相の含量は95質量%であり、遊離ケイ素の含量は0.06質
】%である。
実施例12
金属ケイ素60質量%、非晶質ケイ素40質量%及びケイ素試薬量の15%量の
添加剤から、チャージを調製する。添加剤としては、1:1に等しい質量比での
フッ化アンモニウムと塩化アンモニウムの混合物が用いられる。1:0,1に等
しいハロゲン化アンモニウム対フッ化マグネシウムの質量比でのフッ化マグネシ
ウムも添加剤として用いられる。
得られたチャージを反応器に装入し、この応器にアンモニアを8 MPaの圧力
下で充てんする。次に、実施例1に述べた方法に従って、プロセスを実施する。
窒化ケイ素中のα相含量は95質量%、遊離ケイ素含量は0.06質量%である
。
実施例13
金属ケイ素60質量%、非晶質ケイ素40質二%及びケイ素試薬量の15%量の
添加剤からチャージを調製する。添加剤としては、1:1に等しい質量比での塩
化アンモニウムとフッ化アンモニウムの混合物が用いられる。
調製されたチャージを反応器に装入し、反応器に窒素を水素5容量%とアルゴン
20容量%との混合物として、20MPa圧力下で充てんする。次に、実施例1
に述べた方法に従って、プロセスを実施する。
窒化ケイ素中のα相の含量は93質量%、aMケイ素の含量は0.15質量%で
ある。
実施例14
金属ケイ素70質量%、非晶質ケイ素30質量%及びケイ素試薬量の35%量の
添加剤からチャージを調製する。添加剤としては、1:0.1に等しい質量比で
のフッ化アンモニウムとフッ化カルシウムの混合物が用いられる。
得られたチャージを反応器に装入し、反応器に窒素を塩化物1容孟%との混合物
として15MPaの圧力下で充てんし、次に、実施例1に述べた方法に従ってプ
ロセスを実施する。
窒化ケイ素中のα相含量は95質量%であり、遊離ケイ素含量は0.06質量%
である。
実施例15
金属ケイ素80質量%と非晶質ケイ素20質量%から、ケイ素試薬量の35%量
の添加剤を用いてチャージを調製する。添加剤としては、1:1に等しい質量比
でのフッ化アンモニウムと塩化アンモニウムの混合物を用いる。
得られたチャージを反応器に装入し、反応器に液体窒素を充てんする。次にチャ
ージ層での化学反応を実施例1に述べた方法に従って、電気パルスによって開始
させる。反応の発熱効果によって生ずる高温のために30MPaまでの窒素圧が
装入孔内に発生し、反応はチャージ内に自動伝搬燃焼形式で伝搬する。
燃焼プロセスが終了した後に、反応生成物を取り出す。
窒化ケイ素中のα相含量は90質量%、ii!離ケイ素含量は0.1質量%であ
る。
実施例16
フッ化水素酸で処理した金属ケイ素80質量%、非晶質ケイ素20質量%及びケ
イ素試薬量の35%量の添加剤からチャージを調製する。添加剤としては、10
:1に等しい質量比での塩化アンモニウムとヨウ化アンモニウムの混合物が用い
られる。
得られたチャージを反応器に装入し、反応器に窒素を15MPaの圧力下で充て
んする。次に、実施例1に述べたようにプロセスを実施する。
窒化ケイ素中のα相含量は91質量%、遊離ケイ素含量は0.1質量%である。
実施例17
衝撃波効果によって処理した金属ケイ素80質量%、非晶質ケイ素20質二%及
びケイ素試薬量の35%量での添加剤からチャージを調製する。添加剤としては
、それぞれ10:1に等しい質量比でのフッ化アンモニウムとヨウ化アンモニウ
ムの混合物が用いられる。
得られたチャージを反応器に装入し、次に実施例1に述べたようにプロセスを実
施する。
窒化ケイ素中のα相含量は91質量%、遊離ケイ素含量は0.15質二%である
。
実施例18
超音波で処理した金属ケイ素80質徽%、非晶質ケイ素20質量%及びケイ素試
薬量の35%量の添加剤からチャージを調製する。添加剤としては塩化アンモニ
ウムが用いられる。
得られたチャージを反応器に装入し、この反応器に窒素を水素5容量%との混合
物として15MPaの圧力下で充てんする。次に、実施例1に述べたように、プ
ロセスを実施する。
窒化ケイ素中のα相含量は92質二%、遊離ケイ素含量は0.1質量%である。
実施例19
振動クラッシャー内で振動分散によって処理した金属ケイ素80質量%と非晶質
ケイ素20質量%から、ケイ素試薬量の35%量の添加剤を用いてチャージを調
製する。添加剤としてはフッ化アンモニウムが用いラレル。
得られたチャージを反応器に装入し、反応器に窒素をHCI 5容量%との混合
物として15MPaの圧力下で充てんする。次に、実施例1に述べたように、プ
ロセスを実施する。
窒化ケイ素中のα相含量は92質二%、遊離ケイ素含量は0.08質二%である
。
実施例20
金属ケイ素5質量%、非晶質ケイ素50質量%、ケイ素イミド45質量%及びケ
イ素試薬量の5%量でのフッ化アンモニウム添加剤からチャージを調製する。
得られたチャージを反応器に装入し、反応器に窒素を15MPaの圧力下で充て
んする。次に実施例1に述べたようにプロセスを実施する。
窒化ケイ素中のα相含量は95質二%、遊離ケイ素含量は0.05質量26であ
る。
産業上の利用可能性
α相含量の高い窒化ケイ素の本発明による製造方法は、構造用耐熱性セラミック
(例えばエンジン部品)、機器用セラミック、減摩材及び誘電特性を備え、高い
電気強度と安定性を有する特定材料を製造するための粉末冶金に有用であると考
えられる。
国際調査報告
Claims (13)
- 1.ケイ素試薬と添加剤とを含むチャージを高圧下で窒化媒質と接触させること を含む、自動伝搬型高温合成法による、α相含量の高いα相含量の高い窒化ケイ 素の製造方法において、 ケイ素試薬として金属ケイ素を用い、添加剤として少なくとも1種類のハロゲン 化アンモニウムをケイ素試薬量の1〜60%量で用い、自動伝搬型高温合成法を 4〜30MPaの圧力下で実施することを特徴とする方法。
- 2.チャージがケイ素試薬として金属ケイ素量の5〜95%量の非晶質ケイ素及 び/またはケイ素イミドをさらに含み、非晶質ケイ素とケイ素イミドとを用いる 場合にはこれらの成分の一方の量が他方の量に比べて等量から10倍多い量まで の範囲内であることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 3.チャージが添加剤として周期律第I族〜第III族の金属のハロゲン化物を ハロゲン化アンモニウム対ハロゲン化金属の1:0.01〜1に等しい質量比で さらに含むことを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 4.自動伝搬型高温合成法の過程においてケイ素試薬の40〜60%が消費され た後に、窒化媒質の流れの中でプロセスを実施することを特徴とする、請求項1 記載の方法。
- 5.窒化媒質としてアンモニウムを用いることを特徴とする、請求項1記載の方 法。
- 6.窒化媒質として窒素を用いることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 7.窒化媒質として窒素を、個別のまたは相互に組合せた、アンモニア、水素、 ハロゲン化物、ハロゲン化水素及びアルゴンの1〜30容量%との混合物として 用いることを特徴とする、請求項6記載の方法。
- 8.窒素を液体状態で用いることを特徴とする、請求項6記載の方法。
- 9.化学的または物理的効果によって予め活性化した金属ケイ素を用いることを 特徴とする、請求項1記載の方法。
- 10.金属ケイ素をフッ化水素酸によって予め処理することを特徴とする、請求 項9記載の方法。
- 11.金属ケイ素を超音波によって予め処理することを特徴とする、請求項9記 載の方法。
- 12.金属ケイ素を衝撃波効果に予めさらすことを特徴とする、請求項9記載の 方法。
- 13.金属ケイ素を振動分散によって予め処理することを特徴とする、請求項9 記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU4422423/26 | 1988-05-24 | ||
| SU884422423A SU1696385A1 (ru) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | Способ получени нитрида кремни |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03500640A true JPH03500640A (ja) | 1991-02-14 |
Family
ID=21373743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1506232A Pending JPH03500640A (ja) | 1988-05-24 | 1989-04-03 | α相含量の高い窒化ケイ素の製造方法 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5032370A (ja) |
| EP (1) | EP0377751A4 (ja) |
| JP (1) | JPH03500640A (ja) |
| CN (1) | CN1017609B (ja) |
| CS (1) | CS274772B2 (ja) |
| DD (1) | DD283792A5 (ja) |
| HU (1) | HU202451B (ja) |
| SU (1) | SU1696385A1 (ja) |
| WO (1) | WO1989011447A1 (ja) |
| YU (1) | YU46271B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017114727A (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | エルジー・ケム・リミテッド | α窒化ケイ素の製造方法 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2001877C1 (ru) * | 1992-01-30 | 1993-10-30 | Малое предпри тие "ДЖИПЛА ЛИМИТЕД" | Способ получени нитридов |
| JPH0733411A (ja) * | 1993-07-16 | 1995-02-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高α型窒化ケイ素粉末の製造方法 |
| ES2116154B1 (es) * | 1994-06-04 | 1999-04-01 | Shs Prometheus Espana A I E | Procedimiento de obtencion de fibras mono y policristalinas de nitruro de silicio mediante tecnologia de sintesis autopropagada a alta temperatura. |
| ES2188298B1 (es) * | 1999-06-15 | 2004-08-16 | Fundacion Inasmet | Procedimiento continuo de fabricacion de materiales en polvo por combustion y reactor para la puesta en practica del mismo. |
| EP1452578A1 (de) * | 2003-02-28 | 2004-09-01 | von Görtz & Finger Techn. Entwicklungs Ges.m.b.H. | Verfahren zur Reduzierung des Stickstoffgehaltes in Brenngasen |
| RU2257338C1 (ru) * | 2004-03-23 | 2005-07-27 | Томский научный центр СО РАН | Способ получения нитрида кремния |
| CN101229916B (zh) * | 2007-01-26 | 2011-01-12 | 中国科学院理化技术研究所 | 以聚四氟乙烯为添加剂燃烧合成氮化硅粉体的方法 |
| RU2461090C1 (ru) * | 2010-12-23 | 2012-09-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводниковой структуры |
| RU2550882C1 (ru) * | 2014-03-26 | 2015-05-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения Российской академии наук | Способ получения альфа-фазы нитрида кремния методом свс |
| CN104671795B (zh) * | 2015-02-05 | 2016-09-28 | 武汉科技大学 | 一种单相α-Si3N4超细粉体及其制备方法 |
| CN112028655A (zh) * | 2020-09-16 | 2020-12-04 | 江苏隆达超合金航材有限公司 | 一种高温合金钢锭模用模底砖的制备方法 |
| CN115072677A (zh) * | 2022-06-22 | 2022-09-20 | 大连理工大学 | 一种高质量氮化硅粉体合成方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3726643A (en) * | 1970-04-09 | 1973-04-10 | I Khim Fiz Akademii Nauk | Method of producing refractory carbides,borides,silicides,sulfides,and nitrides of metals of groups iv,v,and vi of the periodic system |
| GB1448915A (en) * | 1973-10-30 | 1976-09-08 | Ford Motor Co | Process for making silicon nitride articles |
| US4122220A (en) * | 1977-09-06 | 1978-10-24 | Rosenthal Aktiengesellschaft | Method for reducing the gas permeability of a sintered porous silicon nitride body |
| JPS57175711A (en) * | 1981-04-21 | 1982-10-28 | Asahi Glass Co Ltd | Synthesis of silicon nitride |
| JPS5884108A (ja) * | 1981-11-16 | 1983-05-20 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 高純度α型窒化珪素の製法 |
| US4579699A (en) * | 1983-09-29 | 1986-04-01 | The Boeing Company | Method for making α-Si3 N4 whiskers and articles therefrom |
| JPS63170202A (ja) * | 1987-01-07 | 1988-07-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | α型窒化けい素の製造方法 |
-
1988
- 1988-05-24 SU SU884422423A patent/SU1696385A1/ru active
-
1989
- 1989-04-03 WO PCT/SU1989/000086 patent/WO1989011447A1/ru not_active Ceased
- 1989-04-03 JP JP1506232A patent/JPH03500640A/ja active Pending
- 1989-04-03 EP EP19890906495 patent/EP0377751A4/de not_active Withdrawn
- 1989-04-03 HU HU893400A patent/HU202451B/hu not_active IP Right Cessation
- 1989-04-03 US US07/457,825 patent/US5032370A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-15 YU YU100089A patent/YU46271B/sh unknown
- 1989-05-22 CN CN89104609.7A patent/CN1017609B/zh not_active Expired
- 1989-05-23 DD DD89328830A patent/DD283792A5/de not_active IP Right Cessation
- 1989-05-24 CS CS312189A patent/CS274772B2/cs unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017114727A (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | エルジー・ケム・リミテッド | α窒化ケイ素の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| HUT52737A (en) | 1990-08-28 |
| YU46271B (sh) | 1993-05-28 |
| EP0377751A4 (en) | 1990-12-12 |
| CN1017609B (zh) | 1992-07-29 |
| YU100089A (en) | 1990-06-30 |
| DD283792A5 (de) | 1990-10-24 |
| CN1038250A (zh) | 1989-12-27 |
| CS312189A2 (en) | 1990-10-12 |
| WO1989011447A1 (en) | 1989-11-30 |
| HU202451B (en) | 1991-03-28 |
| SU1696385A1 (ru) | 1991-12-07 |
| EP0377751A1 (de) | 1990-07-18 |
| HU893400D0 (en) | 1990-07-28 |
| CS274772B2 (en) | 1991-10-15 |
| US5032370A (en) | 1991-07-16 |
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