JPS5856234A - 磁記記録媒体の製造法 - Google Patents
磁記記録媒体の製造法Info
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- JPS5856234A JPS5856234A JP15508381A JP15508381A JPS5856234A JP S5856234 A JPS5856234 A JP S5856234A JP 15508381 A JP15508381 A JP 15508381A JP 15508381 A JP15508381 A JP 15508381A JP S5856234 A JPS5856234 A JP S5856234A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- magnetic field
- vapor
- deposited
- metal
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は磁気記録媒体の製造法に関するものであり、
更に詳細には、特に真空蒸着法によって磁性層を蒸着さ
せ、磁気特性を著しく向上させた磁気記録媒体の製造法
に関するものである。
更に詳細には、特に真空蒸着法によって磁性層を蒸着さ
せ、磁気特性を著しく向上させた磁気記録媒体の製造法
に関するものである。
従来の真空蒸着法は、磁性体の結晶を斜めに成長させる
ために、斜方蒸着、すなわち磁性体蒸気を非磁性基材に
対して斜めになるように入射し蒸着させていた。しかし
、従来の真空蒸着法では、００などの磁性金属の蒸気に
含まれているその磁性体のうちの０．５チ程度しかその
非磁性基材の表面には蒸着されすその蒸着効率は惨めで
悪く、その分だけ磁気特性の向上が阻止されるという欠
点があった。
ために、斜方蒸着、すなわち磁性体蒸気を非磁性基材に
対して斜めになるように入射し蒸着させていた。しかし
、従来の真空蒸着法では、００などの磁性金属の蒸気に
含まれているその磁性体のうちの０．５チ程度しかその
非磁性基材の表面には蒸着されすその蒸着効率は惨めで
悪く、その分だけ磁気特性の向上が阻止されるという欠
点があった。
したかつて、この発明は、従来の真空蒸着法における諸
欠点を改善し、特に、磁気特性を向上させることかでき
る金属薄膜型の磁気Ｆ録媒体の製造法を提供するもので
ある。
欠点を改善し、特に、磁気特性を向上させることかでき
る金属薄膜型の磁気Ｆ録媒体の製造法を提供するもので
ある。
この発明に係る方法は、超伝導コイルによって非磁性基
材に平行に印加さねでいる磁場中において、磁性金属を
非磁性基材十に真空蒸着させることからなっている。
材に平行に印加さねでいる磁場中において、磁性金属を
非磁性基材十に真空蒸着させることからなっている。
この発明の方法において使用される蒸着法は通常の蒸着
方法であって、例スは垂直蒸着法、斜方蒸着法などを使
用することができる。才た、その蒸着の条件にしても常
法に従って適宜選択して設定すれはよい。使用できる磁
性金属さしても、金属薄膜型の蒸着磁気記録媒体に使用
されるものであれば何ら限定されるものではなく、その
いずれをも使用することができ、その例としては％ Ｆ
ｅ％Ｏｇ、Ｎｒ、などの金属あるいはに’ｅ−Ｃｏ合金
、ｉ；’ｅ−Ｎｉ合金、 Ｃ！ｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｃ
ｏ −Ｎ ｉ −Ｆｅ−Ｂ合金などの合金からなる強磁
性体などが挙けられる。これらの蒸着磁性金属は電熱線
、電子線などの加熱手段を用いて加熱蒸発されて非磁性
基材上に蒸着される。
方法であって、例スは垂直蒸着法、斜方蒸着法などを使
用することができる。才た、その蒸着の条件にしても常
法に従って適宜選択して設定すれはよい。使用できる磁
性金属さしても、金属薄膜型の蒸着磁気記録媒体に使用
されるものであれば何ら限定されるものではなく、その
いずれをも使用することができ、その例としては％ Ｆ
ｅ％Ｏｇ、Ｎｒ、などの金属あるいはに’ｅ−Ｃｏ合金
、ｉ；’ｅ−Ｎｉ合金、 Ｃ！ｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｃ
ｏ −Ｎ ｉ −Ｆｅ−Ｂ合金などの合金からなる強磁
性体などが挙けられる。これらの蒸着磁性金属は電熱線
、電子線などの加熱手段を用いて加熱蒸発されて非磁性
基材上に蒸着される。
また、使用できる非磁性基材としては、磁気ｎＰ録媒体
を製造するのに使用できるものであれば何れも使用する
ことか゛でき、例えば、ポリエチレンテレフタレートな
どのポリエステル類、ポリプロピレンなどのポリオレフ
ィン類、セルローストリアセテート、セルロースジアセ
テートなどのセルロース誘導体、ポリカーボネート類、
ポリ塩化ビニル類、ポリイミド類等の高分子物質などが
挙げられる。
を製造するのに使用できるものであれば何れも使用する
ことか゛でき、例えば、ポリエチレンテレフタレートな
どのポリエステル類、ポリプロピレンなどのポリオレフ
ィン類、セルローストリアセテート、セルロースジアセ
テートなどのセルロース誘導体、ポリカーボネート類、
ポリ塩化ビニル類、ポリイミド類等の高分子物質などが
挙げられる。
この発明においては、前述したような蒸着は、超伝導コ
イルによって非磁性基材に平行ｔこ印加されている強い
磁場中で行なわれる。かかる磁場を非磁性基材に印加さ
せるための超伝導コイルを設けた磁場発生装置の配置は
、その平行印加磁場中での磁性金属の與空蒸漸が阻けら
れないようにすれはよく何ら特定されるものではない。
イルによって非磁性基材に平行ｔこ印加されている強い
磁場中で行なわれる。かかる磁場を非磁性基材に印加さ
せるための超伝導コイルを設けた磁場発生装置の配置は
、その平行印加磁場中での磁性金属の與空蒸漸が阻けら
れないようにすれはよく何ら特定されるものではない。
例えは、超伝導コイルが磁性金属の蒸気発生源を包囲す
るように設けてもよいし、また２個の超伝導コイルを並
置させ、そのコイル間の平行磁場中ｌこおいて、非磁性
基材が通過できるようにすればよい。この場合の磁場の
強さは約０．８ Ｔ （テスラ）す、上であればよい。
るように設けてもよいし、また２個の超伝導コイルを並
置させ、そのコイル間の平行磁場中ｌこおいて、非磁性
基材が通過できるようにすればよい。この場合の磁場の
強さは約０．８ Ｔ （テスラ）す、上であればよい。
使用される超伝導コイルは、例えけＮ１）−Ｔｉマルチ
フィラメントなどからなる超伝導線を用いて構成するこ
きができ、そして、１つのコイルの中心部での磁場の強
さは最高的８Ｔになるように構成するのがよい。また、
超伝導コイルは通常は２個使用するのか都合がよいが、
１個でもよくまた２個以上でもよい。更に、印加する平
行磁場の強さは超伝導コイル中の電流の強さを変えるこ
さによって調節できるが、超伝導コイルを２個以上使用
する場合にはそのコイル間の距離を変えることによって
も調節することかできる。
フィラメントなどからなる超伝導線を用いて構成するこ
きができ、そして、１つのコイルの中心部での磁場の強
さは最高的８Ｔになるように構成するのがよい。また、
超伝導コイルは通常は２個使用するのか都合がよいが、
１個でもよくまた２個以上でもよい。更に、印加する平
行磁場の強さは超伝導コイル中の電流の強さを変えるこ
さによって調節できるが、超伝導コイルを２個以上使用
する場合にはそのコイル間の距離を変えることによって
も調節することかできる。
この発明に係る方法の具体例を図面を参照して説明する
。
。
第１図によれは、所定の真空度、例えば約１×１０−”
Ｌ’ｏｒｒ以下？こした真空＠（ＩＩに、磁性金属を蒸
着させるための非磁性基材（２）が、ロール（３）から
案内ローラｆ４１ （５１を介して巻取りローラ（６）
に巻取るように配置されている。この真空槽の下部には
、蒸着させる磁性金属（７）を入れたルツボ（８）を設
け、電熱線、電子線などの加熱手段によってその磁性金
属を蒸気にし、ている。このようにして蒸気にされた磁
性金属が非磁性基材に蒸着される。この装置では、磁性
金属蒸気が非磁性基材に蒸着される領域に磁場を印加す
るために、２個の超伝導コイル（１０）が用いられてい
て、この２個の超伝導コイルの間の間隔を適当に調整し
て、この間隔の中心部の磁場が所望の強さになるように
配置されている。なお、磁場の強さは、使用している超
伝導コイル中に流す電流を上けても、また、コイルの間
隔を調節することによって調整す乙ことができる。
Ｌ’ｏｒｒ以下？こした真空＠（ＩＩに、磁性金属を蒸
着させるための非磁性基材（２）が、ロール（３）から
案内ローラｆ４１ （５１を介して巻取りローラ（６）
に巻取るように配置されている。この真空槽の下部には
、蒸着させる磁性金属（７）を入れたルツボ（８）を設
け、電熱線、電子線などの加熱手段によってその磁性金
属を蒸気にし、ている。このようにして蒸気にされた磁
性金属が非磁性基材に蒸着される。この装置では、磁性
金属蒸気が非磁性基材に蒸着される領域に磁場を印加す
るために、２個の超伝導コイル（１０）が用いられてい
て、この２個の超伝導コイルの間の間隔を適当に調整し
て、この間隔の中心部の磁場が所望の強さになるように
配置されている。なお、磁場の強さは、使用している超
伝導コイル中に流す電流を上けても、また、コイルの間
隔を調節することによって調整す乙ことができる。
第２図には、本発明において使用できる超伝導コイルを
用いた磁場発生装置（２０）の１例か示されていて、こ
の装置は、その中央部に非磁性基材（２）が通過できる
ようにスリット０υが設けられている。
用いた磁場発生装置（２０）の１例か示されていて、こ
の装置は、その中央部に非磁性基材（２）が通過できる
ようにスリット０υが設けられている。
このスリットの外周面およびこの装置の外周面には、断
熱層として真空／１（１２１が設けられていて、この真
空層の内部には熱伝導の極めて小さな物質、例えばマイ
カに金属を蒸着させた超絶縁層（１３）が配置されてい
る。この超絶縁層内側に、超伝導コイルが配設されてい
て、このスリットの内部空隙を均一な磁場が通過する非
磁性基材に対して平行に印加されるように構成されてい
る。゛この場合使用さねている超伝導コイルは電気抵抗
が実雀的に零であるＮｂ−Ｔｉマルチフィラメントの超
伝勇弧によって形成されていて、例えば４．２にの液体
ヘリウム層（１４）に浸して配置されている。
熱層として真空／１（１２１が設けられていて、この真
空層の内部には熱伝導の極めて小さな物質、例えばマイ
カに金属を蒸着させた超絶縁層（１３）が配置されてい
る。この超絶縁層内側に、超伝導コイルが配設されてい
て、このスリットの内部空隙を均一な磁場が通過する非
磁性基材に対して平行に印加されるように構成されてい
る。゛この場合使用さねている超伝導コイルは電気抵抗
が実雀的に零であるＮｂ−Ｔｉマルチフィラメントの超
伝勇弧によって形成されていて、例えば４．２にの液体
ヘリウム層（１４）に浸して配置されている。
なお、この方法を斜方蒸着に適用する場合には、例えば
、真空槽に設けたクーリングキャン上を通過する非磁性
基材に磁性金蔵の蒸気を蒸着させる領域においてその非
磁性基材に実僧的に平行な磁場か印加されるように構成
すればよい。従って、この場合には、クーリングキャン
の内部にも超伝導コイルを設けた磁場発生装置を配設し
て非磁性基材に半行な磁場を印加できるようになってい
る。
、真空槽に設けたクーリングキャン上を通過する非磁性
基材に磁性金蔵の蒸気を蒸着させる領域においてその非
磁性基材に実僧的に平行な磁場か印加されるように構成
すればよい。従って、この場合には、クーリングキャン
の内部にも超伝導コイルを設けた磁場発生装置を配設し
て非磁性基材に半行な磁場を印加できるようになってい
る。
この発明によって得られる・最大の効果は、斜方向に磁
性金属の蒸気を蒸着させた半金は当然のことながら、垂
直方向に蒸着させた場合にも高い抗磁力（１４ｃ）が得
られることである。同時に、蒸着効率を従来の斜方蒸着
に比べてほぼ５０倍以上に増大させることができ、生産
性の向上にさって顕著な利点が認められる。このように
高い抗磁力が得ら１１だのは、超伝導コイルを使用する
こきによって、従来得られていた磁場のほぼ１０倍以上
の磁場が印加できるようになったからさ考えらねる。
性金属の蒸気を蒸着させた半金は当然のことながら、垂
直方向に蒸着させた場合にも高い抗磁力（１４ｃ）が得
られることである。同時に、蒸着効率を従来の斜方蒸着
に比べてほぼ５０倍以上に増大させることができ、生産
性の向上にさって顕著な利点が認められる。このように
高い抗磁力が得ら１１だのは、超伝導コイルを使用する
こきによって、従来得られていた磁場のほぼ１０倍以上
の磁場が印加できるようになったからさ考えらねる。
以下、この発明を実施例によって説明する。
実施例
第１図に示したような装置をＩ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒ
以下の真空度にして用いて、ＣＯ単体の蒸気をベースフ
ィルムに蒸着層の厚みが約１００ＯＡになるように蒸着
させた。この場合のベースフィルムの送り速度は１０ｍ
／分になるように調節した。また、２個ノ超伝導コイル
を用いてベースフィルムにＣｏ 蒸気が蒸着する領域に
ベースフィルムに平行に磁場が印加されるようにした。
以下の真空度にして用いて、ＣＯ単体の蒸気をベースフ
ィルムに蒸着層の厚みが約１００ＯＡになるように蒸着
させた。この場合のベースフィルムの送り速度は１０ｍ
／分になるように調節した。また、２個ノ超伝導コイル
を用いてベースフィルムにＣｏ 蒸気が蒸着する領域に
ベースフィルムに平行に磁場が印加されるようにした。
その結果を第６図に示す。
なお、２’ｌｌ”７での磁場の５虫さはコイルの電流を
土けるこきによって、また２Ｔから５Ｔまではコイルの
間隔を狭めることによってＨ周節した。
土けるこきによって、また２Ｔから５Ｔまではコイルの
間隔を狭めることによってＨ周節した。
また、ベースの送り速度を６０ｍ／分並ひに５０ｍ／分
にしたが、得られた結果は第６図に示すカーブ々はぼ同
じであった。
にしたが、得られた結果は第６図に示すカーブ々はぼ同
じであった。
更に、蒸発したＣｏのＭ量と、テープ藺止に蒸着された
ＣＯの卸業とから計嘗したところ、蒸着効率は２８％で
あった。
ＣＯの卸業とから計嘗したところ、蒸着効率は２８％で
あった。
第１図はこの発明を実施するために使用できる装置の１
例を示す断面図、第２１ン１は舶１図の装置に使用され
た超伝導コイルの磁場発生装置の１例を示す断面図、第
６図は実施例でイ４ノら４９だテープの抗磁力（Ｈｅ）
を示すグラフである。 なおし１面に用いられた符号において、（２）・・・・
・・・・・・・・・・・非磁性泰材（７）・・・・・・
・・・・・・・・・磁性金属００）・・・・・・・・・
・・・・・・超伝導コイル（２０）・・・・・・・・・
・・・・・・磁場発生装置である。 代 理 人 土 圧 勝 〃 松材 １ｉ 一 法 １ 法
例を示す断面図、第２１ン１は舶１図の装置に使用され
た超伝導コイルの磁場発生装置の１例を示す断面図、第
６図は実施例でイ４ノら４９だテープの抗磁力（Ｈｅ）
を示すグラフである。 なおし１面に用いられた符号において、（２）・・・・
・・・・・・・・・・・非磁性泰材（７）・・・・・・
・・・・・・・・・磁性金属００）・・・・・・・・・
・・・・・・超伝導コイル（２０）・・・・・・・・・
・・・・・・磁場発生装置である。 代 理 人 土 圧 勝 〃 松材 １ｉ 一 法 １ 法
Claims (1)
- 超伝導コイルによって発生させた磁場を非磁性基材に平
行に印加しそしてその磁場中において磁性金属をその非
磁性基材に真空蒸着させることを特徴とする磁気記録媒
体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15508381A JPS5856234A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 磁記記録媒体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15508381A JPS5856234A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 磁記記録媒体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856234A true JPS5856234A (ja) | 1983-04-02 |
Family
ID=15598279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15508381A Pending JPS5856234A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 磁記記録媒体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856234A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6074121A (ja) * | 1983-09-29 | 1985-04-26 | Toshiba Corp | 高密度磁気記録媒体の製造装置 |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP15508381A patent/JPS5856234A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6074121A (ja) * | 1983-09-29 | 1985-04-26 | Toshiba Corp | 高密度磁気記録媒体の製造装置 |
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