JPH0352252A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0352252A JPH0352252A JP1187723A JP18772389A JPH0352252A JP H0352252 A JPH0352252 A JP H0352252A JP 1187723 A JP1187723 A JP 1187723A JP 18772389 A JP18772389 A JP 18772389A JP H0352252 A JPH0352252 A JP H0352252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor chip
- adhesive
- chip
- etching solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
搬送皿に塗布した紫外＆ｊｌ硬化貼着剤の上に半導体チ
ップを載置し、これを真空コレットにより持ち上げる工
程を含む半導体装置の製造方法に関し、半導体チップを
真空コレットによって持ち上げる際に、半導体チップの
上を清浄な状態に保持することを目的としミ 基台上の紫外線硬化貼着剤に半導体基板を貼着する工程
と、該工程により載置された上記半導体基板に切込みを
入れて分割し、複数の半導体チップを形成する工程と、
該工程によって形成された切込みを通してエッチング液
を供給することにより、上記チップ底縁の紫外線硬化粘
着剤をエッチングして、上記半導体チップの底縁に形成
された半導体片をエッチング液とともに排出する工程と
、次いで、上記紫外ｔ１９！硬化貼着剤を紫外光により
硬化して貼着性を低下し、上記半導体チップを搬送する
工程とを含み構戒する． 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは
、搬送皿に塗布した紫外線硬化貼着剤の上に半導体チッ
プを載置し、これを真空コレットにより持ち上げる工程
を含む半導体装置の製造方法に関する． 〔従来の技術〕 半導体装置の製造工程においては、第３図に示すように
、トランジスタや抵抗等の素子を作威した半導体基板３
０をスクライプラインに沿って分割し、複数の半導体チ
シプ３ｌを形成した後に、半導体チップ３１を真空コレ
ット３２によって持ち上げ、これを図示しないリードフ
レームに載置することが行われている． この工程においては、分割された半導体チップ３ｌが自
由に移動するのを防止するために、同図（ａ）に例示す
るように、紫外線によって硬化する性質をもった貼着剤
３３を搬送皿３７中夫の透明な基台３４上に塗布し、こ
の上に半導体基板３０を載置し、この後に半導体基板３
０を分割するようにしている（第３図（ｂ））． そして、分割された半導体チップ３ｌを取り上げる場合
には、透明な基台３４の下から紫外光を照射して粘着剤
３３の粘着性をなくし、半導体チップ３１を支持針３５
によって持ち上げてから真空コレ７ト３２により吸引す
るようにしている．〔発明が解決しようとする課題〕 ところで、半導体基板３０を分割すると、第３図（ｃ）
の部分拡大図に示すように、半導体チップ３１の底緑部
にマイクロクランクが入って半導体片３６が形成される
ことがある． このような状態で、第３図（ｄ）に示すように、真空コ
レット３２を半導体チップ３ｌに近づけると、半導体片
３６が真空コレット３２に向けて舞い上がる一方、真空
コレット３２を半導体チップ３１に密着させた状態では
真空コレット３２内に気流が殆どなくなるために半導体
片３６が半導体チップ３１に落下することになる（第３
図（ｅ））．このため、半導体チップ３１表面の配線パ
ターンが半導体片３６によって短絡してしまい、半導体
装置の破損や誤動作の原因になるといった問題がある． 本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであっ
て、半導体チップを真空コレットによって持ち上げる際
に、半導体チップの上を清浄な状態に保持することがで
きる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする
． 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、基台１０上の紫外線硬化貼着剤３に半導体基
板２．を貼着する工程と、核工程により載置された上記
半導体基［２に切込み７を入れて分割し、複数の半導体
チシプ５を形成する工程と、咳工程によって形成された
切込み７を通してエッチング液を供給することにより、
上記チップ５の底縁の紫外線硬化粘着剤３をエッチング
して、上記半導体チップ５の底縁に形成された半導体片
６をエッチング液とともに搬出する工程と、次いで、上
記紫外線硬化貼着剤３を紫外光により硬化して貼着性を
低下させ、上記半導体チップ５を搬送する工程とを有す
る半導体装置の製造方法によって解決する． 〔作 用〕 本発明によれば、半導体基板２に形成した切込み７を通
して紫外線硬化貼着剤３にエッチング液を供給するよう
にしている． このため、切込み７から露出した紫外線硬化貼着剤３は
、半導体チップ５をマスクとしてエッチングされること
になる．この場合のエッチングは半導体チップ５の底緑
下部まで行い、半導体チップ５の底縁に形成された半導
体片６をエッチング液とともに外部に放出させる． この後で、粘着剤３を紫外光によって硬化させてその粘
着性をとり、真空吸引器等によって半導体チップ５を持
ち上げると、基台１０の上から半導体片６が除去されて
いるために、真空吸引器が半導体片６を吸引することは
なく、半導体チップ５が半導体片６によって汚染するこ
とが防止される． 〔実施例〕 そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る． 第１．２図は、本発明の一実施例を断面で示す工程図で
あって、図中符号１は、半導体基板２を載置搬送する搬
送皿で、この搬送皿１は、半導体基板２より大きな開口
部１ａを中央に有し、また、その開口部１ａにはポリオ
レフィンのように紫外線透過性を有する材料により形成
された基台１０が張り渡されている． また、基台１０の上には紫外線硬化性の貼着剤３が塗布
されていて、この上に乗せた半導体基仮２を貼着・固定
する一方、貼着剤３に紫外線を照射することにより粘着
性を喪失させて、半導体基仮２の剥離が容易となるよう
に構威されている．紫外線硬化性貼着剤３としては、紫
外線硬化型アクリル系樹脂、例えば、ブレポリマーとし
てエポキシアクリレート、モノマーとして２エチルへキ
シルアルキレート、光開始剤としてベンジル、増感剤と
してジーｎ−プチルアミン等を混合したものを用いる． 以上のような材料を使用し、第１図（ａ） ， （ｂ）
に示すように、搬送皿１の基台１０表面の粘着剤３に半
導体基板２を貼り付け、所定の位置まで搬送皿１を移動
させる．そして、半導体基板２をダイサ４によって切断
し、多数の半導体チップ５を形成する（第１図（ｃ））
． この場合、第２図（ａ）に示すように、半導体チップ５
の底縁においては、切断の際の応力によるひびが入って
いて、その一部は半導体片６となって半導体チップ５か
ら容易に離膜する状態となっている． そこで、第１図（ｄ）に示すように、半導体チップ５の
上方からアセトン等のエッチング液を供給すると、エッ
チング液は切込み７から入り込み、半導体チップ５をマ
スクにして貼着剤３をエッチングする．この場合、第２
図（ｃ）に示すように、半導体チップ５の底縁まで達す
るようにオーバエッチングを行うと、半導体片６は、拘
束を解かれてエッチング液とともに外方に放出されるこ
とになる． 次に、第１図（ｅ）に示すように、基台１０の上に残っ
たエッチング液を洗い落とした後、基台ＩＯの下方から
紫外光を照射すると、貼着剤３は硬化して粘着性を失う
ことになり、半導体チップ５の離脱が容易になる． この状態で、第１図＜ｆ＞ に示すように、支持針９を
基台１０の下方から突き刺して半導体チップ５を持ち上
げた後、真空コレット８を用いて半導体チップ５をリー
ドフレーム（図示せず）に搬送することになる．この場
合、第２図（ｃ）に示すように、真空コレット８を降下
する過程において、半導体チップ５の周辺には上昇気流
が発生するが、既に半導体片６が基台ｌＯから除去され
ているために、半導体片６が半導体チップ５に載ること
がなくなる． 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、半導体ウエハに形成
した切込みを通して紫外線硬化貼着剤にエッチング液を
供給するようにしているので、切込みから露出した紫外
線硬化貼着剤は、半導体チップをマスクとしてエッチン
グされることになり、エッチングを半導体チップの底縁
下部まで行うと、半導体チップの底縁に形成された半導
体片をエッチング液とともに外部に放出することができ
る．従って、基台から半導体片が除去されることになり
、真空コレットが半導体片を吸い上げることがなくなり
、半導体チップに形成された半導体装置が半導体片によ
って汚染するのを防止できる．
ップを載置し、これを真空コレットにより持ち上げる工
程を含む半導体装置の製造方法に関し、半導体チップを
真空コレットによって持ち上げる際に、半導体チップの
上を清浄な状態に保持することを目的としミ 基台上の紫外線硬化貼着剤に半導体基板を貼着する工程
と、該工程により載置された上記半導体基板に切込みを
入れて分割し、複数の半導体チップを形成する工程と、
該工程によって形成された切込みを通してエッチング液
を供給することにより、上記チップ底縁の紫外線硬化粘
着剤をエッチングして、上記半導体チップの底縁に形成
された半導体片をエッチング液とともに排出する工程と
、次いで、上記紫外ｔ１９！硬化貼着剤を紫外光により
硬化して貼着性を低下し、上記半導体チップを搬送する
工程とを含み構戒する． 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは
、搬送皿に塗布した紫外線硬化貼着剤の上に半導体チッ
プを載置し、これを真空コレットにより持ち上げる工程
を含む半導体装置の製造方法に関する． 〔従来の技術〕 半導体装置の製造工程においては、第３図に示すように
、トランジスタや抵抗等の素子を作威した半導体基板３
０をスクライプラインに沿って分割し、複数の半導体チ
シプ３ｌを形成した後に、半導体チップ３１を真空コレ
ット３２によって持ち上げ、これを図示しないリードフ
レームに載置することが行われている． この工程においては、分割された半導体チップ３ｌが自
由に移動するのを防止するために、同図（ａ）に例示す
るように、紫外線によって硬化する性質をもった貼着剤
３３を搬送皿３７中夫の透明な基台３４上に塗布し、こ
の上に半導体基板３０を載置し、この後に半導体基板３
０を分割するようにしている（第３図（ｂ））． そして、分割された半導体チップ３ｌを取り上げる場合
には、透明な基台３４の下から紫外光を照射して粘着剤
３３の粘着性をなくし、半導体チップ３１を支持針３５
によって持ち上げてから真空コレ７ト３２により吸引す
るようにしている．〔発明が解決しようとする課題〕 ところで、半導体基板３０を分割すると、第３図（ｃ）
の部分拡大図に示すように、半導体チップ３１の底緑部
にマイクロクランクが入って半導体片３６が形成される
ことがある． このような状態で、第３図（ｄ）に示すように、真空コ
レット３２を半導体チップ３ｌに近づけると、半導体片
３６が真空コレット３２に向けて舞い上がる一方、真空
コレット３２を半導体チップ３１に密着させた状態では
真空コレット３２内に気流が殆どなくなるために半導体
片３６が半導体チップ３１に落下することになる（第３
図（ｅ））．このため、半導体チップ３１表面の配線パ
ターンが半導体片３６によって短絡してしまい、半導体
装置の破損や誤動作の原因になるといった問題がある． 本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであっ
て、半導体チップを真空コレットによって持ち上げる際
に、半導体チップの上を清浄な状態に保持することがで
きる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする
． 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、基台１０上の紫外線硬化貼着剤３に半導体基
板２．を貼着する工程と、核工程により載置された上記
半導体基［２に切込み７を入れて分割し、複数の半導体
チシプ５を形成する工程と、咳工程によって形成された
切込み７を通してエッチング液を供給することにより、
上記チップ５の底縁の紫外線硬化粘着剤３をエッチング
して、上記半導体チップ５の底縁に形成された半導体片
６をエッチング液とともに搬出する工程と、次いで、上
記紫外線硬化貼着剤３を紫外光により硬化して貼着性を
低下させ、上記半導体チップ５を搬送する工程とを有す
る半導体装置の製造方法によって解決する． 〔作 用〕 本発明によれば、半導体基板２に形成した切込み７を通
して紫外線硬化貼着剤３にエッチング液を供給するよう
にしている． このため、切込み７から露出した紫外線硬化貼着剤３は
、半導体チップ５をマスクとしてエッチングされること
になる．この場合のエッチングは半導体チップ５の底緑
下部まで行い、半導体チップ５の底縁に形成された半導
体片６をエッチング液とともに外部に放出させる． この後で、粘着剤３を紫外光によって硬化させてその粘
着性をとり、真空吸引器等によって半導体チップ５を持
ち上げると、基台１０の上から半導体片６が除去されて
いるために、真空吸引器が半導体片６を吸引することは
なく、半導体チップ５が半導体片６によって汚染するこ
とが防止される． 〔実施例〕 そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る． 第１．２図は、本発明の一実施例を断面で示す工程図で
あって、図中符号１は、半導体基板２を載置搬送する搬
送皿で、この搬送皿１は、半導体基板２より大きな開口
部１ａを中央に有し、また、その開口部１ａにはポリオ
レフィンのように紫外線透過性を有する材料により形成
された基台１０が張り渡されている． また、基台１０の上には紫外線硬化性の貼着剤３が塗布
されていて、この上に乗せた半導体基仮２を貼着・固定
する一方、貼着剤３に紫外線を照射することにより粘着
性を喪失させて、半導体基仮２の剥離が容易となるよう
に構威されている．紫外線硬化性貼着剤３としては、紫
外線硬化型アクリル系樹脂、例えば、ブレポリマーとし
てエポキシアクリレート、モノマーとして２エチルへキ
シルアルキレート、光開始剤としてベンジル、増感剤と
してジーｎ−プチルアミン等を混合したものを用いる． 以上のような材料を使用し、第１図（ａ） ， （ｂ）
に示すように、搬送皿１の基台１０表面の粘着剤３に半
導体基板２を貼り付け、所定の位置まで搬送皿１を移動
させる．そして、半導体基板２をダイサ４によって切断
し、多数の半導体チップ５を形成する（第１図（ｃ））
． この場合、第２図（ａ）に示すように、半導体チップ５
の底縁においては、切断の際の応力によるひびが入って
いて、その一部は半導体片６となって半導体チップ５か
ら容易に離膜する状態となっている． そこで、第１図（ｄ）に示すように、半導体チップ５の
上方からアセトン等のエッチング液を供給すると、エッ
チング液は切込み７から入り込み、半導体チップ５をマ
スクにして貼着剤３をエッチングする．この場合、第２
図（ｃ）に示すように、半導体チップ５の底縁まで達す
るようにオーバエッチングを行うと、半導体片６は、拘
束を解かれてエッチング液とともに外方に放出されるこ
とになる． 次に、第１図（ｅ）に示すように、基台１０の上に残っ
たエッチング液を洗い落とした後、基台ＩＯの下方から
紫外光を照射すると、貼着剤３は硬化して粘着性を失う
ことになり、半導体チップ５の離脱が容易になる． この状態で、第１図＜ｆ＞ に示すように、支持針９を
基台１０の下方から突き刺して半導体チップ５を持ち上
げた後、真空コレット８を用いて半導体チップ５をリー
ドフレーム（図示せず）に搬送することになる．この場
合、第２図（ｃ）に示すように、真空コレット８を降下
する過程において、半導体チップ５の周辺には上昇気流
が発生するが、既に半導体片６が基台ｌＯから除去され
ているために、半導体片６が半導体チップ５に載ること
がなくなる． 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、半導体ウエハに形成
した切込みを通して紫外線硬化貼着剤にエッチング液を
供給するようにしているので、切込みから露出した紫外
線硬化貼着剤は、半導体チップをマスクとしてエッチン
グされることになり、エッチングを半導体チップの底縁
下部まで行うと、半導体チップの底縁に形成された半導
体片をエッチング液とともに外部に放出することができ
る．従って、基台から半導体片が除去されることになり
、真空コレットが半導体片を吸い上げることがなくなり
、半導体チップに形成された半導体装置が半導体片によ
って汚染するのを防止できる．
第１図は、本発明の一実施例を断面でしめず工程図、
第２図は、本発明の一実施例の要部を示す断面図、
第３図は、従来方法を断面で示す工程図である．（符号
の説明） １・・・搬送皿、 ２・・・半導体基板、 ３・・・貼着剤、 ｌ ４・・・ダイサ、 ５・・・半導体チップ、 ６・・・半導体片、 ７・・・切込み、 ８・・・真空コレット、 ９・・・支持針、 Ｏ・・・基台． 出 願 人 富士通株式会社
の説明） １・・・搬送皿、 ２・・・半導体基板、 ３・・・貼着剤、 ｌ ４・・・ダイサ、 ５・・・半導体チップ、 ６・・・半導体片、 ７・・・切込み、 ８・・・真空コレット、 ９・・・支持針、 Ｏ・・・基台． 出 願 人 富士通株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基台上の紫外線硬化貼着剤に半導体基板を貼着する工程
と、 該工程により載置された上記半導体基板に切込みを入れ
て分割し、複数の半導体チップを形成する工程と、 該工程によって形成された切込みを通してエッチング液
を供給することにより、上記チップ底縁の紫外線硬化粘
着剤をエッチングして、上記半導体チップの底縁に形成
された半導体片をエッチング液とともに排出する工程と
、 次いで、上記紫外線硬化貼着剤を紫外光により硬化して
貼着性を低下し、上記半導体チップを搬送する工程とを
有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1187723A JPH0352252A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1187723A JPH0352252A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0352252A true JPH0352252A (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=16211051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1187723A Pending JPH0352252A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0352252A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269601A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP1187723A patent/JPH0352252A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269601A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7465142B2 (en) | Method and apparatus for picking up a semiconductor chip, method and apparatus for removing a semiconductor chip from a dicing tape, and a method of forming a perforated dicing tape | |
| TW569355B (en) | Ablation means for adhesive tape, ablation device for adhesive tape, ablation method for adhesive tape, pick-up device for semiconductor chip, pick-up method for semiconductor chips, manufacturing method and device for semiconductor device | |
| US6759273B2 (en) | Method and device for protecting micro electromechanical systems structures during dicing of a wafer | |
| CN1054437C (zh) | 微机械器件的制造方法 | |
| JP3865184B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3553551B2 (ja) | 半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法 | |
| KR20030095351A (ko) | 미소 반도체 소자의 제조 방법 | |
| JP2002280330A (ja) | チップ状部品のピックアップ方法 | |
| JP2001093864A (ja) | 半導体ウェーハ固定治具及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2003338474A (ja) | 脆質部材の加工方法 | |
| JPH09330940A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002141392A (ja) | 半導体チップのピックアップ方法及び装置、並びに該装置を有するダイボンド装置 | |
| KR100816641B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 가공방법 및 이것에 사용되는 지지기판 | |
| JPH04356942A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| CN103871863A (zh) | 半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 | |
| JPH0352252A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7262114B2 (en) | Die attaching method of semiconductor chip using warpage prevention material | |
| JPH03239346A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04249343A (ja) | 基板分断方法 | |
| JP2638155B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| US20030201549A1 (en) | Pickup apparatus, pickup method and method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH05286568A (ja) | ウエハ吸着装置とこれを用いた半導体装置製造方法 | |
| JPH0621219A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2680104B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04336448A (ja) | 半導体装置の製造方法 |