JPH0352675A - 帯電防止膜 - Google Patents
帯電防止膜Info
- Publication number
- JPH0352675A JPH0352675A JP18605689A JP18605689A JPH0352675A JP H0352675 A JPH0352675 A JP H0352675A JP 18605689 A JP18605689 A JP 18605689A JP 18605689 A JP18605689 A JP 18605689A JP H0352675 A JPH0352675 A JP H0352675A
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- Japan
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ブラウン管パネル等の基体表面に塗布される
帯電防止膜に関するちのである．［従来の技術］ ブラウン管は高電圧で作動させる為起動時、或いは終了
時に該表面に静電気が誘起される．この静電気により該
表面にほこりが付着しコントラスト低下を引き起こした
り、或いは直接触れた際軽い電気ショックによる不快感
を生ずることが多い． 従来、上述の事柄を防止する為にブラウン管パネル表面
に帯電防止膜を付与する試みはかなり成されてきた．例
えば特開昭６３−７６２４７号記載の通り、ブラウン管
パネル表面を３５０℃程度に加熱しＣｖＤ法により酸化
スズ及び酸化インジウム等の導電性酸化物層を設ける方
法が採用されていた．しかしながら、この方法において
は装置コストがかかることに加え、ブラウン管を高温加
熱するため、ブラウン管内の蛍光体の脱落を生じたり，
寸法精度が低下する等の問題があった． また導電膜に用いる材料としては酸化スズが最も一般的
であるが、この場合低温処理では高性能膜が得にくい欠
点があった． ［発明の解決しようとする課題］ 本発明は従来技術が有していた前述の欠点を解消しよう
とするちのであり、低温熱処理が可能な高特性帯電防止
膜を新規に提供することを目的とするものである． ［課題を解決するための手段］ すなわち本発明は、前述の問題点を解決すべくなされた
ものであり、２ｎ塩にアンモニア、尿素、アミン化合物
、アミド化合物の少くとも１種を添加した溶液の反応に
より生成されたＺｎＯゾルを含む溶液を基体上に塗布し
た後加熱することを特徴とする帯電防止膜を提供するも
のである． 本発明に於いては導電性酸化物としてＺｎＯ、或いはＡ
Ｌ ＩｎをドープしたＺｎＯを用いる． Ｚｎ０はあら
かじめｐＨを調整された溶液中にＺｎ塩及び尿素等沈澱
剤を溶解させ加熱することによって得られる．溶媒とし
ては特に限定されないが、水、アルコール、エステル、
エーテル，或いはブロビレンカーポネート、γ−プチロ
ラクトン等有機高誘電率有機溶媒が使用可能である．こ
れらは単独あるいは混合系いずれも使用できる．又、出
発物質の溶媒中での安定性も考慮すると、溶媒としては
水、アルコール、アルコールの中ではメタノール、エタ
ノール、プロバノール、ブタノール等が好ましい．また
多価アルコール、例えばグリセリン、エチレングリコー
ル等も好ましく使用可能である． また溶媒はあらかじめ塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、過塩素
酸等を添加してｐＨを０．１〜６の範囲好ましくは０．
５〜４の範囲に調整することが必要である． ２ｎ塩としては特に限定されないが塩化物等ハロゲン化
物、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩、過塩素酸塩が用いられる
． またこの際Ａｌ， Ｉｎの上記と同様な塩をＺｎＯに対
してＡＩ， Ｉｎ換算でＯ．１〜３０モル％の範囲で添
加することも可能である． 沈澱剤としてはアンモニア、尿素、アミン化合物、アミ
ド化合物が使用可能であり、一例としては、アミン化合
物としてはへキサメチレンジアミン、ヘキサメチレンテ
トラミンが，アミド化合物としてはアセトアミド等が挙
げられる． Ｚｎ塩、沈澱剤の溶解量は得られた反応液
の使用状況により異なるが通常は０．ＯＩＭ〜３Ｍの範
囲が好ましい． 加熱温度は溶媒の沸点以下の温度、即ち水の場合１００
℃以下まで加魅することら可能であり、また加熱時間は
温度により異なるが１０分〜６時間で例えば９０℃の場
合約３０分で反応は概ね終了、ＺｎＯゾルが生成する． 本発明においては、Ｚｎ塩、沈澱剤の種類、濃度、溶媒
種類及び初期のｐＨ、更に加熱温度、時間を最適化する
ことによって所望の粒径及び粒径分布をもったＺｎＯゾ
ルを含む溶液を製造し得る。また本発明において反応が
終了した溶液はそのまま基体上への塗布液として供し得
るが生成したＺｎＯ粉を採取し、他の物質と混合する際
或いは出発物質の溶解度が低く溶液中に残存する場合は
反応液を濾過し、得られたＺｎＯ粉を適当な溶媒中でボ
ールミル、サンドミル、ホモミキサー、スターラー等の
装置によって再び解膠させて使用することも可能である
． また本発明において用いるＺｎＯゾルを含む液体には、
膜の付着強度及び硬度を向上させるためにバインダーと
してＳｉｆＯＲｌｘ’Ｒ４−ｘ （ ｘ ＝ ３ ＋
．４、Ｒ：アルキル基）等のケイ素化合物を添加してＳ
ｉｎｓを同時に析出させたり、基体とのぬれ性を上げる
為に界面活性剤として種々のものが使用し得るが例えば
直鎖アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、アルキル
エーテル硫酸エステル等を添加してもよい。また液中の
ＺｎＯの含量は０．１〜３０重量％含まれていることが
好ましい． またＡｔ或いはＩｎをドーブしたＺｎＯを得る目的でＺ
ｎ塩にＡＩ塩．Ｉｎ塩を添加した溶液を反応させた場合
得られた微粉を３００〜１２００℃の範囲内で０．５〜
２４時間焼成することもできる．塗布法としては従来用
いられてきた方法、即ちスビンコート、ディップコート
、スプレーコート法等が好適に使用出来る．また、スプ
レーコートして表面に凹凸を形成し防眩効果も合わせて
付与してちよく，その場合防眩帯電防止膜となった本発
明品の上にシリカ被膜等のハードコートを設けてもよい
．さらには、本発明の帯電防止膜の上にスプレーコート
して、表面に凹凸を有するシリカ被膜のノングレアコー
トを設けてもよい． また、同様に本発明品の帯電防止膜の上に，フッ化マグ
ネシウムｆＭｇＦｘ）、シリカ［ＳｉＯｚｌ等のＺｎＯ
よりなる膜よりも低屈折率の材料を含む液を適宜の光学
膜厚となるようコートして、多層干渉効果による低反射
の帯電防止膜とすることもできる． 本発明の帯電防止膜を形成する基体とじては、ブラウン
管パネル、複写機用ガラス板、計器用パネル、クリーン
ルーム用ガラス、ＣＲＴあるいはＬＣＤ等の表示装置の
前面板等の各種ガラス、プラスチック基板を用いること
ができる．本発明心おけるＺｎＯゾルを含む溶液は前述
の如くそれ自体で基体上への塗布液として供し得る為、
低沸点の溶媒を用いた場合、室温下での乾燥で均一なＺ
ｎＯ膜が得られるが、高沸点溶媒を用いた場合或いは膜
の強度を向上させたい場合、塗布済基板を加熱する．加
熱温度の上限は通常は基板に用いられるガラス、プラス
チック等の軟化点によって決定される．この点も考慮す
ると、好ましい温度範囲はｌ００〜４００℃である． ［実施例］ 以下実施例，比較例により本発明について説明する． （実施例１） ｐＨをＨＮＯ．で２，０に調整した水３０ｇにＺｎ （
ＮＯｓｌ ｓ・６Ｈ２０を０．２５ｍｏｌ＃２の濃度で
溶解、更にヘキサメチレンテトラミンを０．０２５ ｍ
ｏｌ／Ｉ２の濃度で溶解した．この溶液にエタノールを
７０ｇ添加し、９０℃で３０分間加熱還流し、２重量％
のＺｎＯゾル溶液を得た．この液をブラウン管パネル表
面にスビンコート法１５００ｒｐｍで５秒塗布し、その
後２００℃で３０分間熱処理を行い、約１ ００ｎｍの
膜を得た．このコート膿の表面抵抗を測定し、更に市販
の消しゴムにｌｋｇの荷重をかけ膜表面を１００回こす
り膜剥離の有無を目視で観察した．（実施例２） ｐＨをＨＣＩで２．０に調整した水３０ｇにｚｎＣｌａ
を０．２５ｍｏｌ／Ｉ２の濃度で溶解させた以外は実施
例１と同様に行った． （実施例３） ｐＨをＨＮＯ ｓで２．０に調整した水１００ ｇにＺ
ｎ（ＮＯｓ１ １６Ｈ＊ｏを０．２５ｍｏｌ／Ｉ２の濃
度で溶解、更にヘキサメチレンテトラミンを０．０２５
ｍｏｌ／４２の濃度で溶解した．この溶液を９０℃で
３０分間加熱還流し２重量％のＺｎＱゾル溶液を得た．
この液を濾過水洗後１００℃で５時間真空乾燥しＺｎＯ
結品を得た．この結晶を濃度が３重量％になる様にエタ
ノール中に添加し、ホモミキサーで１０分間（回転数６
００Ｏｒｐｍ ）分散させた．以下の評価は実施例ｌと
同様に行った．（実施例４） Ａｌ ｆＮＯｌ） ｉをＺｎＯに対してＡ１が２モル％
となる様にＺｎ （ＮＯＩ１ ２・６Ｈ２０に加えて水
に溶解した以外は実施例１と同様に行った。
帯電防止膜に関するちのである．［従来の技術］ ブラウン管は高電圧で作動させる為起動時、或いは終了
時に該表面に静電気が誘起される．この静電気により該
表面にほこりが付着しコントラスト低下を引き起こした
り、或いは直接触れた際軽い電気ショックによる不快感
を生ずることが多い． 従来、上述の事柄を防止する為にブラウン管パネル表面
に帯電防止膜を付与する試みはかなり成されてきた．例
えば特開昭６３−７６２４７号記載の通り、ブラウン管
パネル表面を３５０℃程度に加熱しＣｖＤ法により酸化
スズ及び酸化インジウム等の導電性酸化物層を設ける方
法が採用されていた．しかしながら、この方法において
は装置コストがかかることに加え、ブラウン管を高温加
熱するため、ブラウン管内の蛍光体の脱落を生じたり，
寸法精度が低下する等の問題があった． また導電膜に用いる材料としては酸化スズが最も一般的
であるが、この場合低温処理では高性能膜が得にくい欠
点があった． ［発明の解決しようとする課題］ 本発明は従来技術が有していた前述の欠点を解消しよう
とするちのであり、低温熱処理が可能な高特性帯電防止
膜を新規に提供することを目的とするものである． ［課題を解決するための手段］ すなわち本発明は、前述の問題点を解決すべくなされた
ものであり、２ｎ塩にアンモニア、尿素、アミン化合物
、アミド化合物の少くとも１種を添加した溶液の反応に
より生成されたＺｎＯゾルを含む溶液を基体上に塗布し
た後加熱することを特徴とする帯電防止膜を提供するも
のである． 本発明に於いては導電性酸化物としてＺｎＯ、或いはＡ
Ｌ ＩｎをドープしたＺｎＯを用いる． Ｚｎ０はあら
かじめｐＨを調整された溶液中にＺｎ塩及び尿素等沈澱
剤を溶解させ加熱することによって得られる．溶媒とし
ては特に限定されないが、水、アルコール、エステル、
エーテル，或いはブロビレンカーポネート、γ−プチロ
ラクトン等有機高誘電率有機溶媒が使用可能である．こ
れらは単独あるいは混合系いずれも使用できる．又、出
発物質の溶媒中での安定性も考慮すると、溶媒としては
水、アルコール、アルコールの中ではメタノール、エタ
ノール、プロバノール、ブタノール等が好ましい．また
多価アルコール、例えばグリセリン、エチレングリコー
ル等も好ましく使用可能である． また溶媒はあらかじめ塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、過塩素
酸等を添加してｐＨを０．１〜６の範囲好ましくは０．
５〜４の範囲に調整することが必要である． ２ｎ塩としては特に限定されないが塩化物等ハロゲン化
物、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩、過塩素酸塩が用いられる
． またこの際Ａｌ， Ｉｎの上記と同様な塩をＺｎＯに対
してＡＩ， Ｉｎ換算でＯ．１〜３０モル％の範囲で添
加することも可能である． 沈澱剤としてはアンモニア、尿素、アミン化合物、アミ
ド化合物が使用可能であり、一例としては、アミン化合
物としてはへキサメチレンジアミン、ヘキサメチレンテ
トラミンが，アミド化合物としてはアセトアミド等が挙
げられる． Ｚｎ塩、沈澱剤の溶解量は得られた反応液
の使用状況により異なるが通常は０．ＯＩＭ〜３Ｍの範
囲が好ましい． 加熱温度は溶媒の沸点以下の温度、即ち水の場合１００
℃以下まで加魅することら可能であり、また加熱時間は
温度により異なるが１０分〜６時間で例えば９０℃の場
合約３０分で反応は概ね終了、ＺｎＯゾルが生成する． 本発明においては、Ｚｎ塩、沈澱剤の種類、濃度、溶媒
種類及び初期のｐＨ、更に加熱温度、時間を最適化する
ことによって所望の粒径及び粒径分布をもったＺｎＯゾ
ルを含む溶液を製造し得る。また本発明において反応が
終了した溶液はそのまま基体上への塗布液として供し得
るが生成したＺｎＯ粉を採取し、他の物質と混合する際
或いは出発物質の溶解度が低く溶液中に残存する場合は
反応液を濾過し、得られたＺｎＯ粉を適当な溶媒中でボ
ールミル、サンドミル、ホモミキサー、スターラー等の
装置によって再び解膠させて使用することも可能である
． また本発明において用いるＺｎＯゾルを含む液体には、
膜の付着強度及び硬度を向上させるためにバインダーと
してＳｉｆＯＲｌｘ’Ｒ４−ｘ （ ｘ ＝ ３ ＋
．４、Ｒ：アルキル基）等のケイ素化合物を添加してＳ
ｉｎｓを同時に析出させたり、基体とのぬれ性を上げる
為に界面活性剤として種々のものが使用し得るが例えば
直鎖アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、アルキル
エーテル硫酸エステル等を添加してもよい。また液中の
ＺｎＯの含量は０．１〜３０重量％含まれていることが
好ましい． またＡｔ或いはＩｎをドーブしたＺｎＯを得る目的でＺ
ｎ塩にＡＩ塩．Ｉｎ塩を添加した溶液を反応させた場合
得られた微粉を３００〜１２００℃の範囲内で０．５〜
２４時間焼成することもできる．塗布法としては従来用
いられてきた方法、即ちスビンコート、ディップコート
、スプレーコート法等が好適に使用出来る．また、スプ
レーコートして表面に凹凸を形成し防眩効果も合わせて
付与してちよく，その場合防眩帯電防止膜となった本発
明品の上にシリカ被膜等のハードコートを設けてもよい
．さらには、本発明の帯電防止膜の上にスプレーコート
して、表面に凹凸を有するシリカ被膜のノングレアコー
トを設けてもよい． また、同様に本発明品の帯電防止膜の上に，フッ化マグ
ネシウムｆＭｇＦｘ）、シリカ［ＳｉＯｚｌ等のＺｎＯ
よりなる膜よりも低屈折率の材料を含む液を適宜の光学
膜厚となるようコートして、多層干渉効果による低反射
の帯電防止膜とすることもできる． 本発明の帯電防止膜を形成する基体とじては、ブラウン
管パネル、複写機用ガラス板、計器用パネル、クリーン
ルーム用ガラス、ＣＲＴあるいはＬＣＤ等の表示装置の
前面板等の各種ガラス、プラスチック基板を用いること
ができる．本発明心おけるＺｎＯゾルを含む溶液は前述
の如くそれ自体で基体上への塗布液として供し得る為、
低沸点の溶媒を用いた場合、室温下での乾燥で均一なＺ
ｎＯ膜が得られるが、高沸点溶媒を用いた場合或いは膜
の強度を向上させたい場合、塗布済基板を加熱する．加
熱温度の上限は通常は基板に用いられるガラス、プラス
チック等の軟化点によって決定される．この点も考慮す
ると、好ましい温度範囲はｌ００〜４００℃である． ［実施例］ 以下実施例，比較例により本発明について説明する． （実施例１） ｐＨをＨＮＯ．で２，０に調整した水３０ｇにＺｎ （
ＮＯｓｌ ｓ・６Ｈ２０を０．２５ｍｏｌ＃２の濃度で
溶解、更にヘキサメチレンテトラミンを０．０２５ ｍ
ｏｌ／Ｉ２の濃度で溶解した．この溶液にエタノールを
７０ｇ添加し、９０℃で３０分間加熱還流し、２重量％
のＺｎＯゾル溶液を得た．この液をブラウン管パネル表
面にスビンコート法１５００ｒｐｍで５秒塗布し、その
後２００℃で３０分間熱処理を行い、約１ ００ｎｍの
膜を得た．このコート膿の表面抵抗を測定し、更に市販
の消しゴムにｌｋｇの荷重をかけ膜表面を１００回こす
り膜剥離の有無を目視で観察した．（実施例２） ｐＨをＨＣＩで２．０に調整した水３０ｇにｚｎＣｌａ
を０．２５ｍｏｌ／Ｉ２の濃度で溶解させた以外は実施
例１と同様に行った． （実施例３） ｐＨをＨＮＯ ｓで２．０に調整した水１００ ｇにＺ
ｎ（ＮＯｓ１ １６Ｈ＊ｏを０．２５ｍｏｌ／Ｉ２の濃
度で溶解、更にヘキサメチレンテトラミンを０．０２５
ｍｏｌ／４２の濃度で溶解した．この溶液を９０℃で
３０分間加熱還流し２重量％のＺｎＱゾル溶液を得た．
この液を濾過水洗後１００℃で５時間真空乾燥しＺｎＯ
結品を得た．この結晶を濃度が３重量％になる様にエタ
ノール中に添加し、ホモミキサーで１０分間（回転数６
００Ｏｒｐｍ ）分散させた．以下の評価は実施例ｌと
同様に行った．（実施例４） Ａｌ ｆＮＯｌ） ｉをＺｎＯに対してＡ１が２モル％
となる様にＺｎ （ＮＯＩ１ ２・６Ｈ２０に加えて水
に溶解した以外は実施例１と同様に行った。
（実施例５）
焼成温度を４００℃とした以外は実施例１と同様に行っ
た． （実施例６） 実施例ｌに於ける反応液とエチルシリケートをエタノー
ルに３重量％添加した溶液を等量混合した液を塗布液と
した以外は実施例１と同様に行った． （実施例７） 実施例ｌと同様に行い、形成された被膜の上に、低屈折
率材料であるＭｇＦ ｚ微粉を３重量％含むエタノール
溶液をスビンコート法２０００ｒｐｍで塗布し２００℃
で３０分間加熱した被膜を形成した． （実施例８） 実施例ｌにおけるヘキサメチレンテトラミンの代りにア
ンモニウムを０． ０２５ｍｏｌ／ ４２の濃度で溶解
して用いた以外は実施例１と同様に行なった。
た． （実施例６） 実施例ｌに於ける反応液とエチルシリケートをエタノー
ルに３重量％添加した溶液を等量混合した液を塗布液と
した以外は実施例１と同様に行った． （実施例７） 実施例ｌと同様に行い、形成された被膜の上に、低屈折
率材料であるＭｇＦ ｚ微粉を３重量％含むエタノール
溶液をスビンコート法２０００ｒｐｍで塗布し２００℃
で３０分間加熱した被膜を形成した． （実施例８） 実施例ｌにおけるヘキサメチレンテトラミンの代りにア
ンモニウムを０． ０２５ｍｏｌ／ ４２の濃度で溶解
して用いた以外は実施例１と同様に行なった。
（実施例９）
実施例１におけるヘキサメチレンテトラミンの代りに尿
素を０． ０１３ｍｏｌ／ （２の濃度で溶解して用い
た以外は実施例１と同様に行なった。
素を０． ０１３ｍｏｌ／ （２の濃度で溶解して用い
た以外は実施例１と同様に行なった。
（実施例１０）
実施例１におけるヘキサメチレンテトラミンの代りにア
セトアミドを０．０２５ｍｏｌ／ｎの濃度で溶解して用
いた以外は実施例１と同様に行なった． （実施例１１） Ｉｎ（ＮＯ３１ｉを用いてＺｎＯに対して Ｉｎ２ｍｏ
１％となるようにＺｎ （ＮＯｓｌ ２・６Ｈ．Ｏに加
えて水に溶解した以外は実施例ｌと同様に行なった． ？比較例） １５ｍｏｌ％ｓｂをドープしたＳｎＯ■微粉を３重量％
含むエタノール溶液を用いた以外は実施例１と同様に行
った． 第１表 ［発明の効果コ 本発明によればスプレー又はスビンコート、或いは溶液
中に基体を浸漬するなどの簡便な方法により効率良く優
れた帯電防止膜を提供することが可能となる． 本発明は生産性に優れ、かつ真空を必要としないので装
置も比較的簡単なもので良い．特にＣＲＴのパネルフェ
イス面等の大面積の基体にも十分適用でき、量産も可能
であり、工業的価値は非常に高い．
セトアミドを０．０２５ｍｏｌ／ｎの濃度で溶解して用
いた以外は実施例１と同様に行なった． （実施例１１） Ｉｎ（ＮＯ３１ｉを用いてＺｎＯに対して Ｉｎ２ｍｏ
１％となるようにＺｎ （ＮＯｓｌ ２・６Ｈ．Ｏに加
えて水に溶解した以外は実施例ｌと同様に行なった． ？比較例） １５ｍｏｌ％ｓｂをドープしたＳｎＯ■微粉を３重量％
含むエタノール溶液を用いた以外は実施例１と同様に行
った． 第１表 ［発明の効果コ 本発明によればスプレー又はスビンコート、或いは溶液
中に基体を浸漬するなどの簡便な方法により効率良く優
れた帯電防止膜を提供することが可能となる． 本発明は生産性に優れ、かつ真空を必要としないので装
置も比較的簡単なもので良い．特にＣＲＴのパネルフェ
イス面等の大面積の基体にも十分適用でき、量産も可能
であり、工業的価値は非常に高い．
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｚｎ塩にアンモニア、尿素、アミン化合物、アミド
化合物の少くとも１種を添加した溶液の反応により生成
されたＺｎＯゾルを含む溶液を基体上に塗布した後加熱
焼成して形成することを特徴とする帯電防止膜。 ２、Ｚｎ塩にアンモニア、尿素、アミン化合物、アミド
化合物の少くとも１種を添加した溶液の反応により生成
されたＺｎＯゾルを含む溶液にＭｇＦ＿２ゾルを含む溶
液、ケイ素化合物を含む溶液の少くとも１種の溶液を混
合して得た溶液を基体上に塗布した後加熱焼成し形成す
ることを特徴とする帯電防止膜。 ３、基体上に形成された多層膜からなる帯電防止膜であ
って、そのうち少くとも１層がＺｎ塩にアンモニア、尿
素、アミン化合物、アミド化合物の少くとも１種を添加
した溶液の反応により生成されたＺｎＯゾルを含む溶液
を基体上に塗布した後加熱焼成して形成されたことを特
徴とする帯電防止膜。 ４、Ａｌ塩、Ｉｎ塩の少くとも１種を含むことを特徴と
する請求項１〜３のいずれか１項記載の帯電防止膜。 ５、酸の添加によりｐＨを０．１〜６の範囲で調製した
溶液にＺｎ塩を加え、さらにアンモニア、尿素、アミン
化合物、アミド化合物の少くとも１種を添加した溶液の
反応により生成されたＺｎＯゾルを含む溶液を基体上に
塗布した後加熱焼成して形成されたことを特徴とする請
求項１〜４のいずれか１項記載の帯電防止 膜。 ６、請求項１〜５のいずれか１項記載の帯電防止膜を形
成したガラス物品。 ７、請求項１〜５のいずれか１項記載の帯電防止膜を形
成した陰極線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18605689A JPH0352675A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 帯電防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18605689A JPH0352675A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 帯電防止膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0352675A true JPH0352675A (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=16181624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18605689A Pending JPH0352675A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 帯電防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0352675A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07172869A (ja) * | 1993-12-15 | 1995-07-11 | Tsuchiya:Kk | 紫外線吸収被膜形成用塗布液および該塗布液を使用した紫外線吸収ガラス |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP18605689A patent/JPH0352675A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07172869A (ja) * | 1993-12-15 | 1995-07-11 | Tsuchiya:Kk | 紫外線吸収被膜形成用塗布液および該塗布液を使用した紫外線吸収ガラス |
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