JPH0352852B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0352852B2 JPH0352852B2 JP59194582A JP19458284A JPH0352852B2 JP H0352852 B2 JPH0352852 B2 JP H0352852B2 JP 59194582 A JP59194582 A JP 59194582A JP 19458284 A JP19458284 A JP 19458284A JP H0352852 B2 JPH0352852 B2 JP H0352852B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aryl group
- group
- alkyl group
- photoresist
- hydrogen
- Prior art date
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- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明はホトレジスト組成物及びホトレジスト
パターンの形成方法に関し、さらに詳しくは共役
ジエン系重合体又はその環化物に、有機溶剤を可
溶な光架橋剤及び特定の化合物を配合してなるホ
トレジスト組成物及びそれを用いたホトレジスト
パターンの形成方法に関するものである。 ［従来の技術］ 近年、IC，LSI等の半導体集積回路の製造技術
の進展は著しく、製造技術のみならず、使用する
装置や周辺材料の改良が強く要求されているが、
ホトレジスト分野においても取扱い性が優れ解像
度の高いホトレジスト組成物が要求されている。 現在、ネガ型ホトレジスト組成物として環化ポ
リイソプレン−ジアジド系化合物がこの分野に用
いられている。 しかしながら、このホトレジストは、例えばシ
リコン半導体素子の製造に用いられる光反射率の
高いアルミニウム、フオトマスク用クロムなどの
薄膜（以下基板という）上において解像度が低下
するという欠点を有している。すなわち、露光の
際、マスクの透光部を通つた光がホトレジストを
感光させた後、基板で反射して遮光部下にある本
来感光させたくないホトレジストの領域へ廻り込
み、その部分を感光させる、いわゆるハレーシヨ
ン現象が生じ、その結果、いわゆる「ひげ」と称
する硬化物を形成し、解像度を低下する。単純に
表現すれば、反射光が感光させたくないホトレジ
スト組成物の領域を感光させ、その結果解像度が
低下するのである。 この欠点を改良する目的で、特公昭51−37562
の方法が提案されている。この方法は吸光性材料
をホトレジスト組成物に加えることによりホトレ
ジスト組成物膜中の光透過性を下げようとするも
のである。 しかしながら、基板に塗布したホスレジスト組
成物は、残存する溶剤を除去するため、一般に80
〜100℃で20〜40分程度プリベークされる。この
際、上記の吸光性材料例えばオイルイエロー（商
品名）はホトレジスト組成物膜中より揮散してし
まうため、ハレーシヨン防止効果が処理条件によ
り大きく影響されるという欠点がある。さらに
は、この吸光性材料は揮散の際、塗膜にピンホー
ルを生ぜしめたり、あるいはホトレジスト組成物
と基板との密着性を低下させたりするため製造時
の周率が低下するという欠点もある。 ［発明が解決しようとする課題］ 本発明者は、上記の欠点を改良し、高い反射率
の面を有する基板を用いた場合でも、プリベーク
条件に影響されることなく、再現性良く解像度の
高い画像を得ることができ、しかも基板との密着
性の低下がないホトレジスト組成物及びそれを用
いるホトレジストパターンの成形方法を見出し、
本発明に到達した。 ［課題を解決するための手段］ すなわち、本発明により、共役ジエン系重合体
又はその環化物、有機溶剤に可溶な光架橋剤及び
式 但し、R1：アルキル基、アリール基、又は置
換アリール基 R2：水素又はアルキル基 R3：アリール基又は置換アリール基 R4：水素、水酸基、アルキル基又はア
リール基 で示される構造を有するピラゾール化合物を含有
することを特徴とするホトレジスト組成物、及び
この組成物の有機溶剤溶液を基板上に塗布し、所
定のパターンのマスクを介して露光を行ない、ホ
トレジストパターンを形成することを特徴とする
ホトレジストパターンの形成方法が提供される。 本発明において用いられる共役ジエン計重合体
及びその環化物は、共役ジエンの単独重合体、共
役ジエンとこれと共重合可能な単量体との共重合
体及びこれらの環化物から選択される。その代表
例として、天然ゴム、ポリイソプレン、イソプレ
ン−スチレン共重合体、ポリブタジエン、及びこ
れらの環化物が挙げられる。なお、共役ジエン系
重合体及びその環化物の重量平均分子量は通常１
万〜50万である。 本発明において用いられる有機溶剤としては、
ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水
素、トリクロロエチレン、バークロロエチレン、
四塩化炭素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン
等のハロゲン化炭化水素及びテトラヒドロフラ
ン、シクロヘキサノン等の酸素を有する炭化水素
が代表例として挙げられる。 本発明において用いられる有機溶剤に可溶な光
架橋剤としては、アジド系化合物、例えば４，
4′−ジアジドスチルベン、ｐ−フエニレンビスア
ジド、４，4′−ジアジドベンゾフエノン、４，
4′−ジアジドカルコン、２，６−ビス（4′−アジ
ドベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ビス
（4′−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサ
ノン、４，4′−ジアジドジフエニル等が挙げられ
る。 さらに必要により、安定剤が添加される。 本発明においてハレーシヨン防止剤として用い
られるピラゾール化合物は、前記構造のとおりの
アゾ基を有するものであれば、いずれの置換基を
有するものであつてもよいが、一般式 で示され、式中のR1，R2，R3，R4は水素、ハロ
ゲン、水酸基、ニトロ基、１〜３級アミノ基、ア
ルキル基、アルコキシル基、アリール基、及び置
換アリール基などから選択される。置換基の代表
例を更に挙げるならば、R1：アルキル基、アリ
ール基、及び置換（アルキル基、アミノ基など
の）アリール基、R2：水素及びアルキル基、
R3：アリール基及び置換（ハロゲン、ニトロ基、
アルキル基、アルコキシル基などの）アリール
基、R4：水素、水酸基、アルキル基及びアリー
ル基などである。 上記ピラゾール化合物の具体例としては、１−
フエニル−４−フエニルアゾピラゾール、１−フ
エニル−４−フエニルアゾ−５−メチルピラゾー
ル、１，５−ジフエニル−４−フエニルアゾピラ
ゾール、１−フエニル−３−メチル−４−フエニ
ルアゾ−５−エチルピラゾール、１，５−ジフエ
ニル−３−メチル−４−フエニルアゾピラゾー
ル、１−フエニル−３，５−ジメチル−４−（２，
５−ジクロロフエニルアゾ）ピラゾール、１−フ
エニル−４−フエニルアゾ−５−オキシピラゾー
ル、１−フエニル−３−メチル−４−フエニルア
ゾ−５−オキシピラゾール、１−フエニル−４−
（２，５−ジクロロフエニルアゾ）−５−オキシピ
ラゾール、１−エチル−３−メチル−４−（２−
メチル−４−クロロフエニルアゾ）−５−オキシ
ピラゾール、１−（ｐ−トリル）−３−メチル−４
−（２−メトキシ−４−ニトロフエニルアゾ）−５
−オキシピラゾール、１−フエニル−３−エチル
−４−（２−ニトロ−４−メトキシフエニルアゾ）
−５−オキシピラゾール、１−フエニル−３−メ
チル−４−（２，４，５−トリクロロフエニルア
ゾ）−５−オキシピラゾール、１−フエニル−３
−メチル−４−（２−ニトロ−４−クロロフエニ
ルアゾ）−５−オキシピラゾール、１−（ｐ−ジメ
チルアミノフエニル）−３−メチル−４−フエニ
ルアゾ−５−オキシピラゾール、１−（ｐ−ジメ
チルアミノフエニル）−３−メチル−４−フエニ
ルアゾ−５−フエニルピラゾール、１−（ｐ−ジ
メルアミノフエニル）−３−メチル−４−（２−ク
ロロ−４−メチルフエニルアゾ）−５−オキシピ
ラゾール、１−（ｐ−ジメチルアミノフエニル）−
３−メチル−４−（２−ニトロ−４−メチルフエ
ニルアゾ）−５−オキシピラゾールなどが挙げら
れる。 ［作用］ 上記ピラゾール化合物を共役ジエン系化合物又
はその環化物100重量部に対して、通常は1.0〜
10.0重量部、好ましくは3.0〜5.0重量部添加する。
添加量が1.0重量部未満ではハレーシヨン防止効
果が充分でなく、10.0重量部を超えると、ホトレ
ジスト膜と基板との密着性が低下したり、現像後
の残膜率が低下したりして好ましくない。 本発明のホトレジスト組成物を用いたパターン
の形成は、通常の方法によつて行われる。すなわ
ち、ホトレジスト組成物を有機溶剤溶液として基
板上に塗布して被膜としたのち、所定のパターン
のマスクを介して露光を行ない、現像、リンス工
程を経てホトレジストパターンを形成する。な
お、共役ジエン系重合体又はその環化物の有機溶
剤溶液中の濃度は、要求される膜厚によつて適宜
決定されるが、通常は５〜30重量％である。 ［発明の効果］ 本発明に係るホトレジスト組成物を用いること
により、段差構造を有する反射率の高いアルミニ
ウムやクロム等の基板上で、プリベーク条件によ
つて大きく影響されることなく、しかもピンホー
ルの発生や密着性の低下を生じることなく、再現
性よく、ハレーシヨンによる解像度の低下を防止
できる。 ［実施例］ 次に実施例により、本発明を、さらに詳しく説
明する。 実施例 １ Li触媒を用いて得られたシス−１，４−ポリイ
ソプレンの環化物（重量平均分子量15万、環化未
反応イソプレン分率25％）12ｇをキシレン88ｇに
溶解し、光架橋剤として２，６−ビス（4′−アジ
ドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン0.36
ｇ、安定剤として２，2′−メチレンビス（４−メ
チル−６−ｔ−ブチル）フエノール0.12ｇを加
え、ハレーシヨン防止剤として１−フエニル−４
−（２，５−ジクロロフエニルアゾ）−５−オキシ
ピラゾールを所定量加え、ホトレジスト組成物を
調製した。 これをシリコン基板上に形成されたアルミニウ
ム薄膜上に塗布し、温度85℃で20分間プリベーク
し、膜厚1μmのホトレジスト被膜を形成した。こ
れにテストパターンの形成されたフオトマスクを
介し、200Wの高圧水銀灯を備えた露光装置（キ
ヤノン社製PLA−501F）を用いて所定時間露光
してｎ−ヘプタン系現像液に１分間浸漬して現像
し、ついで酢酸ｎ−ブチルエステルで１分間リン
スした。結果を第１表に示す。なお、露光時間
は、常法により、予め残膜率曲線から各々のレジ
スト組成物ごとに求めておいた感度の３倍の時間
（光架橋反応が充分に生じる時間）をもつて示し
た。 第１表に示す如く、本発明におけるハレーシヨ
ン防止剤の添加量が増すにつれ、露光時間は長く
なり、ハレーシヨン防止能が大きくなつているこ
とが判る。また、実験番号１〜５のいずれの場合
においても、ハレーシヨン防止剤が添加されてい
ない比較例よりも微細な線幅まで解像されてお
り、かつ「ひげ」現象も生じていない。すなわち
本発明におけるハレーシヨン防止剤を添加するこ
とにより、反射率の大きいアルミニウム基板にお
いても解像度が顕著に向上することが判る。
パターンの形成方法に関し、さらに詳しくは共役
ジエン系重合体又はその環化物に、有機溶剤を可
溶な光架橋剤及び特定の化合物を配合してなるホ
トレジスト組成物及びそれを用いたホトレジスト
パターンの形成方法に関するものである。 ［従来の技術］ 近年、IC，LSI等の半導体集積回路の製造技術
の進展は著しく、製造技術のみならず、使用する
装置や周辺材料の改良が強く要求されているが、
ホトレジスト分野においても取扱い性が優れ解像
度の高いホトレジスト組成物が要求されている。 現在、ネガ型ホトレジスト組成物として環化ポ
リイソプレン−ジアジド系化合物がこの分野に用
いられている。 しかしながら、このホトレジストは、例えばシ
リコン半導体素子の製造に用いられる光反射率の
高いアルミニウム、フオトマスク用クロムなどの
薄膜（以下基板という）上において解像度が低下
するという欠点を有している。すなわち、露光の
際、マスクの透光部を通つた光がホトレジストを
感光させた後、基板で反射して遮光部下にある本
来感光させたくないホトレジストの領域へ廻り込
み、その部分を感光させる、いわゆるハレーシヨ
ン現象が生じ、その結果、いわゆる「ひげ」と称
する硬化物を形成し、解像度を低下する。単純に
表現すれば、反射光が感光させたくないホトレジ
スト組成物の領域を感光させ、その結果解像度が
低下するのである。 この欠点を改良する目的で、特公昭51−37562
の方法が提案されている。この方法は吸光性材料
をホトレジスト組成物に加えることによりホトレ
ジスト組成物膜中の光透過性を下げようとするも
のである。 しかしながら、基板に塗布したホスレジスト組
成物は、残存する溶剤を除去するため、一般に80
〜100℃で20〜40分程度プリベークされる。この
際、上記の吸光性材料例えばオイルイエロー（商
品名）はホトレジスト組成物膜中より揮散してし
まうため、ハレーシヨン防止効果が処理条件によ
り大きく影響されるという欠点がある。さらに
は、この吸光性材料は揮散の際、塗膜にピンホー
ルを生ぜしめたり、あるいはホトレジスト組成物
と基板との密着性を低下させたりするため製造時
の周率が低下するという欠点もある。 ［発明が解決しようとする課題］ 本発明者は、上記の欠点を改良し、高い反射率
の面を有する基板を用いた場合でも、プリベーク
条件に影響されることなく、再現性良く解像度の
高い画像を得ることができ、しかも基板との密着
性の低下がないホトレジスト組成物及びそれを用
いるホトレジストパターンの成形方法を見出し、
本発明に到達した。 ［課題を解決するための手段］ すなわち、本発明により、共役ジエン系重合体
又はその環化物、有機溶剤に可溶な光架橋剤及び
式 但し、R1：アルキル基、アリール基、又は置
換アリール基 R2：水素又はアルキル基 R3：アリール基又は置換アリール基 R4：水素、水酸基、アルキル基又はア
リール基 で示される構造を有するピラゾール化合物を含有
することを特徴とするホトレジスト組成物、及び
この組成物の有機溶剤溶液を基板上に塗布し、所
定のパターンのマスクを介して露光を行ない、ホ
トレジストパターンを形成することを特徴とする
ホトレジストパターンの形成方法が提供される。 本発明において用いられる共役ジエン計重合体
及びその環化物は、共役ジエンの単独重合体、共
役ジエンとこれと共重合可能な単量体との共重合
体及びこれらの環化物から選択される。その代表
例として、天然ゴム、ポリイソプレン、イソプレ
ン−スチレン共重合体、ポリブタジエン、及びこ
れらの環化物が挙げられる。なお、共役ジエン系
重合体及びその環化物の重量平均分子量は通常１
万〜50万である。 本発明において用いられる有機溶剤としては、
ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水
素、トリクロロエチレン、バークロロエチレン、
四塩化炭素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン
等のハロゲン化炭化水素及びテトラヒドロフラ
ン、シクロヘキサノン等の酸素を有する炭化水素
が代表例として挙げられる。 本発明において用いられる有機溶剤に可溶な光
架橋剤としては、アジド系化合物、例えば４，
4′−ジアジドスチルベン、ｐ−フエニレンビスア
ジド、４，4′−ジアジドベンゾフエノン、４，
4′−ジアジドカルコン、２，６−ビス（4′−アジ
ドベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ビス
（4′−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサ
ノン、４，4′−ジアジドジフエニル等が挙げられ
る。 さらに必要により、安定剤が添加される。 本発明においてハレーシヨン防止剤として用い
られるピラゾール化合物は、前記構造のとおりの
アゾ基を有するものであれば、いずれの置換基を
有するものであつてもよいが、一般式 で示され、式中のR1，R2，R3，R4は水素、ハロ
ゲン、水酸基、ニトロ基、１〜３級アミノ基、ア
ルキル基、アルコキシル基、アリール基、及び置
換アリール基などから選択される。置換基の代表
例を更に挙げるならば、R1：アルキル基、アリ
ール基、及び置換（アルキル基、アミノ基など
の）アリール基、R2：水素及びアルキル基、
R3：アリール基及び置換（ハロゲン、ニトロ基、
アルキル基、アルコキシル基などの）アリール
基、R4：水素、水酸基、アルキル基及びアリー
ル基などである。 上記ピラゾール化合物の具体例としては、１−
フエニル−４−フエニルアゾピラゾール、１−フ
エニル−４−フエニルアゾ−５−メチルピラゾー
ル、１，５−ジフエニル−４−フエニルアゾピラ
ゾール、１−フエニル−３−メチル−４−フエニ
ルアゾ−５−エチルピラゾール、１，５−ジフエ
ニル−３−メチル−４−フエニルアゾピラゾー
ル、１−フエニル−３，５−ジメチル−４−（２，
５−ジクロロフエニルアゾ）ピラゾール、１−フ
エニル−４−フエニルアゾ−５−オキシピラゾー
ル、１−フエニル−３−メチル−４−フエニルア
ゾ−５−オキシピラゾール、１−フエニル−４−
（２，５−ジクロロフエニルアゾ）−５−オキシピ
ラゾール、１−エチル−３−メチル−４−（２−
メチル−４−クロロフエニルアゾ）−５−オキシ
ピラゾール、１−（ｐ−トリル）−３−メチル−４
−（２−メトキシ−４−ニトロフエニルアゾ）−５
−オキシピラゾール、１−フエニル−３−エチル
−４−（２−ニトロ−４−メトキシフエニルアゾ）
−５−オキシピラゾール、１−フエニル−３−メ
チル−４−（２，４，５−トリクロロフエニルア
ゾ）−５−オキシピラゾール、１−フエニル−３
−メチル−４−（２−ニトロ−４−クロロフエニ
ルアゾ）−５−オキシピラゾール、１−（ｐ−ジメ
チルアミノフエニル）−３−メチル−４−フエニ
ルアゾ−５−オキシピラゾール、１−（ｐ−ジメ
チルアミノフエニル）−３−メチル−４−フエニ
ルアゾ−５−フエニルピラゾール、１−（ｐ−ジ
メルアミノフエニル）−３−メチル−４−（２−ク
ロロ−４−メチルフエニルアゾ）−５−オキシピ
ラゾール、１−（ｐ−ジメチルアミノフエニル）−
３−メチル−４−（２−ニトロ−４−メチルフエ
ニルアゾ）−５−オキシピラゾールなどが挙げら
れる。 ［作用］ 上記ピラゾール化合物を共役ジエン系化合物又
はその環化物100重量部に対して、通常は1.0〜
10.0重量部、好ましくは3.0〜5.0重量部添加する。
添加量が1.0重量部未満ではハレーシヨン防止効
果が充分でなく、10.0重量部を超えると、ホトレ
ジスト膜と基板との密着性が低下したり、現像後
の残膜率が低下したりして好ましくない。 本発明のホトレジスト組成物を用いたパターン
の形成は、通常の方法によつて行われる。すなわ
ち、ホトレジスト組成物を有機溶剤溶液として基
板上に塗布して被膜としたのち、所定のパターン
のマスクを介して露光を行ない、現像、リンス工
程を経てホトレジストパターンを形成する。な
お、共役ジエン系重合体又はその環化物の有機溶
剤溶液中の濃度は、要求される膜厚によつて適宜
決定されるが、通常は５〜30重量％である。 ［発明の効果］ 本発明に係るホトレジスト組成物を用いること
により、段差構造を有する反射率の高いアルミニ
ウムやクロム等の基板上で、プリベーク条件によ
つて大きく影響されることなく、しかもピンホー
ルの発生や密着性の低下を生じることなく、再現
性よく、ハレーシヨンによる解像度の低下を防止
できる。 ［実施例］ 次に実施例により、本発明を、さらに詳しく説
明する。 実施例 １ Li触媒を用いて得られたシス−１，４−ポリイ
ソプレンの環化物（重量平均分子量15万、環化未
反応イソプレン分率25％）12ｇをキシレン88ｇに
溶解し、光架橋剤として２，６−ビス（4′−アジ
ドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン0.36
ｇ、安定剤として２，2′−メチレンビス（４−メ
チル−６−ｔ−ブチル）フエノール0.12ｇを加
え、ハレーシヨン防止剤として１−フエニル−４
−（２，５−ジクロロフエニルアゾ）−５−オキシ
ピラゾールを所定量加え、ホトレジスト組成物を
調製した。 これをシリコン基板上に形成されたアルミニウ
ム薄膜上に塗布し、温度85℃で20分間プリベーク
し、膜厚1μmのホトレジスト被膜を形成した。こ
れにテストパターンの形成されたフオトマスクを
介し、200Wの高圧水銀灯を備えた露光装置（キ
ヤノン社製PLA−501F）を用いて所定時間露光
してｎ−ヘプタン系現像液に１分間浸漬して現像
し、ついで酢酸ｎ−ブチルエステルで１分間リン
スした。結果を第１表に示す。なお、露光時間
は、常法により、予め残膜率曲線から各々のレジ
スト組成物ごとに求めておいた感度の３倍の時間
（光架橋反応が充分に生じる時間）をもつて示し
た。 第１表に示す如く、本発明におけるハレーシヨ
ン防止剤の添加量が増すにつれ、露光時間は長く
なり、ハレーシヨン防止能が大きくなつているこ
とが判る。また、実験番号１〜５のいずれの場合
においても、ハレーシヨン防止剤が添加されてい
ない比較例よりも微細な線幅まで解像されてお
り、かつ「ひげ」現象も生じていない。すなわち
本発明におけるハレーシヨン防止剤を添加するこ
とにより、反射率の大きいアルミニウム基板にお
いても解像度が顕著に向上することが判る。
【表】
実施例 ２
ウエハーとして0.5μmのシリコン熱酸化膜を成
長させたものを用いた以外は実施例１と同様の実
験を行ない、現像後のウエハーを窒素中150℃で
30分間ポストベーキングし、HF（49％水溶
液）／NH4F（40％水溶液）／水＝１／６／10（容
量比）のエツチヤントを用い、25℃で30分間エツ
チングを行なつた。その結果を第２表に示す。
長させたものを用いた以外は実施例１と同様の実
験を行ない、現像後のウエハーを窒素中150℃で
30分間ポストベーキングし、HF（49％水溶
液）／NH4F（40％水溶液）／水＝１／６／10（容
量比）のエツチヤントを用い、25℃で30分間エツ
チングを行なつた。その結果を第２表に示す。
【表】
第２表により本発明の組成物のサイドエツチ
（ホトレジスト組成物膜下のウエハーが密着性の
程度により、エツチヤントの廻り込みによりエツ
チングされてしまう現象）は、オイルイエロー
（商品名）を用いた比較例の5.3μmに比し小さく、
良好な密着性を示すことが判る。 以上の如く、本発明におけるハレーシヨン防止
剤を用いるこよにより、反射率の大きな基板でも
解像度を顕著に向上させ、かつ密着性も改良し得
ることが明かである。 実施例 ３ ハレーシヨン防止材として１−ｐ−ジメチルア
ミノフエニル−３−メチル−４−フエニルアゾ−
５−オキシピラゾールを用いた以外は実施例１と
同様にして解像度を測定した。その結果を第３表
に示す。本実施例においては、ハレーシヨン防止
剤の添加量が増すにつれ、感度は小さくなり、光
吸収能が増し、比較例より微細な線幅まで解像さ
れており、「ひげ」の現象も生じていないことが
明白である。
（ホトレジスト組成物膜下のウエハーが密着性の
程度により、エツチヤントの廻り込みによりエツ
チングされてしまう現象）は、オイルイエロー
（商品名）を用いた比較例の5.3μmに比し小さく、
良好な密着性を示すことが判る。 以上の如く、本発明におけるハレーシヨン防止
剤を用いるこよにより、反射率の大きな基板でも
解像度を顕著に向上させ、かつ密着性も改良し得
ることが明かである。 実施例 ３ ハレーシヨン防止材として１−ｐ−ジメチルア
ミノフエニル−３−メチル−４−フエニルアゾ−
５−オキシピラゾールを用いた以外は実施例１と
同様にして解像度を測定した。その結果を第３表
に示す。本実施例においては、ハレーシヨン防止
剤の添加量が増すにつれ、感度は小さくなり、光
吸収能が増し、比較例より微細な線幅まで解像さ
れており、「ひげ」の現象も生じていないことが
明白である。
【表】
実施例 ４
ハレーシヨン防止剤として１−ｐ−ジメチルア
ミノフエニル−３−メチル−４−フエニルアゾ−
５−オキシピラゾールを用いた以外は、実施例２
と同様にして、密着性を測定した。 その結果を第４表に示す。
ミノフエニル−３−メチル−４−フエニルアゾ−
５−オキシピラゾールを用いた以外は、実施例２
と同様にして、密着性を測定した。 その結果を第４表に示す。
【表】
本実施例においては、サイドエツチの量は比較
例の5.3μmに比べて小さく、良好な密着性を示す
ことが判る。 実施例 ５ 実施例１〜４に用いた本発明におけるハレーシ
ヨン防止剤及び従来の吸光性材料オイルイエロー
（商品名）の熱的特性を、示差熱分析計（DTA）
を用いて調べた。その結果を第５表に示す。
例の5.3μmに比べて小さく、良好な密着性を示す
ことが判る。 実施例 ５ 実施例１〜４に用いた本発明におけるハレーシ
ヨン防止剤及び従来の吸光性材料オイルイエロー
（商品名）の熱的特性を、示差熱分析計（DTA）
を用いて調べた。その結果を第５表に示す。
【表】
従来の吸光性材料は、約90〜100℃にて昇華し
てしまうのに対し、本発明におけるハレーシヨン
防止剤は、いずれも減量を開始する温度が、150
℃以上と優れており、通常のウエハーの処理温度
80〜150℃において安定に存在し、その結果を発
揮し得ることが明確に予想し得る。 実施例 ６〜12 ハレーシヨン防止剤として、第６表に示すピラ
ゾール化合物を３重量部用いた以外は、実施例１
と同様にして、解像度を測定した。 その結果を第６表に示す。 いずれの場合においても、実施例１実験番号２
と同様の優れた結果が得られた。
てしまうのに対し、本発明におけるハレーシヨン
防止剤は、いずれも減量を開始する温度が、150
℃以上と優れており、通常のウエハーの処理温度
80〜150℃において安定に存在し、その結果を発
揮し得ることが明確に予想し得る。 実施例 ６〜12 ハレーシヨン防止剤として、第６表に示すピラ
ゾール化合物を３重量部用いた以外は、実施例１
と同様にして、解像度を測定した。 その結果を第６表に示す。 いずれの場合においても、実施例１実験番号２
と同様の優れた結果が得られた。
【表】
実施例 13〜19
第７表に示すハレーシヨン防止剤を３重量部用
いた以外は、実施例２と同様にして密着性を測定
した。その結果を第７表に示す。
いた以外は、実施例２と同様にして密着性を測定
した。その結果を第７表に示す。
【表】
本発明例においては、サイドエツチの量は比較
例の5.3μmに比べて小さく良好な密着性を示すこ
とが判る。 以上、現在広く使われているシリコン基板を用
いて実施例を説明したが、本発明は単にシリコン
半導体素子の製造分野に限定されることなく、ゲ
ルマニウム素子、ハイブリツド素子、ホスマスク
等ホトレジストパターンを利用するあらゆる分野
に適用可能であることは言うまでもない。
例の5.3μmに比べて小さく良好な密着性を示すこ
とが判る。 以上、現在広く使われているシリコン基板を用
いて実施例を説明したが、本発明は単にシリコン
半導体素子の製造分野に限定されることなく、ゲ
ルマニウム素子、ハイブリツド素子、ホスマスク
等ホトレジストパターンを利用するあらゆる分野
に適用可能であることは言うまでもない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 共役ジエン系重合体又はその環化物、有機溶
剤に可溶な光架橋剤及び式 但し、R1：アルキル基、アリール基、又は置
換アリール基 R2：水素又はアルキル基 R3：アリール基又は置換アリール基 R4：水素、水酸基、アルキル基又はア
リール基 で示される構造を有するピラゾール化合物を含有
することを特徴とするホトレジスト組成物。 ２ 共役ジエン系重合体又はその環化物、有機溶
剤に可溶な光架橋剤及び式 但し、R1：アルキル基、アリール基、又は置
換アリール基 R2：水素又はアルキル基 R3：アリール基又は置換アリール基 R4：水素、水酸基、アルキル基又はア
リール基 で示される構造を有するピラゾール化合物を含有
する組成物の有機溶剤溶液を基板上に塗布し、所
定のパターンのマスクを介して露光を行ない、ホ
トレジストパターンを形成することを特徴とする
ホトレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59194582A JPS6173144A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | ホトレジスト及びホトレジストパターンの形成方法 |
| US06/776,781 US4654292A (en) | 1984-09-19 | 1985-09-17 | Photoresist composition containing a pyrazole compound anti-halation agent |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59194582A JPS6173144A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | ホトレジスト及びホトレジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6173144A JPS6173144A (ja) | 1986-04-15 |
| JPH0352852B2 true JPH0352852B2 (ja) | 1991-08-13 |
Family
ID=16326940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59194582A Granted JPS6173144A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | ホトレジスト及びホトレジストパターンの形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4654292A (ja) |
| JP (1) | JPS6173144A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63161443A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | フオトレジスト組成物 |
| JPH0823692B2 (ja) * | 1986-12-24 | 1996-03-06 | 日本合成ゴム株式会社 | ポジ型ホトレジスト |
| JP2566045B2 (ja) * | 1990-05-30 | 1996-12-25 | 東京応化工業株式会社 | 新規ポジ型感光性組成物 |
| JP2751572B2 (ja) * | 1990-06-05 | 1998-05-18 | ジェイエスアール株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| US5169748A (en) * | 1991-11-07 | 1992-12-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | UV spectral sensitization |
| CA2154444A1 (en) * | 1993-01-21 | 1994-08-04 | John F. W. Keana | Chemical functionalization of surfaces |
| US5465151A (en) * | 1993-01-21 | 1995-11-07 | State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of The University Of Oregon | Sensors employing interference of electromagnetic waves passing through waveguides having functionalized surfaces |
| WO1994022053A1 (en) * | 1993-03-18 | 1994-09-29 | The State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of The University Of Oregon | Chemical functionalization of polymers |
| JP3192548B2 (ja) * | 1994-04-22 | 2001-07-30 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
| US5582955A (en) * | 1994-06-23 | 1996-12-10 | State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of The University Of Oregon | Chemical functionalization of surfaces |
| JPH08181049A (ja) * | 1994-12-21 | 1996-07-12 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
| US5830539A (en) * | 1995-11-17 | 1998-11-03 | The State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of The University Of Oregon | Methods for functionalizing and coating substrates and devices made according to the methods |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5137562A (en) * | 1974-09-26 | 1976-03-29 | Sony Corp | Karaainkyokusenkan no keikomenyakitsukeyokogakufuiruta |
| US4311773A (en) * | 1979-02-28 | 1982-01-19 | Hitachi, Ltd. | Method of producing color filters |
| US4349619A (en) * | 1979-09-19 | 1982-09-14 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Photoresist composition |
| DE3301011A1 (de) * | 1983-01-14 | 1984-07-19 | Kulzer & Co GmbH, 6393 Wehrheim | Verfahren zur photopolymerisation von vinylverbindungen und photopolymerisierbares material (ii) |
-
1984
- 1984-09-19 JP JP59194582A patent/JPS6173144A/ja active Granted
-
1985
- 1985-09-17 US US06/776,781 patent/US4654292A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4654292A (en) | 1987-03-31 |
| JPS6173144A (ja) | 1986-04-15 |
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