JPH0353358A - Memory circuit - Google Patents

Memory circuit

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Publication number
JPH0353358A
JPH0353358A JP1189471A JP18947189A JPH0353358A JP H0353358 A JPH0353358 A JP H0353358A JP 1189471 A JP1189471 A JP 1189471A JP 18947189 A JP18947189 A JP 18947189A JP H0353358 A JPH0353358 A JP H0353358A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
memory
fault
read
read data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1189471A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kyoji Kawagishi
川岸 恭司
Katsuhiro Yagi
八木 且広
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
NEC Engineering Ltd
Original Assignee
NEC Corp
NEC Engineering Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, NEC Engineering Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP1189471A priority Critical patent/JPH0353358A/en
Publication of JPH0353358A publication Critical patent/JPH0353358A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To deal with even a fixed fault by writing again the write data into a microprogram with the plus and the minus of the data inverted to each other at occurrence of a fault and reading out the read data with its plus and minus converted to each other in a reading state. CONSTITUTION:It is supposed that such a fault occurs in a certain address in a memory 20 that breaks fixedly the 2nd lower bit of the data '1011' and turns this data into '1001'. Thus the fault is detected by a fault detecting circuit 40 which monitors the read data 2. Then a microinstruction store control part 50 starts again to invert a reverse signal 3 and reads a microinstruction out of a floppy disk to store it in a memory 20 as the write data 1. At the same time, the data 1 having its plus and minus inverted to each other is written into the memory 20 and the data on '0' is written to the bit where a fault occurs to break the data into '0'. Thus no influence is produced even though the data is broken into '0'. As a result, even a fixed fault can be dealt with.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は情報処理システムにおけるメモリ回路に関し、
特にマイクロプログラムを格納するための制御記憶を行
うメモリ回路に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a memory circuit in an information processing system,
In particular, the present invention relates to a memory circuit that performs control storage for storing microprograms.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

情報処理装置では装置の様々な部分でメモリが使用され
ている。特に、近年はマイクロプログラム制御の情報処
理装置が増え、マイクロ命令を格納するための制御記憶
としてメモリが使用されている。制御記憶にはROM 
(リード・オンリ・メモリ)を使用する事もあるが、R
OMは一般に読み出し速度が遅いため、処理速度の速い
装置では読み出し速度の速いRAM(ランダム・アクセ
ス・メモリ)を用いる事が多い。
In an information processing device, memory is used in various parts of the device. In particular, in recent years, the number of information processing devices controlled by microprograms has increased, and memories are being used as control storage for storing microinstructions. ROM for control memory
(read-only memory) is sometimes used, but R
Since OM generally has a slow read speed, a device with a fast processing speed often uses a RAM (random access memory) with a fast read speed.

RAMを制御記憶として使用した場合にはRAM内にマ
イクロ命令を格納する方法として、電源オフ時にフロッ
ピーディスクあるいはROMに格納されているマイクロ
命令を電源オン時に読み出しRAMに移すという方法が
とられている。また、RAMを制御記憶として使用した
場合には、間欠的にあるいは固定的に記憶データ(マイ
クロ命令)が破壊されるような障害が発生する事がある
When RAM is used as control memory, a method of storing microinstructions in RAM is to read the microinstructions stored on a floppy disk or ROM when the power is turned off and transfer them to the RAM when the power is turned on. . Furthermore, when a RAM is used as a control memory, a failure may occur that destroys stored data (microinstructions) intermittently or permanently.

これらの障害に対して、従来はFCC (エラー・チェ
ック・アンド・コレクション)回路を付加スるあるいは
記憶データ(マイクロ命令)を再書き込みするなどの対
策を施している。
Conventionally, countermeasures have been taken against these failures, such as adding an FCC (error check and correction) circuit or rewriting stored data (microinstructions).

これらの記憶データが破壊される障害に対する対策とし
ては大きく分けて、FCC回路を付加し、リードデータ
をFCC回路を通して読み出す第一の方法と、記憶デー
タ(マイクロ命令)を制御記憶に再書き込むする第二の
方法とが考えられる。
Countermeasures against failures that destroy these stored data can be roughly divided into two methods: the first method is to add an FCC circuit and read the read data through the FCC circuit, and the second method is to rewrite the stored data (microinstructions) into the control memory. Two methods are possible.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上述した従来のメモリ回路は、第1の方法ではFCC符
号を記憶するためのビットが制御記憶に余分に必要とな
る事、およびリードデータをECC回路を通してチェッ
クおよびエラー訂正を行ってから読み出すため読み出し
速度が遅くなるという欠点が、第2の方法では間欠的な
障害に対しては有効であるが固定的な障害に対しては無
効であるという欠点がある。
In the conventional memory circuit described above, the first method requires an extra bit for storing the FCC code in the control memory, and the read data is read out after being checked and error corrected through an ECC circuit. The second method has the disadvantage of being slow, but is effective against intermittent failures but is ineffective against fixed failures.

これらの事から、制御記憶のビットを増やす事なく、か
つ読み出し速度をそれほど低下させず、さらに間欠的な
障害ばかりでなく固定的な障害に対しても有効な方法が
必要となる。
For these reasons, there is a need for a method that does not increase the number of bits in the control memory, does not significantly reduce the read speed, and is effective against not only intermittent failures but also fixed failures.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明のメモリ回路は、情報処理システムにおけるメモ
リ回路において、 書き換えが可能なメモリと、 外部からの反転信号が非反転を示している場合には外部
からのライトデータをそのまま前記メモリへのライトデ
ータとして送り、反転を示している場合には前記外部か
らのライトデータの正負を反転して前記メモリへのライ
トデータとして送るライトデータ反転回路と、 前記外部からの反転信号が非反転を示している場合には
前記メモリからのリードデータを外部へのりードデータ
として送出し、反転を示している場合には前記メモリか
らのリードデータの正負を反転して外部へのリードデー
タとして送出するリードデータ反転回路とを備えて構戊
される。
The memory circuit of the present invention is a memory circuit in an information processing system, and includes a rewritable memory, and when an inversion signal from the outside indicates non-inversion, write data from the outside is directly written to the memory. a write data inverting circuit that inverts the sign of the write data from the outside and sends it as write data to the memory when the inverted signal indicates inversion; If the read data from the memory is inverted, the read data from the memory is sent as read data to the outside, and if the read data indicates inversion, the read data from the memory is inverted and sent as read data to the outside. and an inverting circuit.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例の構戊を示すブロック図であ
る。
FIG. 1 is a block diagram showing the structure of an embodiment of the present invention.

マイクロ命令格納制御部50は、電源オン時および障害
発生時にフロッピーディスクに格納されたマイクロ命令
を読み出しメモリ20に格納する.ライトデータ反転回
路10はマイクロ命令格納制御部50からの反転信号3
が非反転を示していればライトデータlをメモリ20に
そのまま送り、反転信号3が反転を示していればライト
データ1の正負を入れ換えてメモリ20に送る。メモリ
20はマイクロ命令を格納する制御記憶で、マイクロ命
令格納制御部の指示によってライトデータ反転回路10
の出力を書き込む。リードデータ反転回路30は、マイ
クロ命令格納制御部50からの反転信号3が非反転を示
していればメモリ20からのデータをそのままリードデ
ータ2として送出し、反転を示していればメモリ20か
らのデータの正負を入れ換えてリードデータとして送出
し、装置内部の各種制御を行う。障害検出回路40は、
リードデータ2のパリティチェック(奇数パリティチェ
ック)を行い、リードデータ2の障害発生を監視する。
The microinstruction storage control unit 50 reads out microinstructions stored in the floppy disk and stores them in the memory 20 when the power is turned on and when a failure occurs. The write data inversion circuit 10 receives an inversion signal 3 from the microinstruction storage control section 50.
If the inversion signal 3 indicates non-inversion, the write data 1 is sent to the memory 20 as is, and if the inversion signal 3 indicates inversion, the write data 1 is sent to the memory 20 with the sign reversed. The memory 20 is a control memory that stores microinstructions, and the write data inversion circuit 10
Write the output of . The read data inversion circuit 30 sends the data from the memory 20 as read data 2 if the inversion signal 3 from the microinstruction storage control unit 50 indicates non-inversion, and sends the data from the memory 20 as read data 2 if the inversion signal 3 indicates inversion. The data is switched between positive and negative and sent as read data to perform various controls inside the device. The fault detection circuit 40 is
A parity check (odd parity check) is performed on the read data 2, and the occurrence of a failure in the read data 2 is monitored.

第2図は反転信号3とデータ種別(ライトデータ1,メ
モリ20内データおよびリードデータ2)との関係を例
示した説明図である。ここでデータの最下位ビ,トはバ
リティ(奇数パリティ)ビットである。反転信号3が非
反転を示している場合にメモリ20内のあるアドレスに
ライトデータ1として“1011”を送ると、メモリ2
0内のこのアドレスには“1011″が書き込まれる。
FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating the relationship between the inverted signal 3 and data types (write data 1, data in the memory 20, and read data 2). Here, the least significant bits of the data are parity (odd parity) bits. If "1011" is sent as write data 1 to a certain address in the memory 20 when the inversion signal 3 indicates non-inversion, the memory 2
“1011” is written to this address within 0.

その後メモリ20内のこのアドレスを読み出すと、リー
ドデータ2としては“10l1”が出力される。反転信
号3が反転を示している場合にメモリ20内のあるアド
レスにライトデータ1として“1011”を送ると、メ
モリ20内のこのアドレスには“0100 “が書き込
まれる。
When this address in the memory 20 is then read, "10l1" is output as read data 2. If "1011" is sent as write data 1 to a certain address in the memory 20 when the inversion signal 3 indicates inversion, "0100" is written to this address in the memory 20.

その後メモリ20内のこのアドレスを読み出すと、リー
ドデータ2としては″1011”が出力される。
When this address in the memory 20 is then read, "1011" is output as read data 2.

第3図は電源オン時と障害発生時とのマイクロ命令格納
制御部50の動作を示した流れ図である。
FIG. 3 is a flowchart showing the operation of the microinstruction storage control unit 50 when the power is turned on and when a failure occurs.

まず最初に装置の電源がオンされてから、装置が通常の
動作状態に入るまでについて説明する。
First, a description will be given of the process from when the power of the device is turned on until the device enters the normal operating state.

装置の電源がオンされるとマイクロ命令格納制御部50
が動き出し、反転信号3を非反転にする(ステップ51
)。そして、フロッピーディスクからマイクロ命令を読
み出し(ステップ52)、ライトデータ1として送出し
メモリ20に格納する(ステップ53)。マイクロ命令
を読み出してからメモリ20に格納するまでの動作は、
全てのマイクロ命令の格納が終了するまで実行され(ス
テップ52〜54)。そして、格納が終了した時点でマ
イクロ命令格納制御部は動作を停止し、装置は通常の動
作状態に入る。装置が通常の動作状態に入ると、メモリ
20からマイク戸命令が、リードデータ2として順次読
み出され装置内部の各部がこれによって制御される。こ
の時には、メモリ20の内容がそのままリードデータ2
として使用される。
When the device is powered on, the microinstruction storage control unit 50
starts to move and makes the inverted signal 3 non-inverted (step 51
). Then, the microinstruction is read from the floppy disk (step 52) and stored in the sending memory 20 as write data 1 (step 53). The operation from reading the microinstruction to storing it in the memory 20 is as follows:
The process is executed until all microinstructions have been stored (steps 52 to 54). Then, when the storage is completed, the microinstruction storage control section stops operating, and the device enters the normal operating state. When the device enters a normal operating state, microphone commands are sequentially read out from the memory 20 as read data 2, and various parts inside the device are controlled thereby. At this time, the contents of the memory 20 remain as read data 2.
used as.

次にメモリ20に障害が発生してから、通常の動作状態
に戻るまでを説明する。
Next, a description will be given of the process from when a failure occurs in the memory 20 to when the memory 20 returns to its normal operating state.

メモリ20内部のあるアドレスでデータ“1011″の
下から2番目のビットが“0″に固定的に破壊され″1
001”になる障害が発生したとすると、リードデータ
2を監視している障害検出回路40で障害発生が検出さ
れる。障害発生が検出されるとマイクロ命令格納制御部
50が再び動き出し、反転信号3を反転にする(ステッ
プ55)。そして、フロッピーディスクからマイクロ命
令を読み出し(ステップ52)、ライトデータ1として
メモリ20に格納する(ステップ53)。マイクロ命令
を読み出してからメモリ20に格納するまでの動作が全
てのマイクロ命令の格納が終了するまで実行される(ス
テップ52〜54)。この時、メモリ20にはライトデ
ータ1の正負が反転したデータが書き込まれ、データが
“0”に破壊される障害が発生したビットに対しては“
0″のデータが書き込まれるため、データが“0”に破
壊されても影響はない。格納が終了した時点でマイクロ
命令格納制御部は動作を停止し、装置は再び通常の動作
状態に入る。装置が通常の動作状態に入ると、メモリ2
0から順次マイクロ命令がリードデータ2として読み出
され、装置内部の各部がこれによって制御され制御され
る。この時には、メモリ20の内容の正負が入れ換った
データが、リードデータ2(マイクロ命令)として使用
される。
At a certain address inside the memory 20, the second bit from the bottom of the data “1011” is permanently destroyed to “0” and “1”
001", the failure detection circuit 40 monitoring the read data 2 detects the failure. When the failure is detected, the microinstruction storage control unit 50 starts operating again and outputs an inverted signal. 3 is inverted (step 55). Then, the microinstruction is read from the floppy disk (step 52) and stored in the memory 20 as write data 1 (step 53). This operation is executed until all microinstructions are stored (steps 52 to 54). At this time, data with the sign of write data 1 inverted is written to the memory 20, and the data is destroyed to "0". “
Since data of "0" is written, there is no effect even if the data is destroyed to "0". When the storage is completed, the microinstruction storage control section stops operating and the device returns to the normal operating state. When the device enters the normal operating state, memory 2
Microinstructions are read out sequentially from 0 as read data 2, and each part inside the device is controlled by these microinstructions. At this time, data with the positive and negative contents of the memory 20 swapped is used as read data 2 (microinstruction).

以上、全てのライトデータ、全てのリードデータを反転
させたー実施例について説明したが、障害の発生したビ
ットのみのライトデータ、リードデータを反転するよう
に構戊しても良い。
Although the embodiment has been described above in which all write data and all read data are inverted, it is also possible to invert only the write data and read data of only the bit in which a failure has occurred.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明は、RAMを使用した制御記
植の佇害発生時に、ライトデータの正負を反転させてマ
イクロプログラムを再書き込みし、読み出し時にリード
データの正負を反転して読み出すことにより、制御記憶
のビットを増やさずに制御記憶の間欠的な障害だけでな
く、固定的な障害に対しても対処出来るという効果があ
る。
As explained above, the present invention is capable of rewriting the microprogram by inverting the sign of write data when a failure occurs in control writing using RAM, and rewriting the microprogram by inverting the sign of read data when reading. This has the effect of being able to deal with not only intermittent failures in the control memory, but also fixed failures, without increasing the number of bits in the control memory.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例の構成を示すブロック図、第
2図は反転信号とデータ種別(ライトデータ,メモリ内
データおよびリードデータ)との関係を例示した説明図
、第3図は電源オン時と障害発生時とのマイクロ命令格
納制御部50の動作を示した流れ図である。 10・・・・・・ライトデータ反転回路、20・・・・
・・メモリ、30・・・・・・リードデータ反転回路、
40・・・・・・障害検出回路、50・・・・・・マイ
クロ命令格納制御部。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating the relationship between inverted signals and data types (write data, data in memory, and read data), and FIG. 5 is a flowchart showing the operation of the microinstruction storage control unit 50 when the power is turned on and when a failure occurs. 10...Write data inversion circuit, 20...
...Memory, 30... Read data inversion circuit,
40...fault detection circuit, 50...microinstruction storage control unit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 情報処理システムにおけるメモリ回路において、書き換
えが可能なメモリと、 外部からの反転信号が非反転を示している場合には外部
からのライトデータをそのまま前記メモリへのライトデ
ータとして送り、反転を示している場合には前記外部か
らのライトデータの正負を反転して前記メモリへのライ
トデータとして送るライトデータ反転回路と、 前記外部からの反転信号が非反転を示している場合には
前記メモリからのリードデータを外部へのリードデータ
として送出し、反転を示している場合には前記メモリか
らのリードデータの正負を反転して外部へのリードデー
タとして送出するリードデータ反転回路とを備えて成る
ことを特徴とするメモリ回路。
[Claims] In a memory circuit in an information processing system, there is provided a rewritable memory, and when an inversion signal from the outside indicates non-inversion, write data from the outside is directly used as write data to the memory. a write data inversion circuit that inverts the sign of the write data from the outside and sends it as write data to the memory when the inversion signal is inverted; a read data inversion circuit that sends out the read data from the memory as read data to the outside, and inverts the sign of the read data from the memory and sends it out as read data to the outside if an inversion is indicated; A memory circuit comprising:
JP1189471A 1989-07-21 1989-07-21 Memory circuit Pending JPH0353358A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1189471A JPH0353358A (en) 1989-07-21 1989-07-21 Memory circuit

Applications Claiming Priority (1)

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JP1189471A JPH0353358A (en) 1989-07-21 1989-07-21 Memory circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0353358A true JPH0353358A (en) 1991-03-07

Family

ID=16241819

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1189471A Pending JPH0353358A (en) 1989-07-21 1989-07-21 Memory circuit

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JP (1) JPH0353358A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030093642A (en) * 2002-06-04 2003-12-11 기아자동차주식회사 Reinforcing bracket for improving strength of front door of vehicle

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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