JPH0353530A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0353530A JPH0353530A JP18924689A JP18924689A JPH0353530A JP H0353530 A JPH0353530 A JP H0353530A JP 18924689 A JP18924689 A JP 18924689A JP 18924689 A JP18924689 A JP 18924689A JP H0353530 A JPH0353530 A JP H0353530A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、酸化膜を形成する半導体装置の製造、方法に
関し、特に急熱短時間酸化（ＲＴＯ；ＲａｐｉｄＴｈｅ
ｒｍａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ）処理による均一な酸
化膜の形戒方法に関する。
関し、特に急熱短時間酸化（ＲＴＯ；ＲａｐｉｄＴｈｅ
ｒｍａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ）処理による均一な酸
化膜の形戒方法に関する。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上にほぼ
均一な第一の酸化膜を急熱短時間酸化処理により形威し
、次いで、前記急熱短時間酸化処理を行った同一反応室
内で任意の厚さの第二の酸化膜を象，熱短時間酸化処理
により形成することにより、酸化膜の耐圧特性を確保し
ながら、ＷＡ厚の均一性を向上させるものである。
均一な第一の酸化膜を急熱短時間酸化処理により形威し
、次いで、前記急熱短時間酸化処理を行った同一反応室
内で任意の厚さの第二の酸化膜を象，熱短時間酸化処理
により形成することにより、酸化膜の耐圧特性を確保し
ながら、ＷＡ厚の均一性を向上させるものである。
酸化膜形成技術には気相化学反応（ＣＶＤ・），スバッ
タ．回転塗布により基板にＳ ｉ Ｏ２膜を堆積させる
堆積法と常圧酸化，高圧酸化及び酸素プラズマ酸化によ
る酸化法がある．このうち、酸化法は、常圧酸化．高圧
酸化のように酸素ガスもしくは水蒸気中で７００−１１
００゜Ｃの比較的高温で酸化する方法と、酸素プラズマ
を酸化種として４００〜７ ０ ０ ”Ｃの比較的低温
でシリコン基板を酸化する方法が知られている。常圧酸
化は最も一般的な方法であり、特に素子間分離のための
ＬＯＣＯＳＭ化とゲート酸化膜形成において重要であと
ころで、近年、ＭＯＳメモリーが微細化されるに従って
ゲート酸化膜の薄膜化が進み、１００人以下の酸化膜が
使用されている．このような１００人以下の膜厚の酸化
膜を形成する方法として白熱線等のヒータを熱源とする
従来の電気炉を用いる場合、酸化レートを下げて膜厚の
均一性を確保するとともに、９００゜Ｃ以下の比較的低
温で酸化し、不純物の拡散が起こらないようにして膜質
の低下を防止している。
タ．回転塗布により基板にＳ ｉ Ｏ２膜を堆積させる
堆積法と常圧酸化，高圧酸化及び酸素プラズマ酸化によ
る酸化法がある．このうち、酸化法は、常圧酸化．高圧
酸化のように酸素ガスもしくは水蒸気中で７００−１１
００゜Ｃの比較的高温で酸化する方法と、酸素プラズマ
を酸化種として４００〜７ ０ ０ ”Ｃの比較的低温
でシリコン基板を酸化する方法が知られている。常圧酸
化は最も一般的な方法であり、特に素子間分離のための
ＬＯＣＯＳＭ化とゲート酸化膜形成において重要であと
ころで、近年、ＭＯＳメモリーが微細化されるに従って
ゲート酸化膜の薄膜化が進み、１００人以下の酸化膜が
使用されている．このような１００人以下の膜厚の酸化
膜を形成する方法として白熱線等のヒータを熱源とする
従来の電気炉を用いる場合、酸化レートを下げて膜厚の
均一性を確保するとともに、９００゜Ｃ以下の比較的低
温で酸化し、不純物の拡散が起こらないようにして膜質
の低下を防止している。
しかし、酸化膜のｇｉ膜化にともなって処理温度をさら
に低温化させる必要があり、このような低温化に起因す
る耐圧性の低下や膜がポーラスになる等の膜質の劣化が
起きる虞れがある。
に低温化させる必要があり、このような低温化に起因す
る耐圧性の低下や膜がポーラスになる等の膜質の劣化が
起きる虞れがある。
そこで、上述のような膜質の劣化を改善するための技術
として、最近では、ハロゲンランプ照射による急熱短時
間酸化が注目されている（例えば、特開昭６３−２１１
７５９号公報参照．）．この急熱短時間酸化処理は、ハ
ロゲンランプ（近赤外光０． ４〜４．０μｍ波長）の
輻射による赤外線により．短時間（数秒間或いは数分間
程度）、試料を連続的に照射するものである。このよう
なハロゲンランプ照射を用い、酸素ガス中でドライ酸化
された酸化膜は、水蒸気中で電気炉を用いてウェット酸
化された酸化膜と同等あるいはそれ以上の耐圧特性を有
している． 〔発明が解決しようとする課題〕 ところが、上述のハロゲンランプ照射による急熱短時間
酸化処理によって酸化膜を形成する方法では、耐圧性は
確保されるが、一方で半導体基体の面内の膜厚の均一性
が低下するという欠点がある。一般的に、酸化膜の膜厚
と膜厚のばらつき度の関係は、膜厚が薄くなるに従って
欣厚のばらつきが大きくなる傾向にある．また、従来の
急熱短時間酸化によって形威した酸化膜と電気炉を用い
て形成した酸化膜を比較した場合、実験結果によれば、
膜厚が２００人以下の領域では急熱短時間酸化による酸
化膜の均一性は大きく劣化しており、急熱短時間酸化処
理による酸化膜の均一度の値は電気炉による酸化膜の均
一度の約１／２になった．これは、酸化膜を処理する際
の初期の酸化レートが電気炉を用いた場合に比べて速い
ためと考えられる。さらに、膜厚が５０人以下の極めて
薄い膜厚の領域において急熱短時間酸化処理による酸化
膜のばらつき度は約１０％を越える値となり、このよう
な均一度の低下に伴い耐圧分布も低下するという問題が
ある。
として、最近では、ハロゲンランプ照射による急熱短時
間酸化が注目されている（例えば、特開昭６３−２１１
７５９号公報参照．）．この急熱短時間酸化処理は、ハ
ロゲンランプ（近赤外光０． ４〜４．０μｍ波長）の
輻射による赤外線により．短時間（数秒間或いは数分間
程度）、試料を連続的に照射するものである。このよう
なハロゲンランプ照射を用い、酸素ガス中でドライ酸化
された酸化膜は、水蒸気中で電気炉を用いてウェット酸
化された酸化膜と同等あるいはそれ以上の耐圧特性を有
している． 〔発明が解決しようとする課題〕 ところが、上述のハロゲンランプ照射による急熱短時間
酸化処理によって酸化膜を形成する方法では、耐圧性は
確保されるが、一方で半導体基体の面内の膜厚の均一性
が低下するという欠点がある。一般的に、酸化膜の膜厚
と膜厚のばらつき度の関係は、膜厚が薄くなるに従って
欣厚のばらつきが大きくなる傾向にある．また、従来の
急熱短時間酸化によって形威した酸化膜と電気炉を用い
て形成した酸化膜を比較した場合、実験結果によれば、
膜厚が２００人以下の領域では急熱短時間酸化による酸
化膜の均一性は大きく劣化しており、急熱短時間酸化処
理による酸化膜の均一度の値は電気炉による酸化膜の均
一度の約１／２になった．これは、酸化膜を処理する際
の初期の酸化レートが電気炉を用いた場合に比べて速い
ためと考えられる。さらに、膜厚が５０人以下の極めて
薄い膜厚の領域において急熱短時間酸化処理による酸化
膜のばらつき度は約１０％を越える値となり、このよう
な均一度の低下に伴い耐圧分布も低下するという問題が
ある。
そこで、本発明は、急熱短時間酸化処理により形或する
方法であって、特に膜厚が１００入よりも｝通い酸化膜
においても膜圧特性及び膜厚の均一性の両方の点で優れ
た酸化膜を形威する半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする．〔課題を解決するための手段〕 本発明の多層配線形威方法は上述の目的を達戒するため
に提案されたものであり、シリコン基板等の半導体基仮
に対し、ほぼ均一な第一の酸化膜を第一の急熱短時間酸
化処理により形威する工程と、前記第一の急熱短時間酸
化処理を行った同一反応室内で任、意の厚さの第二の酸
化Ｒタを第二の急熱短時間酸化処理により形成する工程
とからなることを特徴とする．ここで、第二の酸化膜は
第一の酸化膜がさらに酸化されたものであって、一体に
形成される。
方法であって、特に膜厚が１００入よりも｝通い酸化膜
においても膜圧特性及び膜厚の均一性の両方の点で優れ
た酸化膜を形威する半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする．〔課題を解決するための手段〕 本発明の多層配線形威方法は上述の目的を達戒するため
に提案されたものであり、シリコン基板等の半導体基仮
に対し、ほぼ均一な第一の酸化膜を第一の急熱短時間酸
化処理により形威する工程と、前記第一の急熱短時間酸
化処理を行った同一反応室内で任、意の厚さの第二の酸
化Ｒタを第二の急熱短時間酸化処理により形成する工程
とからなることを特徴とする．ここで、第二の酸化膜は
第一の酸化膜がさらに酸化されたものであって、一体に
形成される。
ここで、第一の急熱短時間酸化処理は処理瓜度を７５０
〜８５０゜Ｃの範囲で行うことができ、より好ましくは
、７８０〜８ ２ ０ ’Ｃである。第二の急熱短時間
酸化処理においては、１１００〜１２００゜Ｃ程度の範
囲で行うことができる．また、第一の急熱短時間酸化処
理の処理温度までの昇温速度は、５０゜Ｃ／ ｓ ｅ
ｃ以下とされ、第二の急熱短時間酸化処理の処理温度ま
での昇温速度は、５〜１００゜（／ｓｅｃとされ、１０
０℃／ ｓ ｅ ｃ以上は均一性の面から好ましくない
。
〜８５０゜Ｃの範囲で行うことができ、より好ましくは
、７８０〜８ ２ ０ ’Ｃである。第二の急熱短時間
酸化処理においては、１１００〜１２００゜Ｃ程度の範
囲で行うことができる．また、第一の急熱短時間酸化処
理の処理温度までの昇温速度は、５０゜Ｃ／ ｓ ｅ
ｃ以下とされ、第二の急熱短時間酸化処理の処理温度ま
での昇温速度は、５〜１００゜（／ｓｅｃとされ、１０
０℃／ ｓ ｅ ｃ以上は均一性の面から好ましくない
。
また、第一の酸化膜の膜厚が例えば２０人以下とされ、
第二の酸化膜と第一の酸化膜の膜厚の和が例えば１００
人よりも薄いような酸化膜を形成する場合に、本発明の
半導体装置の製造方法は適応できる。
第二の酸化膜と第一の酸化膜の膜厚の和が例えば１００
人よりも薄いような酸化膜を形成する場合に、本発明の
半導体装置の製造方法は適応できる。
先ず、シリコン基板上の酸化膜を７５０〜８５０゜Ｃの
比較的低温で急熱短時間酸化することにより、膜厚の均
一性に優れた第一の酸化膜が形成される。次いで、上述
の急熱短時間酸化処理を行った同一反応室内で連続的に
１１００〜１２００℃の高温で通常の急熱短時間酸化処
理を行って任意の厚さの第二の酸化膜を形戒することに
より、第二の酸化膜の酸化工程では既に第一の酸化膜が
形威されているので、膜厚は酸化時間の１／２乗に比例
し、酸化処理における初期の酸化レートが速くなる虞れ
がない。従って、従来の急熱短時間酸化の場合に比べて
低い酸化レートで急熱短時間酸化が行われるため、酸化
膜の膜厚の均一性が確保されたまま酸化が進行する．ま
た、第二の急熱短時間酸化を行うので信頼性の高い耐圧
特性が得られる． 〔実施例〕 本発明の好適な実施例゜を図面を参照しながら説明する
。
比較的低温で急熱短時間酸化することにより、膜厚の均
一性に優れた第一の酸化膜が形成される。次いで、上述
の急熱短時間酸化処理を行った同一反応室内で連続的に
１１００〜１２００℃の高温で通常の急熱短時間酸化処
理を行って任意の厚さの第二の酸化膜を形戒することに
より、第二の酸化膜の酸化工程では既に第一の酸化膜が
形威されているので、膜厚は酸化時間の１／２乗に比例
し、酸化処理における初期の酸化レートが速くなる虞れ
がない。従って、従来の急熱短時間酸化の場合に比べて
低い酸化レートで急熱短時間酸化が行われるため、酸化
膜の膜厚の均一性が確保されたまま酸化が進行する．ま
た、第二の急熱短時間酸化を行うので信頼性の高い耐圧
特性が得られる． 〔実施例〕 本発明の好適な実施例゜を図面を参照しながら説明する
。
本発明は、ハロゲンランプ加熱を用いた急熱短特間酸化
によってシリコン酸化膜を形威する半導体装置の製造方
法である。
によってシリコン酸化膜を形威する半導体装置の製造方
法である。
先ず、半導体基板であるシリコン基板の表面を洗浄し、
希フン酸による表面処理を行う。この表面処理を行った
半導体基板上には薄い自然酸化膜が形成される． 次に、第１図に示すように、ハロゲンランプ加熱により
昇温速度を５０゜（：／ｓｅｃ以下で８００゜Ｃまで昇
温し、８００゜Ｃで第一の急熱短時間酸化を行ってＩＩ
厚が２０人程度である第一の酸化膜が形威される．なお
、第一の急熱短時間酸化処理の処理温度は７５０〜Ｂ５
０″Ｃの範囲とすることが好ましく、より好ましくは、
７８０〜８２０゜Ｃである． そして、第一の急熱短時間酸化を行った同一反応室内で
連続してｌ１５０゜Ｃまで加熱する．温度が１１５０゜
Ｃに達した後、この温度で通常の短時間酸化により所望
の膜厚の第二の酸化膜が形成される。１１５０’Ｃまで
の昇温速度は５〜１ ０ ０ ’Ｃ／ ｓ ｅ ｃが適
当とされ、均一性の面から１００゜Ｃ／ ｓ ｅ ｃ以
上は好ましくない。
希フン酸による表面処理を行う。この表面処理を行った
半導体基板上には薄い自然酸化膜が形成される． 次に、第１図に示すように、ハロゲンランプ加熱により
昇温速度を５０゜（：／ｓｅｃ以下で８００゜Ｃまで昇
温し、８００゜Ｃで第一の急熱短時間酸化を行ってＩＩ
厚が２０人程度である第一の酸化膜が形威される．なお
、第一の急熱短時間酸化処理の処理温度は７５０〜Ｂ５
０″Ｃの範囲とすることが好ましく、より好ましくは、
７８０〜８２０゜Ｃである． そして、第一の急熱短時間酸化を行った同一反応室内で
連続してｌ１５０゜Ｃまで加熱する．温度が１１５０゜
Ｃに達した後、この温度で通常の短時間酸化により所望
の膜厚の第二の酸化膜が形成される。１１５０’Ｃまで
の昇温速度は５〜１ ０ ０ ’Ｃ／ ｓ ｅ ｃが適
当とされ、均一性の面から１００゜Ｃ／ ｓ ｅ ｃ以
上は好ましくない。
なお、第二の急熱短時間酸化では、処理温度を１ １０
０〜１２００゜Ｃの範囲内で行うことができる． ここで、第２図は、本実施例の酸化膜の形戒方法によっ
て得られた酸化膜の膜厚（横軸）と膜厚のばらつき度（
縦軸）の関係を示すものであり、同時に、電気炉による
酸化膜及び従来の急熱短時間酸化による酸化膜との比較
を示すものである．第２図に示すように、本実施例によ
る酸化膜は電気炉による酸化膜とほぼ同じレベルの膜厚
の均一性の高い酸化膜が得られており、膜厚が５０人の
非常に薄い膜においても膜厚のばらつき度はわずか５％
程度である。一方、従来の急熱短時間酸化による酸化膜
と比較した場合、１００入以下の膜厚の領域で、２倍以
上の均一性が得られている．以上のような二段階の急熱
短時間酸化を行って酸化膜を形戒することにより、予め
第一の酸化膜が形成されているので第二の酸化膜の酸化
工程では実質的な酸化レートが低くなるため、膜厚がば
らつく要因がなくなり、均一な酸化膜が形威される。ま
た、高温で酸化処理されるので耐圧特性が向上する． 〔発明の効果〕 本発明の半導体装置の製造方法で５よ、温度の異なった
二段階の急熱短時間酸化が行われる。即ち、比較的低温
では均一な酸化膜が形成され、高温の急熱短時間酸化で
は酸化膜の欣質特性が向上される。第二のｔ熱短時間酸
化は既に第一の酸化膜が形威されているために、その酸
化レートが高くならず、酸化膜の均一性が確保されたま
ま進行する．従って、１００人以下程度の膜厚の薄い酸
化膜においても耐圧特性と均一性に優れた酸化膜の形威
が実現される。
０〜１２００゜Ｃの範囲内で行うことができる． ここで、第２図は、本実施例の酸化膜の形戒方法によっ
て得られた酸化膜の膜厚（横軸）と膜厚のばらつき度（
縦軸）の関係を示すものであり、同時に、電気炉による
酸化膜及び従来の急熱短時間酸化による酸化膜との比較
を示すものである．第２図に示すように、本実施例によ
る酸化膜は電気炉による酸化膜とほぼ同じレベルの膜厚
の均一性の高い酸化膜が得られており、膜厚が５０人の
非常に薄い膜においても膜厚のばらつき度はわずか５％
程度である。一方、従来の急熱短時間酸化による酸化膜
と比較した場合、１００入以下の膜厚の領域で、２倍以
上の均一性が得られている．以上のような二段階の急熱
短時間酸化を行って酸化膜を形戒することにより、予め
第一の酸化膜が形成されているので第二の酸化膜の酸化
工程では実質的な酸化レートが低くなるため、膜厚がば
らつく要因がなくなり、均一な酸化膜が形威される。ま
た、高温で酸化処理されるので耐圧特性が向上する． 〔発明の効果〕 本発明の半導体装置の製造方法で５よ、温度の異なった
二段階の急熱短時間酸化が行われる。即ち、比較的低温
では均一な酸化膜が形成され、高温の急熱短時間酸化で
は酸化膜の欣質特性が向上される。第二のｔ熱短時間酸
化は既に第一の酸化膜が形威されているために、その酸
化レートが高くならず、酸化膜の均一性が確保されたま
ま進行する．従って、１００人以下程度の膜厚の薄い酸
化膜においても耐圧特性と均一性に優れた酸化膜の形威
が実現される。
第１図は本発明にかかる半導体装置の製造方法の一例の
温度スケジュールを示す図である．第２図は本発明にか
かる半導体装置の製造方法の一例の膜厚と均一性の関係
図である。
温度スケジュールを示す図である．第２図は本発明にか
かる半導体装置の製造方法の一例の膜厚と均一性の関係
図である。
Claims (1)
- 半導体基板に対し、ほぼ均一な第一の酸化膜を第一の急
熱短時間酸化処理により形成する工程と、前記第一の急
熱短時間酸化処理を行った同一反応室内で任意の厚さの
第二の酸化膜を第二の急熱短時間酸化処理により形成す
る工程を具備してなる半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18924689A JP2917303B2 (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18924689A JP2917303B2 (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353530A true JPH0353530A (ja) | 1991-03-07 |
| JP2917303B2 JP2917303B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=16238074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18924689A Expired - Fee Related JP2917303B2 (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2917303B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007087978A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-04-05 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2008182192A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-08-07 | Sumco Corp | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| CN113436961A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-09-24 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 氧化膜生成方法 |
-
1989
- 1989-07-21 JP JP18924689A patent/JP2917303B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007087978A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-04-05 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2008182192A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-08-07 | Sumco Corp | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| US7767549B2 (en) | 2006-12-26 | 2010-08-03 | Sumco Corporation | Method of manufacturing bonded wafer |
| CN113436961A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-09-24 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 氧化膜生成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2917303B2 (ja) | 1999-07-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |