JPH0356263B2 - - Google Patents
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- JPH0356263B2 JPH0356263B2 JP57005682A JP568282A JPH0356263B2 JP H0356263 B2 JPH0356263 B2 JP H0356263B2 JP 57005682 A JP57005682 A JP 57005682A JP 568282 A JP568282 A JP 568282A JP H0356263 B2 JPH0356263 B2 JP H0356263B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- trisazo compound
- trisazo
- photoreceptor
- present
- Prior art date
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
本発明は新規なトリスアゾ化合物およびその製
造方法に関する。 従来からトリスアゾ化合物あるいはジスアゾ化
合物が電子写真方式において使用される感光体の
一つの形態である積層型感光体の、電荷発生層に
用いられる電荷発生顔料として有効であることが
知られている。ここでいう積層型感光体とは、導
電性支持体上に、光によつて電荷担体を生成する
能力を有する電荷発生顔料を適切な方法、例えば
真空蒸着、顔料溶液の塗布あるいは樹脂溶液に、
顔料の微細粒子を分散した分散液の塗布などによ
り薄層として電荷発生層を形成せしめ、その上に
電荷発生層で生成した電荷担体を効率よく注入さ
れ得て、しかもその移動を行うところの電荷移動
層（通常この電荷移動層は、電荷移動物質と結着
樹脂とからなる。）を形成せしめた感光体である。
従来、この種の感光体に使用されるジスアゾ化合
物として、例えば特開昭47−37543号公報、ある
いは特開昭52−55643号公報、などに開示されて
いるベンジン系ジスアゾ顔料あるいは、特開昭53
−132547号公報に開示されているトリフエニルア
ミン系トリスアゾ顔料などが公知である。 しかしながら従来のトリスアゾ顔料、ジスアゾ
顔料を用いた積層型の感光体は、例えばヒ素セレ
ン（As2Se3）合金を用いた無機系の感光体と比
較した場合、感度が低く、高速複写機の感光体と
して適切でないなどの欠点を有している。また近
年レーザープリンター用感光体の要求も高まつて
おり、特に半導体レーザーの波長域における高感
度感光体の開発が急務である。 本発明の目的は、先に述べた積層型の感光体に
おいて半導体レーザーの波長域においても有効な
新規なトリスアゾ化合物を提供することにある。 また、本発明の他の目的は、上記トリスアゾ化
合物の製造方法を提供することにある。 本発明者は高感度でしかも可視光全般及び半導
体レーザーの波長域にわたつてほぼフラツトな感
度を有する電荷発生顔料を開発することを目的と
し、数多くのジスアゾ化合物あるいはトリスアゾ
化合物について鋭意研究を重ねた結果、下記一般
式〔〕で表わされるトリスアゾ化合物において
もＲにおける置換基の種類あるいは位置の違いに
より特性が大きく異り、Ｒが下記に示したもので
あるトリスアゾ化合物が優れた特性を有すること
を見出した。すなわち、本発明は下記一般式
〔〕 （但し、Ｒは
造方法に関する。 従来からトリスアゾ化合物あるいはジスアゾ化
合物が電子写真方式において使用される感光体の
一つの形態である積層型感光体の、電荷発生層に
用いられる電荷発生顔料として有効であることが
知られている。ここでいう積層型感光体とは、導
電性支持体上に、光によつて電荷担体を生成する
能力を有する電荷発生顔料を適切な方法、例えば
真空蒸着、顔料溶液の塗布あるいは樹脂溶液に、
顔料の微細粒子を分散した分散液の塗布などによ
り薄層として電荷発生層を形成せしめ、その上に
電荷発生層で生成した電荷担体を効率よく注入さ
れ得て、しかもその移動を行うところの電荷移動
層（通常この電荷移動層は、電荷移動物質と結着
樹脂とからなる。）を形成せしめた感光体である。
従来、この種の感光体に使用されるジスアゾ化合
物として、例えば特開昭47−37543号公報、ある
いは特開昭52−55643号公報、などに開示されて
いるベンジン系ジスアゾ顔料あるいは、特開昭53
−132547号公報に開示されているトリフエニルア
ミン系トリスアゾ顔料などが公知である。 しかしながら従来のトリスアゾ顔料、ジスアゾ
顔料を用いた積層型の感光体は、例えばヒ素セレ
ン（As2Se3）合金を用いた無機系の感光体と比
較した場合、感度が低く、高速複写機の感光体と
して適切でないなどの欠点を有している。また近
年レーザープリンター用感光体の要求も高まつて
おり、特に半導体レーザーの波長域における高感
度感光体の開発が急務である。 本発明の目的は、先に述べた積層型の感光体に
おいて半導体レーザーの波長域においても有効な
新規なトリスアゾ化合物を提供することにある。 また、本発明の他の目的は、上記トリスアゾ化
合物の製造方法を提供することにある。 本発明者は高感度でしかも可視光全般及び半導
体レーザーの波長域にわたつてほぼフラツトな感
度を有する電荷発生顔料を開発することを目的と
し、数多くのジスアゾ化合物あるいはトリスアゾ
化合物について鋭意研究を重ねた結果、下記一般
式〔〕で表わされるトリスアゾ化合物において
もＲにおける置換基の種類あるいは位置の違いに
より特性が大きく異り、Ｒが下記に示したもので
あるトリスアゾ化合物が優れた特性を有すること
を見出した。すなわち、本発明は下記一般式
〔〕 （但し、Ｒは
【式】
【式】を表わす。）
で表わされるトリスアゾ化合物である。この新規
なトリスアゾ化合物は常温において黒色の結晶体
である。 本発明のトリスアゾ化合物を用いた積層型感光
体は無機系の感光体と比較して感度の点でも遜色
のないものであり、且つ、800nmの波長の光まで
応答が極めて早い。 下記の説明のために、本発明のトリスアゾ化合
物を表示する。
なトリスアゾ化合物は常温において黒色の結晶体
である。 本発明のトリスアゾ化合物を用いた積層型感光
体は無機系の感光体と比較して感度の点でも遜色
のないものであり、且つ、800nmの波長の光まで
応答が極めて早い。 下記の説明のために、本発明のトリスアゾ化合
物を表示する。
【表】
第１−１〜１−４図には上記−１〜−４の
トリスアゾ化合物の赤外線吸収スペクトル
（KBr錠剤法）を、第２−１〜２〜４図には熱分
析図（TG−DSC）を、また第３−１〜３−４図
にはＸ線回折図を示した。なお第２図中、曲線Ａ
は熱天秤曲線、曲線Ｂは示差熱曲線を示す。上記
の本発明のトリスアゾ化合物は、下記のような手
段によつて製造することができる。 すなわち本発明の他の一つは式〔〕で表わさ
れる４，4′，4″−トリアミノフエニルアミン をジアゾ化して一般式〔〕で表わされるヘキサ
ゾニウム塩とし、 （但し、Ｘはアニオン官能基を表わす。） これと一般式〔〕で表わされる２−ヒドロキ
シ−３−フエニルカルバモイルベンゾ〔ａ〕カル
バゾール誘導体 （但し、Ｒは前記と同じ。） とを反応させることを特徴とする一般式〔〕で
表わされるトリスアゾ化合物の製造方法である。 この製造方法において、４，4′，4″−トリアミ
ノトリフエニルアミンのジアゾ化は、これを希塩
酸あるいは希硫酸ような希薄無機酸中で亜硝酸ナ
トリウム水溶液を−10℃ないし、10℃にて添加す
ることにより行なわれる。このジアゾ化反応は、
およそ30分間から３時間で完結する。さらに反応
混合物に、例えばホウフツ化水素酸あるいはホウ
フツ化ナトリウム水溶液などを加えてテトラゾニ
ウム塩として沈澱させ、結晶を取してから次の
反応に用いることが望ましい。次いで、このテト
ラゾニウム塩に一般式〔〕の２−ヒドロキシ−
３−フエニルカルバモイルベンゾ〔ａ〕カルバゾ
ール誘導体を作用させてカツプリング反応を起さ
せることにより行なわれる。実際にはこの反応
は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（DMF）や
ジメチルスルホキシドなどの有機溶媒にテトラゾ
ニウム塩およびカツプラーを混合溶解しておき、
これに約−10℃ないし40℃にて酢酸ナトリウム水
溶液などのアルカリ水溶液を滴下することにより
行なわれる。この反応はおよそ５分間ないし３時
間で完結する。反応終了後、析出している結晶を
取し、適切な方法により精製（例えば水あるい
は／および有機溶剤による洗浄、再結晶法など）
することにより上記トリスアゾ化合物の製造は完
了する。 このようにして製造される本発明のトリスアゾ
化合物の製造例を示せば次の通りである。 製造例 １ ４，4′，4″−トリアミノトリフエニルアミン8.7
ｇを濃塩酸150ml及び水130mlから調製した希塩酸
に加え室温で約30分間よく撹拌する。次にこの混
合物を約０℃に冷却し、亜硝酸ナトリウム7.7ｇ
を水30mlに溶解した溶液を−3゜〜2゜℃の温度で約
20分間に亘つて滴下した。その後同温度で約１時
間撹拌し、微量の不溶液を別し、液に42％硼
弗化水素酸水溶液60mlを加え析出する沈殿を取
し水洗した後乾燥して15.3ｇ（収率87％）のヘキ
サゾニウムトリフオロボレートを黄色結晶（分解
点：約129℃）として得た。 次に上記のようにして得たヘキサゾニウム塩
1.2ｇおよび、２−ヒドロキシ−３−（２−メチル
−５−クロルフエニルカルバモイル）ベンゾ
〔ａ〕カルバゾール2.9ｇをDMF210mlに溶解し、
これに酢酸ナトリウム2.9ｇを水30mlに溶解し溶
液を室温にて、約５分間で滴下した。滴下終了
後、同温度で更に３時間撹拌したのち析出してい
る結晶を取した。 得られた粗結晶ケーキをDMF300mlに分散し、
室温で１時間撹拌したのち再び結晶を取し、更
にこの操作を４回くり返した。その後結晶を水洗
して乾燥し本発明のトリスアゾ化合物（−１）
2.4ｇ（78％）を得た。 黒色結晶 分 解 点 300℃以上 元素分析値 実測値 計算値 Ｃ ％ 70.50 70.84 Ｈ ％ 3.76 3.96 Ｎ ％ 11.92 11.93 赤外線吸収スペクトルル（KBr錠剤法） νc＝０（第２アミド） 1680cm-1 製造例 ２ 製造例１における２−ヒドロキシ−３−（２−
メチル−５−クロルフエニルカルバモイル）ベン
ゾ〔ａ〕カルバゾール2.9ｇにかえて、２−ヒド
ロキシ−３−（２−エトキシフエニルカルバモイ
ル）ベンゾ〔ａ〕カルバゾール2.9ｇを用いた他
は同様にして本発明のトリスアゾ化合物（−
２）2.3ｇ（76％）を得た。 黒色結晶 分 解 点 300℃以上 元素分析値 実測値 計算値 Ｃ ％ 73.59 73.84 Ｈ ％ 4.56 4.60 Ｎ ％ 11.79 12.04 赤外線吸収スペクトル（KBr錠剤法） νc＝０（第２アミド） 1670cm-1 製造例 ３ 製造例１における２−ヒドロキシ−３−（２−
メチル−５−クロルフエニルカルバモイル）ベン
ゾ〔ａ〕カルバゾール2.9ｇにかえて、２−ヒド
ロキシ−３−（２，５−ジメチルフエニルカルバ
モイル）ベンゾ〔ａ〕カルバゾール2.7ｇを用い
た他は同様にして本発明のトリスアゾ化合物（
−３）1.9ｇ（65％）を得た。 黒色結晶 分 解 点 300℃以上 元素分析値 実測値 計算値 Ｃ ％ 76.09 76.26 Ｈ ％ 4.61 4.75 Ｎ ％ 11.93 12.43 赤外線吸収スペクトル（KBr錠剤法） νc＝０（第２アミド） 1680cm-1 製造例 ４ 製造例１における２−ヒドロキシ−３−（２−
メチル−５−クロルフエニルカルバモイル）ベン
ゾ〔ａ〕カルバゾール2.9ｇにかえて、２−ヒド
ロキシ−３−（２，４−ジメチルフエニルカルバ
モイル）ベンゾ〔ａ〕カルバゾール2.7ｇを用い
た他は同様にして本発明のトリスアゾ化合物（
−４）2.0ｇ（68％）を得た。 黒色結晶 分 解 点 300℃以上 元素分析値 実測値 計算値 Ｃ ％ 76.41 76.26 Ｈ ％ 4.46 4.75 Ｎ ％ 11.93 12.43 赤外線吸収スペクトル（KBr錠剤法） νc＝０（第２アミド） 1680cm-1 本発明のトリスアゾ化合物は前述のとおり積層
型感光体の電荷発生顔料として有効であり、その
点を明らかにするために以下に具体的な用途例を
示す。また本発明の進歩性を明かにするために従
来からのアゾ化合物との比較、あるいは無機系の
感光体との比較も同様に示す。 用途例 本発明のトリスアゾ化合物（−１）76重量
部、ポリエステル樹脂（バイロン20、株式会社東
洋紡績製）のテトラヒドロフラン溶液（固形分濃
度２％）1260重量部、およびテトラヒドロフラン
3700重量部をボールミル中で粉砕混合し、得られ
た分散液をアルミニウム蒸着したポリエステルベ
ース（導電性支持体）のアルミ面上にドクターブ
レードを用いて塗布し、自然乾燥して、厚さ約
1μmの電荷発生層を形成した。一方、９−（４−
ジエチルアミノフエニル）アントラセン１重量
部、ポリカーボネート樹脂（パンライトK1300、
株式会社帝人製）１重量部およびテトラヒドロフ
ラン８重量部を混合溶液して溶液としたのち、こ
れを前記電荷発生層上にドクターブレードで塗布
し80℃で２分間次いで100℃で５分間乾燥して厚
さ約20μmの電荷移動層を形成せしめ、第４図に
示した積層型の感光体(A)を作成した。 他に、下記表の組合わせとした以外は、上記用
途例と同様にして積層型の感光体(B)〜(D)を作成し
た。
トリスアゾ化合物の赤外線吸収スペクトル
（KBr錠剤法）を、第２−１〜２〜４図には熱分
析図（TG−DSC）を、また第３−１〜３−４図
にはＸ線回折図を示した。なお第２図中、曲線Ａ
は熱天秤曲線、曲線Ｂは示差熱曲線を示す。上記
の本発明のトリスアゾ化合物は、下記のような手
段によつて製造することができる。 すなわち本発明の他の一つは式〔〕で表わさ
れる４，4′，4″−トリアミノフエニルアミン をジアゾ化して一般式〔〕で表わされるヘキサ
ゾニウム塩とし、 （但し、Ｘはアニオン官能基を表わす。） これと一般式〔〕で表わされる２−ヒドロキ
シ−３−フエニルカルバモイルベンゾ〔ａ〕カル
バゾール誘導体 （但し、Ｒは前記と同じ。） とを反応させることを特徴とする一般式〔〕で
表わされるトリスアゾ化合物の製造方法である。 この製造方法において、４，4′，4″−トリアミ
ノトリフエニルアミンのジアゾ化は、これを希塩
酸あるいは希硫酸ような希薄無機酸中で亜硝酸ナ
トリウム水溶液を−10℃ないし、10℃にて添加す
ることにより行なわれる。このジアゾ化反応は、
およそ30分間から３時間で完結する。さらに反応
混合物に、例えばホウフツ化水素酸あるいはホウ
フツ化ナトリウム水溶液などを加えてテトラゾニ
ウム塩として沈澱させ、結晶を取してから次の
反応に用いることが望ましい。次いで、このテト
ラゾニウム塩に一般式〔〕の２−ヒドロキシ−
３−フエニルカルバモイルベンゾ〔ａ〕カルバゾ
ール誘導体を作用させてカツプリング反応を起さ
せることにより行なわれる。実際にはこの反応
は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（DMF）や
ジメチルスルホキシドなどの有機溶媒にテトラゾ
ニウム塩およびカツプラーを混合溶解しておき、
これに約−10℃ないし40℃にて酢酸ナトリウム水
溶液などのアルカリ水溶液を滴下することにより
行なわれる。この反応はおよそ５分間ないし３時
間で完結する。反応終了後、析出している結晶を
取し、適切な方法により精製（例えば水あるい
は／および有機溶剤による洗浄、再結晶法など）
することにより上記トリスアゾ化合物の製造は完
了する。 このようにして製造される本発明のトリスアゾ
化合物の製造例を示せば次の通りである。 製造例 １ ４，4′，4″−トリアミノトリフエニルアミン8.7
ｇを濃塩酸150ml及び水130mlから調製した希塩酸
に加え室温で約30分間よく撹拌する。次にこの混
合物を約０℃に冷却し、亜硝酸ナトリウム7.7ｇ
を水30mlに溶解した溶液を−3゜〜2゜℃の温度で約
20分間に亘つて滴下した。その後同温度で約１時
間撹拌し、微量の不溶液を別し、液に42％硼
弗化水素酸水溶液60mlを加え析出する沈殿を取
し水洗した後乾燥して15.3ｇ（収率87％）のヘキ
サゾニウムトリフオロボレートを黄色結晶（分解
点：約129℃）として得た。 次に上記のようにして得たヘキサゾニウム塩
1.2ｇおよび、２−ヒドロキシ−３−（２−メチル
−５−クロルフエニルカルバモイル）ベンゾ
〔ａ〕カルバゾール2.9ｇをDMF210mlに溶解し、
これに酢酸ナトリウム2.9ｇを水30mlに溶解し溶
液を室温にて、約５分間で滴下した。滴下終了
後、同温度で更に３時間撹拌したのち析出してい
る結晶を取した。 得られた粗結晶ケーキをDMF300mlに分散し、
室温で１時間撹拌したのち再び結晶を取し、更
にこの操作を４回くり返した。その後結晶を水洗
して乾燥し本発明のトリスアゾ化合物（−１）
2.4ｇ（78％）を得た。 黒色結晶 分 解 点 300℃以上 元素分析値 実測値 計算値 Ｃ ％ 70.50 70.84 Ｈ ％ 3.76 3.96 Ｎ ％ 11.92 11.93 赤外線吸収スペクトルル（KBr錠剤法） νc＝０（第２アミド） 1680cm-1 製造例 ２ 製造例１における２−ヒドロキシ−３−（２−
メチル−５−クロルフエニルカルバモイル）ベン
ゾ〔ａ〕カルバゾール2.9ｇにかえて、２−ヒド
ロキシ−３−（２−エトキシフエニルカルバモイ
ル）ベンゾ〔ａ〕カルバゾール2.9ｇを用いた他
は同様にして本発明のトリスアゾ化合物（−
２）2.3ｇ（76％）を得た。 黒色結晶 分 解 点 300℃以上 元素分析値 実測値 計算値 Ｃ ％ 73.59 73.84 Ｈ ％ 4.56 4.60 Ｎ ％ 11.79 12.04 赤外線吸収スペクトル（KBr錠剤法） νc＝０（第２アミド） 1670cm-1 製造例 ３ 製造例１における２−ヒドロキシ−３−（２−
メチル−５−クロルフエニルカルバモイル）ベン
ゾ〔ａ〕カルバゾール2.9ｇにかえて、２−ヒド
ロキシ−３−（２，５−ジメチルフエニルカルバ
モイル）ベンゾ〔ａ〕カルバゾール2.7ｇを用い
た他は同様にして本発明のトリスアゾ化合物（
−３）1.9ｇ（65％）を得た。 黒色結晶 分 解 点 300℃以上 元素分析値 実測値 計算値 Ｃ ％ 76.09 76.26 Ｈ ％ 4.61 4.75 Ｎ ％ 11.93 12.43 赤外線吸収スペクトル（KBr錠剤法） νc＝０（第２アミド） 1680cm-1 製造例 ４ 製造例１における２−ヒドロキシ−３−（２−
メチル−５−クロルフエニルカルバモイル）ベン
ゾ〔ａ〕カルバゾール2.9ｇにかえて、２−ヒド
ロキシ−３−（２，４−ジメチルフエニルカルバ
モイル）ベンゾ〔ａ〕カルバゾール2.7ｇを用い
た他は同様にして本発明のトリスアゾ化合物（
−４）2.0ｇ（68％）を得た。 黒色結晶 分 解 点 300℃以上 元素分析値 実測値 計算値 Ｃ ％ 76.41 76.26 Ｈ ％ 4.46 4.75 Ｎ ％ 11.93 12.43 赤外線吸収スペクトル（KBr錠剤法） νc＝０（第２アミド） 1680cm-1 本発明のトリスアゾ化合物は前述のとおり積層
型感光体の電荷発生顔料として有効であり、その
点を明らかにするために以下に具体的な用途例を
示す。また本発明の進歩性を明かにするために従
来からのアゾ化合物との比較、あるいは無機系の
感光体との比較も同様に示す。 用途例 本発明のトリスアゾ化合物（−１）76重量
部、ポリエステル樹脂（バイロン20、株式会社東
洋紡績製）のテトラヒドロフラン溶液（固形分濃
度２％）1260重量部、およびテトラヒドロフラン
3700重量部をボールミル中で粉砕混合し、得られ
た分散液をアルミニウム蒸着したポリエステルベ
ース（導電性支持体）のアルミ面上にドクターブ
レードを用いて塗布し、自然乾燥して、厚さ約
1μmの電荷発生層を形成した。一方、９−（４−
ジエチルアミノフエニル）アントラセン１重量
部、ポリカーボネート樹脂（パンライトK1300、
株式会社帝人製）１重量部およびテトラヒドロフ
ラン８重量部を混合溶液して溶液としたのち、こ
れを前記電荷発生層上にドクターブレードで塗布
し80℃で２分間次いで100℃で５分間乾燥して厚
さ約20μmの電荷移動層を形成せしめ、第４図に
示した積層型の感光体(A)を作成した。 他に、下記表の組合わせとした以外は、上記用
途例と同様にして積層型の感光体(B)〜(D)を作成し
た。
【表】
次に、比較のために以下の感光体を作成した。
比較例 １
本発明のトリスアゾ化合物の代りに前述した特
開昭53−132547号公報に開示されているトリフエ
ニルアミン系トリスアゾ顔料である４，4′，4″−
トリス（２−ヒドロキシ−３−フエニルカルバモ
イル−１−ナフチルアゾ）トリフエニルアミンを
用い、電荷移動物質として９−（４−ジエチルア
ミノフエニル）アントラセンを用いた以外は、上
記用途例と全く同様な方法で比較用感光体(E)を作
成した。 比較例 ２ 比較例１における電荷移動物質にかえて１−フ
エニル−３−（４−ジエチルアミノスチリル）−５
−（４−ジエチルアミノフエニル）−ピラゾリンを
用いた以外は比較１と同様な方法で比較用感光体
(F)を作成した。 比較例 ３ ポリエステルサ樹脂10重量部、２，４，７−ト
リニトロ−９−フルオレノン10重量部、本発明の
一般式（）においてＲが２−メチル−４−メト
キシフエニル基であるトリスアゾ化合物（特開昭
53−132347号に開示されているトリスアゾ化合
物）２重量部及びテトラヒドロフラン198重量部
をボールミル中で粉砕混合し、得られた分散液を
アルミニウウを蒸着したポリエステルフイルム上
にドクターブレードを用いて塗布し、100℃で10
分間乾燥して厚さ10μの感光層をもつ比較用感光
体(G)を作成した。 比較例 ４ 前述した特開昭47−37543号公報あるいは特開
昭52−55643号に開示されているベンジン系ジス
アゾ顔料である４，4′−ビス（２−ヒドロキシ−
３−フエニルカルバモイル−１−ナフチルアゾ）
−３，3′−ジクロルジフエニル1.08重量部をエチ
レンジアミン24.46重量部に溶解し、この溶液に
撹拌しながらｎ−ブチルアミン20.08重量部を加
え、更にテトラヒドロフラン54.36重量部を加え
て電荷発生層塗布液を作成した。次にこの塗布液
をアルミ蒸着したポリエステルフイルム上にドク
ターブレードを用いて塗布し、80℃で５分間乾燥
し、厚さ約0.5μmの電荷発生層を形成した。前記
電荷発生層上に１−フエニル−３−（４−ジエチ
ルアミノスチリル）−５−（４ジエチルアミノフエ
ニル）−ピラゾリン１重量部、ポリカーボネート
樹脂（パンライトＫ−1300；帝人化成株式会社
製）１重量部、及びテトラヒドロフラン８重量部
からなる溶液をドクターブレードにて塗布し、80
℃で２分間、次に100℃で５分間乾燥して厚さ約
20μmの電荷移動層を形成し、比較用感光体(H)を
作成した。 比較例 ５ Se−As（40wt％）合金を蒸着原料としてアル
ミニウム基板上に、基板温度200℃、蒸着源温度
410〜415℃で10-6Torrの真空下に蒸着し、約
60μm部の感光層を有するAs2Se3感光体を作成し
た。この無機系比較用感光体を(I)とする。 次に上記のようにして作成した９種の感光体に
ついて市販の静電複写紙試験装置（川口電機製作
所製SP−428型）を用いてその静電特性を測定し
た。 すなわち、まず感光体に−6KV（あるいは＋
6KV）のコロナ放電を20秒間行なつて、負（あ
るいは正）に帯電せしめた後、20秒間暗所に放置
し、その時の表面電位Vp0（Ｖ）を測定し、次い
でタングステンランプによつてその表面が照度20
ルツクスになるようにして光を照射しその表面電
位がVp0の1/2，1/10になるまでの時間（秒）を
求め、露光量Ｅ1/2，Ｅ1/10（ルツクス・秒）を
算出した。その結果を表−３に示す。
開昭53−132547号公報に開示されているトリフエ
ニルアミン系トリスアゾ顔料である４，4′，4″−
トリス（２−ヒドロキシ−３−フエニルカルバモ
イル−１−ナフチルアゾ）トリフエニルアミンを
用い、電荷移動物質として９−（４−ジエチルア
ミノフエニル）アントラセンを用いた以外は、上
記用途例と全く同様な方法で比較用感光体(E)を作
成した。 比較例 ２ 比較例１における電荷移動物質にかえて１−フ
エニル−３−（４−ジエチルアミノスチリル）−５
−（４−ジエチルアミノフエニル）−ピラゾリンを
用いた以外は比較１と同様な方法で比較用感光体
(F)を作成した。 比較例 ３ ポリエステルサ樹脂10重量部、２，４，７−ト
リニトロ−９−フルオレノン10重量部、本発明の
一般式（）においてＲが２−メチル−４−メト
キシフエニル基であるトリスアゾ化合物（特開昭
53−132347号に開示されているトリスアゾ化合
物）２重量部及びテトラヒドロフラン198重量部
をボールミル中で粉砕混合し、得られた分散液を
アルミニウウを蒸着したポリエステルフイルム上
にドクターブレードを用いて塗布し、100℃で10
分間乾燥して厚さ10μの感光層をもつ比較用感光
体(G)を作成した。 比較例 ４ 前述した特開昭47−37543号公報あるいは特開
昭52−55643号に開示されているベンジン系ジス
アゾ顔料である４，4′−ビス（２−ヒドロキシ−
３−フエニルカルバモイル−１−ナフチルアゾ）
−３，3′−ジクロルジフエニル1.08重量部をエチ
レンジアミン24.46重量部に溶解し、この溶液に
撹拌しながらｎ−ブチルアミン20.08重量部を加
え、更にテトラヒドロフラン54.36重量部を加え
て電荷発生層塗布液を作成した。次にこの塗布液
をアルミ蒸着したポリエステルフイルム上にドク
ターブレードを用いて塗布し、80℃で５分間乾燥
し、厚さ約0.5μmの電荷発生層を形成した。前記
電荷発生層上に１−フエニル−３−（４−ジエチ
ルアミノスチリル）−５−（４ジエチルアミノフエ
ニル）−ピラゾリン１重量部、ポリカーボネート
樹脂（パンライトＫ−1300；帝人化成株式会社
製）１重量部、及びテトラヒドロフラン８重量部
からなる溶液をドクターブレードにて塗布し、80
℃で２分間、次に100℃で５分間乾燥して厚さ約
20μmの電荷移動層を形成し、比較用感光体(H)を
作成した。 比較例 ５ Se−As（40wt％）合金を蒸着原料としてアル
ミニウム基板上に、基板温度200℃、蒸着源温度
410〜415℃で10-6Torrの真空下に蒸着し、約
60μm部の感光層を有するAs2Se3感光体を作成し
た。この無機系比較用感光体を(I)とする。 次に上記のようにして作成した９種の感光体に
ついて市販の静電複写紙試験装置（川口電機製作
所製SP−428型）を用いてその静電特性を測定し
た。 すなわち、まず感光体に−6KV（あるいは＋
6KV）のコロナ放電を20秒間行なつて、負（あ
るいは正）に帯電せしめた後、20秒間暗所に放置
し、その時の表面電位Vp0（Ｖ）を測定し、次い
でタングステンランプによつてその表面が照度20
ルツクスになるようにして光を照射しその表面電
位がVp0の1/2，1/10になるまでの時間（秒）を
求め、露光量Ｅ1/2，Ｅ1/10（ルツクス・秒）を
算出した。その結果を表−３に示す。
【表】
また本発明の感光体が長波長の光に対して、極
めてすぐれた感度を有していることを明らかにす
るために、以下の測定を行なつた。 まず感光体を暗所でコロナ放電により帯電し
（感光体(A)〜(H)はマイナス帯電、感光体(I)はプラ
ス帯電）、その表面電位を測定し、ついでモノク
ロメーターを用いて、分光した1μw／cm2の単色光
を感光体に照射した。そして、その表面電位が1/
２に減衰するまでの時間（秒）を求め、（この時暗
減衰による表面電位の減衰分は補正した）、露光
量（μw・sec／cm2）を求めて光減衰度（volt・
cm2・μw-1・sec-1）を算出し、その結果を表−４
に示した。
めてすぐれた感度を有していることを明らかにす
るために、以下の測定を行なつた。 まず感光体を暗所でコロナ放電により帯電し
（感光体(A)〜(H)はマイナス帯電、感光体(I)はプラ
ス帯電）、その表面電位を測定し、ついでモノク
ロメーターを用いて、分光した1μw／cm2の単色光
を感光体に照射した。そして、その表面電位が1/
２に減衰するまでの時間（秒）を求め、（この時暗
減衰による表面電位の減衰分は補正した）、露光
量（μw・sec／cm2）を求めて光減衰度（volt・
cm2・μw-1・sec-1）を算出し、その結果を表−４
に示した。
【表】
【表】
表−３、表−４の結果から明らかのように、本
発明にかかわる感光体(A)〜(D)は、他の感光体と比
較して可視光領域における感度の点で遜色のない
ものであり、特に、半導体レーザーの波長域
（800nm前後）においては数10倍の感度を有して
いることが判る。 以上述べて来たように、本発明のトリスアゾ化
合物は電子写真感光体用の素材料として、きわめ
て有用な材料であり、また有機物であるがゆえの
軽量低コストなどの多くの利点を兼ね備なえてお
り、本発明のトリスアゾ化合物がきわめてすぐれ
た材料でることが良く理解出来るであろう。
発明にかかわる感光体(A)〜(D)は、他の感光体と比
較して可視光領域における感度の点で遜色のない
ものであり、特に、半導体レーザーの波長域
（800nm前後）においては数10倍の感度を有して
いることが判る。 以上述べて来たように、本発明のトリスアゾ化
合物は電子写真感光体用の素材料として、きわめ
て有用な材料であり、また有機物であるがゆえの
軽量低コストなどの多くの利点を兼ね備なえてお
り、本発明のトリスアゾ化合物がきわめてすぐれ
た材料でることが良く理解出来るであろう。
第１−１〜１−４図は本発明の（−１）式〜
（−４）式トリスアゾ化合物の赤外線吸収スペ
クトル、第２−１〜２−４図は熱分析図、第３−
１〜３−４図はＸ線回折図を示す。第４図は、本
発明のトリスアゾ化合物の用途例である感光体の
構成例である。 １……導電性支持体、２……ポリエステルベー
ス、３……アルミニウム蒸着膜、４……電荷発生
層、５……電荷移動層、曲線Ａ……熱天秤曲線、
曲線Ｂ……示差熱曲線。
（−４）式トリスアゾ化合物の赤外線吸収スペ
クトル、第２−１〜２−４図は熱分析図、第３−
１〜３−４図はＸ線回折図を示す。第４図は、本
発明のトリスアゾ化合物の用途例である感光体の
構成例である。 １……導電性支持体、２……ポリエステルベー
ス、３……アルミニウム蒸着膜、４……電荷発生
層、５……電荷移動層、曲線Ａ……熱天秤曲線、
曲線Ｂ……示差熱曲線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式〔〕で表わされるトリスアゾ化合物 （但し、Ｒは【式】【式】 【式】【式】を表わす。） ２ 式〔〕で表わされる４，4′，4″−トリアミ
ノフエニルアミン をジアゾ化して一般式〔〕で表わされるヘキサ
ゾニウム塩とし、 （但し、Ｘはアニオン官能基を表わす。）これ
と一般式〔〕で表わされる２−ヒドロキシ−３
−フエニルカルバモイルベンゾ〔ａ〕カルバゾー
ル誘導体 （但し、Ｒは前記と同じ。） とを反応させることを特徴とする一般式〔〕で
表わされるトリスアゾ化合物の製造方法。 （但し、Ｒは前記と同じ。）
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP568282A JPS58122967A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 新規なトリスアゾ化合物およびその製造方法 |
| US06/379,688 US4507471A (en) | 1981-05-28 | 1982-05-19 | Trisazo compounds prepared from 4,4',4"-triaminotriphenylamine and 2-hydroxy-3-phenylcarbamoylbenzo[a]carbazole derivatives |
| DE3219765A DE3219765C2 (de) | 1981-05-28 | 1982-05-26 | Trisazoverbindungen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| FR8209435A FR2506776B1 (fr) | 1981-05-28 | 1982-05-28 | Nouveaux composes trisazoiques et leur procede de fabrication |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP568282A JPS58122967A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 新規なトリスアゾ化合物およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58122967A JPS58122967A (ja) | 1983-07-21 |
| JPH0356263B2 true JPH0356263B2 (ja) | 1991-08-27 |
Family
ID=11617862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP568282A Granted JPS58122967A (ja) | 1981-05-28 | 1982-01-18 | 新規なトリスアゾ化合物およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58122967A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59196366A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-07 | Ricoh Co Ltd | 新規なトリスアゾ化合物およびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6027013B2 (ja) * | 1977-04-25 | 1985-06-26 | 株式会社リコー | 電子写真用感光体 |
-
1982
- 1982-01-18 JP JP568282A patent/JPS58122967A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58122967A (ja) | 1983-07-21 |
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