JPH0356864A - 電子ビーム装置 - Google Patents
電子ビーム装置Info
- Publication number
- JPH0356864A JPH0356864A JP1192021A JP19202189A JPH0356864A JP H0356864 A JPH0356864 A JP H0356864A JP 1192021 A JP1192021 A JP 1192021A JP 19202189 A JP19202189 A JP 19202189A JP H0356864 A JPH0356864 A JP H0356864A
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- JP
- Japan
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- voltage
- sample
- curve
- phase
- electron beam
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
電子ビーム装置に関し、
分析電圧を走査しないことにより、試料電圧波形を高速
に測定することができ、更に、試料に既知電圧を印加し
ないことにより、適用範囲が広い電子ビーム装置を提供
することを目的とし、試料の分析電圧を与える分析電圧
電源と、試料の測定個所に対して電子ビームパルスを照
射する手段と、前記電子ビームパルスを位相制御する位
相制御回路と、試料の測定個所から放出される2次電子
信号を検出する検出器と、及び、該検出器からの2次電
子信号に基づいて試料電圧を求める電圧測定回路と、を
含む電子ビーム装置において、ある位相において分析電
圧を走査して分析電圧及び2次電子信号の関係を示すS
カーブを記憶するメモリを含み、該メモリに記憶された
Sカーブから分析電圧が設定され、前記電圧測定回路は
、前記設定、分析電圧時に、電子ビームパルスの位相走
査により得られた2次電子信号から、前記メモリに記憶
されたSカーブを参照して、試料電圧を求めるように構
成する。
に測定することができ、更に、試料に既知電圧を印加し
ないことにより、適用範囲が広い電子ビーム装置を提供
することを目的とし、試料の分析電圧を与える分析電圧
電源と、試料の測定個所に対して電子ビームパルスを照
射する手段と、前記電子ビームパルスを位相制御する位
相制御回路と、試料の測定個所から放出される2次電子
信号を検出する検出器と、及び、該検出器からの2次電
子信号に基づいて試料電圧を求める電圧測定回路と、を
含む電子ビーム装置において、ある位相において分析電
圧を走査して分析電圧及び2次電子信号の関係を示すS
カーブを記憶するメモリを含み、該メモリに記憶された
Sカーブから分析電圧が設定され、前記電圧測定回路は
、前記設定、分析電圧時に、電子ビームパルスの位相走
査により得られた2次電子信号から、前記メモリに記憶
されたSカーブを参照して、試料電圧を求めるように構
成する。
本発明は、電子ビーム装置に関するものである。
電子ビーム装置は、高速に動作するLSI等の動作解析
、不良診断装置として利用されており、この電子ビーム
装置においては、試料としてのLSI等に電子ビームパ
ルスを照射し、該試料から放出された2次電子信号に基
づいて試料電圧を求めている。そして、測定対象である
LSI簀が大規模化しているために、速やかに解析、診
断を行う必要がある。このような解析、診断においては
、試料電圧を正確に求めるよりも、位相に関する試料電
圧情報を求めたい場合が多い。そこで、長時間を費やし
て正確に試料電圧の電圧波形を求めるよりも、高速に試
料電圧の論理波形を求めることが望まれている。
、不良診断装置として利用されており、この電子ビーム
装置においては、試料としてのLSI等に電子ビームパ
ルスを照射し、該試料から放出された2次電子信号に基
づいて試料電圧を求めている。そして、測定対象である
LSI簀が大規模化しているために、速やかに解析、診
断を行う必要がある。このような解析、診断においては
、試料電圧を正確に求めるよりも、位相に関する試料電
圧情報を求めたい場合が多い。そこで、長時間を費やし
て正確に試料電圧の電圧波形を求めるよりも、高速に試
料電圧の論理波形を求めることが望まれている。
第5図には、電子ビーム装置を利用した従来の試料電圧
測定法が示されている。
測定法が示されている。
第5図においては、2次電子信号(S)がスライスレベ
ルS,1になるような分析電圧vIを求め(−2、0、
2)、これらの分析電圧(−2、012)を試料電圧■
としている。すなわち、試料S 電圧V は、それぞれ、−2V、OV,+2VでS ある。
ルS,1になるような分析電圧vIを求め(−2、0、
2)、これらの分析電圧(−2、012)を試料電圧■
としている。すなわち、試料S 電圧V は、それぞれ、−2V、OV,+2VでS ある。
次に、第6図には、電子ビーム装置を利用した従来の他
の試料電圧測定法が示されている。
の試料電圧測定法が示されている。
第6図(A)においては、分析電圧V と2次『
電子信号Sとの関係が示され、分析電圧V 一r
■ のときの2次電子信号ss,S,を求rO
−21 0める。
−21 0める。
一方、分析電圧■ をV,。とじて、第6図f
(B)に示されるような試料電圧■ と2次五子S
信号Sとの対応関係を予め準備しておき、この第6図(
B)の対応関係に基づいて、2次電子信号s,、SoS
S+2に対応する試料電圧V,を求める。すなわち、試
料電圧■ は、それぞれ、S −2V,OV,+2Vである。
B)の対応関係に基づいて、2次電子信号s,、SoS
S+2に対応する試料電圧V,を求める。すなわち、試
料電圧■ は、それぞれ、S −2V,OV,+2Vである。
上記第5図の測定法においては、分析電圧V,を走査し
なければならないので、何回も2次電子信号Sを測定す
る必要があり、高速測定が困難である。また、分析グリ
ッドの応答を考慮しても、高速化には限界がある。
なければならないので、何回も2次電子信号Sを測定す
る必要があり、高速測定が困難である。また、分析グリ
ッドの応答を考慮しても、高速化には限界がある。
上記第6図の測定法においでは、第6図(B)に示され
るように、試料1圧V と2次電子信号Sとの対応関係
を予め準備しておく必要があり、この第6図(B)の対
応関係は、分析電圧■,V,0に設定したときのもので
ある。従って、試f′(に既知の電圧を印加できない場
合には、この測定法を使用することができず、適用範囲
が狭い。
るように、試料1圧V と2次電子信号Sとの対応関係
を予め準備しておく必要があり、この第6図(B)の対
応関係は、分析電圧■,V,0に設定したときのもので
ある。従って、試f′(に既知の電圧を印加できない場
合には、この測定法を使用することができず、適用範囲
が狭い。
本発明の目的は、試料電圧波形を高速に測定することが
でき、かつ、適用範囲が広い電子ビーム装置を提供する
ことにある。
でき、かつ、適用範囲が広い電子ビーム装置を提供する
ことにある。
本発明は、分析器■9の分析電圧V を与える『
分析電圧電源20と、試料14の測定個所16に対シて
電子ビームパルス18を照射する手段lOと、前記電子
ビームパルス18を位相制御するφ0〜φ。位相制御回
路26と、試料14の測定個所16から放出される2次
電子信号Sを検出丁る険出器28と、及び、該検出器2
8からの2次電子信号Sに基づいて試料電圧■ を求め
るS 電圧測定回路30と、を含む電子ビーム装置において、
ある位相φ0において分析電圧を走査V,0〜■ して
分析電圧V 及び2次電子信号Sの関III
1係を示すSカーブC。
電子ビームパルス18を照射する手段lOと、前記電子
ビームパルス18を位相制御するφ0〜φ。位相制御回
路26と、試料14の測定個所16から放出される2次
電子信号Sを検出丁る険出器28と、及び、該検出器2
8からの2次電子信号Sに基づいて試料電圧■ を求め
るS 電圧測定回路30と、を含む電子ビーム装置において、
ある位相φ0において分析電圧を走査V,0〜■ して
分析電圧V 及び2次電子信号Sの関III
1係を示すSカーブC。
を記憶するメモリを含み、該メモリに記憶されたSカー
ブCoから分析電圧V が設定され、前記電圧測定回路
30は、前記『 設定、分析電圧V .時に、電子ビームパルスt8■ の位相走査φ。〜φ,により得られた2次電子信号Sか
ら、前記メモリに記憶されたSカーブcoを参照して、
試料電圧■ を求めるように構成すS る。
ブCoから分析電圧V が設定され、前記電圧測定回路
30は、前記『 設定、分析電圧V .時に、電子ビームパルスt8■ の位相走査φ。〜φ,により得られた2次電子信号Sか
ら、前記メモリに記憶されたSカーブcoを参照して、
試料電圧■ を求めるように構成すS る。
第1図には、本発明の原理による試料電圧測定法が示さ
れ、第1図(A)には、電子ビームパルスの位相φと試
料電圧V との関係が示S され、第1図(B)には、分析電圧V と2次電i 子信号Sとの関係が示されている。そして、第l図(B
)において、SカーブCoは、第1図(A)の位相φ
(試料電圧V,。)に対応するものであ0 り、また、SカープCiは、第1図(A)の位相φ (
試料電圧vsQ+ΔvS)に対応するものでl ある。
れ、第1図(A)には、電子ビームパルスの位相φと試
料電圧V との関係が示S され、第1図(B)には、分析電圧V と2次電i 子信号Sとの関係が示されている。そして、第l図(B
)において、SカーブCoは、第1図(A)の位相φ
(試料電圧V,。)に対応するものであ0 り、また、SカープCiは、第1図(A)の位相φ (
試料電圧vsQ+ΔvS)に対応するものでl ある。
まず、電子ビームパルスの位相φ=φ 、試料0
電圧V =V,oに設定し、分析電圧V,を走査しS
(Vs。〜V,I1)、2次電子信号Sを測定すると、
分析電圧V 及び2次電子信号Sの関係を示すSr カーブCoが得られる。次に、電子ビームパルスの位相
φ=φ 、試料電圧V =V,ロ+Δ■,にl
s して2次電子信号Sを測定すると、SカーブCIが得ら
れる。このSカーブC は、SカーブCo1 をΔV だけ右にシフトした状態であるので、あS る2次電子信号例えばスライスレベルS に対応S する分析電圧V は、位相φ。のときvLlであり、r 位相φlのときv,1+Δvsである。このように、S
カーブのシフト量を測定することにより、試料電圧V
の変位を求めることができる。
分析電圧V 及び2次電子信号Sの関係を示すSr カーブCoが得られる。次に、電子ビームパルスの位相
φ=φ 、試料電圧V =V,ロ+Δ■,にl
s して2次電子信号Sを測定すると、SカーブCIが得ら
れる。このSカーブC は、SカーブCo1 をΔV だけ右にシフトした状態であるので、あS る2次電子信号例えばスライスレベルS に対応S する分析電圧V は、位相φ。のときvLlであり、r 位相φlのときv,1+Δvsである。このように、S
カーブのシフト量を測定することにより、試料電圧V
の変位を求めることができる。
t
そこで、分析電圧V をV に設定し、2次電r
τ 子信号を測定した場合を考えると、2次電子信号は、位
相φ のときにS であり、位相φ1のとO
sl きには、SカーブがΔ■ だけ右にシフトするのS で、2次電子信号は、Ss1−ΔSである。ところで、
位相φ0でこの2次電子信号S,−ΔSが得られる分析
電圧は、■ 一ΔV であり、これは、II
S 2次電子信号S −ΔSとSカーブC1との交点S1 よりもΔ■ だけ左にシフトしたものである。
τ 子信号を測定した場合を考えると、2次電子信号は、位
相φ のときにS であり、位相φ1のとO
sl きには、SカーブがΔ■ だけ右にシフトするのS で、2次電子信号は、Ss1−ΔSである。ところで、
位相φ0でこの2次電子信号S,−ΔSが得られる分析
電圧は、■ 一ΔV であり、これは、II
S 2次電子信号S −ΔSとSカーブC1との交点S1 よりもΔ■ だけ左にシフトしたものである。
S
従って、SカーブCoがわかっていれば、SカーブCl
と分析電圧■,との交点からシフト量AV が求めら
れる。ここで、V,oは既知であるS ので、試料電圧■So+ΔV,が求められる。
と分析電圧■,との交点からシフト量AV が求めら
れる。ここで、V,oは既知であるS ので、試料電圧■So+ΔV,が求められる。
以上の原理に基づいて、本発明は、次のように作用する
。
。
まず、ある位相φ0において分析電圧V,を走査し(■
1,〜■,。)、分析電圧■,及び2次電子信号Sの関
係を示すSカーブCoを求め、このSカーブCoをメモ
リに記憶する。次に、メモリに記憶されたSカーブCo
から分析電圧■,を設定し、電子ビームパルスの位相走
査φ1により得られた2次電子信号S,(一ΔSから、
前記メモリに記憶されたSカーブCoを参照して、試料
電圧V,o+Δ■,を求める。
1,〜■,。)、分析電圧■,及び2次電子信号Sの関
係を示すSカーブCoを求め、このSカーブCoをメモ
リに記憶する。次に、メモリに記憶されたSカーブCo
から分析電圧■,を設定し、電子ビームパルスの位相走
査φ1により得られた2次電子信号S,(一ΔSから、
前記メモリに記憶されたSカーブCoを参照して、試料
電圧V,o+Δ■,を求める。
以下、図面に基づいて本発明の好適な実施例を説明する
。
。
第2図には、本発明の実施例による電子ビーム装置の回
路が示されている。
路が示されている。
第2図において、照射手段であるEB(電子ビーフ)鏡
筒10は、その内部に偏向器12を含み、試料14の測
定個所16には、偏向器12で偏向された電子ビームパ
ルス18が照射される。なお、分析器19には、分析電
圧電源20から分析電圧■ が供給される。
筒10は、その内部に偏向器12を含み、試料14の測
定個所16には、偏向器12で偏向された電子ビームパ
ルス18が照射される。なお、分析器19には、分析電
圧電源20から分析電圧■ が供給される。
r
符号22は、試料14としてのLSIを駆動するL S
I駆動回路であり、該駆動回路22からのクロツク信
号24は、位相制御回路26に供給される。この位相制
御回路26は、LSI駆動回路22の作動に同期して、
照射手段12が電子ビームパルス18を発生するように
する。
I駆動回路であり、該駆動回路22からのクロツク信
号24は、位相制御回路26に供給される。この位相制
御回路26は、LSI駆動回路22の作動に同期して、
照射手段12が電子ビームパルス18を発生するように
する。
試料14の測定個所16から放出される2次電子信号S
は、検出器28により検出され、電圧測定回路30に供
給される。この電圧測定回路30は、SカーブC。及び
試料電圧■,を求め、該SカーブC。及び試料電圧■,
を制御用計算機32に供給する。なお、電圧測定回路3
0は、その内部に、求められたSカーブCoを記憶する
メモリ(図示せず)を有する。
は、検出器28により検出され、電圧測定回路30に供
給される。この電圧測定回路30は、SカーブC。及び
試料電圧■,を求め、該SカーブC。及び試料電圧■,
を制御用計算機32に供給する。なお、電圧測定回路3
0は、その内部に、求められたSカーブCoを記憶する
メモリ(図示せず)を有する。
また、制御用計算機32は、分析電圧電源20、位相制
御回路26、及び、電圧測定回路30を制御する。
御回路26、及び、電圧測定回路30を制御する。
本発明の実施例による電子ビーム装置は、以上の構或か
ら成り、以下、その作用を第3図(A)、(B)に基づ
いて説明する。
ら成り、以下、その作用を第3図(A)、(B)に基づ
いて説明する。
まず、第3図(A)には、測定準備時の動作が示されて
いる。第3図(A)において、制御用計算機32からの
指示により、位相制御回路26は、その位相φがφ0に
設定され、この状態で、分析電圧V は、v,o〜■+
nのように走査される。こf の走査された分析電圧■ とこのときに測定されr た2次電子信号Sとの関係は、SカープC。とじて、電
圧測定回路30内のメモリに記憶される。
いる。第3図(A)において、制御用計算機32からの
指示により、位相制御回路26は、その位相φがφ0に
設定され、この状態で、分析電圧V は、v,o〜■+
nのように走査される。こf の走査された分析電圧■ とこのときに測定されr た2次電子信号Sとの関係は、SカープC。とじて、電
圧測定回路30内のメモリに記憶される。
このSカープC。は、制御用計算機32に供給され、該
制御用計算機32は、SカーブCOに基ついて、2次電
子信号SがスライスレベルSslになるような分析電圧
■ を設定する。この分析電圧『 ■ は、後述する測定時の設定分析電圧である。
制御用計算機32は、SカーブCOに基ついて、2次電
子信号SがスライスレベルSslになるような分析電圧
■ を設定する。この分析電圧『 ■ は、後述する測定時の設定分析電圧である。
r
次に、第3図(B)には、測定時の動作が示されている
。第3図(B)において、制御用計算機32からの指示
により、分析電圧V は、前記設『 定分析電圧V .とされ、この状態で、電子ビームr パルス18の位相φは、φ0〜φ。のように走査される
。このようにして得られた2次電子信号Sが電圧測定回
路30に入力されると、該電圧測定回路30は、前記メ
モリに記憶されたSカープcoを参照して、試料電圧■
,を求めることができる。
。第3図(B)において、制御用計算機32からの指示
により、分析電圧V は、前記設『 定分析電圧V .とされ、この状態で、電子ビームr パルス18の位相φは、φ0〜φ。のように走査される
。このようにして得られた2次電子信号Sが電圧測定回
路30に入力されると、該電圧測定回路30は、前記メ
モリに記憶されたSカープcoを参照して、試料電圧■
,を求めることができる。
この試料電圧■ を求める手順を、前記第1図S
(B)を用いて説明する。設定分析電圧V .時に、r
l 2次電子信号SがS 一ΔSであると、メモリにS 記憶されたSカーブC。を参照して、シフト量Δ■ が
求められ、このシフト量ΔV に基づいB
sて、試料電圧v+0+Δ■,が求められる
。
l 2次電子信号SがS 一ΔSであると、メモリにS 記憶されたSカーブC。を参照して、シフト量Δ■ が
求められ、このシフト量ΔV に基づいB
sて、試料電圧v+0+Δ■,が求められる
。
次に、第4図には、電子ビーム装置の測定例が示されて
いる。なお、第4図においては、前記第2図の装置に若
干の変更が加えられ、出力された論理波形が示されてい
る。
いる。なお、第4図においては、前記第2図の装置に若
干の変更が加えられ、出力された論理波形が示されてい
る。
また、試料パルスの振幅がV であることが期p
待されるとき、登録時すなわち測定準備時に2次電子信
号SがS になるような分析電圧■,S を求めた後、■ ±1/2V に対応する2次電It
p 子信号S ±ΔS をSカーブから求める。測定I
p 時には、S =ΔS−ΔS,S=S lhl +l p th2 ++
ΔS として、電圧測定回路30に入力されるp 2次電子信号S 75< S より大きければ−1
とし、h2 S より小さければ+1とし、S ≦S≦lhl
iblS であればO
とする。このように3値化すれ+b2 ば、位相0でのレベルがLレベルかHレベルかがわから
なくとも、論理波形を測定できる。
号SがS になるような分析電圧■,S を求めた後、■ ±1/2V に対応する2次電It
p 子信号S ±ΔS をSカーブから求める。測定I
p 時には、S =ΔS−ΔS,S=S lhl +l p th2 ++
ΔS として、電圧測定回路30に入力されるp 2次電子信号S 75< S より大きければ−1
とし、h2 S より小さければ+1とし、S ≦S≦lhl
iblS であればO
とする。このように3値化すれ+b2 ば、位相0でのレベルがLレベルかHレベルかがわから
なくとも、論理波形を測定できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、分析電圧を走査
させないので、試料電圧波形を高速に測定することがで
き、更に、試料に既知電圧を印加しないので、適用範囲
が広いという利点がある。
させないので、試料電圧波形を高速に測定することがで
き、更に、試料に既知電圧を印加しないので、適用範囲
が広いという利点がある。
第1図は本発明の原理説明図、
第2図は本発明の実施例による電子ビーム装置の回路図
、 第3図は第2図の電子ビーム装置の動作説明図、第4図
は電子ビーム装置の測定例を示す図、第5図は従来の試
料電圧測定法を示す説明図、第6図は従来の他の試料電
圧測定法を示す説明図である。 10・・・EB鏡筒 12・・・偏向器 14・・・試料 16・・・測定個所 18・・・電子ビームパルス 19・・・分析器 20・・・分析電圧電源 22・・・LSI駆動回路 24・・クロツク信号 26・・位相制御回路 28・・・検出器 20 ・電圧測定回路 32・・制御用計算機 φ・・電子ビームパルスの位相 ■ ・試料電圧 5 ■ ・・分析電圧 f S・・・2次電子信号 C o 1C l”’ Sカーブ
、 第3図は第2図の電子ビーム装置の動作説明図、第4図
は電子ビーム装置の測定例を示す図、第5図は従来の試
料電圧測定法を示す説明図、第6図は従来の他の試料電
圧測定法を示す説明図である。 10・・・EB鏡筒 12・・・偏向器 14・・・試料 16・・・測定個所 18・・・電子ビームパルス 19・・・分析器 20・・・分析電圧電源 22・・・LSI駆動回路 24・・クロツク信号 26・・位相制御回路 28・・・検出器 20 ・電圧測定回路 32・・制御用計算機 φ・・電子ビームパルスの位相 ■ ・試料電圧 5 ■ ・・分析電圧 f S・・・2次電子信号 C o 1C l”’ Sカーブ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 分析器(19)の分析電圧(V_r)を与える分析電圧
電源(20)と、試料(14)の測定個所(16)に対
して電子ビームパルス(18)を照射する手段(10)
と、前記電子ビームパルス(18)を位相制御する(φ
_0〜φ_1)位相制御回路(26)と、試料(14)
の測定個所(16)から放出される2次電子信号(S)
を検出する検出器(28)と、及び、該検出器(28)
からの2次電子信号(S)に基づいて試料電圧(V_s
)を求める電圧測定回路(30)と、を含む電子ビーム
装置において、 ある位相(φ_0)において分析電圧を走査(V_r_
0〜V_r_n)して分析電圧(V_r)及び2次電子
信号(S)の関係を示すSカーブ(C_0)を記憶する
メモリを含み、該メモリに記憶されたSカーブ(C_0
)から分析電圧(V_r_i)が設定され、前記電圧測
定回路(30)は、前記設定、分析電圧(V_r_i)
時に、電子ビームパルス(18)の位相走査(φ_0〜
φ_n)により得られた2次電子信号(S)から、前記
メモリに記憶されたSカーブ(C_0)を参照して、試
料電圧(V_s)を求めるように構成されていることを
特徴とする電子ビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1192021A JPH0356864A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 電子ビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1192021A JPH0356864A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 電子ビーム装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0356864A true JPH0356864A (ja) | 1991-03-12 |
Family
ID=16284281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1192021A Pending JPH0356864A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 電子ビーム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0356864A (ja) |
-
1989
- 1989-07-25 JP JP1192021A patent/JPH0356864A/ja active Pending
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