JPH0358412A - 減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
減圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0358412A JPH0358412A JP19495189A JP19495189A JPH0358412A JP H0358412 A JPH0358412 A JP H0358412A JP 19495189 A JP19495189 A JP 19495189A JP 19495189 A JP19495189 A JP 19495189A JP H0358412 A JPH0358412 A JP H0358412A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- reaction
- gas
- tube
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 9
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 title description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 52
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造工程において用いられる減圧
ＣＶＤ装置に関する。
ＣＶＤ装置に関する。
従来、減圧ＣＶＤ装置は半導体基板（以下ウェハという
）表面に多結晶シリコン膜あるいは二酸化シリコン（
Ｓｉ０２）膜、窒化シリコン（ ＳｉＪ４）などの絶縁
膜、またステップ力バレッジの良いＨＴＯ （ Ｈｉｇ
ｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｏｘｉｄｅ） Ｉ１５！
等の形戒工程に用いられている．以下第５図を用いて更
に説明する． まずウェハ９をボート８上に搭載して反応管１の中に、
一定の間隔と一定の角度を保つように配置し、加熱源４
により加熱する．そして加熱されたウエハ表面へ反応ガ
ス供給管２から反応ガスを供給することで、反応ガスの
熱分解反応により前述の薄膜を生威し、真空排気系１１
よりガスを排気する。
）表面に多結晶シリコン膜あるいは二酸化シリコン（
Ｓｉ０２）膜、窒化シリコン（ ＳｉＪ４）などの絶縁
膜、またステップ力バレッジの良いＨＴＯ （ Ｈｉｇ
ｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｏｘｉｄｅ） Ｉ１５！
等の形戒工程に用いられている．以下第５図を用いて更
に説明する． まずウェハ９をボート８上に搭載して反応管１の中に、
一定の間隔と一定の角度を保つように配置し、加熱源４
により加熱する．そして加熱されたウエハ表面へ反応ガ
ス供給管２から反応ガスを供給することで、反応ガスの
熱分解反応により前述の薄膜を生威し、真空排気系１１
よりガスを排気する。
また量産化処理の場合には、ボート８の代りに第６図（
ａ），（ｂ）に示したウエハ治具（以下これをカゴボー
トという）を用いる．これは、ウェ八面間及び面内の膜
厚を均一にすることを目的としたもので、石英で作られ
た二つ割りの円筒型ボート１２に長手方向に多数の穴１
３を設けたものである。
ａ），（ｂ）に示したウエハ治具（以下これをカゴボー
トという）を用いる．これは、ウェ八面間及び面内の膜
厚を均一にすることを目的としたもので、石英で作られ
た二つ割りの円筒型ボート１２に長手方向に多数の穴１
３を設けたものである。
しかしながら、上述した従来の減圧ＣＶＤ装置での反応
ガス供給及び排気方法では、量産処理する場合において
、フロント部とリア部とのウエハでは反応ガスの濃度が
異なるため、ウエハ間の膜厚均一性が失われる．またそ
れを補うために第６図に示したカゴボートを用いると、
ウエハ間の膜厚均一性は向上するものの、カゴボートの
穴を通してガスを供給するため、膜或長速度が低減し、
処理能力が低下するという欠点を有している。
ガス供給及び排気方法では、量産処理する場合において
、フロント部とリア部とのウエハでは反応ガスの濃度が
異なるため、ウエハ間の膜厚均一性が失われる．またそ
れを補うために第６図に示したカゴボートを用いると、
ウエハ間の膜厚均一性は向上するものの、カゴボートの
穴を通してガスを供給するため、膜或長速度が低減し、
処理能力が低下するという欠点を有している。
本発明の目的は、前記問題点を解消した減圧ＣＶＤ装置
を提供することにある。
を提供することにある。
本発明の減圧ＣＶＤ装置は、半導体基板を配置して処理
する反応管と、この反応管に反応ガスを供給する反応ガ
ス供給系と前記反応管内を排気する真空排気系と、前記
反応管を加熱する加熱源と、前記半導体基板を移送する
移送治具とを有する減圧ＣＶＤ装置において、反応ガス
供給口を前記反応管の一方の側壁部に、ガス排気口を反
応管の他方の側壁部にそれぞれ反応管の軸方向に複数個
設けたものである。
する反応管と、この反応管に反応ガスを供給する反応ガ
ス供給系と前記反応管内を排気する真空排気系と、前記
反応管を加熱する加熱源と、前記半導体基板を移送する
移送治具とを有する減圧ＣＶＤ装置において、反応ガス
供給口を前記反応管の一方の側壁部に、ガス排気口を反
応管の他方の側壁部にそれぞれ反応管の軸方向に複数個
設けたものである。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の模式断面図、第２図及
び第３図は第１図の反応管の拡大正面図及び反応ガス供
給管の拡大上面図である。
び第３図は第１図の反応管の拡大正面図及び反応ガス供
給管の拡大上面図である。
第１図において減圧ＣＶＤ装置は、反応管１内側壁部に
反応管軸方向に多数のガス供給口１５を持つ反応ガス供
給管２と、もう一方の反応管側壁部に反応管１と密着し
た状態で反応管軸方向に多数の排気口１４をもつ排気管
３〈ここで反応管１にも排気管３と同様に設けられた排
気口により排気管と反応管は通じている〉と、反応管１
を加熱する加熱源４と、排気及び圧力調整を行うロータ
リーボンブ５、メカニカルブースターポンブ６及び圧力
調整器７を備えた真空排気系により構成されている。以
下第１図〜第３図を用い本第１の実施例の操作方法につ
いて説明する。
反応管軸方向に多数のガス供給口１５を持つ反応ガス供
給管２と、もう一方の反応管側壁部に反応管１と密着し
た状態で反応管軸方向に多数の排気口１４をもつ排気管
３〈ここで反応管１にも排気管３と同様に設けられた排
気口により排気管と反応管は通じている〉と、反応管１
を加熱する加熱源４と、排気及び圧力調整を行うロータ
リーボンブ５、メカニカルブースターポンブ６及び圧力
調整器７を備えた真空排気系により構成されている。以
下第１図〜第３図を用い本第１の実施例の操作方法につ
いて説明する。
まず第１図に示すボート８及びウエハ移送治具１０によ
り、ウェハ９を反応管１内に挿入する．ここで反応管１
はフロント側のみ開口されており、従来の反応管のよう
にリア側は開口されていない．ウェハ挿入後はフロント
開口部はハッチにより閉じられる．次に反応管ｌ内をロ
ータリーボンプ５、メカニカルブースターボンプ６及び
圧力調整器７で楕戒された真空排気系により所定の圧力
まで減圧しつつ、反応管１の内側壁部に設けた反応ガス
供給管２によって反応ガスを反応管ｌ内に導入し、ウェ
ハ９表面に成膜を行う。供給されたガスはウエハ９の表
面を流れ、今度はもう一方の反応管１の側壁部に設けた
排気管３により排気される．従って反応ガスは反応管１
の軸方向とは垂直な方向に流れることになる。
り、ウェハ９を反応管１内に挿入する．ここで反応管１
はフロント側のみ開口されており、従来の反応管のよう
にリア側は開口されていない．ウェハ挿入後はフロント
開口部はハッチにより閉じられる．次に反応管ｌ内をロ
ータリーボンプ５、メカニカルブースターボンプ６及び
圧力調整器７で楕戒された真空排気系により所定の圧力
まで減圧しつつ、反応管１の内側壁部に設けた反応ガス
供給管２によって反応ガスを反応管ｌ内に導入し、ウェ
ハ９表面に成膜を行う。供給されたガスはウエハ９の表
面を流れ、今度はもう一方の反応管１の側壁部に設けた
排気管３により排気される．従って反応ガスは反応管１
の軸方向とは垂直な方向に流れることになる。
従来の減圧ＣＶＤ装置ではガスの流れが反応管の軸方向
であったため、反応管１内のガスの流れも複雑となり、
またフロント部とリア部とではガス濃度が異なるため、
ウエハ間及びウエハ面内の膜厚の不均一は避けられない
。例えば従来の減圧ＣＶＤ装置ではカゴボートを使用し
ない場合、ウエハ面間の膜厚均一性が低下するため、１
回の薄膜或長にウエハ５０枚が限界であるが、本第１の
実施例によれば、１度に１００枚以上のウエハを処理す
ることが可能となる。また膜厚均一性を保つため力ゴボ
ートを使用した場合の戒長速度が約２０人／＋＋＋ｉｎ
であるのに対し、本第１の実施例によれば４０人／ｗｉ
ｎ以上（２倍）の或長速度で処理することが可能となり
、量産処理に非常に潰れていることがわかる。
であったため、反応管１内のガスの流れも複雑となり、
またフロント部とリア部とではガス濃度が異なるため、
ウエハ間及びウエハ面内の膜厚の不均一は避けられない
。例えば従来の減圧ＣＶＤ装置ではカゴボートを使用し
ない場合、ウエハ面間の膜厚均一性が低下するため、１
回の薄膜或長にウエハ５０枚が限界であるが、本第１の
実施例によれば、１度に１００枚以上のウエハを処理す
ることが可能となる。また膜厚均一性を保つため力ゴボ
ートを使用した場合の戒長速度が約２０人／＋＋＋ｉｎ
であるのに対し、本第１の実施例によれば４０人／ｗｉ
ｎ以上（２倍）の或長速度で処理することが可能となり
、量産処理に非常に潰れていることがわかる。
第４図は本発明の第２の実施例の模式断面図であり、本
発明を縦型の減圧ＣＶＤ装置に応用した場合である。
発明を縦型の減圧ＣＶＤ装置に応用した場合である。
この第２の実施例においても反応管１の側壁部にガス供
給口１５及び排気口１４を設けることにより、反応ガス
の流れは反応管の軸に対して垂直な方向となる。従って
第１の実施例と同様にウエハ面間及び面内の膜厚均一性
が保たれる利点が鳥る。
給口１５及び排気口１４を設けることにより、反応ガス
の流れは反応管の軸に対して垂直な方向となる。従って
第１の実施例と同様にウエハ面間及び面内の膜厚均一性
が保たれる利点が鳥る。
以上説明したように本発明は、反応管内の一方の側壁部
に複数の反応ガス供給口を設けて反応ガスを供給し、更
に他方の反応管側壁部に設けた排気口より反応ガスの排
気を行うように構成することにより、反応管のフロント
部とリア部とでのガス濃度の相違を解消できるため、ウ
ェハ位置による膜厚の均一性が保たれる。これにより一
度に多数のウェハを処理することができ、しかもガスの
流れる経路が短いため、ガスの乱れも少なく或膜処理の
再現性があり、量産処理に非常に適するという効果を有
ずる。
に複数の反応ガス供給口を設けて反応ガスを供給し、更
に他方の反応管側壁部に設けた排気口より反応ガスの排
気を行うように構成することにより、反応管のフロント
部とリア部とでのガス濃度の相違を解消できるため、ウ
ェハ位置による膜厚の均一性が保たれる。これにより一
度に多数のウェハを処理することができ、しかもガスの
流れる経路が短いため、ガスの乱れも少なく或膜処理の
再現性があり、量産処理に非常に適するという効果を有
ずる。
第１図は本発明の第１の実施例の模式断面図、第２図及
び第３図は第１図の反応管の拡大正面図及び反応ガス供
給管の拡大上面図、第４図は第２の実施例の模式断面図
、第５図は従来の減圧ＣＶＤ装置の模式断面図、第６図
は従来の減圧ＣＶＤ装置において膜厚均一性を向上させ
るために用いられるウェハ治具の正面図及び側面図であ
る。 １・・・反応管、２・・・反応ガス供給管、３・・・ガ
ス排気管、４・・・加熱源、５・・・ロータリーボンブ
、６・・・メカニカルブースターポンプ、７・・・圧力
調整器、８・・・ボート、９・・・ウエハ、１０・・・
ウェハ移送治具、１１・・・真空排気系、１２・・・円
筒型ボート、１３・・・穴、１４・・・排気口、１５・
・・ガス供給口。
び第３図は第１図の反応管の拡大正面図及び反応ガス供
給管の拡大上面図、第４図は第２の実施例の模式断面図
、第５図は従来の減圧ＣＶＤ装置の模式断面図、第６図
は従来の減圧ＣＶＤ装置において膜厚均一性を向上させ
るために用いられるウェハ治具の正面図及び側面図であ
る。 １・・・反応管、２・・・反応ガス供給管、３・・・ガ
ス排気管、４・・・加熱源、５・・・ロータリーボンブ
、６・・・メカニカルブースターポンプ、７・・・圧力
調整器、８・・・ボート、９・・・ウエハ、１０・・・
ウェハ移送治具、１１・・・真空排気系、１２・・・円
筒型ボート、１３・・・穴、１４・・・排気口、１５・
・・ガス供給口。
Claims (1)
- 半導体基板を配置して処理する反応管と、この反応管に
反応ガスを供給する反応ガス供給系と前記反応管内を排
気する真空排気系と、前記反応管を加熱する加熱源と、
前記半導体基板を移送する移送治具とを有する減圧ＣＶ
Ｄ装置において、反応ガス供給口を前記反応管の一方の
側壁部に、ガス排気口を反応管の他方の側壁部にそれぞ
れ反応管の軸方向に複数個設けたことを特徴とする減圧
ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19495189A JPH0358412A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19495189A JPH0358412A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0358412A true JPH0358412A (ja) | 1991-03-13 |
Family
ID=16333040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19495189A Pending JPH0358412A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0358412A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06333856A (ja) * | 1993-05-25 | 1994-12-02 | Nec Corp | 薄膜形成装置 |
-
1989
- 1989-07-26 JP JP19495189A patent/JPH0358412A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06333856A (ja) * | 1993-05-25 | 1994-12-02 | Nec Corp | 薄膜形成装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3819660B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| JP4838868B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP3118737B2 (ja) | 被処理体の処理方法 | |
| JPH09148259A (ja) | 横型反応装置 | |
| JPH0358412A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| EP1357582B1 (en) | Heat-treating device | |
| JPH06188238A (ja) | 熱処理装置と熱処理方法 | |
| JP3098093B2 (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JPH01189114A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2597245B2 (ja) | Ｃｖｄ装置のための排気装置 | |
| JPH04139820A (ja) | 縦型減圧ｃｖｄ装置 | |
| JP2005072377A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
| JP3093716B2 (ja) | 縦型減圧気相成長装置 | |
| JP3047344B2 (ja) | 常圧ｃｖｄ装置 | |
| JPH0426763A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH0917736A (ja) | 半導体製造方法および装置 | |
| KR0117107Y1 (ko) | 저압 화학 기상 증착장치 | |
| JP2766280B2 (ja) | 処理装置 | |
| JPH03184327A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH08330237A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0322522A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2004095940A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2007081147A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03184326A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH04305920A (ja) | 縦型減圧ｃｖｄ装置 |