JPH0358425A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0358425A JPH0358425A JP19493889A JP19493889A JPH0358425A JP H0358425 A JPH0358425 A JP H0358425A JP 19493889 A JP19493889 A JP 19493889A JP 19493889 A JP19493889 A JP 19493889A JP H0358425 A JPH0358425 A JP H0358425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- metal layer
- insulating film
- metallic layer
- metallic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、属配線の形成方
法に関する。
法に関する。
特に金
？来、半導体装置の製造工程において半導体素子に接続
する金属配線を形成する場合は、第２図に示すように、
半導体基板１の全面にＳｉＯ■等の絶縁膜２を形成し、
この絶縁膜２の所定の領域に半導体基板１に達する開口
部３を形成し、次で開口部３を覆う全面にＡｅ等の金属
層を形成し、次でこの金属層の所定の領域をエッチング
除去して金属配線７を形成し、次に４００℃窒素雰囲気
中で熱処理を行ない、半導体基板１と金属配線７を電気
的抵抗を低くして接続していた。
する金属配線を形成する場合は、第２図に示すように、
半導体基板１の全面にＳｉＯ■等の絶縁膜２を形成し、
この絶縁膜２の所定の領域に半導体基板１に達する開口
部３を形成し、次で開口部３を覆う全面にＡｅ等の金属
層を形成し、次でこの金属層の所定の領域をエッチング
除去して金属配線７を形成し、次に４００℃窒素雰囲気
中で熱処理を行ない、半導体基板１と金属配線７を電気
的抵抗を低くして接続していた。
上述した従来の半導体装置の製造方法では、開口部での
絶縁膜の側面及び開口部の端部では、金属配線の厚さが
平面的に形成された絶縁膜上の金属配線の厚さよりも薄
く形成され、また、４００℃の熱処理によって開口部で
の絶縁膜の側面及び開口部の端部で薄く形成された金属
配線の金属原子が移動し、開口部内の金属配線と絶縁膜
上の金属配線が断線し、半導体基板と金属配線が電気的
にオープンとなる欠点があった。
絶縁膜の側面及び開口部の端部では、金属配線の厚さが
平面的に形成された絶縁膜上の金属配線の厚さよりも薄
く形成され、また、４００℃の熱処理によって開口部で
の絶縁膜の側面及び開口部の端部で薄く形成された金属
配線の金属原子が移動し、開口部内の金属配線と絶縁膜
上の金属配線が断線し、半導体基板と金属配線が電気的
にオープンとなる欠点があった。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板−ヒに絶
縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の所定の領域に開口
部を形成する工程と、開口部を含む前記絶縁股上に第１
金属層を形成する工程と、前記第１金属層を形成した半
導体基板を熱処理したのち全面に第２金属層を形成する
工程と、前記第１金属層と前記第２金属層とをパターニ
ングし配線を形成する工程とを含んで横成される。
縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の所定の領域に開口
部を形成する工程と、開口部を含む前記絶縁股上に第１
金属層を形成する工程と、前記第１金属層を形成した半
導体基板を熱処理したのち全面に第２金属層を形成する
工程と、前記第１金属層と前記第２金属層とをパターニ
ングし配線を形成する工程とを含んで横成される。
本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための半導体チッ
プの断面図である。
プの断面図である。
第１図において、素子が形成された半導体基板１上にＳ
ｉ０２等からなる絶縁１２を厚さ１．５μｍ程度で設け
、次でこの絶縁膜２の所定の領域に半導体基板１に達ず
る開口部３を設ける。次にＡｆまたはＡｆｆ合金からな
る第１金属層４を従来の金属配線の１／２の０．３μｍ
程度の厚さで形成したのち、窒素雰囲気中で４００℃、
２０分の熱処理を行ない、半導体基板１と第１金属屑４
との電気的接続を良くする。次に第１金属Ｊｉｉ！ ４
を含む全面にＡｅまたはＡｅ合金からなる第２金属層５
を０．３μｍ程度の厚さで形成する。この操作により従
来の金属配線の厚さと同等で、絶縁膜２上の第１金属Ｍ
４と開口部３内の第１金属層４の接続を良くすることが
できる。次にこれら第１金属層と第２金属層を同一工程
でパターニングし金属配線７を形成する。次にカバーＭ
６としてプラズマ窒化膜を１．０μｍ程度の厚さで設け
る。
ｉ０２等からなる絶縁１２を厚さ１．５μｍ程度で設け
、次でこの絶縁膜２の所定の領域に半導体基板１に達ず
る開口部３を設ける。次にＡｆまたはＡｆｆ合金からな
る第１金属層４を従来の金属配線の１／２の０．３μｍ
程度の厚さで形成したのち、窒素雰囲気中で４００℃、
２０分の熱処理を行ない、半導体基板１と第１金属屑４
との電気的接続を良くする。次に第１金属Ｊｉｉ！ ４
を含む全面にＡｅまたはＡｅ合金からなる第２金属層５
を０．３μｍ程度の厚さで形成する。この操作により従
来の金属配線の厚さと同等で、絶縁膜２上の第１金属Ｍ
４と開口部３内の第１金属層４の接続を良くすることが
できる。次にこれら第１金属層と第２金属層を同一工程
でパターニングし金属配線７を形成する。次にカバーＭ
６としてプラズマ窒化膜を１．０μｍ程度の厚さで設け
る。
なお第１金属Ｎ４形成後の熱処理の後に、アルゴン等を
用いるＲＦエッチングを行ない、次でこの第１金属層４
上の全面に第２金属層５を形成してもよい．ＲＦエッチ
ングを行なうことにより、第１金属層４と第２金属層５
の電気的接続がより向上するため、半導体基板１と金属
配線７との電気的接続はより良好となる。
用いるＲＦエッチングを行ない、次でこの第１金属層４
上の全面に第２金属層５を形成してもよい．ＲＦエッチ
ングを行なうことにより、第１金属層４と第２金属層５
の電気的接続がより向上するため、半導体基板１と金属
配線７との電気的接続はより良好となる。
以上説明したように本発明は、半導体基板上の絶縁膜の
所定の領域に半導体基板に達する開口部を設け、開口部
及び絶縁膜上全面に第１金属層を形成し、熱処理を行な
うことにより半導体基板と第１金属層との電気的接続を
良くし、次で第１金属層上の全面に第２金属層を設けた
のちパターニングして第１金属層と第２金属層からなる
金属配線を形成することにより、絶縁膜上の第１金属層
と開口部内の第１金属層の電気的接続を良くでき、かつ
半導体基板と金属配線との電気的接続を良くできるとい
う効果がある。
所定の領域に半導体基板に達する開口部を設け、開口部
及び絶縁膜上全面に第１金属層を形成し、熱処理を行な
うことにより半導体基板と第１金属層との電気的接続を
良くし、次で第１金属層上の全面に第２金属層を設けた
のちパターニングして第１金属層と第２金属層からなる
金属配線を形成することにより、絶縁膜上の第１金属層
と開口部内の第１金属層の電気的接続を良くでき、かつ
半導体基板と金属配線との電気的接続を良くできるとい
う効果がある。
第１図は本発明の一実施例を説明するための半導体チッ
プの断面図、第２図は従来例を説明するための半導体チ
ップの断面図である。 ■・・・半導体基板、２・・・絶縁膜、３・・・開口部
、４，・・第１金属層、５・・・第２金属層、６・・・
カバー膜、７・・・金属配線。
プの断面図、第２図は従来例を説明するための半導体チ
ップの断面図である。 ■・・・半導体基板、２・・・絶縁膜、３・・・開口部
、４，・・第１金属層、５・・・第２金属層、６・・・
カバー膜、７・・・金属配線。
Claims (1)
- 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の
所定の領域に開口部を形成する工程と、開口部を含む前
記絶縁膜上に第１金属層を形成する工程と、前記第１金
属層を形成した半導体基板を熱処理したのち全面に第２
金属層を形成する工程と、前記第１金属層と前記第２金
属層とをパターニングし配線を形成する工程とを含むこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19493889A JPH0358425A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19493889A JPH0358425A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0358425A true JPH0358425A (ja) | 1991-03-13 |
Family
ID=16332836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19493889A Pending JPH0358425A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0358425A (ja) |
-
1989
- 1989-07-26 JP JP19493889A patent/JPH0358425A/ja active Pending
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