JPH0358521B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0358521B2 JPH0358521B2 JP17568084A JP17568084A JPH0358521B2 JP H0358521 B2 JPH0358521 B2 JP H0358521B2 JP 17568084 A JP17568084 A JP 17568084A JP 17568084 A JP17568084 A JP 17568084A JP H0358521 B2 JPH0358521 B2 JP H0358521B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- optical
- heusler
- effect
- ternary alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 8
- 229910001291 heusler alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 101100264195 Caenorhabditis elegans app-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、Mnを含むホイスラー系合金薄膜
で膜面と垂直方向に磁化容易軸を有する光磁気記
録媒体に関する。
で膜面と垂直方向に磁化容易軸を有する光磁気記
録媒体に関する。
従来光磁気記録媒体（光磁気メモリー）は多く
の材料が知られているがMn元素を主体としたホ
イスラー系合金が光磁気力−効果が大きく光磁気
メモリーとして知られていた。例えば文献〔１〕
P.G.Van Engen、K.H.J.Buschow、andr.
Jongebereur、App1、Phys.Lett.42(2)、
15January、202（1983）．文献〔２〕K.H.J.
BUSCHOW、P.G.Van.ENGENandD.B.
deMOOIJ、J.Magn.Magn.Mat.40（1984）339−
347、特開昭59−63041号公報、又ホイスラー合金
についての一般の解読書として磁性体ハンドブツ
クp372−p375（1975）朝倉書店出版等にこのよう
な従来の光磁気メモリーに関して開示されてい
る。
の材料が知られているがMn元素を主体としたホ
イスラー系合金が光磁気力−効果が大きく光磁気
メモリーとして知られていた。例えば文献〔１〕
P.G.Van Engen、K.H.J.Buschow、andr.
Jongebereur、App1、Phys.Lett.42(2)、
15January、202（1983）．文献〔２〕K.H.J.
BUSCHOW、P.G.Van.ENGENandD.B.
deMOOIJ、J.Magn.Magn.Mat.40（1984）339−
347、特開昭59−63041号公報、又ホイスラー合金
についての一般の解読書として磁性体ハンドブツ
クp372−p375（1975）朝倉書店出版等にこのよう
な従来の光磁気メモリーに関して開示されてい
る。
しかし従来のホイスラー系合金は光磁気効果
（カー効果、フアラデー効果等）が十分大きく無
いために光磁気デイスクにおいて読出し信号であ
るＣ／Ｎ比が小さい欠点があつた。
（カー効果、フアラデー効果等）が十分大きく無
いために光磁気デイスクにおいて読出し信号であ
るＣ／Ｎ比が小さい欠点があつた。
そこでこの発明は従来のこのような欠点を解決
するため光磁気効果を十分大きくし読出し特性の
優れた光磁気メモリーを得ることを目的としてい
る。
するため光磁気効果を十分大きくし読出し特性の
優れた光磁気メモリーを得ることを目的としてい
る。
上記問題点を解決するためにこの発明は従来の
Mnを含むホイスラー系三元合金に更に添加元素
を加えることによつて光磁気効果（特に力−効
果）を大きくするように改良をした。
Mnを含むホイスラー系三元合金に更に添加元素
を加えることによつて光磁気効果（特に力−効
果）を大きくするように改良をした。
上記のようにMnを含むホイスラー系三元合金
磁性薄膜は一般に多結晶で面内磁化方向であるが
第４元素の添加によつて多結晶がアンモルフアス
化することが可能であり又垂直磁化膜にすること
も可能である。そして垂直磁化膜とした本発明合
金は光磁気記録媒体としてレーザー光によりスポ
ツト状の反転磁区を作ることが出来る。これを利
用することによつて情報を記録することが可能で
あり、書換可能な光磁気のデイスク、テープ、シ
ート、ドラムに応用できる。そしてこのスポツト
を読出す方法として磁気光学効果を利用するが、
特に光磁気力−効果が重要で大きな力一回転角が
必要となつている。この力一回転角（θk）を大
きくするために本発明は第４添加元素を加えるこ
とを見い出した。第２図は従来から知られている
ホイスラー３元合金、（K3-XMoXL）についてＸと
θkの関係について代表的な例を示した物である。
Ｋ、Ｌについては特許請求範囲に示した元素であ
る。第１図は第２図のホイスラー３元合金に更に
第４元素としての添加元素を加えた場合であり、
いずれも第２図に比較してθkが大きく改良され
ていることがわかる。従来のホイスラー３元合金
についてMn量Ｘはθkが大きく約0.5°以上の組成
として0.4＜Ｘ＜2.2が適当である。又第４元素の
添加元素は0.05＜Ｙ＜0.3でθkアツプの効果が現
われている。
磁性薄膜は一般に多結晶で面内磁化方向であるが
第４元素の添加によつて多結晶がアンモルフアス
化することが可能であり又垂直磁化膜にすること
も可能である。そして垂直磁化膜とした本発明合
金は光磁気記録媒体としてレーザー光によりスポ
ツト状の反転磁区を作ることが出来る。これを利
用することによつて情報を記録することが可能で
あり、書換可能な光磁気のデイスク、テープ、シ
ート、ドラムに応用できる。そしてこのスポツト
を読出す方法として磁気光学効果を利用するが、
特に光磁気力−効果が重要で大きな力一回転角が
必要となつている。この力一回転角（θk）を大
きくするために本発明は第４添加元素を加えるこ
とを見い出した。第２図は従来から知られている
ホイスラー３元合金、（K3-XMoXL）についてＸと
θkの関係について代表的な例を示した物である。
Ｋ、Ｌについては特許請求範囲に示した元素であ
る。第１図は第２図のホイスラー３元合金に更に
第４元素としての添加元素を加えた場合であり、
いずれも第２図に比較してθkが大きく改良され
ていることがわかる。従来のホイスラー３元合金
についてMn量Ｘはθkが大きく約0.5°以上の組成
として0.4＜Ｘ＜2.2が適当である。又第４元素の
添加元素は0.05＜Ｙ＜0.3でθkアツプの効果が現
われている。
以下この発明の実施例にもとづいて説明する。
ホイスラー３元合金は従来より知られているも
のが多いが本発明の垂直磁化膜を得るためにスパ
ツター法、真空蒸着法、イオンプレーテイング
法、その他多くの物理的ベイパーデポジシヨン法
によつて作製することができる。例えば、スパツ
タ法による場合ターゲツト組成は溶解法、粉末焼
結等によつて作製し、又添加元素等はターゲツト
の上にチツプとして乗せその枚数で組成の濃度を
変化させる。そして基板はガラス、PMMA、PC
等の透明プラスチツクを用いその上に光磁気メモ
リー膜（本発明膜）を50Å〜数μの膜厚を作製す
る。この試料のθkはレザー光（He−Ne、LD）
によつて回転角測定器で測定する。その結果が第
１図、第２図である。図中には代表的な例を示し
たにすぎないが、本発明中のＭは特許請求範囲に
示した元素で効果がある。又Ｍの組合せとしても
効果はあがる。又スパツター等で作製する場合、
作製条件によつてはアモルフアス膜も得ることが
出来る。このようにホイスラー３元合金に第４元
素を加えることによつてθkが大きく改良出来、
更にアモフアス化することが出来るので光磁気メ
モリーとして最良のメモリーが得られる。
のが多いが本発明の垂直磁化膜を得るためにスパ
ツター法、真空蒸着法、イオンプレーテイング
法、その他多くの物理的ベイパーデポジシヨン法
によつて作製することができる。例えば、スパツ
タ法による場合ターゲツト組成は溶解法、粉末焼
結等によつて作製し、又添加元素等はターゲツト
の上にチツプとして乗せその枚数で組成の濃度を
変化させる。そして基板はガラス、PMMA、PC
等の透明プラスチツクを用いその上に光磁気メモ
リー膜（本発明膜）を50Å〜数μの膜厚を作製す
る。この試料のθkはレザー光（He−Ne、LD）
によつて回転角測定器で測定する。その結果が第
１図、第２図である。図中には代表的な例を示し
たにすぎないが、本発明中のＭは特許請求範囲に
示した元素で効果がある。又Ｍの組合せとしても
効果はあがる。又スパツター等で作製する場合、
作製条件によつてはアモルフアス膜も得ることが
出来る。このようにホイスラー３元合金に第４元
素を加えることによつてθkが大きく改良出来、
更にアモフアス化することが出来るので光磁気メ
モリーとして最良のメモリーが得られる。
この発明は以上説明したように従来のMn含有
のホイスラー系３元合金について第２図に示した
ようにθkが大きい0.5以上を示すMnの組成Ｘが
0.4＜Ｘ＜2.2の範囲において、第４元素添加によ
つて更にθkを向上せしめたものでありこの添加
量は0.05＜Ｙ＜0.3である。
のホイスラー系３元合金について第２図に示した
ようにθkが大きい0.5以上を示すMnの組成Ｘが
0.4＜Ｘ＜2.2の範囲において、第４元素添加によ
つて更にθkを向上せしめたものでありこの添加
量は0.05＜Ｙ＜0.3である。
この代表組成の例を第１図に示してある。この
ようにθkを大きくすることによつて光磁気読出
しが大きくなるため優れたＣ／Ｍ比を持つ光磁気
メモリー媒体が可能となつた。
ようにθkを大きくすることによつて光磁気読出
しが大きくなるため優れたＣ／Ｍ比を持つ光磁気
メモリー媒体が可能となつた。
第１図はこの発明にかかる（K3-XMoXL）1-YMY
の代表例を示す。すなわちＫ＝Pt、Ni、Pd、
Rh、Cu、Ｌ＝Sb、Sn、As、In、Ga、の例につ
いてのθkと組成の関係を示す。第２図は従来か
ら知られているホイスラー３元合金の代表例であ
る材料についてMnの量Ｘとθkの関係を示す。
の代表例を示す。すなわちＫ＝Pt、Ni、Pd、
Rh、Cu、Ｌ＝Sb、Sn、As、In、Ga、の例につ
いてのθkと組成の関係を示す。第２図は従来か
ら知られているホイスラー３元合金の代表例であ
る材料についてMnの量Ｘとθkの関係を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する合金
の一般式（K3-xMnxL）1-YMYで示される組成を有
する薄膜光磁気記録媒体。 ここにＫはPt、Pd、Au、Rh、Fe、Co、Ni、
Cu、の一種の元素である。 ＬはAl、Ga、In、Si、Ge、Sn、As、Sbの一
種の元素である。 ＭはＳ、Se、Te、Ｐ、Bi、Pb、Ｂ、Tl、Zn、
Cd、Ag、Cr、Mo、Ｗ、Ｖ、Nb、Ta、Ti、Zr、
Hf、Sc、Ｙ、Nd、Sm、Tb、Ybの一種以上の
元素である。 Ｘは0.4＜Ｘ＜2.2、Ｙは0.05＜Ｙ＜0.3である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17568084A JPS6153702A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17568084A JPS6153702A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6153702A JPS6153702A (ja) | 1986-03-17 |
| JPH0358521B2 true JPH0358521B2 (ja) | 1991-09-05 |
Family
ID=16000353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17568084A Granted JPS6153702A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6153702A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7142809B1 (en) | 2001-02-27 | 2006-11-28 | The Directv Group, Inc. | Device and method to locally fill gaps in spotbeam satellite systems with frequency re-use |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0770095B2 (ja) * | 1986-08-11 | 1995-07-31 | 日本電信電話株式会社 | 光磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-08-23 JP JP17568084A patent/JPS6153702A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7142809B1 (en) | 2001-02-27 | 2006-11-28 | The Directv Group, Inc. | Device and method to locally fill gaps in spotbeam satellite systems with frequency re-use |
| US7308230B2 (en) | 2001-02-27 | 2007-12-11 | The Directv Group, Inc. | Device and method to locally fill gaps in spotbeam satellite systems with frequency re-use |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6153702A (ja) | 1986-03-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0118506B2 (ja) | ||
| US4880694A (en) | Magneto-optical recording material | |
| JPH0249002B2 (ja) | ||
| JPH0467263B2 (ja) | ||
| JPH0630300B2 (ja) | 非晶質磁気光学層 | |
| JPH0358521B2 (ja) | ||
| JPH0351082B2 (ja) | ||
| JPS61258353A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS59185052A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| KR920007319B1 (ko) | 광자기 기록매체 | |
| JPH0352202B2 (ja) | ||
| JPS62112252A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS61117749A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS61120408A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2729962B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS6189604A (ja) | 金属酸化物磁性体および磁性膜 | |
| JPH0259603B2 (ja) | ||
| JPH0432209A (ja) | 磁性膜 | |
| JP2595638B2 (ja) | 光磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS6189605A (ja) | 金属酸化物磁性体および磁性膜 | |
| JPS62180538A (ja) | 光デイスク | |
| JP2503268B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS63237240A (ja) | 光磁気記録媒体の改良 | |
| JPS6266448A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0232766B2 (ja) | Jikikogakukirokuzairyo |