JPS6266448A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS6266448A JPS6266448A JP20541985A JP20541985A JPS6266448A JP S6266448 A JPS6266448 A JP S6266448A JP 20541985 A JP20541985 A JP 20541985A JP 20541985 A JP20541985 A JP 20541985A JP S6266448 A JPS6266448 A JP S6266448A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magneto
- optical recording
- recording medium
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compounds Of Iron (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術充Ｊ
本発明は、記録層として垂直磁化された磁性層を有する
光磁気記録媒体に関する。
光磁気記録媒体に関する。
従来の技術 ゛
近年、光の熱効果を利用して磁性薄膜に磁区を書込んで
情報を記録し、磁気光学効果を利用して情報を読み出す
ようにした光磁気記録媒体が注目されている。
情報を記録し、磁気光学効果を利用して情報を読み出す
ようにした光磁気記録媒体が注目されている。
従来、光磁気記録媒体に用いられる磁性体としては希土
類金属と遷移金属との非晶質合金からなるものが知られ
ている。このような非晶質合金磁性体を用いた光磁気記
録媒体は、一般にガラス板のような基板上に磁性体、例
えばＴｂ−Ｆ ｅ合金を真空蒸着、スパッタリング等の
方法で厚さ０．１〜１μｍ程度に付着させて磁性体を形
成することにより作製されている。しかしながら、非晶
質合金磁性体、特に希土類金属成分は酸化腐食を受は易
いので、経時と共に磁性膜の磁気光学特性が劣化すると
いう大きな欠点があり、記録時の光および熱によりさら
にこの酸化腐食が促進されてしまう。また、非結晶質磁
性体は熱によって結晶化され易く、そのために磁気特性
の劣化を来たし易いという欠点も有する。
類金属と遷移金属との非晶質合金からなるものが知られ
ている。このような非晶質合金磁性体を用いた光磁気記
録媒体は、一般にガラス板のような基板上に磁性体、例
えばＴｂ−Ｆ ｅ合金を真空蒸着、スパッタリング等の
方法で厚さ０．１〜１μｍ程度に付着させて磁性体を形
成することにより作製されている。しかしながら、非晶
質合金磁性体、特に希土類金属成分は酸化腐食を受は易
いので、経時と共に磁性膜の磁気光学特性が劣化すると
いう大きな欠点があり、記録時の光および熱によりさら
にこの酸化腐食が促進されてしまう。また、非結晶質磁
性体は熱によって結晶化され易く、そのために磁気特性
の劣化を来たし易いという欠点も有する。
さらに、非晶質合金磁性体からなる磁性膜はレーザーの
発信波長領域での透過率が低いため、磁性膜表面での反
射による磁気光学効果、即ちカー効果により記録情報を
読み出しているが、カー回転角は一般に小さいため再生
感度が低いという問題もあった。
発信波長領域での透過率が低いため、磁性膜表面での反
射による磁気光学効果、即ちカー効果により記録情報を
読み出しているが、カー回転角は一般に小さいため再生
感度が低いという問題もあった。
本出願人は、先にヘキサゴナルマグネトプラムバイト磁
性体が金属酸化物で経時安定性に優れ、レーザー光波長
領域で透光性を有することからファラデー効果を利用し
うろことに着目し。
性体が金属酸化物で経時安定性に優れ、レーザー光波長
領域で透光性を有することからファラデー効果を利用し
うろことに着目し。
以下の一般式（Ａ）または（Ｂ）で示される磁性体から
なる磁性層を設け、さらにその上に透明誘電体層および
反射層を順次設けたものを提案した（特開昭５９−４５
６４４号公報）。
なる磁性層を設け、さらにその上に透明誘電体層および
反射層を順次設けたものを提案した（特開昭５９−４５
６４４号公報）。
ＭｅＭＸＭｙＦｅ１２．０１． （Ａ）（
式中、ＭｅはＢａ、Ｐｂ、ＳｒおよびＳｃからなる群か
ら選ばれた少なくとも１種の元素であり、そしてＭはＣ
０．Ｍｎ、Ｔｌｌ Ｚｎ５Ａｌ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｃｒおよ
びＭｇからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素で
あり、但し、ｐ＝ｘ十ｙ （ｙ＝ｏであってもよい）、
１．２≦ｐ≦２） ＣｏＭｚＦｅ２ｚＯ，（Ｂ） （式中、Ｍは上述したとおりであり、但し０．７５≦２
≦１．３） この公報には、バリウムフェライトのＦｅ”原子の一部
をＧｏおよびＴｉで置換したＢ ａ ＣＯＸＴ ｌ ｘ
Ｆ ｅ １２−＊ｘＯ１ｑ磁性体が示されており、Ｃｏ
で置換することによりファラデー回転角（θ１）が増大
し、Ｔｉで置換することによりキューリ一温度（Ｔ ｃ
）を低下させうろことが示されている。しかしながら
、この磁性体は、光磁気記録媒体用の磁性体として、必
ずしも満足のいくものでなかった。
式中、ＭｅはＢａ、Ｐｂ、ＳｒおよびＳｃからなる群か
ら選ばれた少なくとも１種の元素であり、そしてＭはＣ
０．Ｍｎ、Ｔｌｌ Ｚｎ５Ａｌ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｃｒおよ
びＭｇからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素で
あり、但し、ｐ＝ｘ十ｙ （ｙ＝ｏであってもよい）、
１．２≦ｐ≦２） ＣｏＭｚＦｅ２ｚＯ，（Ｂ） （式中、Ｍは上述したとおりであり、但し０．７５≦２
≦１．３） この公報には、バリウムフェライトのＦｅ”原子の一部
をＧｏおよびＴｉで置換したＢ ａ ＣＯＸＴ ｌ ｘ
Ｆ ｅ １２−＊ｘＯ１ｑ磁性体が示されており、Ｃｏ
で置換することによりファラデー回転角（θ１）が増大
し、Ｔｉで置換することによりキューリ一温度（Ｔ ｃ
）を低下させうろことが示されている。しかしながら
、この磁性体は、光磁気記録媒体用の磁性体として、必
ずしも満足のいくものでなかった。
光磁気記録媒体の磁性膜としては、■再生出力を大きく
するためにθアを大きくすること、■記録感度を高める
ためにＴｃを下げること（１００〜３５０℃程度が適当
）、■高密度記録するために垂直磁気異方性（Ｋ ｕ
）が大きいこと、■記録された磁化が安定であ゛るため
に保磁力（Ｈｃ ）が大きいこと（３００〜６０００工
−テルステツド程度が適当）、などが要求される。上記
の特開昭５９−４５６４４号公報に示された磁性体は、
これら磁気特性を必ずしも十分に満足すべきものではな
かった。ｃｏにより置換することによりθ１は増大する
が、再生特性を向上するためにＧｏの置換量を多くする
と、それに応じＴｉの量が多くなる。Ｔｉの量が増すと
角形比（残留磁化／飽和磁化）が悪くなり、記録−メモ
リー特性が劣化してしまう。
するためにθアを大きくすること、■記録感度を高める
ためにＴｃを下げること（１００〜３５０℃程度が適当
）、■高密度記録するために垂直磁気異方性（Ｋ ｕ
）が大きいこと、■記録された磁化が安定であ゛るため
に保磁力（Ｈｃ ）が大きいこと（３００〜６０００工
−テルステツド程度が適当）、などが要求される。上記
の特開昭５９−４５６４４号公報に示された磁性体は、
これら磁気特性を必ずしも十分に満足すべきものではな
かった。ｃｏにより置換することによりθ１は増大する
が、再生特性を向上するためにＧｏの置換量を多くする
と、それに応じＴｉの量が多くなる。Ｔｉの量が増すと
角形比（残留磁化／飽和磁化）が悪くなり、記録−メモ
リー特性が劣化してしまう。
発明の目的
本発明は、大きなファラデー回転角を有するとともに、
角形比を改善した光磁気記録媒体を提供することを目的
とする。
角形比を改善した光磁気記録媒体を提供することを目的
とする。
光ｍわえ
本発明の光磁気記録媒体は、以下の一般式（１）で表わ
される酸化物磁性体薄膜を設けたことを特徴とする。
される酸化物磁性体薄膜を設けたことを特徴とする。
ＭｅＯ−ｎ（Ｃｏ迅Ｍａ１．ＭｂＺＦｅ２−（Ｘ＋２）
Ｏ，） （Ｉ）（式中、Ｍｅ、Ｍａ、Ｍｂ、ｘ、ｚ、
ｎはそれぞれ以下の通りである。
Ｏ，） （Ｉ）（式中、Ｍｅ、Ｍａ、Ｍｂ、ｘ、ｚ、
ｎはそれぞれ以下の通りである。
Ｍｅ ： Ｂａ、Ｂｒ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｌａから選ばれる
少なくとも１種の金属 Ｍａ：５価のＮｂ、Ｔａから選ばれる少なくとも１種の
金属 Ｍｂ ：ＡＩ２．Ｇａ、Ｃｒ、Ｒｈから選ばれる少なく
とも３価の金属 ｘ：０．１≦ｘ（０，７ ｚ ： ０ ＜ ｚ ＜０．５ ｎ：５≦ｎ≦６．５） 以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
少なくとも１種の金属 Ｍａ：５価のＮｂ、Ｔａから選ばれる少なくとも１種の
金属 Ｍｂ ：ＡＩ２．Ｇａ、Ｃｒ、Ｒｈから選ばれる少なく
とも３価の金属 ｘ：０．１≦ｘ（０，７ ｚ ： ０ ＜ ｚ ＜０．５ ｎ：５≦ｎ≦６．５） 以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
一般式（Ａ）
Ｍ ｅ Ｏ−ｎ （Ｆ ｅ、０．）
（Ａ）（式中、Ｍｅおよびｎは前記の通り） で表わされるヘキサゴナルマグネットプランバイトのＦ
ｅ３＋金属原子の１部をＧｏ”金属原子で置換するとθ
、が増大する。３価の原子を２価の原子で置換したので
イオン価数が不足するので等価とするために４価以上の
一部を置換する必要がある。しかしながら、Ｔｉ４＋金
属原子で置換すると、角形比が悪くなり再生に不都合が
生じる。これに対して電荷補償元素として、Ｎｂ”（５
価のニオブ）またはＴ”（５価のタンタル）を用い、Ｇ
ｏ”−Ｎｂ５＋あるいはＣｏ ” −Ｎ ｂ ’＋で置
換することにより、角形比を改善してファラデー回転角
を向上させることが判った。また、４価のイオンを用い
た場合と比較して、５価のイオンは半分の量で電荷の補
償を行うことができる。さらに、Ｃｒ”。
（Ａ）（式中、Ｍｅおよびｎは前記の通り） で表わされるヘキサゴナルマグネットプランバイトのＦ
ｅ３＋金属原子の１部をＧｏ”金属原子で置換するとθ
、が増大する。３価の原子を２価の原子で置換したので
イオン価数が不足するので等価とするために４価以上の
一部を置換する必要がある。しかしながら、Ｔｉ４＋金
属原子で置換すると、角形比が悪くなり再生に不都合が
生じる。これに対して電荷補償元素として、Ｎｂ”（５
価のニオブ）またはＴ”（５価のタンタル）を用い、Ｇ
ｏ”−Ｎｂ５＋あるいはＣｏ ” −Ｎ ｂ ’＋で置
換することにより、角形比を改善してファラデー回転角
を向上させることが判った。また、４価のイオンを用い
た場合と比較して、５価のイオンは半分の量で電荷の補
償を行うことができる。さらに、Ｃｒ”。
Ａ １３４’、 Ｇ ａ”、 Ｒｈ”＋はキュリ一温度
の低下と保磁力の向上の双方の効果、とりわけ保磁力を
大きくすることができるので、Ｆｅ３＋の一部をＣｒ”
（３価のクロム）、Ａｌ”（３価のアルミニウム）、Ｇ
ａ”（３価のガリウム）、Ｒｈ”（３価のロジウム）の
少なくとも１種で置換することにより、保磁力を適正な
値とすることができる。
の低下と保磁力の向上の双方の効果、とりわけ保磁力を
大きくすることができるので、Ｆｅ３＋の一部をＣｒ”
（３価のクロム）、Ａｌ”（３価のアルミニウム）、Ｇ
ａ”（３価のガリウム）、Ｒｈ”（３価のロジウム）の
少なくとも１種で置換することにより、保磁力を適正な
値とすることができる。
前記一般式（１、）でＸの値が０．７を越えると、垂直
異方性が減少し、磁化容易軸が面内になってしまい好ま
しくない。Ｘのより好ましい範囲は０．１５≦Ｘ≦０．
６である。また、一般式（Ｉ）で２の値が０．５を越え
るとキューリ一温度が低下しすぎる。２のより好ましい
範囲は０．２≦２≦０．４である。
異方性が減少し、磁化容易軸が面内になってしまい好ま
しくない。Ｘのより好ましい範囲は０．１５≦Ｘ≦０．
６である。また、一般式（Ｉ）で２の値が０．５を越え
るとキューリ一温度が低下しすぎる。２のより好ましい
範囲は０．２≦２≦０．４である。
また、本発明の光磁気記録媒体では、磁気特性をさらに
改善するために必要に応じてＭｇ（マグネシウム）、■
（バナジウム）、Ｙ（イツトリウム）、Ｚｒ（ジルコニ
ウム）、Ｍ ｏ （モリブデン）、Ｒｕ（ルテニウム）
、Ｃｅ（セシウム）、Ｓｉ（シリコン）、Ｗ（タングス
テン）、Ｏｓ （オスミウム）、Ｉｒ（イリジウム）、
Ｎｉにッケル）、Ｃｕ （銅）、ｓｂ（アンチモン）、
Ｂｉ（ビスマス）等でさらにＦｅ原子の一部を置換する
こともできる。
改善するために必要に応じてＭｇ（マグネシウム）、■
（バナジウム）、Ｙ（イツトリウム）、Ｚｒ（ジルコニ
ウム）、Ｍ ｏ （モリブデン）、Ｒｕ（ルテニウム）
、Ｃｅ（セシウム）、Ｓｉ（シリコン）、Ｗ（タングス
テン）、Ｏｓ （オスミウム）、Ｉｒ（イリジウム）、
Ｎｉにッケル）、Ｃｕ （銅）、ｓｂ（アンチモン）、
Ｂｉ（ビスマス）等でさらにＦｅ原子の一部を置換する
こともできる。
次に本発明の光磁気記録媒体の構成例について説明する
。光磁気記録媒体は、最も単純には適当な基板と、この
上に設けられた垂直磁化された金属酸化物磁性体薄膜か
らなる磁性層とから形成されるが、反射光を利用するた
めの反射層、レーザー光の案内のためのガイドトラック
、垂直磁化膜の配向性を改善するための下地層等を適宜
設けることが好ましい。好ましい光磁気記録媒体として
は、磁性層、反射層、ガイドトラックおよび下地層を有
するものが挙げられる。
。光磁気記録媒体は、最も単純には適当な基板と、この
上に設けられた垂直磁化された金属酸化物磁性体薄膜か
らなる磁性層とから形成されるが、反射光を利用するた
めの反射層、レーザー光の案内のためのガイドトラック
、垂直磁化膜の配向性を改善するための下地層等を適宜
設けることが好ましい。好ましい光磁気記録媒体として
は、磁性層、反射層、ガイドトラックおよび下地層を有
するものが挙げられる。
第１図は、このような光磁気記録媒体の構成例を示す断
面図であり、ガイドトラックが形成された基板１１上に
、下地層１３、磁性層１５、反射層１７が順次積層され
ている。情報の書込み、再生は図中に矢印で示したよう
に基板１１側からレーザービームを照射して行い、反射
光を利用して再生することができる。このように再生時
の読出し光は磁性層を往復することになる。本発明の磁
性体は透過率が大きいので、反射型ファラデー効果を利
用することができ、２倍の０）−で再生可能となり非常
に有利である。
面図であり、ガイドトラックが形成された基板１１上に
、下地層１３、磁性層１５、反射層１７が順次積層され
ている。情報の書込み、再生は図中に矢印で示したよう
に基板１１側からレーザービームを照射して行い、反射
光を利用して再生することができる。このように再生時
の読出し光は磁性層を往復することになる。本発明の磁
性体は透過率が大きいので、反射型ファラデー効果を利
用することができ、２倍の０）−で再生可能となり非常
に有利である。
支持体１１としては、結晶化ガラス、ソーダガラス、バ
イコールガラス、パイレックスガラス、アルミノケイ酸
ガラス、石英ガラス、ガラス材でグレーズしたアルミナ
、酸化ジルコン、サファイア、ガドリウム・ガリウム・
ガーネット（ＧＧＧ） 、リチウムタンタレート、酸化
マグネシウムなどの単結晶材、アクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂などが用いられる。
イコールガラス、パイレックスガラス、アルミノケイ酸
ガラス、石英ガラス、ガラス材でグレーズしたアルミナ
、酸化ジルコン、サファイア、ガドリウム・ガリウム・
ガーネット（ＧＧＧ） 、リチウムタンタレート、酸化
マグネシウムなどの単結晶材、アクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂などが用いられる。
下地層１３は、ヘキサゴナルマグネトプラムバイトから
なる垂直磁化膜を形成する際に、エピタキシャル効果に
より磁性体のＣ軸が基板面に対して垂直に配向されるよ
うに働くものであり、ＺｎＯ，Ｍｎ−Ｚｎフェライト、
Ｆｅ３Ｏ４゜Ｇ Ｇ Ｇ 、 Ｙ Ｉ Ｇ 、 Ｍ ｇ
Ｏなどの結晶膜から形成される。下地層の膜厚は５０
０〜５０００人程度が適当であり、スパッタリング法、
イオンブレーティング法、蒸着法等のＰＶＤ法、光ＣＶ
Ｄ法などにより形成される。
なる垂直磁化膜を形成する際に、エピタキシャル効果に
より磁性体のＣ軸が基板面に対して垂直に配向されるよ
うに働くものであり、ＺｎＯ，Ｍｎ−Ｚｎフェライト、
Ｆｅ３Ｏ４゜Ｇ Ｇ Ｇ 、 Ｙ Ｉ Ｇ 、 Ｍ ｇ
Ｏなどの結晶膜から形成される。下地層の膜厚は５０
０〜５０００人程度が適当であり、スパッタリング法、
イオンブレーティング法、蒸着法等のＰＶＤ法、光ＣＶ
Ｄ法などにより形成される。
磁性層は、基板上に一般式（Ｉ）で示された磁性体を、
基板温度４００〜７００℃で真空蒸着、スパッタリング
、イオンブレーティング等の方法で膜厚０．１〜１０μ
ｍ程度に成膜することにより形成することができる。こ
うして得られた磁性層は垂直配向されている。また、よ
り低温で磁性層を形成したのち、必要により磁界を印加
しながら熱処理して、垂直配向させることもできる。
基板温度４００〜７００℃で真空蒸着、スパッタリング
、イオンブレーティング等の方法で膜厚０．１〜１０μ
ｍ程度に成膜することにより形成することができる。こ
うして得られた磁性層は垂直配向されている。また、よ
り低温で磁性層を形成したのち、必要により磁界を印加
しながら熱処理して、垂直配向させることもできる。
このように、本発明の磁性層は、樹脂バインダを含む磁
性層とは異なり、磁性体のみが連続して薄層を形成する
ものである。スパッタリングにより磁性層を形成する場
合は、たとえば、所定量のＭｅＣＯ３またはＭ ｅ Ｏ
と、Ｆｅ２Ｏ，、Ｃｏ０１さらにＭａおよびＭｂの酸化
物を混合粉砕し、これを適当な形状の金型に入れて成形
後１２００〜１４００℃の温度で焼結してターゲットを
作成し、これをスパッタすればよい。
性層とは異なり、磁性体のみが連続して薄層を形成する
ものである。スパッタリングにより磁性層を形成する場
合は、たとえば、所定量のＭｅＣＯ３またはＭ ｅ Ｏ
と、Ｆｅ２Ｏ，、Ｃｏ０１さらにＭａおよびＭｂの酸化
物を混合粉砕し、これを適当な形状の金型に入れて成形
後１２００〜１４００℃の温度で焼結してターゲットを
作成し、これをスパッタすればよい。
反射膜１７は、Ａｇ、Ａｌｅ Ｃｕ、Ａｕｔ Ｐｔ。
Ｃｒ、Ｒｈ、Ｎｉなどを真空蒸着、スパッタリング、イ
オンブレーティングなどにより膜厚２００〜３０００人
程度の薄膜を形成することにより得られる。
オンブレーティングなどにより膜厚２００〜３０００人
程度の薄膜を形成することにより得られる。
ガイドトラックは、フォトリソグラフィーや２Ｐ法など
を応用して予め基板に形成することができ、また、グレ
ープ付きのプラスチック板を適当な基体に貼り合わせて
基板とすることもできる。さらに、磁性層を形成した後
、いわゆるアフターグレープを形成することもできる。
を応用して予め基板に形成することができ、また、グレ
ープ付きのプラスチック板を適当な基体に貼り合わせて
基板とすることもできる。さらに、磁性層を形成した後
、いわゆるアフターグレープを形成することもできる。
第４図は光磁気記録媒体の他の構成例を示し、ガイドト
ラックを有する基板１１上に、反射層１７、下地層１３
、磁性層１５が順次形成されている。この構成例ではレ
ーザー光が基板１１を経ないで照射されるので、基板１
１としては不透明なものも使用可能であり、既に説明し
た透明基板に加えて、シリコンなどの単結晶材、ステン
レス、アルミニウム、銅、ニッケル、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｎ１
−Ｐなどの金属、多結晶シリコンなどが用いられる。な
お、本発明において透明、不透明とは、記録の書込みや
読出しに使用される光ビームの透光性を基準とするもの
である。
ラックを有する基板１１上に、反射層１７、下地層１３
、磁性層１５が順次形成されている。この構成例ではレ
ーザー光が基板１１を経ないで照射されるので、基板１
１としては不透明なものも使用可能であり、既に説明し
た透明基板に加えて、シリコンなどの単結晶材、ステン
レス、アルミニウム、銅、ニッケル、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｎ１
−Ｐなどの金属、多結晶シリコンなどが用いられる。な
お、本発明において透明、不透明とは、記録の書込みや
読出しに使用される光ビームの透光性を基準とするもの
である。
本発明の光磁気記録媒体への記録、再生は従来と同じく
垂直磁化された磁性層に変調または偏向されたレーザー
光を照射して行うことができる。たとえば、磁性層に磁
界の印加下に選択的にレーザービームを照射し、照射部
をキューリ一温度以上に加熱し保磁力を減少させて磁気
反転させ、記録ビットを形成して情報を記録する。この
情報の読み出しはレーザーの偏光を磁性層に照射し、フ
ァラデー回転角の差を検出することにより行われる。
垂直磁化された磁性層に変調または偏向されたレーザー
光を照射して行うことができる。たとえば、磁性層に磁
界の印加下に選択的にレーザービームを照射し、照射部
をキューリ一温度以上に加熱し保磁力を減少させて磁気
反転させ、記録ビットを形成して情報を記録する。この
情報の読み出しはレーザーの偏光を磁性層に照射し、フ
ァラデー回転角の差を検出することにより行われる。
１浬びり１釆
本発明によれば、Ｆｅ原子の一部を２価のコバルトおよ
び５価のニオブまたはタンタルならびにアルミニウム、
ガリウム、クロムまたはロジウムで置換した垂直磁化膜
を磁性層として用いることにより、角形比を改善して、
大きなファラデー回転角を得ることができるとともに、
適正な保磁力を実現できる。よって、優れて記録−メモ
リー特性が得られるとともに、再生感度が向上する。
び５価のニオブまたはタンタルならびにアルミニウム、
ガリウム、クロムまたはロジウムで置換した垂直磁化膜
を磁性層として用いることにより、角形比を改善して、
大きなファラデー回転角を得ることができるとともに、
適正な保磁力を実現できる。よって、優れて記録−メモ
リー特性が得られるとともに、再生感度が向上する。
実施例１
第１表に示した組成となるように、
ＭｅＣＯ，（Ｍｅ＝Ｂａ、Ｐｂ、Ｓ ｒ、Ｃａ、Ｌａ）
とＦ ｅ２０３． Ｃｏ ＯおよびＭａ、Ｍｂの酸化物
を混合し、１３００℃の電気炉で焼成し、２００ Ｘ
１００×５１１１ｍｔのスパッタ用ターゲットを作成し
た。
とＦ ｅ２０３． Ｃｏ ＯおよびＭａ、Ｍｂの酸化物
を混合し、１３００℃の電気炉で焼成し、２００ Ｘ
１００×５１１１ｍｔのスパッタ用ターゲットを作成し
た。
これらのターゲットを用いて、ホトレジスト法によりス
パイラル状のガイドトラックを作成し、予め反射層とし
てＡｕを１０００人形成し、この上に対向スパッタリン
グによりＺｎＯ層を形成したパイレックス基板（１２０
ｍｍφＸ１．２ｍｍｔ）に、対向スパッタリングにより
１μｍの磁性層を形成した。これら各層の作成条件は次
の通りである。
パイラル状のガイドトラックを作成し、予め反射層とし
てＡｕを１０００人形成し、この上に対向スパッタリン
グによりＺｎＯ層を形成したパイレックス基板（１２０
ｍｍφＸ１．２ｍｍｔ）に、対向スパッタリングにより
１μｍの磁性層を形成した。これら各層の作成条件は次
の通りである。
ＺｎＯの 成膜 および特性
ターゲット： ２ＱＯＸ１００Ｘ５＋ｎ＋ｎｔＺ ｎ
Ｏ焼結体ガス圧： ２．ＯＸ １Ｏ−２Ｔｏｒｒガス混
合比： Ａ ｒ ：０２＝１：２放電電カニ８０Ｗ 基板温度：３００℃ スパッタ時間：２ＩＩｌｉｎ 特性 膜厚：０．３μｍ 結晶配向性：基板面の垂直方向にＣ軸配向表面粗さ：
ｗａｘ ２０人 電炸麗勿棋双粂作 ターゲット組成：後記第１表参照 ターゲット寸法： ２００ Ｘ １００ Ｘ ５ Ｉ１
ｍｔガス圧Ａ ｒ ： ２ｍ Ｔｏｒｒ ０２： ０．３ｍ Ｔｏｒｒ 放電型カニ １００Ｗ 基板温度：４００℃ スパッタ時間： ９０ｍ１ｎ 得られた光磁気記録媒体の磁気特性を後記第１表に示し
た。
Ｏ焼結体ガス圧： ２．ＯＸ １Ｏ−２Ｔｏｒｒガス混
合比： Ａ ｒ ：０２＝１：２放電電カニ８０Ｗ 基板温度：３００℃ スパッタ時間：２ＩＩｌｉｎ 特性 膜厚：０．３μｍ 結晶配向性：基板面の垂直方向にＣ軸配向表面粗さ：
ｗａｘ ２０人 電炸麗勿棋双粂作 ターゲット組成：後記第１表参照 ターゲット寸法： ２００ Ｘ １００ Ｘ ５ Ｉ１
ｍｔガス圧Ａ ｒ ： ２ｍ Ｔｏｒｒ ０２： ０．３ｍ Ｔｏｒｒ 放電型カニ １００Ｗ 基板温度：４００℃ スパッタ時間： ９０ｍ１ｎ 得られた光磁気記録媒体の磁気特性を後記第１表に示し
た。
また、このようにして得られた各光磁気記録媒体を一方
向に磁化させ、出力２０［ＩＩＩＩＩ、λ＝７８０ｎｍ
の半導体レーザーを記録体にＩ ＭＨｚのパルス光で照
射し、同時に５００エールステツドの磁界を印加し磁化
反転せしめて記録したところ、約１．５μｍの記録ビッ
トが確認できた。
向に磁化させ、出力２０［ＩＩＩＩＩ、λ＝７８０ｎｍ
の半導体レーザーを記録体にＩ ＭＨｚのパルス光で照
射し、同時に５００エールステツドの磁界を印加し磁化
反転せしめて記録したところ、約１．５μｍの記録ビッ
トが確認できた。
第１図および第２図は本発明の光記録媒体の構成例を示
す断面図である。 １１・・・基 板 １３・・・下 地 層 １５・・・磁 性 層 １７・・・反 射 層
す断面図である。 １１・・・基 板 １３・・・下 地 層 １５・・・磁 性 層 １７・・・反 射 層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式（ I ） ＭｅＯ・ｎ〔Ｃｏ＾２＿−＿ｘＭａ＿１＿−＿ｘＭｂ＿
ｚＦｅ＿２＿−＿（＿ｘ＿＋＿ｚ＿）Ｏ＿３〕（ I ）
（式中、Ｍｅ、Ｍａ、Ｍｂ、ｘ、ｚ、ｎはそれぞれ以下
の通りである。 Ｍｅ：Ｂａ、Ｂｒ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｌａから選ばれる少な
くとも１種の金属 Ｍａ：５価のＮｂ、Ｔａから選ばれる少なくとも１種の
金属 Ｍｂ：Ａｌ、Ｇａ、Ｃｒ、Ｒｈから選ばれる少なくとも
３価の金属 ｘ：０．１≦ｘ＜０．７ ｚ：０＜ｚ＜０．５ ｎ：５≦ｎ≦６．５） で表わされる酸化物磁性体薄膜を設けたことを特徴とす
る光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20541985A JPS6266448A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20541985A JPS6266448A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6266448A true JPS6266448A (ja) | 1987-03-25 |
Family
ID=16506535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20541985A Pending JPS6266448A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6266448A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117509741A (zh) * | 2023-11-08 | 2024-02-06 | 合肥工业大学 | 稀土钕和五价离子双位取代m型钡铁氧体双波段吸波剂及其制备方法 |
-
1985
- 1985-09-19 JP JP20541985A patent/JPS6266448A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117509741A (zh) * | 2023-11-08 | 2024-02-06 | 合肥工业大学 | 稀土钕和五价离子双位取代m型钡铁氧体双波段吸波剂及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4544602A (en) | Magneto-optical recording medium having a ferrimagnetic recording layer | |
| JPS6231051A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| US5382305A (en) | Soft magnetic thin film | |
| JPS62119760A (ja) | 光磁気記録材料 | |
| JPS60231306A (ja) | 非晶質磁気光学層 | |
| JPS6266448A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS6189606A (ja) | 金属酸化物磁性体および磁性膜 | |
| JPS61258353A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2729962B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH057775B2 (ja) | ||
| JPS6189604A (ja) | 金属酸化物磁性体および磁性膜 | |
| JPS6189605A (ja) | 金属酸化物磁性体および磁性膜 | |
| JPS61222045A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0664761B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS59116990A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0638370B2 (ja) | 非晶質磁気光学層 | |
| JPH0358521B2 (ja) | ||
| JPH0432209A (ja) | 磁性膜 | |
| JPS62267949A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS63119049A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS6280844A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2726298B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JPS63276728A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH01178152A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH06325419A (ja) | 光磁気記録媒体 |